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Fターム[5E082MM24]の内容

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Fターム[5E082MM24]に分類される特許

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【課題】塗装プロセスを用いた印刷技術により必要な配線やトランジスタ等の素子を形成するにあたり、前記配線の精度を容易に確保することができると共に配線形成に要する時間を短縮することができ、そして、これにより必要な配線やトランジスタ等の素子を実装・搭載した半導体デバイスのトータルのタットタイムを短縮することができる有利な構造の素子内蔵型配線フィルムを提供すること。
【解決手段】長尺の絶縁テープ1もしくは絶縁シート上に微細な配線パターン2を形成した配線フィルム3上に、配線パターン2を構成する配線4の一部を取り込んでトランジスタ、キャパシタ、抵抗等の素子を構成する材料を含有するインクを用いた塗装プロセスを施すことにより、前記素子を直接且つ一体に形成した、素子内蔵型配線フィルム。 (もっと読む)


【課題】集電体の強度を維持しながら電極の端面からの活物質の脱落を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】表面に凹凸を有する集電体の表面上に活物質層を形成する工程と、活物質層の形成前または形成後において、集電体の切断設定部14を局所的に加熱する工程と、集電体および活物質層によって構成された電極原反30を加熱された切断設定部14に沿って刃物でスリットする工程とを含む電気化学素子用電極の製造方法とする。切断設定部14の加熱は、例えば、電子線を用いて行う。 (もっと読む)


【課題】ニッケルを主成分とする複数の内部電極の各端部が露出した部品本体の端面に銅めっきを施すことによって、外部端子電極のためのめっき層を形成した後、外部端子電極の密着強度および耐湿性を向上させるため、800℃以上の温度で熱処理を施すと、めっき層側にボイドが生じることがある。
【解決手段】めっき層10,11が形成された部品本体2を800℃以上の温度で熱処理する工程において、1000℃以上のトップ温度でキープする工程だけでなく、トップ温度でキープする工程の前に、トップ温度より低い600〜900℃の温度で少なくとも1回キープする工程を実施する。これによって、めっき層10,11の主成分である拡散速度の比較的高い銅を、ニッケルを主成分とする内部電極3,4側に予め拡散させておき、ボイド発生の原因となるトップ温度での銅とニッケルとの拡散速度の差を減じておく。 (もっと読む)


【課題】カラムナー構造の誘電体薄膜を備え、容量が大きく、絶縁抵抗値及びその信頼性が高い薄膜コンデンサの製造を低コストで実現する薄膜コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、金属溶液の塗膜の仮焼成を電極上で一回以上行い、一層以上の前駆体層を電極上に積層する積層工程、一層以上の前駆体層を真空中で本焼成して、誘電体層を電極上に形成する本焼成工程、並びに積層工程及び本焼成工程を交互に二回以上行い、誘電体薄膜を電極上に形成する薄膜形成工程を備え、金属溶液が元素A(Ba,Sr,Ca又はPbの少なくともいずれか)と元素B(Ti,Zr,Hf又はSnの少なくともいずれか)を含み、Bのモル数の合計Mに対するAのモル数の合計Mの比M/Mを1未満にして、一層の誘電体層の単位面積当たりの質量を10〜50μg/cmにする。 (もっと読む)


【課題】焼成工程とアニール工程との間における素体のクラックの発生を防止し、電子部品の信頼性を向上させることのできる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】移動工程S4では、ZrOビーズ12とセラミック素体2とを混合させた状態で焼成さや10を焼成炉20からアニール炉30へ移動させ、セラミック素体2をZrOビーズ12で保温した状態で移動し、常温にさらされることによる熱衝撃を発生させることなく、焼成炉20からアニール炉30へセラミック素体2を移動させる。ZrOビーズ12は酸素透過性を有しているため、アニール工程S5においてセラミック素体2をZrOビーズ12と共に熱処理しても、ZrOビーズ12が酸素を阻害することなく、アニール処理に必要な酸素を十分にセラミック素体2に供給し、再酸化状態にばらつきを生じさせることなく確実にアニール処理を行う。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法であり、非常に多くの素子本体に対して一括して外部電極を形成することで、積層セラミック電子部品を効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】焼成後に内部電極層となる内部電極パターンと、焼成後にセラミック層となるグリーンシートと、が積層してあるグリーン積層体を準備する工程と、グリーン積層体を積層して、グリーン積層ブロックを形成する工程と、グリーン積層ブロックを焼成し、焼成積層ブロック5bを得る工程と、焼成積層ブロック5bを切断し、同じ外部電極に電気的に接続されるべき内部電極層12のみが露出している切断面を有する素子本体集合基板4bを形成する工程と、素子本体集合基板4bにおいて、内部電極層12が露出している面に外部電極を形成する工程と、素子本体集合基板を個片状に切断する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、長尺シート状の極板を生産する工程において、シワやクラックの発生が少なく、高品質な極板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】長尺シート状の集電体上に粉末材料を混練してなる材料スラリーを塗布、乾燥し、長尺シート状極板を生産する工程において、その乾燥条件を2段以上に分けたときの後半部において、内側から外側へ風を吹き出す構造を持つ円弧状ノズルを、塗布面側から塗布面がノズルの円弧面に沿いかつ非接触となるように風を吹きだすように設置したことを特徴とする製造方法。 (もっと読む)


