【課題】 フォトレジストに対する高い選択性、表面粗度上昇の抑制と、シリコン酸化膜の高いエッチングレートを達成させることのできるエッチングガスおよびそれを用いたエッチング方法を、環境負荷の低い材料により提供する。
【解決手段】 少なくとも、一般式（１）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスと一般式（２）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスとを含んでなる、シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするためのエッチングガス。
一般式（１）：Ｃｘ_１Ｈｙ_１Ｆｚ_１ （ｘ_１＝４〜６、ｚ_１−ｙ_１≦２ｘ_１−２、ｘ_１、ｙ_１およびｚ_１はいずれも整数）
一般式（２）：Ｃｘ_２Ｈｙ_２ＯｗＦｚ_２ （ｘ_２＝５〜７、２（ｘ_２−ｗ）−２＜ｚ_２−ｙ_２≦２ｘ_２、ｗ≧０、ｘ_２、ｙ_２、ｚ_２およびｗはいずれも整数） （もっと読む）

【課題】熱膨張しても下部電極との間に隙間が発生せず、下部電極における異常放電及びエロージョンの発生を防止できるシールド部材を提供する。
【解決手段】下部電極の矩形の載置面の一辺に沿って配置される絶縁性の長尺状物からなり、長さ方向の一端に設けられた固定用ねじ孔と長尺状物の長さ方向に離間して設けられた支持用ねじ孔を有するリング構成部品を、各リング構成部品の長さ方向の一端の端面が、隣接する他のリング構成部品の長さ方向の一端の側面に当接し、他端の側面が、隣接する他のリング構成部品とは異なる別のリング構成部品の一端の端面に当接するように組合せ、各リング構成部品の長さ方向の一端を固定用ねじ孔で載置台の基材に固定し、他端を、支持用ねじ孔で変位自在に支持し、各構成部品が、固定端を起点にして長尺状物の長さ方向に熱膨張又は熱収縮可能に配列し、下部電極の各角部を平面で面取りし、面取り面に当接する平面を有する三角形状の嵌合部材を配置した。 （もっと読む）

【課題】設置スペースが少なくて済み、装置構成を簡素化することができる温度調節手段を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板にプラズマ処理を施すチャンバ１１と、チャンバ１１内で、基板を載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられたシャワーヘッド１４と、処理空間Ｓに高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電源１５と、温度調節面としてのサセプタ１２の表面１２ａの裏面１２ｂに水の濡れ面を形成する水吹きつけ装置１６と、水の濡れ面を周囲の雰囲気から隔離する蒸発室１７と、蒸発室１７内の圧力を調整する圧力調整装置１８、１９とを備えた基板処理装置において、圧力調整装置１８、１９によって蒸発室１７内の圧力を調整して濡れ面を形成する水を蒸発させ、水の蒸発潜熱を利用してサセプタ１２の表面１２ａの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】取換え可能な部分を有する半導体処理反応器用の多部品上部電極、およびこの電極の一部を取り換える方法の提供。
【解決手段】リング状のバッキングプレート１１６と、リング状の電極を形成する複数の電極セグメント１１４と、複数の電極セグメント１１４をリング状のバッキングプレート１１６に固定する導電性のエラストマと、を備え、複数の電極セグメント１１４は、内径が約１２インチ（３０．４８センチメートル）のリングと、傾斜した面を有する内側エッジ１４０とを形成し、リング状のバッキングプレート１１６は、ねじ込みねじ１３４，１３６でプラズマ反応チャンバの上板１１８に取り付け可能であり、ねじ込みねじ１３４，１３６は、上板１１８の裏面からリング状のバッキングプレート１１６の中に延びる。 （もっと読む）

