【課題】良好な熱安定性と良好な記録・再生特性をともに有し、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と垂直磁気記録層と保護層を有する垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録層を、主記録層と非磁性中間層と補助層から構成し、主記録層を、磁性結晶粒子とそれを取り囲む粒界領域を有し、かつ垂直磁気異方性を有する材料から構成し、補助層を、負の結晶磁気異方性を有する材料から構成し、非磁性中間層を、主記録層と補助層の間に形成し、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒから選択される少なくとも一種の金属または合金から構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ、Ｒｕなどの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルを提供すること。
【解決手段】第１磁性層と第２磁性層とが非磁性層を介さず、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体磁気記録媒体ならびに垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルであって、第１磁性層がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、第２磁性層が単体で強磁性を有する金属または、単体で強磁性を有する金属を含む合金からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の装置に大きな変更を加えることなく高いスループットと高い保磁力およびＳ／Ｎ比を両立させることが可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の代表的な構成は、基板上に配向制御層１６、非磁性の下地層１８、磁気記録層２２を備える磁気記録媒体において、配向制御層１６は、ニッケルまたはニッケルよりもイオン化傾向が小さい元素を主成分とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記録再生特性、熱揺らぎ特性を向上させ、高密度の情報記録再生を行えるようにする。
【解決手段】この発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上１に少なくとも、配向制御層３と垂直磁性層４と保護層５とが設けられた磁気記録媒体において、垂直磁性層４は、Ｃｏを主成分とし酸化物を含む少なくとも１層の磁性層４ａと、この磁性層４ａの上に設けられた酸化物を含まない少なくとも１層の磁性層４ｂを含み、磁性層４ａ同士の間、磁性層４ｂ同士の間、あるいは磁性層４ａ，４ｂの間の少なくとも何れかの間に非磁性層を有し、磁性層４ａは、その層中に磁性粒子が分散しており、該磁性粒子は層を上下に貫いた柱状構造で、その周りに、酸化物を有して当該磁性粒子の孤立化微細化がなされ、磁性層４ｂの結晶粒子は下層に設けられた磁性層４ａの結晶粒子からエピタキシャル成長していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】カーボン保護層に対する潤滑剤の付着率を向上させ、マイクロスクラッチや磁気ヘッドへの潤滑剤の移着が生じない、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、カーボン保護層２６、潤滑層２８をこの順序で備える磁気記録媒体１００の製造方法において、カーボン保護層２６の表層に、ＲＦ（Radio Frequency）プラズマ法によって、水酸基（ＯＨ⁻）と結合可能な窒素を添加する添加工程と、潤滑層２８を、水酸基を含むパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）で成膜する潤滑層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】磁性結晶粒子が互いに面内方向で空隙により分離された構成の記録層を有する垂直磁気記録媒体において、磁性結晶粒子の粒子サイズの面内分散を低減する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板（１１）と、第１下地層（１５）と、記録層（１７）と、前記第１下地層と記録層の間に挿入される結晶粒サイズ抑制層（１９）を備える。第１下地層は、基板に対して垂直方向に延びるＲｕ又はＲｕ合金の結晶粒子（１５ａ）と、前記結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１５ｂ）を含む。記録層は、前記基板に対して垂直方向に延びる磁性結晶粒子（１７ａ）と、前記磁性結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１７ｂ）を含む。前記結晶粒サイズ分散抑制層（１９）は、前記基板に対して垂直方向に延びるＣｏ基合金結晶粒子（１９ａ）と、前記Ｃｏ基合金結晶粒子を面内方向で互いに隔てる酸化物（１９ｂ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】基材、軟磁性下地層、シード層、非磁性ＦＣＣ ＮｉＷ合金下地層、非磁性ＨＣＰ下地層、及び磁気層を含む、垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明者は、Ｔａを含むシード層とＮｉＷ合金下地層との組み合わせが、薄い下部磁気記録層の高い飽和保磁力と狭いＣ軸配向分布とを達成することによって、媒体記録性能及び熱安定性を大幅に改善することを発見した。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録層の磁性粒子の配向性を改善し、かつ磁性粒子を微細化し、記録再生特性の良好な垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】非磁性基板上に、軟磁性層、微細結晶構造を有し、ＰｄまたはＰｄ合金からなる第一の非磁性下地層、ＲｕまたはＲｕ合金からなる第二の非磁性下地層、及び垂直磁気記録層を積層する。また、前記第一の非磁性下地層が、第一の非磁性下地層が、Ｐｄ−Ｓｉ層であることを特徴とする。前記第一の非磁性下地層は、ガス圧０．５Ｐａ以下の雰囲気で蒸着される。 （もっと読む）

