薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
【課題】磁気ディスク装置の更なる高記録密度化に伴い、記録媒体が更に狭トラック化し高保磁力化しても十分な書き込み能力を有する記録ヘッドを提供する。
【解決手段】少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極、ヨーク、リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％の組成比で含有する磁性膜であり、結晶粒の膜面に平行な面の格子定数ａと膜面に垂直な面の格子定数ｂの比（ａ／ｂ）が０．９９５以下である、薄膜磁気ヘッドを提供する。本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、薄膜磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数が高周波数化しても、高μを得ることができる。
【解決手段】少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極、ヨーク、リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％の組成比で含有する磁性膜であり、結晶粒の膜面に平行な面の格子定数ａと膜面に垂直な面の格子定数ｂの比（ａ／ｂ）が０．９９５以下である、薄膜磁気ヘッドを提供する。本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、薄膜磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数が高周波数化しても、高μを得ることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関し、特に、高飽和磁束密度及び高透磁率を有する磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスク・ドライブ装置として、光ディスク装置、光磁気ディスク装置、あるいはフレキシブル磁気ディスク装置などの様々な態様の装置が知られているが、その中で、ハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）は、コンピュータの記憶装置として広く普及し、現在のコンピュータ・システムにおいて欠かすことができない記憶装置の一つとなっている。HDDは磁気ディスク装置である。
【０００３】
磁気ディスク装置は薄膜磁気ヘッドにより記録媒体に磁気情報を書き込み、記録媒体から磁気情報を読み出す。そして、磁気ディスク装置は、記録媒体に記録できる磁気情報のデータ量を増やすため、年々高記録密度化している。それに伴い、記録媒体は高保磁力化することが要求される。また、高保磁力化した記録媒体にエラーすることなく書き込むため、記録ヘッドは、磁気コア材料として飽和磁束密度が高く、強い磁界により記録媒体に書き込むことができる材料を使用することが要求される。
【０００４】
高飽和磁束密度を有する材料として、特許文献１や特許文献２が開示されている。特許文献１には、薄膜磁気ヘッドの下部軟磁性体層及び上部軟磁性体層の少なくとも一方に、原子比で３０−９０％のＣｏ、４０％以下のＮｉ、４０％以下のＦｅからなるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金に、少なくともＳを原子比で０．５−４％含有するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｓ合金を用いる薄膜磁気ヘッドが開示されている。また、特許文献２には、Ｆｅが２５−４０ａｔ％、Ｎｉが１０−１５ａｔ％、Ｃｏが４０−７０ａｔ％、及びＳが０−０．３ａｔ％含まれ、かつ結晶構造が面心立方晶もしくは面心立方晶とごくわずかの体心立方晶からなる磁性薄膜を上部磁気コア及び下部磁気コアとに用いた薄膜磁気ヘッドが開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１９９７２６号公報
【特許文献２】特開２０００−１７３０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気ディスク装置の更なる高記録密度化に伴い、記録媒体が更に狭トラック化し高保磁力化しても十分な書き込み能力を有する記録ヘッドが求められている。具体的には、記録媒体のトラック幅が狭くなると、それに伴い、記録ヘッドの主磁極の幅も合わせて狭くなり、磁性膜も薄膜化するため、磁化特性が劣化してしまう。さらに、記録媒体が高保磁力化すると、記録ヘッドがエラーなく記録媒体に書き込むためには、記録ヘッドから強い記録磁界を発生させる必要がある。したがって、薄膜化しても高い飽和磁束密度（以下「Ｂｓ」とする）を有する材料を記録ヘッドの磁性膜として用いることが必要となる。
【０００７】
また、高速通信化に対応して記録周波数の高周波数化を図る為、コイル電流の記録磁界変換効率を向上すべく、記録ヘッドの主磁極部や副磁極部などにおけるヒステリシス損失を低減する必要がある。困難軸方向の保磁力（以下「Ｈｃ」とする）或いは異方性磁界（以下「Ｈｋ」とする）が低く、透磁率（以下「μ」とする）が高い特性を有する材料を使用することが要求される。
【０００８】
従来、高いＢｓを有する材料としてのＣｏＮｉＦｅ系の材料を電気めっきで作製して用いていたが、十分に高いＢｓを得ることができるまでには至っていない。また、材料として高いＢｓを有しているものはあるが、薄膜化することが困難であり実用化できるまでには至っていなかった。
【０００９】
また、特許文献１に開示される薄膜磁気ヘッドに使用されるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｓ合金のＢｓは１．５−１.８Ｔ程度であり、更なる高記録密度化に対応するためには十分ではない。特許文献２に開示される薄膜磁気ヘッドの磁性薄膜は、Ｂｓが２．０Ｔと低く、Ｈｋが１６Ｏｅと高いため、更なる高記録密度化に対応するためには十分ではない。また、どちらの文献でもμについては示唆されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、本発明は、上記従来の課題に鑑みなされたものであり、従来と比較して、より高いＢｓおよび高いμを有する磁性膜を使用した薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。また、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を提供する。
