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Fターム[5E346CC39]の内容

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Fターム[5E346CC39]に分類される特許

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【課題】従来よりも機械的強度が向上した基材を提供すること。
【解決手段】本基材は、酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層と、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側に、接着層を介して接合されたシリコン層又はガラス層と、を有する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも機械的強度が向上した基材を提供すること。
【解決手段】本基材は、アルミニウムの陽極酸化膜からなる板状体と、前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体と、を備えた無機材料部と、平面視において、前記無機材料部の周囲に形成されたアルミニウムと、前記複数の線状導体の一端面が露出する前記無機材料部の一方の面を少なくとも覆うように設けられた第1金属層と、前記複数の線状導体の他端面が露出する前記無機材料部の他方の面を少なくとも覆うように設けられた第2金属層と、を有する。 (もっと読む)


【課題】チップインダクタ内蔵配線基板において、チップインダクタの漏れ磁束に起因したノイズとしての高周波電流の配線層への影響を低減し、配線基板に実装された他の回路部品や電子部品に対する電位変動や電源供給の変動及びノイズの重畳を抑制して、これら回路部品及び電子部品の動作を良好に保持する。
【解決方法】相対向して順次に配設される第1の配線層、第2の配線層及び第3の配線層と、第1の配線層及び第2の配線層間に配設されてなる第1の絶縁層、並びに第2の配線層及び第3の配線層間に配設されてなる第2の絶縁層と、第1の絶縁層内に配設されるとともに、第2の配線層に実装されてなるチップインダクタと、第1の配線層及び第3の配線層の、チップインダクタと相対向する少なくとも一方の領域において配設された電磁波ノイズ吸収層と、を具えるようにして、チップインダクタ内蔵配線基板を構成する。 (もっと読む)


【課題】レーザ加工により形成される穴の形状精度に優れる穴付き積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板12上に第1の金属層14と、無機フィラーを含む第1の絶縁層16と、無機フィラーを実質的に含まない第2の絶縁層18と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基を有する被めっき層20とをこの順に備える加工前積層体10に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体10の前記被めっき層20側の表面から第1の金属層14表面に到達する穴24を形成する穴形成工程を備える、穴付き積層体の製造方法であって、第2の絶縁層18がDBP吸油量100cm3/100g以下のカーボンブラックを含み、第2の絶縁層18中におけるカーボンブラックの含有量が5質量%以上20質量%以下である、穴付き積層体22の製造方法。 (もっと読む)


【課題】導体回路層と該導体回路層を覆う接着層との密着性を向上させることが可能なプリント配線板を提供する。
【解決手段】第1絶縁層11と、第1絶縁層11上に形成された第1導体回路層12と、第1導体回路層12上に形成された第2導体回路層13と、第1導体回路層12及び第2導体回路層13を覆うように、第1絶縁層11上に形成された接着層16と、接着層16上に形成された第2絶縁層17とを備え、第1絶縁層11と平行な面内での少なくとも一方向において、第1導体回路層12の幅よりも、第2導体回路層13の幅のほうが広く、第1絶縁層11の上面11aと第1導体回路層12の側面12aと第2導体回路層13の下面13aとに囲まれる凹状の空間18に、接着層16が、第1導体回路層12の側面12aに沿って、充填されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄膜電極セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】薄膜電極セラミック基板は、セラミック基板と、セラミック基板の表面に形成されたエッチング防止金属層と、エッチング防止金属層上に形成された薄膜電極パターンと、薄膜電極パターン上に形成されたメッキ層と、を含み、薄膜電極パターンの各エッジ部は前記エッチング防止金属層と接することを特徴とする。薄膜電極セラミック基板は、セラミック基板の表面に陰刻形状のエッチング防止金属層を形成することにより、セラミック基板の表面と薄膜電極パターンとの間、及び薄膜電極パターンの間でエッチング液によって発生するアンダーカットを防止できる。また、薄膜電極パターンのエッジ部のセラミック基板表面の金属層に対する接着力が向上されることができ、薄膜電極パターン全体の固着力を向上させることができるため、薄膜電極パターンの耐久性及び信頼性を確保できる。 (もっと読む)


