【課題】基板上の犠牲膜又は被処理膜のパターンの寸法を正確に測定し、基板上の被処理膜にスペース比率が１：１となるパターンを形成する。
【解決手段】検査用ウェハのモニターパターンの目標スペース比率を１：１と異なる比率に決定する（Ｓ１）。ライブラリのスペース比率の範囲を、目標スペース比率を含み１：１を含まない範囲に決定する（Ｓ２）。検査用ウェハに所定の処理を行い、被処理膜にモニターパターンを形成する（Ｓ３〜Ｓ８）。モニターパターンの寸法を測定する（Ｓ９）。モニターパターンの寸法を１：１のスペース比率の被処理膜のパターンの寸法に変換し（Ｓ１０）、変換された被処理膜のパターンの寸法に基づいて所定の処理の処理条件を補正する（Ｓ１１）。その後、補正された条件でウェハに所定の処理を行い、被処理膜に１：１のスペース比率のパターンを形成する（Ｓ１２〜Ｓ１７）。 （もっと読む）

高速の原子層エッチング（ALET）を行うシステムおよび方法であり、パルスプラズマ源と、反応チャンバを有している。プラズマ源は、螺旋状コイル電極と、冷却されるファラデーシールドと、管の上部に配置されたカウンタ電極と、ガス注入口とを有し、反応チャンバは基板サポートと境界電極を有する。この方法は、プラズマエッチングチャンバの中にエッチング可能な基板を設置する段階と、基板の表面上に生成層を形成する段階と、プラズマ源をパルス駆動することによって生成層の一部を除去する段階と、その後、生成層を形成する段階と生成層の一部を除去する段階とを繰り返してエッチングされた基板を形成する段階を有する。
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【課題】チャンバ壁の影響を好適に考慮できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、ウェハが配置されるチャンバ２と、チャンバ２内の状態を示す指標値としての発光強度Ｉを検出するＯＥＳ１３とを有する。また、エッチング装置１は、検出された発光強度Ｉの値に基づいて、チャンバ２のチャンバ壁に対する粒子の付着確率Ｓの値を算出する付着確率算出部１９と、チャンバ２において付着確率Ｓを変動させることが可能なヒータ１１とを有している。さらに、エッチング装置１は、付着確率算出部１９の算出する付着確率Ｓが初期値Ｓ_０となるようにヒータ１１を制御する制御部１７を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのプラズマ処理を精密に制御する方法及び装置に関する。
【解決手段】本発明は、ウェーハの裏面のすぐ隣にあって裏面に面する端部を有する光ファイバを含む光温度センサ、又は、蛍光・光温度センサを使用することにより、処理中にウェーハ温度を連続的に監視する問題を解決する。この光ファイバは、ウェーハ・リフトピンのうちの１つの中に光ファイバがその中を通る軸線方向の空隙を設けることにより、プラズマ処理を邪魔することなく収容される。ウェーハ裏面に面するこのファイバの端部は、中空のリフトピンの端部と符合する。もう一方の端部は、「外部」光ファイバを経由して、リアクタチャンバ外側にある温度プローブ電子装置に結合される。 （もっと読む）

【解決手段】ワークピースをテクスチャリングもしくは製造する方法を開示する。ワークピースは、たとえば太陽電池であってよい。テクスチャリングは、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状が絶縁性調整器により調整されたプラズマを用いたエッチングもしくは局所的スパッタリングであってよい。エッチング工程間もしくはスパッタリング工程間でワークピースを回転させてピラミッドを形成してよい。絶縁性調整器により調整されたプラズマから形成されるイオンにより、ワークピースの領域をエッチングもしくはスパッタリングして、ドーピングしてもよい。これらのドープ領域に金属層を形成してよい。 （もっと読む）

