説明

Fターム[5E058CC12]の内容

一般用変成器の特性調整 (375) | 電気的又は磁気的遮へい (215) | 磁気的遮へい (145) | 電磁(磁気)シールド (112)

Fターム[5E058CC12]の下位に属するFターム

Fターム[5E058CC12]に分類される特許

1 - 20 / 21


【課題】製造が簡単であり、効率的で、信頼でき、サイズを最小にできるようにしたインダクタンスコイル構造体を提供する。
【解決手段】複数のクロスセグメントと複数の接続セグメント32を交互に接続してアコーディオン状の折りたたみ部が複数形成し、前記各接続セグメントを実質的に180°の角度に曲げてらせん状のインダクタコイル20を形成し、該インダクタコイルの周囲及び内部に圧縮された絶縁導体粒子の圧縮材料を形成してインダクタ10とする。 (もっと読む)


【課題】磁気シールドの遮蔽能力を向上して静止誘導機器の小型化を図る。
【解決手段】鉄心と、鉄心に巻き回された巻線と、巻線の周側面の一部と面するように位置して、巻線から発生する漏洩磁束10の一部を遮蔽する磁気シールド140とを備える。磁気シールド140は、巻線の軸方向に延在してこの軸方向と直交する方向に積層された複数の電磁鋼板141、この複数の電磁鋼板141の周囲を囲んで複数の電磁鋼板141を挟持する導電性枠部142、および、複数の電磁鋼板141の積層方向に延在して導電性枠部142の一部と他の一部とを電気的に繋ぐ導電性橋絡部143を含む。 (もっと読む)


【課題】周波数が5MHz以上の電磁波に対して電磁波遮蔽効果の高い電磁波シールド材用Cu−Fe系銅合金板材を提供する。
【解決手段】Feを10.0mass%以上50.0mass%以下、Ni,Coを1種又は2種の合計で0.001mass%以上5.0mass%以下、及びCを10ppm以上含むCu−Fe系銅合金板材。Cu母相内にFe系第二相が晶出及び析出した組織を有し、圧延方向に垂直な断面において、アスペクト比が5以上のFe系第二相が、板厚方向に厚さ0.05mmあたり平均10個以上存在し、その平均アスペクト比が20以上である。P,Si,Ti,Mg,Ca,Zr,Cr,Al,Bを1種又は2種以上の合計で0.005〜2.0mass%、Znを0.005〜5.0mass%、Ag,Sn,In,Mn,Au,Ptを1種又は2種以上の合計で0.001〜5.0mass%含むことができる。 (もっと読む)


【課題】コイルを形成する線材を細くすることなくQ値を低くし、超音波センサの残響時間を短縮可能なトランスを提供する。
【解決手段】トランス11において、コイル14はコア13の少なくとも一部を包囲する。導電性のシールドケース16は、前記コア13および前記コイル14を収容する。導電性の磁気抵抗付与部材17は、前記シールドケース16内に配置され、閉回路を形成する。 (もっと読む)


【課題】メインコイル及びシールドコイルの間の領域に生じた磁場を有効に利用する。
【解決手段】磁場発生装置1は、メインコイル5と、メインコイル5の径方向外側に、メインコイル5と同心に配置されたシールドコイル6と、メインコイル5の内部に設けられた中央パイプ21と、メインコイル5及びシールドコイル6の間に設けられた複数の周辺パイプ7と、を有する。シールドコイル6の径方向外側に生じた、メインコイル5の磁場は、当該磁場とは反対向きの、シールドコイル6の磁場によって弱められる。そして、中央パイプ21を用いて、水がメインコイル5の内部に配置され、複数の周辺パイプ7を用いて、水がメインコイル5及びシールドコイル6の間に配置される。 (もっと読む)


【課題】トランス自体をシールドせずに輻射ノイズを低減させることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置11は、トランス12の2次巻線14に中間タップ14aが設けられ、中間タップ14aの端子部14bがLCフィルタ回路16を介してプラス側出力端子17aに接続され、2次巻線14の両端子20a,20bがそれぞれ異なる整流用素子21a,21bを介してマイナス側出力端子17bに接続されている。トランス12は、2次巻線14の両端子20a,20bが隣り合う位置となるように構成されている。トランス12、LCフィルタ回路16及び整流用素子21a,21bは、GNDとして機能するヒートシンク上に絶縁層を介して実装されている。整流用素子21a,21bとしてスイッチング素子が使用されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁型トランスの電源側巻線及び負荷側巻線の結合を介したノイズ電流が何れの経路に多く流れるかを把握した上で、集中的に対策を施すことにより、少ない工数及び使用部材で放射ノイズを効率的に抑制することができるスイッチング電源を提供する。
【解決手段】
直流電力をオンオフするスイッチング手段と、該スイッチング手段を電源側巻線Lpに接続し、1個又は複数個の負荷側巻線Ls1〜Lsnに電源系統を接続した絶縁型トランス13を有するスイッチング電源であって、前記電源側巻線Lp及び負荷側巻線Ls1〜Lsnの間の接合容量が最も大きい部位に集中的にシールド対策を施す。このシールド対策としては電源側巻線Lp及び負荷側巻線Ls1間にシールド31を配置して、このシールドを接地する。 (もっと読む)