【課題】第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂ_sが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈ_kが１５．５Ｏｅ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜の製造方法、軟磁性薄膜、磁気ヘッド、垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１１上に非磁性下地膜１２を製膜する下地膜製膜段階と、非磁性下地膜１２上にＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を製膜する磁性膜製膜段階とを含む軟磁性薄膜の製造方法であって、磁性膜製膜段階が、非磁性下地膜１２上にアシストイオンビームＩＢａを照射しながらＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を製膜するイオン照射製膜段階と、イオン照射製膜後のＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３に磁界を印加しながら熱処理する熱処理段階を含むことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】記録層構造中の他の強磁性層における粒間交換結合を仲介するための強磁性粒間交換強化層を含む多層記録層構造を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】記録層構造は、グラニュラ多結晶コバルト合金及びTa酸化物から成る強磁性層１、グラニュラ多結晶コバルト合金及びSi酸化物から成る強磁性層２、強磁性層２の上部に接して配置された、強磁性層１と強磁性層２における粒間交換結合を仲介するための酸化物を含まずCoCr合金から成るキャッピング層によって構成された多層構造である。或いは、記録層構造は、いずれも粒間交換結合を減少させた、或いは粒間交換結合が無い二層の強磁性層１と強磁性層２とその間に挟まれた粒間交換強化中間層によって構成された多層構造とすることもできる。中間層は強磁性層１と強磁性層２に直接接して設けられているので、強磁性層１と強磁性層２それぞれにおける粒間交換結合を直接仲介することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（磁気メモリ）（magnetic random access memory）に使用する磁気異方性多層薄膜、具体的には、多層のＣｏＦｅＳｉＢ／Ｐｔ膜を含む磁気異方性多層薄膜を提供する。
【解決手段】垂直磁気異方性多層薄膜は、第１Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層と前記第１Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層上に形成された第２Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比をもった垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、該基板１上に形成された密着層２と、該密着層２上に形成された、非磁性体を含む軟磁性裏打ち層３と、該軟磁性裏打ち層３上に形成された非磁性下地層４と、該非磁性下地層４上に形成された磁気記録層とを備え、該磁気記録層は、第一の強磁性層５と、該第一の強磁性層５上に形成された第二の強磁性層９とからなり、第一の強磁性層５上の少なくとも一部に非金属膜８が形成されている垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】ノイズの低減及び書き込み性の向上を両立することができる垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置を提供する。
【解決手段】多結晶強磁性層５としてＦｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉを含む結晶化した強磁性層が形成されている。多結晶強磁性層５の厚さは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍとすることが好ましく、１ｎｍ〜５ｎｍとすることがより好ましい。スペーサ層３の厚さは、アモルファス強磁性層２からなる下層と、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５からなる上層との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．３ｎｍ〜３ｎｍ）となっている。つまり、下層及び上層の磁化の方向が互いに反対向きとなっており、下層と上層との間に反強磁性的な結合が現れている。軟磁性裏打ち層１１上に中間層６が直接形成されている。中間層６の厚さは１０ｎｍ〜２０ｎｍである。中間層６として、結晶構造が六方稠密構造のＲｕ層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】記録層の保磁力が高く、かつ情報の書き込み及び読み出しの信頼性が高い磁気記録媒体及びその磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性の基材１１と、基材１１上に積層された裏打層１３、中間層１４、記録層１５及び保護層１８により構成されている。