【課題】固体デバイスの製造効率を高めることができるようにする。
【解決手段】 処理すべき基板を取り出すカセット室を指定する取出カセット室指定手段と、処理すべき基板の取出スロット番号や処理の終了した基板の回収スロット番号を指定するスロット番号指定手段と、基版毎に複数のプロセス室に搬送順序を指定する搬送順序指定手段と、指定搬送順序に従って基板を複数のプロセス室に搬送する基板搬送手段と、基板毎の複数のプロセス室で実行するプロセスを指定するプロセス指定手段と、指定されたプロセスを複数のプロセス室で実行するプロセス実行手段と、処理の終了した基板を回収するカセット室を指定する回収カセット室指定手段と、表示部と、取出カセット室指定手段とスロット番号指定手段と搬送順序指定手段とプロセス指定手段と回収カセット室指定手段とを有する運転レシピ作成画面を表示部の画面上に表示する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】平行平板型ＲＩＥ装置において、チャージアップダメージとパターンノッチングが軽減された効率的な処理を可能とする基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１１と、前記チャンバ１１内に配置される第１の電極１３と、前記チャンバ１１内に前記第１の電極１３と対向して配置され、基板１５を保持する第２の電極１６と、前記第２の電極１６に５０ＭＨｚ以上の周波数のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源１９と、前記第２の電極１６に、前記ＲＦ電圧と重畳して負電圧パルスおよび正電圧パルスを含む電圧波形を繰り返し印加するパルス電源２１から成る基板処理装置１を用いたエッチング処理において、前記パルス電源２１から負パルス電圧を印加し、続いて正パルス電圧を印加する間に浮遊電位を出力する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分離型のプラズマ処理装置において、プラズマ点火時、消火時に発生するパーティクルを低減する。
【解決手段】ウエハ２０は、支持台３１に設置されエッチング装置１０による処理が開始される。プラズマの点火時には、制御部８５により、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は閉じられると共に開閉バルブ８４は開かれ、ガス流路はバイパス部８５側となる。プラズマ発生部６０の電源６１からのプラズマ源６２への高周波電力の印加により、放電管６３に活性ガスが発生する。待ち時間が終了しプラズマの点火が完了した場合、制御部８５は、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は開き、バイパス部８０の開閉バルブ８４を閉じて、ガス流路を真空処理室３０側とする。活性ガスが真空処理室３０に導入され、活性ガスによるウエハ２０の加工処理が開始される。次に処理するウエハ２０の交換作業の間は、制御部８５はガス流路を再びバイパス部側に切り替える。 （もっと読む）