【課題】セラミックシート上の第1の導電パターンと第2の導電パターンとの間に絶縁パターンを介在して複数のセラミックシートを積層する時、層間短絡が発生する問題点を防止することができる多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックシート100a〜100dが積層されたセラミック積層体で構成された多層セラミック基板100は、セラミックシート100a〜100dに形成された第1の導電パターン120a〜120dと、第1の導電パターン120a〜120dを取り囲む第2の導電パターン140a〜140dと、第1の導電パターン120a〜120dと第2の導電パターン140a〜140dとの間に介在する絶縁パターン160a〜160dとを含む。 (もっと読む)


【課題】静電破壊を防止して歩留まり良く製造できる電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】支持体上に、樹脂材料からなる基材を複数積層することで第1基板を形成する工程と、素子基板から前記支持体を剥離する工程と、素子基板との間で機能素子を挟持するように第2基板を貼り付ける工程と、を有する電気装置の製造方法に関する。素子基板の形成工程においては、複数の基材間のいずれかに挟持するように電極層を配置するとともに、電極層よりも上層であって複数の前記基材間のいずれかに挟持する或いは基板本体の表面に配置するように機能素子を駆動するための半導体素子を設ける。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄膜電極セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による薄膜電極セラミック基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板に形成された薄膜電極パターンと、前記薄膜電極パターンに形成されたメッキ層と、を含み、前記メッキ層は、前記薄膜電極パターンの上部及び両側面に形成されることを特徴とする。本発明による薄膜電極セラミック基板は、薄膜電極パターンの上部及び両側面にメッキ層を形成したり、またはセラミック基板の表面に陰刻形状のエッチング防止金属層を形成することにより、セラミック基板の表面と薄膜電極パターンとの間、及び薄膜電極パターンの間でエッチング液によって発生するアンダーカットを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】低背化を可能としつつ放熱性を向上させる。
【解決手段】部品内蔵多層プリント基板100は、第1〜第3の樹脂基材10〜30を積層し、電子部品40をキャビティ60内に内蔵してなる。電子部品40の電極41及びスルーホール電極12の電極12aは直接接合され、各樹脂基材10〜30に形成された各配線等はそれぞれ基材の両面から突出せずに基材内に埋め込まれた状態で形成される。キャビティ60内に内蔵された電子部品40の非回路面42は、放熱用配線21及び放熱用ビア32と接触している。このため、低背化を図ることができ、高密度実装が可能となり、放熱性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】温度変化に伴って半導体素子と基板との間に作用する熱応力を低減することができ、且つ(多層配線層を含む)基板全体として高い機械的強度(剛性)を有する積層焼結セラミック配線基板、及び当該配線基板を含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子に近い熱膨張率を有するセラミック基材11と基材11中に埋設された内層配線14とを一体的に焼結し、内層配線14における多層配線層に相当する微細な導体構造が所定の幅Wc、層内間隔Dh、及び層間間隔Dvを有するように配線基板10を構成する。これにより、半導体素子が接合された状態において基板10が温度変化に曝される際に半導体素子と基板10との間に作用する熱応力を抑制し、基板10の剛性を維持し、温度サイクル信頼性を高める。更に、基板10における内層配線14の導通不良や絶縁不良をも低減する。 (もっと読む)


【課題】層面内における横方向の縮みが最小化されておりかつ公知の方法に比べて作製が容易なシート積層体を含むモノリシックセラミック素子を提供すること。
【解決手段】本願発明のシート積層体は、機能性セラミックからなる機能層に対するグリーンシートと、多層構造にてこの機能層に直に隣接する誘電材料製のテンション層に対するグリーンシートと、メタライゼーション面とを有しており、このメタライゼーション面の間に機能層が配置されている。テンション層に対するグリーンシートは、機能性セラミックの焼成温度以下の相転移温度を有しており、この相転移温度にて再結晶される相に移行し、この相は、機能性セラミックの焼成温度を上回るまで固体状態に止まる。テンション層には、機能層の焼成温度において機能性セラミックと実質的に反応または拡散しない任意のセラミック相が含まれる。 (もっと読む)


【課題】 コイル内蔵基板の内蔵コイルの重畳特性を向上させると共に、上面や下面に搭載された半導体チップやチップ部品に対するコイル用導体から発生する磁力線の影響を大幅に抑制することができるコイル内蔵セラミック基板および電子装置を提供すること。
【解決手段】
本発明のコイル内蔵基板は、内部にコイル導体4が埋設されているフェライト層2、3を、各々が非磁性フェライト層により形成されている一対の絶縁層1で挟持させて成り、コイルのコイル導体4間に非磁性フェライトからなる非磁性層が形成されており、コイルの上面および下面がフェライト層2、3で覆われている。 (もっと読む)


