【課題】軟磁性下地層の高い透磁率と反強磁性結合との両方を実現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、複数の軟磁性層を反強磁性結合させた軟磁性下地層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とが積層されてなる磁気記録媒体であって、軟磁性層は、Ｆｅを第１の主成分、Ｃｏを第２の主成分として、さらにＴａを含み、軟磁性下地層は、複数の軟磁性層の間に挟まれるスペーサ層の厚みによって変化する反強磁性結合力の２番目以降に現れるピークを用いて反強磁性結合されており、なお且つ、その透磁率が１０００Ｈ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来に比べ高いＴＭＲ比が室温で得られるＣｏ基ホイスラー合金を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のＣｏ基ホイスラー合金は、下記式１に示すように希土類元素が添加されてなることを特徴とする。
＜式１＞
Ｃｏ_２−ｘＹ_ｘＡＢ
（０＜ｘ＜０．２、
Ｙ：Ｃｅ，Ｐｒ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ又はＬｕ。
Ａ：Ｆｅ又はＭｎ。
Ｂ：Ａｌ，Ｓｉ、Ｇａ，Ｇｅ又はＳｎ）
このＣｏ基ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合素子、磁気抵抗効果素子及び磁気検出素子の、それぞれ従来にはない高性能なものが得られた。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化自由層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 磁気ディスクの全面において均等に磁気記録層の結晶配向性を向上させて保磁力Ｈｃを向上させ、更なる高記録密度化を達成することが可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基体上に少なくとも、柱状に連続して成長した磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層を備える垂直磁気記録媒体において、磁気記録層の磁性粒子はＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、ディスク面内の保磁力Ｈｃが４５００〜５５００［Ｏｅ］であって、保磁力Ｈｃの最大値と最小値の差が１５０［Ｏｅ］以下であり、磁気異方性定数Ｋｕ、粒子体積Ｖ、ボルツマン定数ｋ、絶対温度ＴがＫｕＶ／ｋＴ＝６０〜１００を満たし、かつ、（ＫｕＶ／ｋＴ）／Ｈｃ＝０．０１〜０．０２を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】狭リードギャップ長化を図り、所要の特性を備える磁気抵抗効果膜及びトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】スペーサ層２７と、硬磁性層２３と、磁化自由層２８とを備える磁気抵抗効果膜であって、前記硬磁性層２３が、m-D0₁₉型CoPt規則合金相、またはL1₁型CoPt規則合金相として形成され、該硬磁性層２３の磁化容易軸方向が硬磁性層の面内に向いている。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌＳｉに第５元素としてＧｅ及び／又はＣｕを添加した膜でで形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌＳｉに第５元素としてＧｅ及び／又はＣｕを添加した膜で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】スピン注入書き込みに要する電流を低くすることを可能にする磁気抵抗効果素子及び磁気メモリの提供。
【解決手段】磁化の方向が固着された第１磁化固着層４と、磁化の方向が可変な磁化自由層６と、第１磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたトンネルバリア層５と、磁化自由層のトンネルバリア層とは反対側に設けられ磁化が固着された第２磁化固着層８と、磁化自由層と第２磁化固着層の間に設けられた非磁性層７とを備え、第１磁化固着層と第２磁化固着層間に電流を流すことにより磁化自由層の磁化の方向が可変となり、第２磁化固着層が、Ｃｏを含む場合には、非磁性層にＭｎ、Ｖ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種の元素を含む金属であり、第２磁化固着層が、Ｆｅを含む場合には、非磁性層にＩｒ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種の元素を含む金属であり、第２磁化固着層が、Ｎｉを含む場合には、非磁性層にＭｎを含む金属である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪、低ＲＡ値および高ＴＭＲ比と維持し、ノイズを低減する。
【解決手段】ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から硼素を含まないＮＢＣ層と、硼素を含有するＢＣ層とが交互に積層された複合構造を有する。ＮＢＣ層は、ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＭ，またはＣｏＦｅＬＭなどからなり、トンネルバリア層と接している。ＢＣ層は、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＢＭ，ＣｏＢ，ＣｏＢＭ，またはＣｏＢＬＭなどからなり、ＮＢＣ層よりも大きな厚みを有する。ＭおよびＬは、Ｎｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＴｂおよびＮｂのうちのいずれか１種の元素を表す。ＭとＬとは互いに異なる元素である。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の層、第２の層および第３の層が順に積層された複合構造を有する。第１の層は、Ｆｅ_100-X Ｃｏ_X （但し０≦Ｘ≦１００）で表される化合物または鉄コバルト含有合金からなる。第２の層は、（Ｃｏ_100-V Ｆｅ_V ）_100-Y Ｂ_Y （但し１０≦Ｖ≦７０，５≦Ｙ≦４０）で表わされる化合物またはコバルト鉄ボロン含有合金からなる。第３の層は、Ｃｏ_100-Z Ｂ_Z （但し１０≦Ｚ≦４０）で表わされる化合物、またはコバルトボロン含有合金（ＣｏＢＱ；Ｑは、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｂ，Ｗ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，またはＳｉである）からなる。 （もっと読む）

