【課題】全てのフィーチャーの解像度を高め、かつ、安価で簡単に実現することができる解像度向上方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス又はリソグラフ用マスクのような製品を製造するためのリソグラフ方法において、基板上に材料を塗布し、パターン付けし、パターン付層を用いる一連のステップにより製品を製造する。所望のパターンは第１のパターンの像をエネルギー感受性材料層中に描画することにより生成される。この像を現像し第１のパターンを生成する。第２の像を、第１のパターン上に形成されたエネルギー感受性材料層中に形成する。第２の像を現像する。所望のパターンを第１のパターン及び第２のパターンから現像する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に微粒子がめり込むのを防止できる基板脱着方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板を内蔵し、該静電電極板に印加される直流電圧に起因して生じる静電気力によってウエハを吸着する静電チャックと、吸着されたウエハＷ及び静電チャックの間の伝熱間隙にヘリウムガスを供給する伝熱ガス供給孔とを備える基板処理装置において、静電電極板に印加される直流電圧を徐変させながら上昇させる際、直流電圧の上昇に応じて伝熱間隙へ供給されるヘリウムガスの圧力を段階的に上昇させる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＨ_３Ｆ、ＣＨＦ_３等のハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）を室温で簡便に、効率よく除去する。
【解決手段】 バインダレスＸ型ゼオライトを含む除去剤にＨＦＣを含むガスを接触させることによって、ＨＦＣを吸着除去する。 （もっと読む）

【課題】地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法は、プラズマ生成室に１００容量％のフッ素ガス（Ｆ₂）である処理ガスを供給し、高周波電界の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことによりプラズマを生成し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うことを特徴とする。また、前記プラズマから負イオンまたは正イオンを、個別にまたは交互に、あるいは、負イオンのみを選択的に引き出して中性化することにより中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを基板に照射して基板処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】高周波給電系統の負担を軽くし、ＲＦアンテナ内の電流分布についてプロセス条件あるいはプラズマ状態に依存しない多様かつ任意な制御可能な誘導結合型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。このＲＦアンテナ５４は、誘電体窓と平行な一水平面内で同心状に配置される２組または２対のコイル５４(1），５４(2)を有している。高周波給電ライン６２の終端部と内側および外側コイルセグメント５６Ａ，５６Ｂの両端部との間に第１のスイッチ回路網６４が設けられている。ＲＦアース線６６の始端と内側および外側コイルセグメント５８Ａ，５８Ｂの両端部との間に第２のスイッチ回路網６８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと、所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが場所によって変化する前記所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種の供給に前記深さの変化に対応した分布を設ける。
【解決手段】第１のパターン１４１０を有する第１のマスク１４０２の上層に、第２のパターンを有する第２のマスク１４１１を積層する積層マスクを基板１４０１上に形成し、前記第２のマスク１４１１は、側壁に傾斜を有する開口部１４１１Ｂと、平坦部１４１１Ａと、からなり、かつ、上面視で幅広部１４１５Ａおよび１４１５Ｂを有するパターンとする。 （もっと読む）

【課題】ソフトウエアを用いて半導体製造装置を保守するにあたり、作業者の負担が小さくて効率が良く、また作業ミスの起こりにくい半導体製造システムを提供すること。
【解決手段】点検項目ごとに点検の操作事項と確認事項とを予め定めた点検順（作業順）に画面に表示させると共に、これら点検事項が自動の実行であるか手動の実行であるかの区別表示を行っている。そして、自動の実行である場合には点検事項が自動で行われ、また手動の実行である場合には、操作事項を行ったことあるいは確認結果の入力を受け付ける画面をポップアップにより表示させ、その入力により次の点検事項が記憶部から読み出され順次点検が行われるようにする。 （もっと読む）