【課題】吸湿リフロー耐性の大幅な向上を図ることにより、各配線基板の層間剥離の発生を抑制できるフレキシブルプリント配線板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層の一方の面上に形成された導電回路と、導電回路に電気的に接続され絶縁層を貫通する層間導通部と、を有する配線基板を2枚以上積層したフレキシブルプリント配線板1において、複数の配線基板は、防湿機能を有するバリア層15を備えた第一外層配線基板10(特定の配線基板)を含むことを特徴とする (もっと読む)


【課題】多層配線基板のバンプとして導電性ペーストを用いた際、導電性金属箔への印刷後に樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染を抑制し、良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状(印刷性)を与えることができる導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】
多層基板のバンプ形成に用いられる導電性ペーストであり
(A)25℃において固形であるエポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)導電性フィラー、および(D)有機溶剤を含む導電性ペーストであって、レオメーターを使用して連続的にシェアレートを変えて繰り返し30℃で測定した粘度が、シェアレート10.0sec-1のとき100〜200Pa・sであり、かつ、シェアレート100.0sec-1のとき10〜40Pa・sであることを特徴とする導電性ペースト。 (もっと読む)


【課題】多層セラミック基板及び製造方法に関する。
【解決手段】多層セラミック基板の製造方法であって、多層のセラミック層のうち少なくとも何れか一つのセラミック層のビア周辺にボイドが形成されたセラミック積層体を準備する段階と、前記セラミック積層体を電極溶液が入っている沈殿槽内に浸漬させる段階と、一定時間が経過すると、前記沈殿槽から前記セラミック積層体を取り出した後、前記多層セラミック基板の表面に積層されたナノパーティクル膜を除去する段階と、前記ナノパーティクル膜を除去した後、所定の熱を加えて前記ボイド内部を充填するナノパーティクルを形成する段階と、を含む。セラミック積層体のビア周辺のボイドをナノパーティクルで充填し、ナノパーティクル及びビアの表面上に外部電極を形成することで、外部電極とセラミック積層体との間の接合強度の低下を防止できる。 (もっと読む)


【課題】従来の電子装置およびその製造方法においては、半田ボール側の配線層に用いる樹脂が限定され、それにより電子装置の低コスト化が妨げられている。
【解決手段】電子装置1は、配線層10(第1の配線層)、および配線層20(第2の配線層)を備えている。配線層10の下面上には、配線層20が形成されている。配線層20は、平面視での面積が配線層10よりも大きく、配線層10より外側まで延在している。 (もっと読む)


【課題】従来の回路基板の製造方法では、電気的な接続の確実性を高めることが困難である。
【解決手段】金属粒子を含む液状体をグリーンシートに塗布することによって、前記グリーンシートに前記液状体で回路パターンを描画する描画パターン形成工程S3と、複数の前記グリーンシートを重ねて積層体を形成する積層工程S4と、前記積層体を加圧する加圧工程S5と、前記積層体から露呈している前記回路パターンの一部に、金属粒子を含む液状体を重ねて塗布することによって、前記積層体から突出する突パターンを形成する突パターン形成工程S6と、前記積層体を焼成する焼成工程S7と、を有する、ことを特徴とする回路基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板シートの表面に導電性ペーストを塗工する工程の回数を減少させることができ、このため導電性バンプ付き基板シートの製造時間を短縮することができる導電性バンプ付き基板シートの製造装置および製造方法、ならびにメタルマスク版を提供する。
【解決手段】メタルマスク版32における各貫通穴について、印刷定盤30上の基板シート10側の開口の直径が、スキージ36側の開口の直径よりも大きくなっている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る配線基板4は、ランド15と、ランド15上に形成された樹脂層10と、該樹脂層10を厚み方向に貫通してランド15の一部を露出するビア孔Vと、該ビア孔V内に形成されたビア導体12とを備え、ランド15は、導体膜18と、該導体膜18におけるビア導体12側の一主面に形成された被覆膜19とを有し、ビア導体12は、ビア孔Vの内壁およびビア孔Vに露出したランド15の一部に被着した下地膜17と、該下地膜17上に形成された導体部20とを有し、導体膜18および導体部20は、被覆膜19および下地膜17よりも導電率が高く、被覆膜19は、導体膜18よりもヤング率が大きく、且つ、下地膜17よりも厚みが大きい。 (もっと読む)


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