【課題】記録部とガードバンド部の間にできた遷移領域の記録層劣化を改善し、表面平坦化のために充填した非磁性充填層が記録部の記録層上に残らないようにしたパタン型の垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体において、記録層の最上層に、パタン構造に追従した垂直磁化連続膜１３２を形成することにより、遷移領域２２やガードバンド部２３の記録層の特性を改善する。また、その製法において、垂直磁化連続膜１３２を非磁性充填層除去の際に一部除去することにより、非磁性充填層１４が記録部２１に残らないようにする。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の結晶配向性と結晶粒の磁気的分離を劣化させることなく、結晶粒径を微細化させることによって記録再生特性に優れた磁気記録媒体実現する。
【解決手段】基板１１上に密着層１２、軟磁性下地層１３、シード層１４、中間層１５、磁気記録層１６、保護層１７が順次形成されてなる垂直磁気記録媒体において、中間層１５は少なくとも３層から構成され、第一中間層１５１と第三中間層１５３はＲｕ及びＲｕ合金からなり、第二中間層１５２は酸素を含むＲｕ合金からなる。 （もっと読む）

垂直磁気記録媒体の書き込み能力を向上させ、意図しない消去を減らすための方法および媒体構造が提供される。可変の透磁率は、磁気モーメント（Ｂｓ）や磁気異方性（Ｈｋ）などのバルクＳＵＬ材料特性とは無関係に、薄い軟下地層（ＳＵＬ）構造内で制御される。記録トラックへの書き込みの容易性とオフトラック（トラック間および隣接するトラック）の消去の困難性との改良された組み合わせを有する媒体は、不均衡で反強磁的に結合された（ＡＦＣ）ＳＵＬ構造により部分的に実現される。透磁率勾配は、異なる透磁率と磁気厚み（Ｂｓ＊ｔ）の値を有する層を含む軟下地層内で実現される。一局面では、第一ＳＵＬ層は、高透磁率領域とその上に積層される低透磁率領域とを有する。第二層は、低透磁率を有する第三ＳＵＬ層に第一層を反強磁的に結合させる。本発明は、慎重に磁性の均衡をとる必要のある高密度垂直記録媒体に利用することができる。
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【課題】保磁力Ｈｃと逆磁区核形成磁界Ｈｎ、およびＳＮＲを総合的に向上することにより、さらなる高記録密度化を実現可能にする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、軟磁性層１３０と、Ｎｉを主成分とし、Ｗ、Ｂを含有し、さらにＺｒ、ＡＬ、ＳｉからなるＡ群の元素のうち１つ以上の元素を含有する前下地層１４０と、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする下地層１５０と、ＣｏＣｒＰｔ系の磁性粒子と非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層１６０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保磁力[Ｈｃ]とＳＮＲを両立して向上させることにより、さらなる高記録密度化を実現可能にした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の代表的な構成は、基板１１０上に少なくとも、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする下地層１５０と、下地層１５０の上に積層され、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層１６０と、を備え、グラニュラ磁性層１６０は少なくとも、下記録層１６１と、該下記録層１６１の上に積層され該下記録層１６１よりも膜厚が厚い主記録層１６２とを有し、該主記録層１６２の磁性粒子にのみＲｕが５原子％以下含有され、かつ、磁性粒子のＰｔの含有率は、下記録層１６１の方が主記録層１６２よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上とＳＮＲの向上の両立を図り、ＴＰＩを高めて高記録密度化を可能とした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の構成は、基板１１０上に少なくとも、ｆｃｃ結晶構造を有する合金を主成分とする前下地層１４０と、Ｒｕ合金からなる第１下地層１５２と、ＲｕまたはＲｕを主成分とする合金からなる第２下地層１５４と、柱状に連続して成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に金属酸化物を主成分とする非磁性の粒界部が偏析して形成されるグラニュラ磁性層１６０と、をこの順に備え、磁性粒子の粒径は７ｎｍ以下であり、第１下地層１５２は、ｈｃｐ結晶構造を有し、かつ融点がＲｕの融点未満の元素を少なくとも１種類含有するＲｕ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】熱安定性と低消費電流のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提案する。
【解決手段】本発明の例に係わる磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１磁性層３と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第２磁性層２と、第１磁性層３と第２磁性層２との間に設けられる第１非磁性層４とを含む。第１磁性層３は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、ｃ軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成される。第１磁性層３の磁化方向は、第１磁性層３、第１非磁性層４及び第２磁性層２を貫く双方向電流により変化する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏを含有するグラニュラ構造の磁気記録層と、補助記録層とを備えた構成において、電磁変換特性におけるノイズを低減できる垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくともＣｏを含有する柱状の磁性粒子間に非磁性の粒界部を有するグラニュラ構造の第1磁気記録層２０ａと、前記第１磁気記録層２０ａ上に設けられた非磁性層２２と、前記非磁性層２２上に設けられたＣｏを含有する柱状の磁性粒子間に非磁性の粒界部を有するグラニュラ構造の第２磁気記録層２０ｂと、前記第２磁気記録層２０ｂ上に設けられた補助記録層２４と、を具備していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：７０〜９２％（ただし、Ｎｉは０を含む）、Ｔａ：１〜８％、Ｂ：７％超〜２０％を含有し、かつ、Ｃｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．９、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．６５、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０〜０．３５、およびＢ／Ｔａ：１〜８を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比が改善された高密度で記録可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくともグラニュラ磁気記録層１２２と、グラニュラ記録層１２２中の磁性結晶粒子と交換結合をする垂直磁気異方性を示す磁性粒子を有する補助記録層１２４とを含む垂直磁気記録媒体１００である。補助記録層１２４には補助記録層１２４を構成する磁性粒子とは非固溶である非固溶物質が含まれる。この補助記録層には、例えば、コバルト（Ｃｏ）に対して非固溶である銀（Ａｇ）を非固溶物質として含むＣｏ系合金が磁性粒子の主体として用いられる。 （もっと読む）