【課題】熱電対がサセプターの周囲のスペースを圧迫せず、しかも熱電対に過度の圧力がかかることのないサセプターを提供する。
【解決手段】円盤状のセラミックプレート２０の中に、熱電対５０が埋設されている。熱電対５０は、互いに材料組成の異なる第１及び第２素線５１，５２と、第１及び第２素線５１，５２の先端を接合した測温部５０ａと、第１及び第２素線５１，５２を被覆する高純度アルミナ又はＭｏからなる水平及び垂直保護管５３，５４とを備えている。セラミックプレート２０は、一対のセラミックディスク２２，２４を接合したものであり、熱電対５０は、下方のセラミックディスク２４に形成された水平溝２４ａに配置されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理の効率化を図り、真空処理室あるいは搬送中継室内の雰囲気ガスが他の真空搬送室あるいは搬送中継室内に流出することによる汚染を抑制する。
【解決手段】被処理基板をロック室に搬送する大気搬送装置を収容した大気搬送室１０６と、第１の真空処理装置を備え、前記ロック室にある被処理基板を前記第１の処理装置に搬入、搬出する第１の搬送装置を備えた第１の真空搬送室１０４と、第２の真空処理装置を備え、処理基板を前記第２の処理装置に搬入、搬出する第２の搬送装置を備えた第２の真空搬送室１１１と、第１の真空搬送室と第２の真空搬送室の間で被処理基板を受け渡しするための搬送中継室１１２と、前記第１および第２の真空搬送室にガスを供給するとともに、前記処理室、第１および第２の真空搬送室、および搬送中継室のガスを排気するガス供給系を備え、前記真空搬送室のガス圧は、真空処理室および搬送中継室よりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージ電極の表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ電極２０を電極本体２１と電極板２２とに分割する。電極本体２１の周端面２１ｅと電極板２２の周端面２２ｅとは互いに面一になっている。ステージ電極２０の外周に沿って複数の枠部材３０を設ける。これら枠部材３０を進退機構５によって退避位置と進出位置との間で進退させる。枠部材３０を進出位置に位置させると、枠部材３０の位置決め面３３が上記周端面２１ｅ，２２ｅに当接し、電極板２２が位置決めされる。また、枠部材３０の段差３１によって被処理物９が位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のみをエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】カソード２２上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを発生させてエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の大きさを変更可能なシャッター３０を設け、シャッター３０は、被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート３０ａと、各プレート３０ａを移動可能支持する支持体２９と、プレート３０を移動させる第１移動手段３０１を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】蓋体の開閉動作に必要なスペースを抑制することができる処理装置およびそのメンテナンス方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ６０内で被処理体に所定の処理を施す処理装置であって、処理チャンバ６０は、チャンバ本体６１と、このチャンバ本体６１の上に開閉可能に設けられた蓋体６２と、この蓋体６２を開閉する開閉装置６３とを具備し、開閉装置６３は、蓋体６２を、蓋体６２がチャンバ本体６１に接触せずに垂直方向に回転可能な非接触回転位置まで上昇させることが可能な昇降機構１５０と、蓋体６２を垂直方向に回転させる回転機構１６０と、蓋体６２が垂直状態でチャンバ本体６１と重ならない位置まで蓋体６２をスライドさせるスライド機構と１４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性セラミックスと導電性セラミックスとの間の熱膨張率差が極めて小さく、この熱膨張差によるミスマッチが生じる虞がなく、破損やクラックや剥離や破壊等の不具合が生じる虞がないセラミック部材を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック部材１は、酸化イットリウムを主成分とし、カーボンナノチューブ等の繊維状導電性物質を０．１体積％以上かつ３体積％以下含有してなる導電性セラミックス２と、酸化イットリウムを主成分とする絶縁性セラミックス３とを、無機系接着材からなる接着層４を介して接着し一体化した。 （もっと読む）

【課題】半導体加工装置用部材として好適なエロージョン性に優れるサーメット溶射皮膜被覆部材とその製法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＮｉ−Ｃｒ系Ｎｉ基合金を主成分とする金属１０〜９０ｍａｓｓ％とＡｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＡＧ等からなる酸化物９０〜１０ｍａｓｓ％のサーメット溶射材料を用いて、各種プラズマ溶射法によって気孔率０．４〜１０％、膜厚５０〜５００μｍの皮膜を被覆形成する。 （もっと読む）

【課題】電極内で異常放電を発生させずに、プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。
【解決手段】ガスを供給可能なプラズマ処理装置用の電極は、内部に所定の空間Ｕが形成された誘電体の基材１０５ａと、前記所定の空間Ｕを気密に閉塞することにより、前記電極がプラズマ処理装置に装着された際に該空間をプラズマ生成空間から隔絶する蓋体１０７と、基材１０５ａ及び蓋体１０７を貫通して、前記所定の空間を通るガス孔柱であって、ガス孔１０５ｃが前記所定の空間Ｕと隔絶された複数のガス孔柱１０５ｅと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を裏面側から支持装置により水平に支持するにあたり、当該基板と支持装置との接触による基板の裏面における傷の生成やパーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】支持体本体３１上に形成された複数の凹部４１内に、磁性体からなる芯材４２ａと、この芯材４２ａの外周側を覆う被覆材４２ｂと、を備えた転動体４２を転動自在に収納し、これら転動体４２の上面によりウエハＷを裏面側から水平に支持すると共に、凹部４１の下方側に位置規制機構４３を設ける。そして、各々の位置規制機構４３について、支持体本体３１上に載置されるウエハＷが水平方向に移動する場合、当該ウエハＷの動きに倣って位置規制機構４３の引きつける力に抗して転動体４２が転動し、支持体本体３１上にウエハＷが載置されていない時には位置規制機構４３の上方側に転動体４２が戻るように構成する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも１つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 （もっと読む）