【課題】ラインパターン構造物の形成方法を提供すること。
【解決手段】ラインパターン構造物及びその形成方法において、ラインパターン構造物は切断部位を含むライン形状を有する少なくとも１つの第１ラインパターンを含む。最外郭に位置する前記第１ラインパターンと隣り合って前記第１ラインパターンと平行した延在ラインと、前記第１ラインパターンの切断部位と隣接する領域で前記第１ラインパターン方向へ向かうように前記延在ラインから突出された少なくとも１つの突出パターンを含む２つの第２ラインパターンを含む。前記ラインパターン構造物は不良が減少し、簡単な工程を通じて形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】加工精度を向上できる制御装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第１の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第２の電源回路とを有するプラズマ処理装置を制御する制御装置であって、前記第１の電源回路から出力されるパラメータを検知する検知部と、前記検知部により検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第２の電源回路により供給される電力を制御する制御部とを備えたことを特徴とする制御装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法を用いて、ガスの切り替え時に発生するガス流量のハンチングを抑制し、ガス流量の安定した制御を行う。
【解決手段】エッチングガスの供給方法は、エッチングプロセスに使用される第１のエッチングガスを処理容器内に供給するステップと、前記エッチングプロセスに使用される第２のエッチングガスを前記処理容器内に供給するステップと、を含み、前記第１のエッチングガス及び前記第２のエッチングガスの一方から他方にガスを切り替える際、切り替え前のエッチングガスとして必要であって切り替え後のエッチングガスとして必要でないガスを微少量だけ供給し続ける。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの分解効率を上げ、基板に対する処理速度の向上を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生管６を囲む様に設けられ、少なくとも該プラズマ発生管６の内壁近傍にプラズマ生成領域１２を生成するプラズマ発生手段９，１１と、前記プラズマ発生管６の上流側から処理ガスを供給するガス供給手段１６と、前記プラズマ発生管６の下流側に隣設され、プラズマ化された処理ガスによって基板３を処理する処理室４と、前記ガス供給手段１６と前記プラズマ生成領域１２上端の間に設けられ、前記プラズマ発生管の内壁近傍の処理ガス密度が濃くなる様処理ガスの流れを整える整流板１７と、前記処理管から処理ガスを排気する排気手段２８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】画像処理によらず、測定位置を適切に調整することができるエッチングモニタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチングモニタリング装置は、光源１０から被処理基板Ｓ上に導入される入射スポット光の照射位置を移動させるための微小移動ステージ１６と、被処理基板Ｓ上を入射スポット光の光径以下の間隔で走査した照射位置の各々に対し、CCDラインセンサ１８により取得される検出信号から干渉成分の強度を取得する干渉強度取得部２５と、干渉強度取得部２５により取得された干渉成分の強度に基づき、その強度が最大となる被処理基板Ｓ上の位置を探索し、その位置をエッチング深さの測定位置とするよう照射位置を移動させる測定位置決定部２６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、試料吸着台に設けたプッシャピンと試料の間に発生する異常放電を抑制し、また、試料に対する除電不良を抑制する。
【解決手段】基台４および試料吸着台２に設けた複数の貫通孔をそれぞれ挿通するとともに、その一方端を前記試料吸着台２上に載置した試料１に当接可能に配置し、その他方端をピン駆動部６に接続した複数のプッシャピン７と、前記プッシャピン７を備えた試料載置台を収納する真空容器とを備え、前記真空容器内にプラズマを生成して前記試料１にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記プッシャピン７は誘電体を同軸に配置したピンであり、ピンの外周部に配置した誘電体７ｂの誘電正接はピンの内周部に配置した誘電体７ａの誘電正接よりも小である。 （もっと読む）

【課題】ＲＦアンテナに１対１で対応するプラズマをパワーに応じて生成することができ、処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｇにプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、基板Ｇを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向配置された誘電体窓３０と、誘電体窓３０を介して処理空間Ｓと隣接する空間内に設けられた複数又は多重のＲＦアンテナ３１ａ、３１ｂと、処理空間Ｓに処理ガスを供給するガス供給部３７、３６と、複数又は多重のＲＦアンテナ３１ａ、３１ｂに高周波ＲＦ_Ｈを印加して誘導結合によって処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源とを有し、誘導磁場合成防止手段として複数又は多重のＲＦアンテナ相互間に対応する誘電体窓の下面に誘電体からなる突出部３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】イットリア系の皮膜で被覆された部材であって、主に、半導体や液晶製造用等のプラズマ処理装置部材として用いることができ、表面が緻密で滑らかであり、プラズマ処理時にパーティクルや金属不純物の発生によって被処理品を汚染することがなく、かつ、耐久性に優れた耐食性部材を提供する。
【解決手段】セラミックス又は金属からなる基材の少なくともプラズマ又は腐食性ガスに曝される部位の表面に、イットリア系耐食膜が形成された耐食性部材において、前記耐食膜の少なくとも表面層を、イットリアを主成分とし、他は五酸化タンタル又は五酸化ニオブのいずれか１種以上を前記イットリア１００ｍｏｌ％に対して０．０２ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有している組成とする。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】微細な加工処理に有効な中密度プラズマ領域での高い制御性とウエハの大口径化に対応した均一性とを両立できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空排気手段により排気された真空処理室と、真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、前記真空処理室に備えられた誘電体製のマイクロ波透過窓と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、真空容器に磁場を発生させるためのソレノイドコイルとヨークとを備えたプラズマ処理装置において、前記した誘電体製マイクロ波透過窓の中央部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の概略１／４突出させる。 （もっと読む）