【課題】 記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜３と、垂直磁性膜４と、保護膜５とが設けられ、軟磁性下地膜２が、以下の組成で表される材料を含む。
ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｅＸ2−ｆＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏのうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｅ≦１０、３≦ｆ≦３０である。） （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末及び非磁性酸化物粉末からなる予備混合粉末に、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末及びＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕したＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物混合粉末を加圧焼結することによって得られた、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、その組織中には、１２〜２５面積％のＰｔリッチ領域が分散形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を大幅に向上させることができ、また熱揺らぎ特性、記録特性を向上させることによって、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを積層してなる磁気記録媒体において、垂直磁性層４を２層以上の磁性層４ａ，４ｂから構成し、当該磁性層４ａ，４ｂの間にＦｅと非磁性材料とを含む合金層７を配置する。 （もっと読む）

【課題】 補助記録層の膜厚を保ち、ＯＷ特性を良好な状態に保持しつつ、トラック幅を狭小化してＳＮＲを向上させるという、トラック幅とＳＮＲとの両立を図り、高記録密度化の達成が可能な垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成は、基体上に少なくとも、柱状に連続して成長したＣｏＣｒＰｔからなる磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラ構造を有し信号を記録する磁気記録層１２２と、補助記録層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体において、補助記録層は、基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である非グラニュラ補助記録層１２６ｂと、非グラニュラ補助記録層の下に設けられ、非グラニュラ補助記録層に比較して保磁力が高く、グラニュラ構造を有するグラニュラ補助記録層１２６ａと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軟磁性下地層の密度を高め、また表面粗度を低下させることによって、更なる高記録密度化に対応することを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板１の上に、複数の軟磁性層２ａを反強磁性結合させた軟磁性下地層２と、磁化容易軸が非磁性基板１に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、軟磁性層２ａをスパッタリング法で形成し、スパッタリングガスとしてＫｒ又はＸｅを用い、このスパッタリングガスの圧力を０．３Ｐａ以下とする。これにより、高エネルギーのスパッタリング粒子を生成することが可能となり、また、膜中に混入するガス粒子も減少し、密度が高く緻密且つ平坦性の高い軟磁性下地層２が形成可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上１１０に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００において、保護層１２６は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるＧピークの高さをＧｈとし、Ｄピークの高さをＤｈとし、Ｇピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をＢとし、Ｇピークの蛍光を除いたピーク強度をＡとした場合、保護層１２６のラマン分光法による測定結果は、Ｄｈ／Ｇｈが０．７８〜０．９６であり、Ｂ／Ａが１．３１〜１．３４であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 第１軟磁性層と第２軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、ＯＷ特性およびＳＮＲを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成は、ディスク基体１１０上に少なくとも、軟磁性層１１４と、磁気記録層１２２を備える垂直磁気記録媒体１００であって、軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄと、第１軟磁性層１１４ｂの下に設けられた結晶調整層１１４ａと、第１軟磁性層１１４ｂと前記第２軟磁性層１１４ｄの間に第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層１１４ｃとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部１３４とを有する磁気記録層１２２を備えた磁気記録媒体１００において、磁気記録層は、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の垂直磁気異方性定数Ｋｕを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行う。 （もっと読む）