【課題】内部構造欠陥の発生を抑制することが可能な積層貫通コンデンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】積層貫通コンデンサ1の製造方法では、接地用電極パターン43上の一方の外縁に沿って段差吸収層22の前駆体を含む吸収層パターン44を形成するとともに、接地用電極パターン43上の他方の外縁に沿って段差吸収層32の前駆体を含む吸収層パターン45を形成している。その一方、接地用電極パターン43と段差吸収層34の前駆体との間に離間領域36を設けると共に、接地用電極パターン43と段差吸収層24の前駆体との間に離間領域26を設けている。そして、積層方向からみて、段差吸収層22が離間領域36に、段差吸収層32が離間領域26にそれぞれ位置するように位置合わせして積層する。離間領域が設けられていることから、離間領域で段差吸収層を吸収し、内部構造欠陥の発生を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 誘電体セラミック層の薄い薄層の積層セラミックコンデンサにおいて、結晶粒子が大きくなり、結晶粒界の占める割合が減少しても、より高い絶縁性と信頼性を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 前記積層セラミックコンデンサの断面を観察したとき、隣り合う二つの内部電極に接する結晶粒子の個数割合が50%以上であり、前記誘電体セラミックがBaTiO3系ペロブスカイト化合物を主成分とし、Ca、Mn、Vから選ばれる少なくとも一種を含む組成を有する。 (もっと読む)


【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】PLZT、PZT及びPTからなる群より選ばれた1種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式:(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)で示される複合金属酸化物Aに、Ndを含む複合金属酸化物Bが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、BとAとのモル比B/Aが0.005≦B/A<0.03の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 動作時の電極群構成部材間の隙間の増加、電極群の変形を抑制することができ、性能の劣化、安全性の低下をより防ぐことが可能な蓄電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 第1の電極シートと第2の電極シートとセパレータとを、積層して、または積層・巻回して得られる電極群6を、ヒーター部9を備えた加圧加熱成型器7を使用して、加熱下に加圧する工程を含む蓄電デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高機能であるBST(チタン酸バリウムストロンチウム)系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるBST系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】たとえば、MgO(100)基板のMgO(100)面上に形成されたBaZrO3の薄膜上に、(BaxSryCaz)TiO3(ただし、x+y+z=1.0)の単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理することによって、(BaxSryCaz)TiO3の単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


【課題】比誘電率の高いセラミック誘電体材料粉末の製造方法、および、静電容量の高い積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】主成分の原料粉末であるチタン酸バリウムと副成分の原料粉末とを混合、仮焼、粉砕してセラミック誘電体材料粉末を作製する工程を有し、前記仮焼として1000〜1100℃の温度にて1〜60秒間処理することにより、比誘電率の高いセラミック誘電体材料粉末を得ることができる。また、比誘電率の高いセラミック誘電体材料粉末を得ることができるので、静電容量の高い積層セラミックコンデンサを製造することができる。 (もっと読む)


【課題】誘電体セラミック層が1μmまで薄層化した場合でも積層セラミックコンデンサの信頼性を確保。
【解決手段】組成式が100(Ba1−xCaTiO+aMnO+bCuO+cSiO+dMgO+eRO(但し、係数100、a、b、c、d、eはモル比、mは(Ba1−xCa)のTiに対するモル比、ROはY、La、2CeO、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選択される希土類元素酸化物)で表される誘電体セラミックであって、上記組成式のm、x、a、b、c、d、eは、それぞれ、0.998≦m≦1.030、0≦x<0.04、0.01≦a≦5、0.05≦b≦5、0.2≦c≦8、0.05≦d≦3.0、0.05≦e≦2.5の関係を満足し、且つ平均粒径が0.35μm以上、0.65μm以下である。 (もっと読む)