【００１１】
具体的には、少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを含有する磁性膜であり、前記Ｓの組成比が０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％である、薄膜磁気ヘッドである。
【００１２】
また、少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜を、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上のイオンを含有し、さらにＳの錯体を含有し、ｐＨが２．０以下であるめっき浴で、電流密度が150ｍＡ／ｃｍ２以上である電流を印加することにより成膜する、ことを特徴とする、薄膜磁気ヘッドの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、薄膜磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数を高周波数化しても対応できるような高μを得ることができる。さらに、本発明の製造方法により、上記効果を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。また、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１５】
まず、図１を参照し、本実施形態の磁気ディスク装置の概略を説明する。磁気ディスク装置は、情報を記録する磁気記録媒体１０５、磁気記録媒体を回転させるスピンドルモーター１０６、磁気記録媒体に情報を記録し再生する薄膜磁気ヘッド１０７、薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体の目標位置に位置決めするアクチュエ−タ１０８及びボイスコイルモ−タ１０９とを備える。そして、アクチュエータの先端部には、記録又は再生時において薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隔をサブミクロンスペ−スで安定浮上させる為のサスペンション１１０が固定されている。また、アクチュエ−タとボイスコイルモ−タにより駆動されるガイドア−ム１１１を備えている。更に磁気記録媒体回転制御系、ヘッド位置決め制御系、記録/再生信号処理系(図示せず)などを備えている。
【００１６】
次に、本実施形態における磁気記録媒体１０５に情報を記録し再生する薄膜磁気ヘッド１０７を更に詳しく説明する。図２に垂直記録型薄膜磁気ヘッドを示す。ここで、図２に示される、Ｘ方向をトレーリング方向、トレーリング方向の逆方向をリーディング方向と呼び、Ｙ方向をヘッド後方方向と呼ぶ（以下、同様）。そして、線２４で示される面をヘッド浮上面と呼ぶ（以下、同様）。薄膜磁気ヘッドは、非磁性基板（図示せず）からトレーリング方向に順に各部を形成し、製造される。そのため、トレーリング方向を上方向、リーディング方向を下方向とも呼ぶ。なお、垂直磁気記録型薄膜磁気ヘッドにもさまざまな形態があるが、本実施形態はその一例である。また、本実施形態は垂直記録型薄膜磁気ヘッドを用いるが、当然に面内記録型薄膜磁気ヘッドを用いることもできる。
【００１７】
まず、非磁性基板（図示せず）上に再生ヘッドを形成する。具体的には、下部シールド膜１６、下部磁気ギャップ膜(図示せず)を形成しこの上に再生用素子１５としてＭＲ、ＧＭＲまたはＴＭＲセンサ等を形成する。磁区制御層、電極膜、上部磁気ギャップ膜(図示せず)を形成後、上部磁気シールド膜１４を形成する。
【００１８】
次に、再生ヘッド上に記録ヘッドを形成する。具体的には、再生素子と記録素子の磁気ギャップ膜を形成し、その上に副磁極１９を形成する。そして、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、ＣＭＰにより副磁極を平坦化した後、さらに下部磁極２３として、下地膜をスパッタリング後、めっき法でＣｏＮｉＦｅ膜あるいは４６ＮｉＦｅ膜を所定の厚さまでめっきした。ここで、垂直記録型薄膜磁気記録ヘッドにおいてはこの下部磁極は形成せず、端子部のみにめっきをする構造でもよい。この場合、先に絶縁膜を形成し、端子部のみ絶縁膜を除去する。つづいて絶縁膜、記録電流を印加するためのコイル２０、及び有機絶縁層を形成後、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、CMPにより下部磁極２３を平坦化する。なお、副磁極や下部磁極がない垂直記録型薄膜磁気ヘッドにも、本発明を適用することは可能である。そして、ヨーク１７を形成する。ヨーク１７は下地膜形成後、所望のパターンを作製し、Ｂｓ、μの高い膜をめっきする。下地膜除去後、アルミナ膜をスパッタリングし、ＣＭＰによりヨーク１７を平坦化する。その後、主磁極１８を形成する。主磁極１８は、下地膜をスパッタリング後、レジストにて所望のパターンを形成し、本実施形態によるめっき膜をめっきする。本実施形態によるめっき膜は後に詳述する。レジスト剥離後トリミングを行い、アルミナ、ストッパー膜を順次形成し、CMPにて所望の膜厚とする。ここで、主磁極18として、本実施形態によるめっき膜を形成し、その後所望のパターンをめっき膜上に形成して、トリミングする方法を用いてもよい。つまり、本実施形態の磁性膜の一部を主磁極１８に形成することもできる。ギャップ膜を形成後、シールド21を形成する。アルミナ膜をスパッタリングし、CMPによりシールド21を平坦化する。記録電流を印加するためのコイル20、及び有機絶縁層を形成後、リターンポール22をめっきにより作製し、端子工程を経て、ヘッドを作製する。
【００１９】
本実施形態では主磁極の全部又は一部に本実施形態による磁性膜を形成したが、これに限定されるものではない。高いＢｓ及び／又は高いμを必要とする部分には使用することができる。例えば、副磁極１９やヨーク１７、リターンポール２２、下部磁極２３などである。
【００２０】
本実施形態の磁性膜について以下に詳しく説明する。本実施形態にかかる磁性膜はCo、Ni及びFeのうち2種類以上の元素を有する磁性膜であり、膜中にSを膜厚方向に均一に含有する。そして、各元素の膜組成は、Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％であり、さらにＳの組成比が０．５ｗｔ％−１．０ｗｔ％である。
【００２１】