裏打層１３は、下側軟磁性層１３ａ、磁区制御層（非磁性層）１３ｂ及び上側軟磁性層１３ｂにより構成されており、下側軟磁性層１３ａ及び上側軟磁性層１３ｃは体心立方（ｂｃｃ）構造となる組成のＦｅＣｏ合金にＺｒ及びＴａのうちの少なくとも一方の元素を添加してアモルファス化した材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な熱揺らぎ耐性を有すると共にＳＮ比を向上した垂直磁気記録媒体、その製造方法、およびその垂直磁気記録媒体を備える磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板上に形成された軟磁性裏打層１２と、第１の記録層１９、記録補助層２１、第２の記録層２２がこの順に堆積してなる記録層１８と、を備え、第１および第２の記録層１９，２２は、膜面に垂直な磁化容易軸を有する強磁性層であり、記録補助層２１は、膜面に略垂直で、非磁性部２１ｂにより互いに離隔された複数の磁性粒子からなり、該磁性粒子は膜面に対して斜め方向の磁化容易軸を有し、第１の記録層１９、記録補助層２１、および第２の記録層２２は隣接する層が互いに交換結合している。さらに、垂直磁気記録媒体１０は、第１の記録層１９と記録補助層２１との間、あるいは記録補助層２１と第２の記録層２２との間に交換結合力制御層２０を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー構造の磁性層の結晶配向性を改善して、高記録密度化を達成可能な高Ｓ／Ｎ比の垂直磁気記録媒体を製造すること。
【解決手段】ガラス基板１と、ガラス基板１上に形成された六方晶金属を含む下地層５と、この下地層５上に形成され、六方晶金属を含む柱状の磁性結晶粒子および、酸化物を含み磁性結晶粒子を区画する粒界部を有する磁性層６とを含む垂直磁気記録媒体１０の製造方法は、加熱された下地層５の上に磁性層６を成膜することを特徴としている。六方晶下地層が熱処理を受けていることにより、下地層５の垂直配向性が向上しているので、六方晶下地層（０００２）面のΔθ５０（結晶配向の程度を示す指標）は狭くなり、六方晶下地層の少なくとも六方晶磁性結晶粒子との境界部分についての膜応力を緩和することができ、大きな内部応力の発生を伴うことなく、磁性層６、下地層５を成膜でき、それらの結晶配向性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末としてＰｔ：１０〜９０原子％を含有し、残部がＣｒからなるＰｔ−Ｃｒ二元系合金粉末、Ｐｔ粉末、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムなどの非磁性酸化物粉末、並びにＣｏ粉末を用意し、さらに必要に応じてＣｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなるＣｒ−Ｃｏ二元系合金粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる成分組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー構造の磁気記録層を備えた磁気記録媒体の表面粗さを低くして、低浮上量化および高記録密度化を達成すること。
【解決手段】磁気記録媒体１の非磁性ガラス基板として表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下のものを用い、その上に形成されるグラニュラー構造の磁気記録層５を、ＣｏＣｒＰｔ合金に、酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−８００ｋＪ／ｍｏｌより大きなＴａ₂Ｏ₅を用いた。ギブス自由エネルギーの値に基づき酸化物材料を選択することにより、磁気記録媒体１の表面粗さを非磁性ガラス基板の表面粗さ以下に低減でき、表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下の磁気記録媒体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高Ｓ／Ｎ比の実現に適した粒径分布を持ち、互いに孤立して一様に分布する磁性粒子を有する垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板の上に、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕからなる多結晶の下地層が配置されている。下地層の上に、中間層が配置されている。中間層は、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕで形成され、面内に分布する複数の結晶粒で構成されている。結晶粒の各々の上面は、上方に向かって凸状の形状を有する。中間層の上に、磁気記録層が配置されている。磁気記録層内では、磁性材料からなる複数の磁性粒子が面内に分布し、相互に隣り合う磁性粒子同士が、両者の間に配置された非磁性材料からなる非磁性領域によって磁気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】例えばＣＧＣ媒体等において、トラックエッジノイズを低減して、トラック密度を向上させる。
【解決手段】磁気記録媒体１０の製造方法であって、垂直磁気記録層３０を形成する記録層形成工程と、垂直磁気記録層３０のトラック間の領域にイオンビームを照射することにより、トラック間を磁気的に分離する分離領域２０２を形成するイオンビーム照射工程とを備える。記録層形成工程は、ＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８が積層された多層膜の連続膜層２４を形成し、イオンビーム照射工程は、イオンビームによってＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８を融解させて、ＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８のそれぞれに含まれる金属の合金を形成することにより、分離領域２０２を形成する。 （もっと読む）