【課題】高度に結合された結合インダクタを提供する。
【解決手段】高度に結合された結合インダクタは、第1の強磁性体プレート、第2の強磁性体プレート、第1の強磁性体プレートと第2の強磁性体プレートの間に設けられたフィルム状接着剤、第1の強磁性体プレートと第2の強磁性体プレートの間に設けられた第1の導体、第1の強磁性体プレートと第2の強磁性体プレートの間に設けられた第2の導体を有する。結合度向上および漏れ磁束低減用の導電性電磁シールドを、第1の導体に近接して配置してもよい。高度に結合された結合インダクタの製造方法は、第1の強磁性体プレートと第2の強磁性体プレートを用意する工程、第1の強磁性体プレートと第2の強磁性体プレートの間に導体を配置する工程、および、第1の強磁性体プレートと第2の強磁性体プレートを、フィルム状接着剤を用いて接続する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】 占有面積が小さいけれども、インダクタ間の磁気的な結合を抑制してクロストークを抑制する効果に優れたインダクタ用シールドを提供する。
【解決手段】 3つの配線層の各々に半導体基板の上方から見てインダクタLの周りを略一周回するように形成された周回配線W1、W2、W3を有している。周回配線W1、W2、W3同士は、巻回方向が不変の一連のコイルを形成するようにビアによって直列に接続されている。このコイルの両端は、ビアAによって互いに接続されている。 (もっと読む)


【課題】1台のリアクトルだけで、異なる正相補償容量と零相補償容量の補償を実現でき、経済的でスペース性に優れたリアクトルを提供する。
【解決手段】接地形リアクトル14a、14bにおいて、主脚ギャップ17のギャップ長合計値Daと、磁気シールドギャップ23a、23bのギャップ長合計値Dbの比を変更することで、正相補償容量P1と零相補償容量P0の比であるP1:P0を、1:1から0:1の範囲で変化させる。 (もっと読む)


【課題】タンクの内壁面に非磁性体シールドを効果的に配置して経済的に製作でき、漏洩磁束に基づく温度上昇を抑制すると共に損失を低減できる静止誘導電器を提供する。
【解決手段】各相の鉄心主脚21に、それぞれ巻線Wを巻装した変圧器器本体11をタンク10内に収納し、タンク10には各巻線に対向する少なくともタンク長手方向の内壁面に、巻線の軸方向寸法よりも大きく形成した非磁性体シールド30を取付けている。この非磁性体シールド30は、巻線の軸方向の上端側及び下端側と対向する部分付近に、それぞれ帯状空白部31を設けている。非磁性体シールド30は、帯状空白部31によりタンク10の水平方向に三分割する横シールド部材31Aと、巻線と対向しないタンク10の内壁面に配置し、各横シールド部材31A間を結合する連結シールド部材30Bとから構成する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造で鉄心締付金具の水平部材部分の温度上昇を効果的に抑制でき、損失を低減できる静止誘導電器を提供する。
【解決手段】変圧器の中身は、鉄心脚部10及び上下の継鉄部11とからなる鉄心と、各鉄心脚部10に巻装する巻線2とからなる。継鉄部11の両側に配置する鉄心締付金具12は、少なくとも継鉄部11を押圧する垂直部材12Aと、垂直部材12Aの各端側に配置して固定する水平部材12B、12Cから形成される。水平部材12Bの巻線2との対向面及び水平部材12Cの反巻線側の面には、それぞれ鉄心締付金具12の長手方向に延びる非磁性体シールド13、14を配置している。鉄心締付金具12の垂直部材12Aは、巻線2の両側端面付近となる外面位置に強制分流用非磁性体シールド15を配置し、これにより非磁性体シールド13、14間を連結している。 (もっと読む)


【課題】 二次側の起電力を上昇させ、不要輻射ノイズを低減させて安定した電力を送電することのできる平面コイル用のシールド構造を提供する。
【解決手段】 平面に巻回したコイル(1a)(1b)とそのコイル(1a)(1b)の裏面に配置した磁気シールド体(2a)(2b)とで構成した電力伝送用の平面コイルでのシールド構造であって、磁気シールド体(2a)(2b)の少なくともコイル配置側の面とは反対側の面に位置する二次電池との間に金属シート(3b)を配置する。 (もっと読む)