【課題】複数の処理室を有しかつラダープログラムで工程が制御される真空処理装置で、工程管理、各種機器の進捗確認について可視性を向上させ、工程管理と進捗確認を容易に行える真空処理装置とその制御方法等を提供する。
【解決手段】この真空処理装置１１１は、制御用コンピュータ１１０と処理室１１４を備え、処理室の動作が制御コンピュータに用意されたラダープログラム５１に従って制御され、処理室はＰＬＣ５４を備え、制御データは制御用コンピュータから通信手段を経由してＰＬＣに与えられ、ラダープログラムは予め制御用コンピュータ上でテーブル化され、テーブル化された制御データはＰＬＣの記憶領域に書き込まれ、ＰＬＣは、記憶領域に書き込まれた制御データを分解し、処理室が必要とする入力および状態に係るデータを取り込み、取り込んだデータに基づいて処理動作に関係する進行条件の判定を実行し、処理室での処理動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】初期故障や偶発故障の発生を低減する。
【解決手段】ＨＦＥＴ１は、下層のＧａＮ層１３およびＧａＮ層１３の一部を露出させるトレンチＴ１が形成された上層のＡｌＧａＮ層１４よりなるＩＩＩ族窒化物半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６と、を備える。少なくともゲート絶縁膜１５と接触するトレンチＴ１底部のＧａＮ層１３上面には、原子層ステップが形成されている。原子層ステップのテラス幅の平均値は、０．２μｍ以上１μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたフォトレジスト層と、フォトレジスト層の下層に位置する有機系の反射防止膜と、反射防止膜の下層に位置するＳｉＯＮ膜と、ＳｉＯＮ膜の下層に位置するアモルファスカーボン層と、により多層マスクを構成し、アモルファスカーボン層の下層に位置するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を最終的なマスクとなるアモルファスカーボン層のパターンによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のプラズマエッチングを開始する際の初期マスクが、アモルファスカーボン層の上にＳｉＯＮ膜が残った状態であり、かつ、アモルファスカーボン層の膜厚／残ったＳｉＯＮ膜の膜厚≦１４である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置用電極板の表面温度を正確に測定して、プラズマ処理の品質を向上させる。
【解決手段】電極板３は、背面の少なくとも一部に赤外線透過防止膜３０が形成されるとともに、赤外線透過防止膜３０の表面が粗面３０ａとされており、その電極板３の背面に冷却板１４が接触配置されるとともに、冷却板１４に、電極板３の温度を測定する赤外放射温度計２１を設置するための貫通孔２０が形成され、貫通孔２０に赤外線透過防止膜３０が臨ませられている。 （もっと読む）