図３にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの3元系組成図を示す。本実施形態の薄膜磁気ヘッドの主磁極などに用いられる磁性膜のＢｓは、高Ｂｓすなわち２．４Ｔ以上得ることが必要とされる。図３から、Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％である範囲でのみＢｓ＞２．４Ｔを得られることが知られている。しかし、図３は薄膜化する前の材料のＢｓを示しており、実際に薄膜磁気ヘッドに用いるために薄膜化した場合には、図３に示されるような高Ｂｓを保持することが困難であった。そこで、本実施形態は磁性膜中にＳを含有させ、その組成比を０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％の範囲で膜中に存在させる。Ｓを含有させることにより、結晶粒を微細化することができ、高Ｂｓを実現することが可能となる。具体的に、(Ｆｅ：６２ｗｔ％、Ｃｏ：３４．７ｗｔ％、Ｎｉ：２．４ｗｔ％、Ｓ：０．９ｗｔ％)、(Ｆｅ：７５．６ｗｔ％、Ｃｏ：２３．２ｗｔ％、Ｎｉ：０．４ｗｔ％、Ｓ：０．８ｗｔ％)、(Ｆｅ：６８ｗｔ％、Ｃｏ：２７．４ｗｔ％、Ｎｉ：４ｗｔ％、Ｓ：０．６ｗｔ％)のとき、Ｂｓ＞２．４Ｔを得ることができた。これら３点のＳ以外の３つの元素の組成比を、図３上に示す。ここで、Ｓの組成比を１．０ｗｔ％より大きくするとＢｓが低下し、所望とする２．４Ｔより大きいＢｓを得ることができないという結果が得られた。
【００２２】
Ｓの組成比を０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％とした別の理由を以下に示す。1.0wt％より大きくすると、Ｓの含有量が多く、膜の耐食性が劣化してしまうため１．０ｗｔ％以下とした。また図４に示すとおり、Ｓの含有量が0.5wt％より小さいと、急激に膜応力が大きくなってしまう。したがって、Ｓの含有量が0.5wt％より小さいと膜応力が大きく、薄膜で成膜するとはがれやすくなってしまうため、０.５ｗｔ％以上とした。
【００２３】
また、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの主磁極などに用いられる磁性膜の結晶粒は、結晶粒の膜面に平行な面の格子定数をa、膜面に垂直な面の格子定数をbとするときのa/bが0.995以下である。図５に歪量とＢｓとの関係を示す。図５に示されるとおり、a/b が0.995以下であると、所望とする２．４Ｔより大きいＢｓを得ることができる。
【００２４】
次に、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法について詳しく説明する。本実施形態の薄膜磁気ヘッドの主磁極を図６のめっき浴にて電気めっきする。図６に示すとおり、めっき浴にはＣｏイオン、Ｎｉイオン、Ｆｅイオンに加えＳが錯体の形で含有されている。Ｓを含有するため、めっき浴にはサッカリンナトリウムが含有されている。そして、めっき浴中の電極に印加する電流密度は１５０ｍＡ/ｃｍ２以上であり、めっき浴のｐＨは２．０以下である。また、電気めっき時に電極に印加する電流は、直流の一定電流を印加するか、望ましくはパルス電流を印加する。パルス電流を用いるのは、電流密度を高くすると、DCの一定電流のみではめっきが異常成膜してしまうためである。具体的には、電流密度が高くなると、低電流密度の場合に比べめっきの反応が早くなり、界面近傍の供給イオンが早く消費されてしまい、めっきに異常が生じる。したがって、パルス電流を用いて電流をかけない時間（off time）を設けることにより、濃度を回復させ、正常なめっき成膜を可能とする。
【００２５】
本実施形態の電気めっきの条件である図６の電流密度を１５０ｍＡ/ｃｍ２以上ではなく、６ｍＡ /ｃｍ２とした製造方法を比較例とする。図７に本実施形態により製造した磁性膜と比較例により製造した磁性膜とを膜厚方向にオージェ分析した結果を示す。本実施形態の製造方法により製造した磁性膜の膜中にはＳが０．８ｗｔ%（１．４ａｔ%）取り込まれているが、比較例で作製した磁性膜の膜中には０．３ｗｔ%（０．５ａｔ%）しか取り込まれていない。つまり、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜の膜中には比較例で作製した膜の2.5倍のSを含有している。電流密度が１００ｍＡ/ｃｍ２以上で１５０ｍＡ/ｃｍ２より小さい場合でも、顕著にBsやμを高くすることはできず、所望とするSの含有量に至っていない。これより、電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２より小さい場合、膜中にＳが取り込まれにくいことがわかる。また、めっき浴中のSの含有量を大きくしても、電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２より小さい場合、所望とするSの量をめっき膜中に取り込むことは困難である。
【００２６】
めっき浴の電極に印加する電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２以上のように大電流の場合、めっき速度が速く、めっきの異常成膜が生じ表面粗さなどに影響がある。そこで、ｐＨを２．０以下とすると、めっき速度が低下し、異常成長を抑えることができる。さらに、ｐＨを２．０以下とするとめっき膜が白濁しにくくなる。ｐＨを２．０以下にするためには、ｐＨを測定し、硝酸又は塩酸を入れることにより、ｐＨの上昇を抑え制御する。なお、ｐＨを０．８より小さくすると、浴中の水素イオンが多くなりすぎるため、電流密度が大きい電流を印加しても電圧が低くなり、正常にめっきすることができない。
【００２７】
また、電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２以上と高く、めっき速度が速いため、さらにN2バブリングやパドル攪拌をおこなうとよい。めっき膜の分布を均一に保つことができるからである。
【００２８】
次に、従来法で作製しためっき膜と本実施形態によるめっき膜のＸ線回折を調べた。X線は広角Ｘ線回折により、膜厚方向（膜面に垂直な方向）の情報、面内Ｘ線回折により膜面内方向（膜面に平行な方向）の情報が得られる。
【００２９】
図８にＸ線回折パターンを示す。いずれの膜もｂｃｃ構造由来の回折パターンが主として認められることから、ｂｃｃ構造である。尚、指数の記載のないピークは、下地起因のピークである。
【００３０】
図９にこの回折パターンから求めた結晶子径を示す。これより、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜は比較例で作製した磁性膜と比較し、膜厚方向、膜面内方向いずれも結晶子が小さくなっていることがわかる。
