【課題】低温でＩｎＰ基板をドライエッチング法により高速でエッチングする。
【解決手段】ＩｎＰ基板１０１の上に無機絶縁材料からなる第１絶縁層１０４を形成し、第１絶縁層１０４の上に有機絶縁材料からなる第２絶縁層１０５を形成し、第１絶縁層１０４および第２絶縁層１０５をパターニングしてＩｎＰ基板１０１の表面が露出する開口部１０７を備えるマスクパターン１０８を形成し、ヨウ化水素ガスまたは臭化水素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０８をマスクとしてＩｎＰ基板１０１を選択的にエッチングしてＩｎＰ基板１０１に開口パターン１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成の再現性を向上させる。
【解決手段】薄膜形成装置は、第１のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第１のサセプタの表出面を覆う第２のサセプタを前記第１のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。 （もっと読む）

【課題】少ない層間接続プロセス工程数で、コンタクト部分の面積を小さくすることのできる半導体装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】多層導体配線１０は、スルーホール１５は、導体１３の一部は、ひさし部１３Ｃとしてスルーホール１５の内側に露出する。そして、スルーホール１５のスルーホール用孔の内側に埋め込まれた埋め込み金属１６とひさし部１３Ｃとで、側面コンタクト構造を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ環境下で半導体基材の結晶状態を測定することができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０では、チャンバ１１にエッチング用のガスが導入されるとともに、高周波電源１６によって高周波コイル１５に電圧が印加されることにより、チャンバ１１内にプラズマが発生する。チャンバ１１内には、半導体基材Ａを保持する基材ホルダー電極２０と、基材ホルダー電極２０に対応して配置される陰極２１とが設けられる。陰極２１には、高圧パルス電源２２により負電圧が印加される。分光計２３は、半導体基材Ａの発光態様を測定する。 （もっと読む）

【課題】 低いトリミング速度でレジストトリミングを実施することにより、高精度で寸法をコントロールすることが可能なレジストトリミング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型マイクロプラズマは、高密度プラズマが得られるが点灯が難しい問題があった。電離開始に必要な初期電子を発生させる、内部にイグナイター機構を加える方法が知られているが、専用電源を新たに用意すること、電極製作、電極と電源間の結線を必要とするため、小型化をも阻害する。
【解決手段】 誘導結合型マイクロプラズマ源のガス流路内部に、浮遊電極を用意する。マイクロプラズマの励起に誘導結合を利用しているため、特別の結線を施すことなく、浮遊電極にエネルギーを供給することができる。この電極から、電離開始に必要な初期電子を発生させることができる。浮遊電極周辺からガスの電離が促進され、点灯が容易になると同時に、より省電力でプラズマを発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）

【課題】昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを容易に排出する。
【解決手段】処理室１０２の天井壁１０５に下部電極１１１に対向して昇降自在に設けられ，処理ガスを導入する多数の吹出孔１２３を設けた上部電極１２０と，各電極とその間の処理空間の周囲を囲むシールド側壁３１０と，シールド側壁の内側に設けられ，処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路３３０と，シールド側壁の外側に設けられ，上部電極と天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路１３８とを設けた。 （もっと読む）

【課題】Ｄ−ＲＡＭのキャパシタを形成するシリンダのドライエッチ加工において、従来技術の製造方法ではアスペクト比が高いシリンダやコンタクトの形状がボーイング形状となり隣接するホール間ショートの問題やホール内に形成する電極成膜のカバレッジ異常などの問題が発生する。
【解決手段】本発明ではシリコン酸化膜４ａにコンタクトホールを形成する際にボーイングが発生する部分にＬｏｗ−ｋ膜の炭化シリコン酸化膜５を挿入して積層構造とし、ドライエッチでシリコン酸化膜４ａのエッチング速度に対し、炭化シリコン酸化膜５のエッチング速度が１／５〜１／１０と遅い条件にすることでボーイング形状の抑制を可能にした。 （もっと読む）

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略４０ｕｍ以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略Ｖ字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略Ｖ字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】試料の所望の領域の所望の層を短時間で一括加工し、荷電粒子線による検査、解析、微細加工等を実現する荷電粒子線装置を提供する。数百ミクロン以上の所望領域を高速に一括加工可能な機能が従来の荷電粒子線装置には無かった。
【解決手段】荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス流路の圧力損失の影響をなくして基板の位置ずれ検出の精度を向上させる。
【解決手段】載置台３００とその基板保持面に保持された被処理基板との間にガス供給源からのガスを供給するためのガス流路３５２と，載置台の基板保持面に形成され，ガス流路からのガスを基板保持面Ｌｓ上に案内する複数のガス孔３５４と，基板保持面におけるガス孔形成領域Ｒの外側に形成され，基板の裏面にかかる圧力を検出する複数の圧力検出孔３７０ａ〜３７０ｄと，これら圧力検出孔に接続された圧力センサ３８０ａ〜３８０ｄとを設け，これら圧力センサからの検出圧力に基づいて基板の位置ずれ検出を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングの進行が発現する水素の相対濃度を０．４程度とすると、マスク端での相対濃度が０．５、１．０、２．０それぞれに対して、開口部幅が１μｍのときは水素の相対濃度が０．４以上になるのでエッチングが生じる。開口部幅が１．５μｍのときはマスク端での相対濃度が１．０と２．０に対して水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。開口部幅が２μｍのときはマスク端での相対濃度が２．０に水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５、１．０に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 （もっと読む）