【課題】アンテナモジュール全体としてのさらなる薄型化を図り、通信性能の不均一化を防止する。
【解決手段】アンテナモジュール10は、絶縁基板12に形成されたループ状のアンテナコイル14と、絶縁基板12の内層で上面側に設けられたフェライトコア18と、絶縁基板12の内層で下面側に間隔を置いて設けられたリカロイシート20とを備える。アンテナコイル14は、通信時に絶縁基板12の上面にて通信用の磁界を発生させる。発生した磁界は、フェライトコア18とリカロイシート20によって閉じ込められるので、外部への磁界の漏れが防止される。 (もっと読む)


【課題】無接点方式電力伝送による充電を行うための携帯電話の受電コイルとして好適な極薄化を達成可能な防磁シート付きコイルの提供。
【解決手段】防磁シートにコイルが接合された防磁シート付きコイルであって、前記防磁シートは、前記コイルの厚み方向に突出した端子が収容されるスリットを有し、前記コイルは、厚み方向に突出した端子を防磁シートのスリットに合致させた状態で防磁シートに接合されたことを特徴とする防磁シート付きコイル。 (もっと読む)


【課題】 障害波遮断変圧器の1次巻線及び2次巻線などの全ての導電部分への放射ノイズの侵入防止効果を大幅に向上させた信頼性の高い障害波遮断変圧器を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る障害波遮断変圧器は、一対の磁性体又は非磁性体のカップ状導電性合わせカバー14,15で鉄心から露出している1次巻線と2次巻線の左右の巻線部分を被覆し且つその開口部を前記鉄心の側面でそれぞれ封鎖して構成された障害波遮断変圧器において、前記鉄心の外周面を非磁性体の導電性筒状カバー18で被覆したことを特徴とするものである。 (もっと読む)


フェライトめっき法におけるフェライト膜の成膜速度を高めることにより、生産性が高く、しかもアンモニウムイオンを用いないフェライトめっき法を用いたフェライト膜の形成方法を提供する。フェライトめっきの際のpH調整液として酢酸カリウムなどのアルカリ金属の弱酸塩の水溶液を用いることにより、高い成膜速度で良質のフェライト膜を成膜する。この方法を用いることにより、GHz帯にて電磁ノイズを抑制することのできる電磁ノイズ抑制体の膜を回路基板などの電磁ノイズを抑制する対象に直接に形成することができる。
(もっと読む)


【課題】 三巻線モールド変圧器が接続された交直変換装置のスイッチングの方向が逆になるような制御で運転された場合に、鉄心より発生する漏れ磁束が巻線間に集中し、漏れ磁束による鎖交が生じても、各モールドコイルの局部過熱を抑え、変圧器の温度上昇を防止することができる三巻線モールド変圧器を提供する。
【解決手段】 鉄心を中心に内側から順に、二次巻線を樹脂にてモールドした二次モールドコイル、一次巻線を樹脂にてモールドした一次モールドコイルを設置し、二次モールドコイルおよび一次モールドコイルの下側に鉄心を中心に内側から順に、三次巻線を樹脂にてモールドした三次モールドコイル、一次巻線を樹脂にてモールドした一次モールドコイルを設置し、二次モールドコイルと三次モールドコイルの上下間および一対の一次モールドの上下間には、空隙(エアーギャップ)を設ける。 (もっと読む)


【課題】一体化しても結合係数が小さく、コイルL1の80MHz付近のQを大きくとれ、かつコイルL2のインダクタンスも大きくとれる一体型コイルを提供する。
【解決手段】樹脂などで形成した絶縁体の基台1の上に磁性体のドラムコア2を載置し、基台1上部の側面に設けた巻溝にコイルL1を巻回し、ドラムコア2の上下のつば21、22で区切られた巻溝にコイルL2を巻回する。ドラムコア2は、底面に設けた凸部aを基台1頂面の凹部に嵌め込んで基台1に連結し、その後接着剤等を用いて固着する。また、基台1底面に使用しない分も含めて5本の端子ピンT1〜T5を植立し、ケース4には側面から垂下するケース脚41を取り付ける。ドラムコア2には磁性体のポットコア3を被せてドラムコア2に巻回したコイルL2の外周を磁気シールドする。さらに基台1とドラムコア2およびポットコア3を含む全体を導電体のケース4に収容してコイルL1、L2を静電シールドする。 (もっと読む)


【課題】 磁界のエネルギを損失させることなく、磁界を集中させて通過させることができるタグ用磁気シールドシートおよびこれを用いたタグを提供する。
【解決手段】 磁気シールドシート10は、シールド層11より構成される。シールド層11は、複素比透磁率μの実部μ’が大きい材料から成るので、このシールド層11を磁界中に設けると、磁力線がシールド層を集中して通るようになる。したがって磁気シールドシート10を用いることによって、磁界を集中させて通過させて、磁気シールドシート10によって仕切られる一方の領域の磁界が他方の領域に漏れることを防ぐことができる。さらにシールド層10は、複素比透磁率μの虚部μ”が小さい材料から成るので、このシールド層11を磁界中に設けても、シールド層11を設けたことによる磁界のエネルギの損失を小さく抑えることができる。 (もっと読む)


1 - 20 / 21