【００３１】
図１０には図８のＸ線回折より求めた格子定数を示す。正立方晶では膜面に平行な面すなわち膜厚方向の格子定数をa、膜面に垂直な面すなわち膜面内方向の格子定数をbとするとa=bすなわちa/b=1である。比較例で作製した磁性膜はa/b=0.999であり、ほぼ正立方晶であるのに対し、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜はa/b=0.994と膜厚方向に縮んでいる。また、同一面の格子定数を比較例で作製した磁性膜と比較すると、本実施形態の膜は膜面内方向に０．２４%伸び、膜厚方向に０．２８%縮んでいる。
【００３２】
図１１に本実施形態の製造方法により製造した磁性膜のB-Hカーブ（ヒステリシス曲線）と比較例で作製した磁性膜のB-Hカーブを示す。図１１の実践部分は容易軸方向のカーブであり、点線部分は困難軸方向のカーブである。ここで、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜は上記で説明した本実施形態の磁性膜である。また、比較例は、上記のようにＳの含有量が十分ではなく、結晶粒径が大きく、結晶の歪みも生じていない磁性膜である。そして、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜の方が、保磁力（困難軸：Ｈｃｈ、容易軸：Ｈｃe）が低下しており、Ｂｓが高くなっている。また、２．４Ｔ以上の高いＢｓを得ることができている。つまり、Ｓの含有量が０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％の範囲内にあることや、結晶粒の微細化と結晶粒の歪みにより、軟磁気特性が改善される。また、異方性磁界は少し増加しているが、保磁力が大きく改善しているため、軟磁気特性は改善される。
【００３３】
図１２に本実施形態の製造方法により製造した磁性膜のμと、比較例で作製した磁性膜のμを示す。比較例で作製した膜のμは最大800であり、高周波数領域の１ＧＨzで650であるのに対し、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜のμは最大1200であり、高周波数領域の１ＧＨzで900となっている。つまり、μの最大値は大きくなり、かつ、記録周波数の高周波数領域でのμも高く、さらに低下も少ない効果を有している。そのため、記録周波数を高周波数化しても本実施形態の磁性膜を用いれば、十分に高いμを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本実施形態の磁気ディスク装置の一例の概略図である。
【図２】本実施形態の薄膜磁気ヘッドの一例の概略図である。
【図３】FeCoNiめっき薄膜における、膜中のFe,Co,Ni濃度とBsの関係を示した図である。
【図４】本実施形態による膜中のイオウ(S)含有量と膜応力を示す図である。
【図５】本実施形態の磁性めっき薄膜の歪量と飽和磁束密度を示す図である。
【図６】本実施形態の電気めっき浴の条件を示す図である。
【図７】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜のオージェ分析結果を示す図である。
【図８】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜のＸ線回折結果を示す図である。
【図９】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜の結晶子径を示す図である。
【図１０】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜の格子定数を示す図である。
【図１１】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜のB-Hカーブを示す図である。
【図１２】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜の透磁率μを示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
14…上部部磁気シ−ルド、15…再生用素子、 16…下部磁気シ−ルド、 17…ヨーク、 18…主磁極、 19…副磁極、 20…コイル、 21…シールド、 22…リターンポール、23…下部磁極
105…磁気記録媒体、 106…スピンドルモ−タ−、 107…薄膜磁気ヘッド、 108…アクチュエ−タ
109…ボイスコイルモ−タ、 110…サスペンション、 111…ガイドア−ム。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関し、特に、高飽和磁束密度及び高透磁率を有する磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスク・ドライブ装置として、光ディスク装置、光磁気ディスク装置、あるいはフレキシブル磁気ディスク装置などの様々な態様の装置が知られているが、その中で、ハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）は、コンピュータの記憶装置として広く普及し、現在のコンピュータ・システムにおいて欠かすことができない記憶装置の一つとなっている。HDDは磁気ディスク装置である。
【０００３】
磁気ディスク装置は薄膜磁気ヘッドにより記録媒体に磁気情報を書き込み、記録媒体から磁気情報を読み出す。そして、磁気ディスク装置は、記録媒体に記録できる磁気情報のデータ量を増やすため、年々高記録密度化している。それに伴い、記録媒体は高保磁力化することが要求される。また、高保磁力化した記録媒体にエラーすることなく書き込むため、記録ヘッドは、磁気コア材料として飽和磁束密度が高く、強い磁界により記録媒体に書き込むことができる材料を使用することが要求される。
【０００４】
高飽和磁束密度を有する材料として、特許文献１や特許文献２が開示されている。特許文献１には、薄膜磁気ヘッドの下部軟磁性体層及び上部軟磁性体層の少なくとも一方に、原子比で３０−９０％のＣｏ、４０％以下のＮｉ、４０％以下のＦｅからなるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金に、少なくともＳを原子比で０．５−４％含有するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｓ合金を用いる薄膜磁気ヘッドが開示されている。また、特許文献２には、Ｆｅが２５−４０ａｔ％、Ｎｉが１０−１５ａｔ％、Ｃｏが４０−７０ａｔ％、及びＳが０−０．３ａｔ％含まれ、かつ結晶構造が面心立方晶もしくは面心立方晶とごくわずかの体心立方晶からなる磁性薄膜を上部磁気コア及び下部磁気コアとに用いた薄膜磁気ヘッドが開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１９９７２６号公報
