【課題】金属ガラス物品を製造する場合に、その物品の大きさや立体形状にかかわらず容易かつ迅速に対応できる金属ガラス物品の製造方法の提供。
【解決手段】この発明は、金属ガラス物品を製造する方法であって、第１工程と第２工程を基本とする。第１工程では、粉末状の金属ガラス３を所定の厚さに敷き詰めて金属ガラス層を形成する。第２工程では、第２工程で形成した金属ガラス層の所定部に対してレーザ光を照射し、当該照射部の金属ガラスを局所的に過熱、溶融して再凝固させ、その所定の厚さからなる所望の凝固形状を作成する。そして、第１工程と第２工程とを交互に繰り返し、金属ガラスで所望の立体形状を作成する。 （もっと読む）

【課題】従来の両面媒体とほぼ同等の磁気特性、信頼性特性が得られ、しかもコストの大幅な低減を可能にする片面垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体であって、基板１の片面のベース面１Ａ上に、少なくとも磁気記録層を含む磁気記録媒体構成層２を備え、前記基板１の他方の片面である副基板面１Ｂ上に、順に、非磁性金属膜３及び炭素系保護膜４を備えた。 （もっと読む）

【課題】低コストでホイスラー合金の規則化を促進させ、高い磁気抵抗効果を実現すること。
【解決手段】下地層１１に自由磁化層１２、非磁性層１３、固定磁化層１４、反強磁性層１５および保護層１６を積層した積層構造を有する磁気抵抗効果素子１において、自由磁化層１２を固定磁化層１４のうち少なくともいずれか１層をホイスラー合金で形成し、下地層、非磁性層１３、保護層１６のうち少なくとも１層をＢ２規則化構造の合金層で形成する。 （もっと読む）

【課題】多層磁性層の薄膜化に大いに寄与することができる多層構造膜を提供する。
【解決手段】多層構造膜の一具体例は、非磁性貴金属原子から形成される第１薄膜４３ａ、および、磁性原子または磁性合金から形成される第２薄膜４３ｂを重ね合わせる積層体４１と、この積層体４１の表面に重ね合わせられ、積層体４１の飽和磁化Ｍｓよりも大きい飽和磁化Ｍｓを有する強磁性膜４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】態様は、改良された書き易さを得るための高められた磁気特性を備えた記録媒体に関する。
【解決手段】一様に高い異方性及び狭い反転磁界分布のような、一様な磁気特性を得るように欠陥を減少させて改良された書き易さを可能にする方法、システム及び要素に関する例が示される。一部の例は、媒体の書き易さの改善を最大にするように、硬質層と軟質、半軟質または薄い半硬質の層との間に挿入された交換調整層を持つ記録媒体を有している。交換調整層は粒状であって、磁気記録または記憶装置の硬質層と、軟質、半軟質または半硬質の層との間の垂直結合を減少または最適化することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることを目的とする。
【解決手段】チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットをチャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットをチャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に第１のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に第２のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備える。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５は、Ｍｇ−Ｏで形成され、前記フリー磁性層６は、下からエンハンス層１２、第１軟磁性層１３、Ｃｏ−Ｔａ層１４及び第２軟磁性層１５の順に積層されている。このように軟磁性層１３，１５間にＣｏ−Ｔａ層１４を挿入した構成とすることで、フリー磁性層６の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】２５０Ｇビット／平方インチ以上の記憶容量であってもノイズの少ない、グラニュラ磁気記録層を含む磁気ディスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気ディスクは、ディスク基体１０上に直接又は中間層を介して形成され、グラニュラ柱状粒子間に非磁性領域を有してなるグラニュラ磁気記録層２０と、前記グラニュラ磁気記録層２０上に形成され、前記グラニュラ柱状粒子間で交換相互作用させる補助記録層２２と、を具備し、前記補助記録層２２は、０．１モル〜３モルの酸素を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 軟磁気特性を高く維持した上で、耐候性に優れた垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｃｏ_{１００−Ｘ}−Ｆｅ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｎｉ_Ｙ）_{１００−（ａ＋ｂ＋ｃ）}−Ｍ１_ａ−Ｍ２_ｂ−Ｗ_ｃ、５≦Ｘ≦８０、０≦Ｙ≦２５、２≦ａ≦６、２≦ｂ≦１０、０．５≦ｃ≦５で表され、残部不可避的不純物からなるＣｏ−Ｆｅ系合金であって、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素、前記組成式のＭ２元素が（Ｔａ、Ｎｂ）から選ばれる１種もしくは２種の元素である軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金である。 （もっと読む）