【課題】均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に被処理体を載置する真空容器１００と、２つの電極部を有し、真空容器の内部に隙間を設けて配列された複数の電極対２００と、真空容器の内部にプラズマを励起するための電磁波を供給する伝送路とを備え、複数の電極対のそれぞれは、２つの電極部間に形成され、前記伝送路に接続され、前記プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路２０５と、導波路に挿入され、プラズマ空間に露出する誘電体板２１０とを有し、伝送路から供給された電磁波が、導波路を伝搬した後に誘電体板のプラズマ露出面から真空容器内に放出してプラズマを励起することを特徴とするプラズマ処理装置１０が提供される。 （もっと読む）

【課題】下部電極又は上部電極の少なくとも一方を支持する接地基板及び収容容器の内壁の間における電位差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ガラス基板Ｇを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてガラス基板Ｇを載置する載置台としての下部電極板２３と、該下部電極板２３に対向して配置され且つチャンバ１１内に処理ガスを供給するシャワーヘッド１２と、該シャワーヘッド１２の上部電極板１３に接続された高周波電源２０と、下部絶縁部２５を介して下部電極板２３を支持すると共にチャンバ１１の内壁から離間して配置される接地基板２６と、該接地基板２６及びチャンバ１１の内壁を短絡する短絡板３６とを備え、該短絡板３６は断面が矩形の直線導体からなり、途中で少なくとも２つに分岐している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル基板と製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル基板は結晶性基板を備える。結晶性基板は微細な凹凸を備えるとともにパターニング不要のエピタキシャル表面を有する。本発明によるエピタキシャル基板は化合物半導体材料から、良好な品質のエピタキシャル層の成長を得るという利点を有する。さらに、本発明によるエピタキシャル基板の製造方法は低コストかつ製造時間短縮といった利点を有する。 （もっと読む）

【課題】各ゲートのシール異常を検知することで処理の歩溜まりを向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器を構成する外側チャンバとこの外側チャンバの内側に配置されてその内部の減圧された処理室内でプラズマが形成される内側チャンバと、この内側チャンバ内の前記処理室の下部に配置され前記プラズマにより処理されるウエハが載せられて保持される試料台と、前記内側チャンバの側壁に配置されて内部を前記ウエハが搬送されるゲートを開閉する第一のゲートバルブと、前記外側チャンバの側壁に配置されて内部を前記ウエハが搬送されるゲートを開閉する第二のゲートバルブと、前記ウエハが前記試料台上に載せられた後前記第一及び第二のゲートバルブを閉塞して密封した前記内側チャンバと前記外側チャンバとの間の空間である中間室の圧力の変動を検出して前記第一または第二のゲートバルブによる封止の低下を検出するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置と半導体装置の製造方法において異常放電の有無を判断すること。
【解決手段】チャンバ１１内のステージ１２上にシリコン基板１１を載置するステップP1と、第１のステップの後、チャンバ１２内にプラズマ２２を発生させるステップP2と、プラズマ２２が発生している状態で、ステージ１２の電位V_sとプラズマ２２の発光強度Iとが同時に変動したときに、チャンバ１１内で異常放電が発生していたと判断するステップP5とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】金属エッチングと、残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションの剥離のための改良された技術を提供する。
【解決手段】単一のエッチングチャンバ内で、金属エッチングと、エッチングマスク剥離と、残留側壁パッシベーションの除去とを実行する方法。ウエハは、エッチングチャンバ内に配置される。ウエハ上で、金属エッチングが実行される。酸素とアルゴンとの混合物等の剥離ガスが、エッチングチャンバに提供され、酸素プラズマを形成するために励起される。酸素プラズマは、エッチングマスクをウエハから剥離させ、残留側壁パッシベーションを除去する。酸素プラズマは、更に、エッチングチャンバをクリーニングする。 （もっと読む）