【特許文献２】特開２０００−１７３０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気ディスク装置の更なる高記録密度化に伴い、記録媒体が更に狭トラック化し高保磁力化しても十分な書き込み能力を有する記録ヘッドが求められている。具体的には、記録媒体のトラック幅が狭くなると、それに伴い、記録ヘッドの主磁極の幅も合わせて狭くなり、磁性膜も薄膜化するため、磁化特性が劣化してしまう。さらに、記録媒体が高保磁力化すると、記録ヘッドがエラーなく記録媒体に書き込むためには、記録ヘッドから強い記録磁界を発生させる必要がある。したがって、薄膜化しても高い飽和磁束密度（以下「Ｂｓ」とする）を有する材料を記録ヘッドの磁性膜として用いることが必要となる。
【０００７】
また、高速通信化に対応して記録周波数の高周波数化を図る為、コイル電流の記録磁界変換効率を向上すべく、記録ヘッドの主磁極部や副磁極部などにおけるヒステリシス損失を低減する必要がある。困難軸方向の保磁力（以下「Ｈｃ」とする）或いは異方性磁界（以下「Ｈｋ」とする）が低く、透磁率（以下「μ」とする）が高い特性を有する材料を使用することが要求される。
【０００８】
従来、高いＢｓを有する材料としてのＣｏＮｉＦｅ系の材料を電気めっきで作製して用いていたが、十分に高いＢｓを得ることができるまでには至っていない。また、材料として高いＢｓを有しているものはあるが、薄膜化することが困難であり実用化できるまでには至っていなかった。
【０００９】
また、特許文献１に開示される薄膜磁気ヘッドに使用されるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｓ合金のＢｓは１．５−１.８Ｔ程度であり、更なる高記録密度化に対応するためには十分ではない。特許文献２に開示される薄膜磁気ヘッドの磁性薄膜は、Ｂｓが２．０Ｔと低く、Ｈｋが１６Ｏｅと高いため、更なる高記録密度化に対応するためには十分ではない。また、どちらの文献でもμについては示唆されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、本発明は、上記従来の課題に鑑みなされたものであり、従来と比較して、より高いＢｓおよび高いμを有する磁性膜を使用した薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。また、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を提供する。
【００１１】
具体的には、少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを含有する磁性膜であり、前記Ｓの組成比が０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％である、薄膜磁気ヘッドである。
【００１２】
また、少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜を、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上のイオンを含有し、さらにＳの錯体を含有し、ｐＨが２．０以下であるめっき浴で、電流密度が150ｍＡ／ｃｍ２以上である電流を印加することにより成膜する、ことを特徴とする、薄膜磁気ヘッドの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、薄膜磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数を高周波数化しても対応できるような高μを得ることができる。さらに、本発明の製造方法により、上記効果を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。また、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１５】
まず、図１を参照し、本実施形態の磁気ディスク装置の概略を説明する。磁気ディスク装置は、情報を記録する磁気記録媒体１０５、磁気記録媒体を回転させるスピンドルモーター１０６、磁気記録媒体に情報を記録し再生する薄膜磁気ヘッド１０７、薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体の目標位置に位置決めするアクチュエ−タ１０８及びボイスコイルモ−タ１０９とを備える。そして、アクチュエータの先端部には、記録又は再生時において薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隔をサブミクロンスペ−スで安定浮上させる為のサスペンション１１０が固定されている。また、アクチュエ−タとボイスコイルモ−タにより駆動されるガイドア−ム１１１を備えている。更に磁気記録媒体回転制御系、ヘッド位置決め制御系、記録/再生信号処理系(図示せず)などを備えている。
【００１６】
次に、本実施形態における磁気記録媒体１０５に情報を記録し再生する薄膜磁気ヘッド１０７を更に詳しく説明する。図２に垂直記録型薄膜磁気ヘッドを示す。ここで、図２に示される、Ｘ方向をトレーリング方向、トレーリング方向の逆方向をリーディング方向と呼び、Ｙ方向をヘッド後方方向と呼ぶ（以下、同様）。そして、線２４で示される面をヘッド浮上面と呼ぶ（以下、同様）。薄膜磁気ヘッドは、非磁性基板（図示せず）からトレーリング方向に順に各部を形成し、製造される。そのため、トレーリング方向を上方向、リーディング方向を下方向とも呼ぶ。なお、垂直磁気記録型薄膜磁気ヘッドにもさまざまな形態があるが、本実施形態はその一例である。また、本実施形態は垂直記録型薄膜磁気ヘッドを用いるが、当然に面内記録型薄膜磁気ヘッドを用いることもできる。
【００１７】
まず、非磁性基板（図示せず）上に再生ヘッドを形成する。具体的には、下部シールド膜１６、下部磁気ギャップ膜(図示せず)を形成しこの上に再生用素子１５としてＭＲ、ＧＭＲまたはＴＭＲセンサ等を形成する。磁区制御層、電極膜、上部磁気ギャップ膜(図示せず)を形成後、上部磁気シールド膜１４を形成する。
【００１８】