【課題】再生素子のセンシング能力を向上し、高記録密度で記録された情報の再生精度を向上する。
【解決手段】再生素子が有する多層膜が、非磁性層４００と、この非磁性層４００を間に挟む第１強磁性層４０１及び第２強磁性層４０２と、を有し、これらのうち、第１、第２強磁性層の少なくとも一方は、原子組成比がＣｏ：Ｆｅ：Ｂ＝２：１：１であり、かつＬ２_１規則化された結晶構造とされている。これにより、高い分極率を実現できるので、非磁性層の膜厚を一定以上に薄くするなどして素子抵抗を小さくしたとしても、高い磁気抵抗変化率が得られ、高いセンシング能力を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード８０２と、回転可能なステージ８０１と、回転可能な遮蔽板８０５とを備える。上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット８０３ａから発生したスパッタ粒子のうち、基板８０４の法線との成す角度が０°以上５０°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板８０４に入射させるように、カソード８０２、ステージ８０１、および遮蔽板８０５の少なくとも１つの回転を制御する。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比で低磁歪のＣＰＰ磁気リード・ヘッドを実現する。
【解決手段】本発明の一実施形態において、リード・ヘッドは、磁気抵抗センサ膜の積層方向（膜面に垂直な方向）にセンス電流が流れるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）型のリード・ヘッドである。本形態のＣＰＰ磁気ヘッドは、その磁気抵抗センサ膜における自由層構造に特徴を有している。本形態の自由層は積層された複数層から構成されており、ホイスラ合金層と、Ｃｏ系アモルファス金属層とを有している。この自由層構造を有することにより、低磁歪で高いＭＲ比を得ることができ、ノイズ特性にも優れたＣＰＰ磁気リード・ヘッドを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波周波電磁界において高誘電率及び高透磁率の両方を備えた磁気−誘電素子を含むラジオ−周波数デバイスでを提供する。
【解決手段】１ＧＨｚにおいて１０以上の透磁率を示す磁性材料（１６，１８）と１ＧＨｚにおいて１０以上の誘電率を示す誘電材料（１２，２２）とを備えた複合薄膜（１０）を含む磁気−誘電素子を使用するラジオ−周波数デバイスであり、前記磁性材料から形成された層が、交換結合を用いて反強磁性層（２０）と結合された強磁性層によって構成される。前記誘電材料の層が、タンタル、チタン、ハフニウム、ストロンチウム及びニオビウムの酸化物、並びにペロブスカイトであって、特にバリウム及びストロンチウムのチタン酸塩を含む群から選択され、真空筐体内でのイオンビームスパッタリングによって蒸着される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】飽和磁化の異なる固定層１３と自由層１５を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高ＭＲ比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。 （もっと読む）

【課題】大きな一軸磁気異方性を有する磁性薄膜を提供することにある。
【解決手段】原子が規則的に配列したＬ１₁型のＣｏ−Ｐｔ−Ｃ系合金を含有する。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの磁性粒子を所望の形状やサイズで製造する。
【解決手段】有機溶媒での溶解処理で溶解することができるレジスト５１２からなり、ナノサイズの凹凸を有する型５１０を作成し（ステップＳ１０１〜ステップＳ１０２）、ＭＢＥ法によりＣｏの膜とＰｄの膜とを型５１０上に交互に積層して磁性膜５３０を形成し（ステップＳ１０３）、型５１０の凹部内に堆積した磁性膜５３０を、有機溶媒での溶解処理によってレジスト５１２を除去することで取り出すことで磁性粒子２１１を得る。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来に比べ高いＴＭＲ比が室温で得られるＣｏ基ホイスラー合金を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のＣｏ基ホイスラー合金は、下記式１に示すように希土類元素が添加されてなることを特徴とする。
＜式１＞
Ｃｏ_２−ｘＹ_ｘＡＢ
（０＜ｘ＜０．２、
Ｙ：Ｃｅ，Ｐｒ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ又はＬｕ。
Ａ：Ｆｅ又はＭｎ。
Ｂ：Ａｌ，Ｓｉ、Ｇａ，Ｇｅ又はＳｎ）
このＣｏ基ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合素子、磁気抵抗効果素子及び磁気検出素子の、それぞれ従来にはない高性能なものが得られた。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の面積密度を高くするために、物理的間隔を犠牲にせずに有効磁気間隔を低減するための構成要素および方法を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のヘッド媒体間隔（１０７）またはヘッド・キーパ間隔（１０６）を低減することにより面積密度を高くするための構成要素および方法であって、現在用いられている中間層やオーバーコートなどのデバイスの非磁性構成要素を、常磁性または強磁性の材料を含む構成要素および合成物（１０１、１０２、１０４）で置換する。下地層の結晶組成の核を形成するために磁気媒体内に堆積させる磁気シード層を含む。 （もっと読む）