【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、熱流のみを用いて、スピントルク（ＳＴ）効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるＳＴＯは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の１つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク（ＳＴＴ）が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＧＭＲ素子では、十分大きなＭＲ比を得ることが困難である。大きなＭＲ比を実現することが可能なＭＴＪ素子において、反転電流を低減させることが望まれている。
【解決手段】 下部電極の上に、磁化容易方向が厚さ方向を向く垂直磁気異方性膜が形成されている。垂直磁気異方性膜の上に、非磁性材料で形成されたスペーサ層が配置されている。スペーサ層の上に、アモルファスの導電材料からなる下地層が配置されている。下地層の上に、磁化容易方向が面内方向を向く磁化自由層が配置されている。磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が面内方向に固定された磁化固定層が配置されている。スペーサ層は、垂直磁気異方性膜と磁化自由層との間に交換相互作用が働かない厚さであり、かつスピン緩和長よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。 （もっと読む）

【課題】グラニュラ構造の垂直磁性層をスパッタリング法で形成するに際し、形成する磁性粒子を微細化し、また磁性粒子の粒界幅を広げ、今まで以上に高記録密度化に対応可能な電磁変換特性に優れた磁性層を形成可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。またターゲットに、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＯ₂からなる群から選ばれる何れか１種を含有させる。 （もっと読む）

【課題】 磁気デバイスにおける垂直磁気異方性と保持力とを向上させる。
【解決手段】 ＭＡＭＲ構造２０は、Ｔａ／Ｍ１／Ｍ２なる構造（例えば、Ｍ１はＴｉ、Ｍ２はＣｕ）の複合シード層２２の上に、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X等のＰＭＡ多層膜２３を有する。複合シード層２２とＰＭＡ多層膜２３との間の界面、および、ＰＭＡ多層膜２３の積層構造内の各一対の隣接層間における１以上の界面の一方または双方に界面活性層を形成する。超高圧アルゴンガスを用いたＰＭＡ多層膜２３の成膜により、各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X間の界面を損傷するエネルギーを抑える。低パワープラズマ処理および自然酸化処理の一方または両方を複合シード層２２に施すことにより、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X多層膜との界面を均一化する。各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X層間に酸素界面活性層を形成してもよい。保磁力は、１８０〜４００°Ｃ程度の熱処理によっても増加する。 （もっと読む）

【課題】垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを提供すること。垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、ＭｇＯトンネル障壁によって分離された垂直磁化をもつ強磁性ピンおよび自由層を本質的に含む。金属Ｍｇ堆積とその後の酸化処理によってまたは反応性スパッタリングによって作製されるＭｇＯトンネル障壁の微細構造はアモルファスまたは不完全な（００１）面垂直方向組織をもつ微晶質である。
【解決手段】本発明では、少なくとも強磁性ピン層のみまたは強磁性ピンおよび自由層の両方が、トンネル障壁と強磁性ピン層のみとの間に、またはトンネル障壁とピンおよび自由層の両方との間に位置する結晶好適結晶粒成長促進（ＰＧＧＰ）シード層を有する構造とすることが提案される。この結晶ＰＧＧＰシード層は、堆積後アニーリングに際してＭｇＯトンネル障壁の結晶化および好適結晶粒成長を誘起する。 （もっと読む）

【課題】強い磁界に配置された場合であっても、導体層の磁化の程度が比較的小さいセラミック構造体、および、半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミックスの表面に導体層が設けられたセラミック構造体１０であって、導体層は、セラミックスの表面に被着されたメタライズ層１４と、メタライズ層上に設けられたＮｉメッキ層１６と、Ｎｉメッキ層上に設けられた反磁性金属層１８、１９と、を有して構成されたことを特徴とするセラミック構造体。 （もっと読む）

【課題】配向度の高い希土類磁性薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の希土類高配向磁性薄膜の製造方法は、基材の被覆面上に第１組成の第１被覆層を形成する第１被覆工程と、その第１被覆層上に第１組成とは異なる第２組成の第２被覆層を形成する第２被覆工程とを少なくとも備えてなり、希土類磁性薄膜全体としての合金組成が所望する希土類磁石合金の組成に調整される。これにより、磁化容易軸方向に結晶配向した高配向の希土類磁性薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上１１０に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００において、保護層１２６は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるＧピークの高さをＧｈとし、Ｄピークの高さをＤｈとし、Ｇピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をＢとし、Ｇピークの蛍光を除いたピーク強度をＡとした場合、保護層１２６のラマン分光法による測定結果は、Ｄｈ／Ｇｈが０．７８〜０．９６であり、Ｂ／Ａが１．３１〜１．３４であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部１３４とを有する磁気記録層１２２を備えた磁気記録媒体１００において、磁気記録層は、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の垂直磁気異方性定数Ｋｕを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】集積密度が増加した磁気装置を提供する。
【解決手段】磁気装置は、装置非磁性材料の層によって互いに分離され、強磁性材料から作られる少なくとも２つの層を含む磁気抵抗積層体３；電子電流を前記磁気抵抗積層体３に注入するための少なくとも１つの集積されたナノコンタクトを有し、前記層の平面に対して垂直に前記電子電流が流れることを引き起こす手段２、４、７：を集積する。前記ナノコンタクトは、固体電解質に少なくとも部分的に溶解される、金属から構成される可溶性電極６が堆積される前記固体電解質５から構成される二重層４内に形成される。 （もっと読む）

【課題】カーボン保護層に対する潤滑剤の付着率を向上させ、マイクロスクラッチや磁気ヘッドへの潤滑剤の移着が生じない、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、カーボン保護層２６、潤滑層２８をこの順序で備える磁気記録媒体１００の製造方法において、カーボン保護層２６の表層に、ＲＦ（Radio Frequency）プラズマ法によって、水酸基（ＯＨ⁻）と結合可能な窒素を添加する添加工程と、潤滑層２８を、水酸基を含むパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）で成膜する潤滑層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、信頼性及び機能の高い磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】
基板と、前記基板の一主面側に形成された軟磁性下地膜と、非磁性膜と、中間膜と、記録層と、前記記録層に接触して形成された第一保護膜と、前記第一保護膜に接触して形成された第二保護膜と、前記第二保護膜に接触して形成された第三保護膜を備え、前記記録層が非磁性材料の凹凸パターンに磁性膜が接触して形成されたパターン構造を持つパターンドメディアにおいて、前記第一保護膜および前記第三保護膜の主構成材料をカーボンとし、前記第二保護膜を塗布膜とする。
【効果】
カーボンと塗布膜の密着性が高いので剥離を防止ができ、塗布膜が緩衝材として衝撃を吸収する。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子間の磁気的結合を小さくして、高い垂直抗磁力を発現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】一般式［（Ｃｏ_1-mＰｔ_m）_1-nＣｒ_n］_100-x-yＴａ_xＯ_y
（ここで、ｍ、ｎは原子比で、ｍは０．２以上０．４以下、ｎは０以上０．１以下、ｙは１６ａｔ．％以上２６ａｔ．％以下、ｙ／ｘは１．７以上２．３以下である）
で表される強磁性体からなる記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）