次に、再生ヘッド上に記録ヘッドを形成する。具体的には、再生素子と記録素子の磁気ギャップ膜を形成し、その上に副磁極１９を形成する。そして、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、ＣＭＰにより副磁極を平坦化した後、さらに下部磁極２３として、下地膜をスパッタリング後、めっき法でＣｏＮｉＦｅ膜あるいは４６ＮｉＦｅ膜を所定の厚さまでめっきした。ここで、垂直記録型薄膜磁気記録ヘッドにおいてはこの下部磁極は形成せず、端子部のみにめっきをする構造でもよい。この場合、先に絶縁膜を形成し、端子部のみ絶縁膜を除去する。つづいて絶縁膜、記録電流を印加するためのコイル２０、及び有機絶縁層を形成後、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、CMPにより下部磁極２３を平坦化する。なお、副磁極や下部磁極がない垂直記録型薄膜磁気ヘッドにも、本発明を適用することは可能である。そして、ヨーク１７を形成する。ヨーク１７は下地膜形成後、所望のパターンを作製し、Ｂｓ、μの高い膜をめっきする。下地膜除去後、アルミナ膜をスパッタリングし、ＣＭＰによりヨーク１７を平坦化する。その後、主磁極１８を形成する。主磁極１８は、下地膜をスパッタリング後、レジストにて所望のパターンを形成し、本実施形態によるめっき膜をめっきする。本実施形態によるめっき膜は後に詳述する。レジスト剥離後トリミングを行い、アルミナ、ストッパー膜を順次形成し、CMPにて所望の膜厚とする。ここで、主磁極18として、本実施形態によるめっき膜を形成し、その後所望のパターンをめっき膜上に形成して、トリミングする方法を用いてもよい。つまり、本実施形態の磁性膜の一部を主磁極１８に形成することもできる。ギャップ膜を形成後、シールド21を形成する。アルミナ膜をスパッタリングし、CMPによりシールド21を平坦化する。記録電流を印加するためのコイル20、及び有機絶縁層を形成後、リターンポール22をめっきにより作製し、端子工程を経て、ヘッドを作製する。
【００１９】
本実施形態では主磁極の全部又は一部に本実施形態による磁性膜を形成したが、これに限定されるものではない。高いＢｓ及び／又は高いμを必要とする部分には使用することができる。例えば、副磁極１９やヨーク１７、リターンポール２２、下部磁極２３などである。
【００２０】
本実施形態の磁性膜について以下に詳しく説明する。本実施形態にかかる磁性膜はCo、Ni及びFeのうち2種類以上の元素を有する磁性膜であり、膜中にSを膜厚方向に均一に含有する。そして、各元素の膜組成は、Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％であり、さらにＳの組成比が０．５ｗｔ％−１．０ｗｔ％である。
【００２１】
図３にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの3元系組成図を示す。本実施形態の薄膜磁気ヘッドの主磁極などに用いられる磁性膜のＢｓは、高Ｂｓすなわち２．４Ｔ以上得ることが必要とされる。図３から、Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％である範囲でのみＢｓ＞２．４Ｔを得られることが知られている。しかし、図３は薄膜化する前の材料のＢｓを示しており、実際に薄膜磁気ヘッドに用いるために薄膜化した場合には、図３に示されるような高Ｂｓを保持することが困難であった。そこで、本実施形態は磁性膜中にＳを含有させ、その組成比を０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％の範囲で膜中に存在させる。Ｓを含有させることにより、結晶粒を微細化することができ、高Ｂｓを実現することが可能となる。具体的に、(Ｆｅ：６２ｗｔ％、Ｃｏ：３４．７ｗｔ％、Ｎｉ：２．４ｗｔ％、Ｓ：０．９ｗｔ％)、(Ｆｅ：７５．６ｗｔ％、Ｃｏ：２３．２ｗｔ％、Ｎｉ：０．４ｗｔ％、Ｓ：０．８ｗｔ％)、(Ｆｅ：６８ｗｔ％、Ｃｏ：２７．４ｗｔ％、Ｎｉ：４ｗｔ％、Ｓ：０．６ｗｔ％)のとき、Ｂｓ＞２．４Ｔを得ることができた。これら３点のＳ以外の３つの元素の組成比を、図３上に示す。ここで、Ｓの組成比を１．０ｗｔ％より大きくするとＢｓが低下し、所望とする２．４Ｔより大きいＢｓを得ることができないという結果が得られた。
【００２２】
Ｓの組成比を０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％とした別の理由を以下に示す。1.0wt％より大きくすると、Ｓの含有量が多く、膜の耐食性が劣化してしまうため１．０ｗｔ％以下とした。また図４に示すとおり、Ｓの含有量が0.5wt％より小さいと、急激に膜応力が大きくなってしまう。したがって、Ｓの含有量が0.5wt％より小さいと膜応力が大きく、薄膜で成膜するとはがれやすくなってしまうため、０.５ｗｔ％以上とした。
【００２３】
また、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの主磁極などに用いられる磁性膜の結晶粒は、結晶粒の膜面に平行な面の格子定数をa、膜面に垂直な面の格子定数をbとするときのa/bが0.995以下である。図５に歪量とＢｓとの関係を示す。図５に示されるとおり、a/b が0.995以下であると、所望とする２．４Ｔより大きいＢｓを得ることができる。
【００２４】
次に、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法について詳しく説明する。本実施形態の薄膜磁気ヘッドの主磁極を図６のめっき浴にて電気めっきする。図６に示すとおり、めっき浴にはＣｏイオン、Ｎｉイオン、Ｆｅイオンに加えＳが錯体の形で含有されている。Ｓを含有するため、めっき浴にはサッカリンナトリウムが含有されている。そして、めっき浴中の電極に印加する電流密度は１５０ｍＡ/ｃｍ２以上であり、めっき浴のｐＨは２．０以下である。また、電気めっき時に電極に印加する電流は、直流の一定電流を印加するか、望ましくはパルス電流を印加する。パルス電流を用いるのは、電流密度を高くすると、DCの一定電流のみではめっきが異常成膜してしまうためである。具体的には、電流密度が高くなると、低電流密度の場合に比べめっきの反応が早くなり、界面近傍の供給イオンが早く消費されてしまい、めっきに異常が生じる。したがって、パルス電流を用いて電流をかけない時間（off time）を設けることにより、濃度を回復させ、正常なめっき成膜を可能とする。
【００２５】
