【課題】産業上の有用性が高い軽元素磁性材料を配向制御させることによる磁性材料の積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電池電極、キャパシタ電極、燃料電池電極、太陽光発電電極などの産業分野において好適に用いられる、炭素や窒素、シリコン、ホウ素、酸素、アルミニウム、リン、イオウなどの軽い元素からなる磁性材料、たとえば磁性グラフェンや磁性グラファイトに外部磁界を印加することにより、分子および粒子の配置方向を制御し、前記材料を３次元的に積層させることを特徴とする磁性材料の積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上１１０に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００において、保護層１２６は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるＧピークの高さをＧｈとし、Ｄピークの高さをＤｈとし、Ｇピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をＢとし、Ｇピークの蛍光を除いたピーク強度をＡとした場合、保護層１２６のラマン分光法による測定結果は、Ｄｈ／Ｇｈが０．７８〜０．９６であり、Ｂ／Ａが１．３１〜１．３４であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フェライトメッキ法に基づいたフェライト膜付着体の製造方法であって均質なフェライト膜を有するフェライト膜付着体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体３とその基体３に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体を製造する製造方法を提供する。この製造方法は、基体３の裏側に１００μｍ以上のスペースを空けた状態で基体３を支持し、少なくとも第１鉄イオンを含む反応液と少なくとも酸化剤を含む酸化液とを反応液ノズル１及び酸化液ノズル２から基体３の表側に供給し、反応液と前記酸化液に対して重力以外に起因する２〜１５０ｍ／ｓ^２の加速度を加える。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したｎｍサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０⁴μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。
【解決手段】 組成が一般式Ｆｅ_aＣｏ_bＮｉ_cＳｉ_xＭ_yＦ_zで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる磁気抵抗膜。 （もっと読む）

【課題】飽和磁化Msを低く抑えながら高Kuを提供することが可能な磁性薄膜とその成膜方法、ならびにこの磁性薄膜を適用した各種デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の磁性薄膜は、L1₁型の原子の規則構造を有するCo-M-Pt合金（前記Mは単一若しくは複数のCo,Pt以外の金属元素を示す。）を含むものとし、例えば、前記Co-M-Pt合金は、Co-Ni-Pt合金であり、組成は、Coが１０〜３５（ａｔ％）、Niが２０〜５５（ａｔ％）、残部はPtとする。また、前記磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ）、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、ＭＥＭＳデバイス等において使用される磁性膜に適用する。 （もっと読む）

【課題】電子機器への搭載が可能な薄型で、高周波帯での透磁率実部が大きい高周波磁性体を提供する。
【解決手段】絶縁層１０と、この絶縁層１０上に設けられる磁性層２０を備える高周波磁性体であって、磁性層２０は、長さｈの短辺、長さｗの長辺、厚さｔの厚みを有する棒状の磁性部材２２を、長辺方向を揃えて複数個配列させることにより形成され、５≦ｗ／ｈ≦３０であることを特徴とする高周波磁性体。さらに、この高周波磁性体において、磁性部材２２の磁化困難軸と、磁性部材２２の長辺方向が略一致することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】短波長記録特性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性支持体の一方の主面に磁性粉末と結合剤とを含む磁性塗料を塗布することにより磁性層形成してなる磁気記録媒体の製造方法において、前記磁性塗料が、バッチ式混練装置にて第１の固形分濃度にて前記磁性粉末と前記結合剤とを混練し、磁性混練物を得る混練工程と、前記バッチ式混練装置内で、第２の固形分濃度にまで希釈を行い第１希釈物を得る第１希釈工程と、前記第１希釈物を前記バッチ式混練装置の排出部から排出手段により排出する排出工程を経て製造され、前記排出部にはドロップドアが配設され、前記排出手段がモーノポンプであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波をかけた場合でも高い透磁率を有し、比較的厚膜な軟磁性膜を提供すること。そのような軟磁性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基材の少なくとも一方面に、絶縁層により表面被覆された多数の軟磁性粒子が付着・堆積されて形成されている軟磁性膜とする。当該軟磁性膜は、絶縁層により表面被覆された軟磁性粉末を、圧縮気体により加速させて噴射し、基材上に多数の軟磁性粒子を衝突させて付着・堆積させる工程を経れば得ることができる。上記軟磁性粉末の噴射方式は、コールドスプレー法、ＨＶＡＦ法、および、ＨＶＯＦ法から選択される１種または２種以上のメカニカルデポジション方式を好適に採用することができる。 （もっと読む）

【課題】 高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、複雑な磁場発生設備を使用しなくても作製することが可能である磁性膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁物質１中に、強磁性金属を粒径１０ｎｍ以下の微粒子２で含有して成り、微粒子２が単磁区構造を有し、各微粒子２の磁化の向きが揃っていない磁性膜１０を構成する。また、絶縁物質の薄膜と強磁性金属の薄膜とを交互に積層した多層膜構造を形成し、この多層膜構造を５００℃〜８００℃の範囲で熱処理することにより、上記磁性膜１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】
磁性薄膜内部の磁区構造の最適化により、高い共振周波数を有し、ＧＨｚ帯域で有効に動作する磁性薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１２上に、磁性粒子１６を絶縁体１４Ａで包み込んだグラニュラ層１８と絶縁層を積層する際に、前記絶縁層の厚みを周期的に変化させて、前記グラニュラ層１８と薄い絶縁層１４Ｂとの積層構造よりなる強磁性領域２０と、厚い絶縁層１４Ｃからなる非磁性領域２２とを交互に形成し、前記非磁性領域２２中に磁壁２４を配置して、磁性薄膜１０の内部の磁区構造を最適化する。磁区構造を任意に変更できるため、磁壁を介して磁気的相互作用が制御可能となり、異方性磁界の値を増大させて共振周波数を高め、ＧＨｚ帯域で有効に動作する磁性薄膜１０を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は磁気抵抗メモリデバイスを含む。メモリデバイスは、第１磁性層、第２磁性層、及び第１磁性層と第２磁性層の間の非磁性層を有するスタックからなるメモリビットを含む。第１導電性ラインはスタックに近接して設けられ、メモリビットから情報を読み出すように構成される。第２導電性ラインは、第１導電性ラインがスタックから離れている距離よりはもっとスタックから離れて設けられ、メモリビットへ情報を書き込むように構成される。本発明はまた、クロスポイントアレイ構造における情報の記憶及び再生の方法を含む。
（もっと読む）