【課題】100nm以下の粒径の異物粒子を高効率で検出できるパーティクルカウンタを搭載したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室と、プラズマ生成のための高周波電源と、ガスを供給するためのガス供給手段と、ガス排気ラインを介して前記処理室内を減圧するためのガス排気手段と、前記処理室内の圧力を調整するための調圧バルブと、被処理体を戴置するためのステージとを備え、さらに、前記ガス排気ラインを流れる排気ガスにレーザー光を透過させるためのレーザー光源と、前記レーザー光内を通過した異物粒子による散乱光を検出するためのＩ−ＣＣＤカメラと、該Ｉ−ＣＣＤカメラで計測した画像から異物の検出を行う異物判定検出ユニットとを備え、前記異物判定検出ユニットは、前記計測した画像から、所定の強度以上の信号を得た複数の画素が略直線で結ばれるときに前記異物粒子を検出したと判定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させるとともに、消耗した上部電極の交換が容易に行えるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】複数の電極構成板が積層されるとともに、電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板３であって、隣り合う固定側電極構成板３ａと放電側電極構成板３ｂとの積層面の外周部に、板厚の一部を周方向に沿って切欠してなる空隙部ｓ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置や液晶製造装置等から排出される有毒ガス中の有害成分を除外、回収する除外装置において、被処理ガスを導水管内に導入、混合する吸気管の詰まりを防止する。
【解決手段】導水管２内に吸気管１３を挿着し、該吸気管の下端１３Ｃから排出される有毒ガスＧと前記導水管内の水Ｗとを混合させる気液混合攪拌装置において、前記吸気管内に可撓性チューブ１８を挿着して該可撓性チューブの下端部１８ｃを前記吸気管の下端部に対向させるとともに、少なくとも前記吸気管の下端部側と前記可撓性チューブの下端部側とを離間させて振動間隙Ａを形成させることにより、気液混合に伴って前記可撓性チューブが振動してその下端部が吸気管内周面に衝突し、前記可撓性チューブ下端に付着した固形物が剥離され、吸気管の詰まりを防止できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における優先度の高い制御機器に対する制御をＣＰＵの能力を集中させて行うことができるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置を構成するプロセスモジュールは、全体の処理動作を制御するモジュールコントローラ113と、試料を処理するための複数の制御機器305〜319と、モジュールコントローラからの指示に従って複数の制御機器に制御信号を送信する入出力基板201とを備える。モジュールコントローラ113は、ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得し、ＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、制御周期に従って、複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせる。 （もっと読む）

本発明は、基板表面、特に光学素子上の円錐形のナノ構造、その製造方法、および、特に光学装置、太陽電池およびセンサにおけるその使用に関する。本発明に係る円錐形のナノ構造は、特に、非常に低い光反射性を有する基板表面を準備するために好適である。基板表面上に円錐形のナノ構造を作る本発明に係る方法は、少なくとも以下の工程を有する：ａ）ナノ粒子で被覆された基板表面を準備し、ｂ）ナノ粒子で被覆された前記基板表面を少なくとも１００ｎｍの深さまでエッチングし、ここで前記ナノ粒子はエッチングマスクとして作用し、前記ナノ粒子の下方に双曲面構造が生じるようにエッチングパラメータを設定し、ｃ）機械的な力を加えることによって前記双曲面構造を最小の直径の領域において破壊し、ここで前記基板表面に残る構造が一層の双曲面の実質的に半分に対応する円錐形の形状を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上に低コストで微結晶性の半導体膜を形成することが可能な半導体膜の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】一次微結晶半導体膜１１に対して成膜成分を有しないプラズマ処理を行うことにより、一次微結晶半導体膜１１の一部をエッチングして薄膜化微結晶半導体膜１２を形成し、この薄膜化微結晶半導体膜１２から二次微結晶半導体膜１３を形成する。一次微結晶半導体膜１１のエッチングにより結晶性を乱す要因となっている部分が選択的に除去され、結晶性の良い薄膜化微結晶半導体膜１２となる。二次微結晶半導体膜１３は、薄膜化微結晶半導体膜１２の良好な結晶性を引き継いで成長し、基材１０との界面においてもアモルファス相が少なくなる。二次微結晶半導体膜１３を形成する前に、薄膜化微結晶半導体膜１２を、固相成長を起こす温度でアニール処理し、更に結晶性を高めてもよい。 （もっと読む）