【課題】リーク特性を向上させることができる薄膜コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサの製造方法は、金属箔11を800℃以上の温度にて焼鈍する焼鈍工程S2と、焼鈍された金属箔11の結晶粒径D0と誘電体薄膜の膜厚tとの比D0/tが104〜560となるよう金属箔11の上に誘電体薄膜12を形成する誘電体薄膜形成工程S3と、金属箔11及び誘電体薄膜12を加熱して誘電体薄膜12を焼結させる焼結工程S4と、焼結された誘電体薄膜12の上に上部電極13を形成する上部電極形成工程S5と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】小型化を図りつつESLを低減させる積層コンデンサを提供すること。
【解決手段】第1の端子電極40の第2端子部42は、第1の内部電極20における引き出し部22の第1の引出幅より幅が広い幅広部42aと、幅広部42aから第2の端子電極50に向かって幅が第1及び第2の側面13,14側に狭くなる幅狭部42bとを有している。積層コンデンサ1では、この幅広部42aにより、第1の内部電極20の引き出し部22を流れる電流と第1の端子電極40を流れる電流との向きを逆にしてESL値を相殺させ、しかも、幅狭部42bにより、積層コンデンサ1の端子電極40,50を回路基板等に実装する際、第1の端子電極40及び第2の端子電極の50間の半田ブリッジが抑制される。 (もっと読む)


【課題】所要数の蓄電部品から構成される蓄電装置の製造方法および製造装置において、蓄電装置の生産性を高める上から、蓄電部品への熱害を防止しつつ、各電極(端子板)同士の接合を効率よく短時間に処理しえる手法を提供する。
【解決手段】各蓄電部品10の端子板11の接合予定部位の昇温時間を短縮する手段を形成するA工程と、A工程後の所要数の蓄電部品10を各端子板11が同一平面上を板厚方向へ整列状態に林立するように集合させると共に各蓄電部品間を電気的に接続すべき端子板同士を板厚方向へ圧接状態に仮止めするB工程と、B工程後の各蓄電部品10の端子板11の接合予定部位を予熱するC工程と、C工程後の端子板11同士の接合予定部位を溶融はんだ中に浸漬しつつこれら接合予定部位に超音波振動を加えるD工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 低ESLかつ高ESRで、曲げ応力に対する強度が高い、デカップリング回路に好適なコンデンサを提供する。
【解決手段】 積層体の側面への第1導出部および積層体の角部への第2導出部を有する第1内部電極と積層体の側面への第3導出部および角部への第4導出部を有する第2内部電極とが複数配置された第1ユニット部と、角部への第5導出部を有する第3内部電極と角部への第6導出部を有する第4内部電極とが複数配置された第2ユニット部とが積層され、第2導出部と第5導出部とが角部の第1接続電極で接続され、第4導出部と第6導出部とが角部の第2接続電極で接続されたコンデンサユニットを複数個、平面的に配置して、環状の金属からなる第1端子電極と第2端子電極とで接続したコンデンサである。環状の金属でコンデンサユニットを接続しているので、低ESLかつ高ESRで曲げ応力に対する強度を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】セラミックス電子部品の外部電極と内部電極の電気的接続を安定化すること。
【解決手段】本発明のセラミックス電子部品8は、内部電極11の端部を有する側面と外部電極12との間に形成された金属層14とを備えると共に、外部電極12は樹脂と金属粒子とを含んでいる。そこで、上記金属層14を構成する金属の平均粒子径は、外部電極12を構成する金属の平均粒子径より小さいことを特徴とし、外部電極12と内部電極11の電気的接続を安定化することができる。さらに、樹脂と金属粒子を含む外部電極12を150〜300℃の低温で硬化させて形成することができるので、内部電極11と外部電極12との電気特性を向上しつつ、高温による実体への損傷を軽減することができるのである。 (もっと読む)


【課題】用いられるセラミックグリーンシートの面内での厚みばらつきが生じても、内蔵されるコンデンサの容量ばらつきを抑制できる、多層セラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックグリーンシート2の複数個所での厚みを厚み測定部48において測定し、演算処理装置54において、厚みばらつきを求め、この厚みばらつきをパラメータの1つとして、導体膜の必要なサイズを算出し、この算出された必要なサイズに対応する印刷パターンデータ56に基づいて印刷部51において導体膜を印刷する。 (もっと読む)


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