【課題】高スピン偏極電流を効率的に注入することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に設けられ、第１ホイスラー合金層２４と、第１ホイスラー合金層上に設けられた第１非磁性層２６と、を含む強磁性積層膜２０と、を備え、強磁性積層膜の磁気抵抗変化比が、前記強磁性積層膜に印加されるバイアス電圧に応じて振動する。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】磁壁を移動するために必要とする磁壁駆動電流の低減を図る。
【解決手段】面内磁気異方性を有する第１磁性膜１０２が、垂直磁気異方性を有する第２磁性膜１０４と磁気的に結合することにより、垂直磁気異方性を有するようになるので、第１磁性膜１０２の一軸磁気異方性（Ｋ_u）を大きくすることができ、かつ、磁壁幅（λ）の狭小化、磁壁電流駆動に要する閾値電流密度（Ｊ_C）の減少、ひいては、磁壁を移動するために必要とする磁壁駆動電流の低減を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】応答速度が速く、画素の微小化による精細な光変調を可能とする光変調素子、この光変調素子を用いて構成される光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置及びホログラム記録装置を提供する。
【解決手段】光変調素子１１は、固定磁化膜層２２と、非磁性中間膜層２３と、自由磁化膜層２４とがこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有し、固定磁化膜層２２と自由磁化膜層２４における磁気の方向が膜面に垂直な方向であり、自由磁化膜層２４における磁化状態を変化させることによって自由磁化膜層２４へ入射する光の偏光方向に対してその反射光または透過光の偏光方向を変化させる光変調素子１１であって、固定磁化膜層２２は、コバルト膜層と白金膜層とが交互に積層された構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来不可能とされていた電気抵抗×面積が０．３Ω・μｍ^２、かつ磁気抵抗変化率が５％以上となる磁性薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来には望むことの出来ない高いスピン偏極率を持つＣｏ基ホイスラー合金を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のＣｏ基ホイスラー合金は、組成式 Ｃｏ_２Ｍｎ_１−ＸＦｅ_ＸＳｎ（ただし、0＜Ｘ＜0.2）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比が高く、熱揺らぎ特性が優れ、さらに記録特性（ＯＷ）の優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に少なくとも、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性層と、保護層が設けられた磁気記録媒体において、垂直磁性層を基板側から下層、中層、上層を含む３層以上から構成し、下層、中層、上層の磁性層を構成する磁性粒子を下層から上層まで連続した柱状晶とし、下層と中層の磁性層の間、または中層と上層の磁性層の間に非磁性層を設け、上層の磁気異方性定数（Ｋｕ）を０．８×１０^６〜４×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）の範囲内、中層のＫｕが２×１０^６〜７×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）の範囲内、下層のＫｕを１×１０^６〜４×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）の範囲内とし、下層、中層、上層の磁性層をフェロ結合させる。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が可能な磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体を搭載した情報記憶装置とを提供する。
【解決手段】非磁性基板２０１と、非磁性基板２０１上に形成された軟磁性裏打ち層２１０と、軟磁性裏打ち層２１０上に非磁性で非晶質のＣｏ−Ｃｒ−Ｗで形成された非磁性シード層２０２と、非磁性シード層２０２上に非磁性材料で形成された、六方最密充填構造でｃ軸が非磁性シード層２０２の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性中間層２２０と、非磁性中間層２２０上に磁性材料を主成分として形成された、情報が磁気的に記録される記録層２０３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気記録媒体を簡易な製造方法にて実現する。
【解決手段】基板と、基板上に複数設けられた、各々が、該基板上に複数種類の原子層が交互に積層されてなる人工格子構造を有する、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットと、磁性ドットの相互間に設けられた、磁性ドットの人工格子構造と連続した人工格子構造を有し、人工格子構造にイオンが注入されてなる、磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯とを備える。 （もっと読む）