【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生するプラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器１と、真空容器１の下部を構成し、接地されたベースフランジと、真空容器１内に設けられ、被加工試料３を載置する下部電極２と、下部電極２を上下駆動する上下駆動機構と、下部電極２が有す接地電位部に固定され、上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー２７と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー２８とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、円筒形状の第２のカバー２８を導体とする。 （もっと読む）

【課題】温度調節設備を簡素化しながら、処理容器内での付着物やアーキングの発生を防止できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室５を形成する本体容器２の側壁２ａの内側に熱媒体流路４３を設けた保護プレート４１を配置するとともに、側壁２ａの内面と保護プレート４１との間を断熱部材４２で埋めることにより、本体容器２と保護プレート４１とを熱分離する。また、誘導結合プラズマ処理装置１では、保護プレート４１が、高周波電源２９からサセプタ２２に対して供給される高周波電力によって形成されるバイアス電界に対するアノード電極として作用する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスにおけるガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】直膨式冷却システムにおけるサイクル内の冷媒循環量を最適化させ、低消費電力にて所望のウエハ温度分布を達成可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料台１には、内部を冷媒が循環する第一の蒸発器２が設けられている。第一の蒸発器２は、圧縮機８、第一の凝縮器５、膨張弁９、第二の蒸発器３、冷媒温度計１０、冷媒流量計１１と共に冷却サイクルを構成している。第一の凝縮器５には熱交換用媒体が供給される。第二の蒸発器３に供給される冷却水の温度か、供給側水温度計１２及び排出側水温度計１３で計測され、また、冷却水の流量が流量調節器１４でモニタされ調整される。これにより、冷却水の供給側と排出側の温度差と流量が測定可能となる。第二の蒸発器３内において冷媒が完全蒸発する際に冷却水から吸収（熱交換）する熱量、冷媒循環量、冷媒温度より、試料台１から排出される冷媒の乾き度が算出され、圧縮機８の回転数が制御される。 （もっと読む）

【課題】リフタを利用して電極間距離を直接測定することで，複雑な構成を追加することなく，電極間距離を正確に測定する。
【解決手段】処理室１０２内に対向して配置された上部電極１２０及び下部電極３１０と，下部電極から突没自在に設けられ，下部電極上に載置されたウエハＷを持ち上げて脱離させるリフトピン３３２と，リフトピンを昇降させるリフタ３３０と，下部電極にウエハが載置されていない状態で，リフタを駆動してリフトピンを上昇させて，上部電極に接触させることでリフタの移動距離から電極間距離を測定する制御部４００とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】下部電極と対向するように処理チャンバー内に設けられ、対向面に複数設けられたガス吐出孔からガスを供給し、上下動可能な上部電極と、上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体と、対向面に形成された複数の排気孔と、上部電極の周縁部に沿って設けられ上部電極と連動して上下動可能とされ下降位置において下部電極と上部電極と当該環状部材とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材と、環状部材の内壁部分に開口する複数の環状部材側ガス吐出孔と、環状部材の内壁部分に開口する複数の環状部材側排気孔を具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部１０３を有するフォトレジスト膜１０２が形成された基板１０１をエッチングチャンバ内に設置する設置工程と、フォトレジスト膜１０２をマスクとして、ＳｉＦ_４とＯ_２とを含むガスを用いて、エッチングチャンバ内に設置された基板１０１をエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程に続いて、ＳＦ_６とＯ_２とＨＢｒとを含むガスを用いて基板１０１をエッチングし、基板１０１に穴１０７を形成する第２のエッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて簡易な補正コイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、チャンバ１０内の圧力に応じてアンテナ−コイル間隔制御部７２により補正リング７０の高さ位置を可変するようにしている。 （もっと読む）