【課題】基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラを発生させているエッチング装置を判別することにより、被処理基板におけるエッチングムラの発生を抑制して、歩留まりの低下を抑制することができるエッチング装置の検査方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理が施された被処理基板２０を搬送させながら、被処理面２０ａに照明ランプ３２による照射光２２を照射させた状態で、ラインセンサー３３により、被処理面２０ａの画像データを撮影し、該画像データに基づいて、被処理面２０ａに形成されたエッチングパターンを特定する。そして、前記エッチングパターンのデータと被処理面２０ａに形成される予定のエッチングパターンのデータとを比較して、基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラの発生の有無を判定し、エッチング装置に欠陥があるか否かを検出する。 （もっと読む）

【課題】各処理反応炉毎に圧力式流量制御器を設置する必要がなく、かつ圧力式流量制御器をコンパクトな構造で形成できるガス供給装置１０を提供する。
【解決手段】ガス供給装置１０はガス供給源１１ａ，１１ｂと、ガス導入管１３ａ，１３ｂと、ガス集合管１５と、複数の分岐管２１ａ，２１ｂとを備えている。ガス集合管１５と分岐管２１ａ，２１ｂに、圧力式流量制御器３０が設置されている。圧力式流量制御器３０はガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂとを有している。圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ_１ に基づいて、流量演算回路４０において流量Ｑｃが求められ、流量設定回路５２からの流量設定信号Ｑｓと流量演算回路４０からの流量Ｑｃに基づいて演算制御回路５８によりコントロール弁２３ａ，２３ｂが制御される。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ極性面（＋ｃ面）を有する酸化亜鉛系基板中の不純物含有量を十分に低減できる酸化亜鉛系基板の処理方法、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛結晶を含有する酸化亜鉛系薄膜、及び該薄膜の形成に好適な、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛系基板の提供。
【解決手段】一般式「Ｚｎ_ｘＭｇ_１−ｘＯ（式中、ｘは、０＜ｘ≦１を満たす数である。）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】真空処理室でプラズマ処理が再開可能な異常が発生した場合に、オペレータによる長時間のウエハの処理再開操作待ちによりウエハに成膜された金属膜の腐食が進行する問題が考慮されていなかった。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行う真空処理室と、洗浄処理を行う洗浄処理装置とを備え、表面に金属膜の単層または金属膜を含む積層膜が成膜されたウエハを腐食性ガスにより、プラズマ処理する真空処理装置において、真空処理室に異常が発生し、プラズマ処理が中断されたウエハを所定時間経過後に、プラズマ処理が中断されたウエハを洗浄処理装置へ搬送し、洗浄処理を行うシーケンスを有する制御手段を備えたことを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子の微細パターン形成方法を開示する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体パターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施することにより、段階が容易となり、トリミングの精密度を高めることができ、トリミング中に発生し得るフォトレジストフーチング（ｆｏｏｔｉｎｇ）を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】高温負荷がかかる工程でも基材を保持しうる保持力、および支持体から基材を剥離する工程での易剥離性を有する仮固定材を形成することが可能な仮固定用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）ポリエーテルスルホンと、（Ｂ）フェノキシ樹脂、フェノール性水酸基を有する重合体、ピロリドン基を有する重合体およびポリアルキレングリコールなどの粘性付与剤と、（Ｃ）溶剤とを含有する仮固定用組成物。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気と大気雰囲気とを切り替える真空室内における異物低減とスループット向上を両立できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】複数のプロセス処理装置、該プロセス処理装置のそれぞれに試料を搬送するための真空搬送室、真空搬送室内に設置され試料の搬送を行う真空搬送ロボットと、大気中で、複数の試料を収納したカセットを備え、カセット内に収納された試料を搬送するための大気搬送室、該大気搬送室内に配置され試料の搬送を行う大気搬送ロボットと、前記真空搬送装置と大気搬送装置との間に配設されたロック室とを備えた真空処理装置において、前記真空処理装置を構成する室は、ベント用バルブ２０７を介して乾燥ガスを供給するガス供給路２０９とロック室内の湿度を検出する湿度センサ２１１を備え、真空排気に際して湿度が所定値以下となるまで前記ベント用バルブを開いて乾燥ガスを供給して、液体微粒子の発生を抑制する。 （もっと読む）