本実施形態の電気めっきの条件である図６の電流密度を１５０ｍＡ/ｃｍ２以上ではなく、６ｍＡ /ｃｍ２とした製造方法を比較例とする。図７に本実施形態により製造した磁性膜と比較例により製造した磁性膜とを膜厚方向にオージェ分析した結果を示す。本実施形態の製造方法により製造した磁性膜の膜中にはＳが０．８ｗｔ%（１．４ａｔ%）取り込まれているが、比較例で作製した磁性膜の膜中には０．３ｗｔ%（０．５ａｔ%）しか取り込まれていない。つまり、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜の膜中には比較例で作製した膜の2.5倍のSを含有している。電流密度が１００ｍＡ/ｃｍ２以上で１５０ｍＡ/ｃｍ２より小さい場合でも、顕著にBsやμを高くすることはできず、所望とするSの含有量に至っていない。これより、電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２より小さい場合、膜中にＳが取り込まれにくいことがわかる。また、めっき浴中のSの含有量を大きくしても、電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２より小さい場合、所望とするSの量をめっき膜中に取り込むことは困難である。
【００２６】
めっき浴の電極に印加する電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２以上のように大電流の場合、めっき速度が速く、めっきの異常成膜が生じ表面粗さなどに影響がある。そこで、ｐＨを２．０以下とすると、めっき速度が低下し、異常成長を抑えることができる。さらに、ｐＨを２．０以下とするとめっき膜が白濁しにくくなる。ｐＨを２．０以下にするためには、ｐＨを測定し、硝酸又は塩酸を入れることにより、ｐＨの上昇を抑え制御する。なお、ｐＨを０．８より小さくすると、浴中の水素イオンが多くなりすぎるため、電流密度が大きい電流を印加しても電圧が低くなり、正常にめっきすることができない。
【００２７】
また、電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２以上と高く、めっき速度が速いため、さらにN2バブリングやパドル攪拌をおこなうとよい。めっき膜の分布を均一に保つことができるからである。
【００２８】
次に、従来法で作製しためっき膜と本実施形態によるめっき膜のＸ線回折を調べた。X線は広角Ｘ線回折により、膜厚方向（膜面に垂直な方向）の情報、面内Ｘ線回折により膜面内方向（膜面に平行な方向）の情報が得られる。
【００２９】
図８にＸ線回折パターンを示す。いずれの膜もｂｃｃ構造由来の回折パターンが主として認められることから、ｂｃｃ構造である。尚、指数の記載のないピークは、下地起因のピークである。
【００３０】
図９にこの回折パターンから求めた結晶子径を示す。これより、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜は比較例で作製した磁性膜と比較し、膜厚方向、膜面内方向いずれも結晶子が小さくなっていることがわかる。
【００３１】
図１０には図８のＸ線回折より求めた格子定数を示す。正立方晶では膜面に平行な面すなわち膜厚方向の格子定数をa、膜面に垂直な面すなわち膜面内方向の格子定数をbとするとa=bすなわちa/b=1である。比較例で作製した磁性膜はa/b=0.999であり、ほぼ正立方晶であるのに対し、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜はa/b=0.994と膜厚方向に縮んでいる。また、同一面の格子定数を比較例で作製した磁性膜と比較すると、本実施形態の膜は膜面内方向に０．２４%伸び、膜厚方向に０．２８%縮んでいる。
【００３２】
図１１に本実施形態の製造方法により製造した磁性膜のB-Hカーブ（ヒステリシス曲線）と比較例で作製した磁性膜のB-Hカーブを示す。図１１の実践部分は容易軸方向のカーブであり、点線部分は困難軸方向のカーブである。ここで、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜は上記で説明した本実施形態の磁性膜である。また、比較例は、上記のようにＳの含有量が十分ではなく、結晶粒径が大きく、結晶の歪みも生じていない磁性膜である。そして、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜の方が、保磁力（困難軸：Ｈｃｈ、容易軸：Ｈｃe）が低下しており、Ｂｓが高くなっている。また、２．４Ｔ以上の高いＢｓを得ることができている。つまり、Ｓの含有量が０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％の範囲内にあることや、結晶粒の微細化と結晶粒の歪みにより、軟磁気特性が改善される。また、異方性磁界は少し増加しているが、保磁力が大きく改善しているため、軟磁気特性は改善される。
【００３３】
図１２に本実施形態の製造方法により製造した磁性膜のμと、比較例で作製した磁性膜のμを示す。比較例で作製した膜のμは最大800であり、高周波数領域の１ＧＨzで650であるのに対し、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜のμは最大1200であり、高周波数領域の１ＧＨzで900となっている。つまり、μの最大値は大きくなり、かつ、記録周波数の高周波数領域でのμも高く、さらに低下も少ない効果を有している。そのため、記録周波数を高周波数化しても本実施形態の磁性膜を用いれば、十分に高いμを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本実施形態の磁気ディスク装置の一例の概略図である。
【図２】本実施形態の薄膜磁気ヘッドの一例の概略図である。
【図３】FeCoNiめっき薄膜における、膜中のFe,Co,Ni濃度とBsの関係を示した図である。
【図４】本実施形態による膜中のイオウ(S)含有量と膜応力を示す図である。
【図５】本実施形態の磁性めっき薄膜の歪量と飽和磁束密度を示す図である。
【図６】本実施形態の電気めっき浴の条件を示す図である。
【図７】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜のオージェ分析結果を示す図である。
【図８】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜のＸ線回折結果を示す図である。
【図９】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜の結晶子径を示す図である。
【図１０】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜の格子定数を示す図である。