【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂから少なくとも１種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によりシリコンウェーハ表層部を短時間で均一にエッチングするための手段を提供すること。
【解決手段】弗化水素酸と硫酸との混酸Ａを収容した密閉容器内に、混酸Ａと接触しないようにシリコンウェーハを配置し、次いで、窒素酸化物を含む硝酸水溶液である溶液Ｂを前記密閉容器内に導入して混酸Ａと混合し、混酸Ａと溶液Ｂを混合した溶液から蒸発するガスによって前記密閉容器内で前記シリコンウェーハ表層部を気相分解する。 （もっと読む）

【課題】基板表面のチャージアップダメージを抑制し、かつ、より高速度でレジストをアッシングすることが容易となる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内にレジストが塗布された状態の基板を搬入し基板を載置する基板載置工程と、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを含む第１の処理ガスを導入する処理ガス導入工程と、前記基板を、前記第１の処理ガスによりプラズマ処理する第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の後、水素含有ガスの供給を停止した第２の処理ガスの状態でプラズマ処理する第２のプラズマ処理工程と、処理室内から前記第１及び第２のプラズマ処理がなされた基板を搬出する基板搬出工程と、を備えるよう基板処理方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ２０を、ステージ本体２１とその上側の表面板２２とに分割する。ステージ２０を挟んで両側には、処理ヘッド１０の移動に用いる一対のレール６１が設けられている。このレール６１上にステージ保守用クレーン３０を設置する。クレーン３０のフレーム３１の一対の支え部３２の下端部にスライダ３４をそれぞれ設け、これをレール６１にスライド可能に嵌合する。フレーム３１の天井部３３に吊具５１を昇降可能に垂下し、これに連結部５２を設ける。好ましくは、連結部５２をボルト５５にて表面板２２の端面に連結する。 （もっと読む）

【課題】効率的に微粒子を捕集することが可能な捕集装置を提供する。また、微粒子を効率よく回収することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】光源装置と、光源装置に接続され、光源装置で発光した光を伝搬する光ファイバと、該光ファイバで光が照射された観察対象物を撮像する撮像部と、電源装置に接続され、電圧が印加される電極針とを有する微粒子捕集装置である。なお、光ファイバ、撮像部、及び電極針は被覆材に覆われている。また、電極及び微粒子捕集装置の一部を有する処理室と、処理室に接続される電源装置、ガス供給源及び排気装置とを有し、微粒子捕集装置は、光源装置と、光源装置に接続され、光源装置で発光した光を伝搬する光ファイバと、該光ファイバで光が照射された観察対象物を撮像する撮像部と、電源装置に接続され、電圧が印加される電極針とを有する真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の基板サセプタに配置されるフォーカスリング付設の誘電性リングを交換することなくその誘電率を調整できるようにすることで，基板周縁部の印加電圧のばらつきを抑え，フォーカスリングの上面電位を所望の値に制御する。
【解決手段】基板Ｗを載置する基板載置部を有し，高周波電力が印加されるサセプタ１１４と，基板載置部に載置された基板の周囲を囲むように配置され，基板より高い上面を有する外側リング２１４と，該外側リングの内側に延在して基板の周縁部の下方に入り込むように配置され基板より低い上面を有する内側リング２１２とによって一体に構成されたフォーカスリング２１０と，該フォーカスリングと前記サセプタとの間に介在する誘電性リング２２０と，該誘電性リングの誘電率を可変する誘電率可変機構２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で検査精度の向上と検査時間の短縮が可能なリークチェック方法及びリークチェック装置を提供する。
【解決手段】リークチェック方法は、排気装置により真空容器の内部を排気する工程と、前記排気を停止後、前記真空容器内の全圧力及び水分の分圧を計測する工程と、前記排気を停止してから所定時間経過後にそれぞれ計測された前記全圧力から前記水分の分圧分を除いた値に基づき真空容器のリークレートを検査する工程と、を含む。 （もっと読む）