【目的】電圧測定器を接続することなく、半導体ウェハに生じたプラズマチャージアップを広い範囲にわたって迅速に検知することが可能な基板端子間電圧検知回路を提供する
【構成】半導体基板上に設けられた一対の電極間に生じた電圧を検知する基板端子間電圧検知回路は、電極間に接続された抵抗路と、抵抗路の中間点に一端が接続された回路電源と、抵抗路の両端部の一方と回路電源の他端との間に互いに並列接続されて互いに異なる溶断定格電流を有する少なくとも２つのヒューズ回路と、からなる基板端子間電圧検知回路であって、ヒューズ回路の各々は、一方と前記中間点との間の電位差に応じてオンオフするスイッチと、前記スイッチに直列接続した抵抗素子及びヒューズ素子を含んで前記回路電源の両端に接続した電流路と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マッチングボックスを安全かつ適切に配置することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性原料ガスが導入される密封可能なチャンバー１と、チャンバー１内に対向状に配置されてプラズマ放電を発生させるカソード電極１１とアノード電極１２の組からなる複数組の放電部１３と、チャンバー１外に配置されて全組の放電部１３に電力を供給する電源部Ｅ１、Ｅ２と、チャンバー１外で電源部Ｅ１、Ｅ２に電気的に接続された複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２と、チャンバー１外に配置されて複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２を支持する少なくとも１つの支持部Ａ１１、Ａ１２と、複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２と全組の放電部１３のカソード電極１１とを電気的に接続する複数の導電体Ｃ１１、Ｃ１２とを備え、支持部Ａ１１、Ａ１２は、複数の導電体Ｃ１１、Ｃ１２の長さを等しくできる位置に１つ以上のマッチングボックスＭ１、Ｍ２を支持するよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】従来の複数の処理室が設置された半導体処理装置において、ガスを混在させずに複数の処理室に、半導体処理装置のウェハ処理能力が損なわれることなく、並行して試料を搬送する装置を提供する。
【解決手段】試料を内部に収納して大気と真空を切り替えるロック室と、ロック室とそれぞれの真空処理室の間を相互に隔離した状態で接続する真空搬送室と、真空搬送室を経由してロック室とそれぞれの真空処理室の間で試料を搬送する搬送手段と、ロック室と真空搬送室の間の遮断・開通を切り替えるロック室バルブと、真空処理室と真空搬送室の間の遮断・開通を切り替える処理室バルブと、該バルブの開閉のタイミングを制御する制御手段を備え、試料の搬送に同期してバルブの開閉タイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】製造工程時間の増加を抑制して、微細なラインアンドスペースパターンを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工材であるシリコン酸化膜２３上に、パターニングされた芯材３１ａとなるアンドープ多結晶シリコン膜３１を形成する工程と、アンドープ多結晶シリコン膜３１をスリミングして芯材３１ａとする工程と、芯材３１ａの側面及び上面、並びにシリコン酸化膜２３の上面を被うように、シリコン酸化膜２３と同じシリコン酸化膜にボロンが導入されたＢドープ多結晶シリコン膜３４を形成する工程と、芯材３１ａ及びシリコン酸化膜２３の上面のＢドープ多結晶シリコン膜３４を除去し、芯材３１ａの側面にＢドープ多結晶シリコン膜３４からなる側壁マスク膜３４ａを形成する工程と、芯材３１ａを除去する工程と、側壁マスク膜３４ａをマスクとしてシリコン酸化膜２３をエッチング加工する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板周縁にわたって平滑な面取り面を、寸法精度よく簡便に製造する方法および、この方法で製造された基板、並びに加工装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１６を支持して回転させる支持体１９と、前記半導体基板１６の周縁に対向して、加圧又は大気圧下でプラズマを生成させるための電極１５と、前記電極１５及び前記半導体基板１６の円弧状の周縁間のギャップの距離を測定するための位置センサ２１と、前記ギャップが一定となるように、前記半導体基板１６に対する前記電極１５の位置を制御するための制御装置２０とを備える半導体基板の加工装置である。 （もっと読む）

【課題】スイッチング特性が良好で、且つ信頼性が高いトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲートトップコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、第１の配線層を形成し、該第１の配線層を覆って第１の絶縁膜を形成し、該第１の絶縁膜上に半導体層を形成し、該半導体層上に導電膜を形成し、該導電膜に少なくとも２段階のエッチングを行って第２の配線層を離間させて形成し、前記２段階のエッチングが、少なくとも前記導電膜に対するエッチングレートが前記半導体層に対するエッチングレートより高い条件により行う第１のエッチング工程と、前記導電膜及び前記半導体層に対するエッチングレートが、前記第１のエッチング工程よりも高い条件により行う第２のエッチング工程と、を有する方法によりトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。
【解決手段】酸窒化タンタル（ＴａＯＮ）からなる低反射膜１６および窒化タンタル（ＴａＮ）からなる極端紫外線吸収膜１５にパターンを形成するためのプラズマエッチング工程で、プラズマエッチング中に発生する光を分光し、エッチング反応生成物であるシアン（ＣＮ）に起因する３８８ｎｍを含む範囲の波長の発光強度を測定し、その強度変化からプラズマエッチングの終点を検出してプラズマエッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】ホール形状を垂直として微細化を図ることができるとともに、従来に比べて工程数を削減することができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内にポリイミド膜を形成するポリイミド膜形成工程と、前記基板を、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を覆うマスクを使用せずに異方性エッチングして、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を残したまま、前記ホール内の底部の前記ポリイミド膜の少なくとも一部を除去して貫通させるプラズマエッチング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程とを具備した半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）