【図１１】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜のB-Hカーブを示す図である。
【図１２】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜の透磁率μを示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
14…上部部磁気シ−ルド、15…再生用素子、 16…下部磁気シ−ルド、 17…ヨーク、 18…主磁極、 19…副磁極、 20…コイル、 21…シールド、 22…リターンポール、23…下部磁極
105…磁気記録媒体、 106…スピンドルモ−タ−、 107…薄膜磁気ヘッド、 108…アクチュエ−タ
109…ボイスコイルモ−タ、 110…サスペンション、 111…ガイドア−ム。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを含有する磁性膜であり、
前記Ｓの組成比が０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％である、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
結晶粒の膜面に平行な面の格子定数ａと膜面に垂直な面の格子定数ｂの比（ａ／ｂ）が０．９９５以下である、
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁性膜の前記Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、前記Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、前記Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％である、
請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドと、
前記薄膜磁気ヘッドがアクセスする磁気記録媒体とを、
少なくとも有する磁気ディスク装置。
【請求項５】
少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜を、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上のイオンを含有し、さらにＳの錯体を含有し、ｐＨが２．０以下であるめっき浴で、電流密度が150ｍＡ／ｃｍ２以上である電流を印加することにより成膜する、ことを特徴とする、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
磁性膜成膜時に印加する電流はパルス電流であることを特徴とする、
請求項５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記磁性膜の成膜時に、窒素バブリング及びパドル攪拌を行うことを特徴とする、
請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１】
少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを含有する磁性膜であり、
前記Ｓの組成比が０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％である、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
結晶粒の膜面に平行な面の格子定数ａと膜面に垂直な面の格子定数ｂの比（ａ／ｂ）が０．９９５以下である、
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁性膜の前記Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、前記Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、前記Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％である、
請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドと、
前記薄膜磁気ヘッドがアクセスする磁気記録媒体とを、
少なくとも有する磁気ディスク装置。
【請求項５】
少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜を、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上のイオンを含有し、さらにＳの錯体を含有し、ｐＨが２．０以下であるめっき浴で、電流密度が150ｍＡ／ｃｍ２以上である電流を印加することにより成膜する、ことを特徴とする、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
磁性膜成膜時に印加する電流はパルス電流であることを特徴とする、
請求項５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記磁性膜の成膜時に、窒素バブリング及びパドル攪拌を行うことを特徴とする、
請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−１５１８３３（Ｐ２００９−１５１８３３Ａ）
【公開日】平成２１年７月９日（２００９．７．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３２６０９５（Ｐ２００７−３２６０９５）
【出願日】平成１９年１２月１８日（２００７．１２．１８）
【出願人】（５０３１１６２８０）ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ (1,121)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月９日（２００９．７．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月１８日（２００７．１２．１８）
【出願人】（５０３１１６２８０）ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ (1,121)
【Ｆターム（参考）】
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