【課題】露光時の剥れが抑制される感光性レジストパターンの形成方法、及びそれを利用した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ドライエッチングが施されたシリコン基板の表面に対して、酸溶液又はアルカリ溶液によりウエットエッチング処理を施す工程と、ウエットエッチング処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基で終端させる表面処理を施す工程と、水酸基で終端させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理を施す工程と、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、感光性レジストパターンを形成する工程と、を有する感光性レジストパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】微小パーティクルの基板への付着を極力防止することができる基板搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、内部空間Ｓ１を有するプロセスモジュール１２〜１７と、該プロセスモジュール１２〜１７に接続され且つ内部空間Ｓ２を有するトランスファモジュール１１と、内部空間Ｓ１及び内部空間Ｓ２を仕切る開閉自在なゲートバルブ３０とを備え、トランスファモジュール１１は、ウエハＷを把持してプロセスモジュール１２〜１７に対するウエハＷの搬出入を行う搬送アーム機構２１を内部空間Ｓ２に有し、ゲートバルブ３０の開弁動作中において、搬送アーム機構２１は把持するウエハＷをゲートバルブ３０と対向する対向位置から退避させる。 （もっと読む）

【課題】皮膜の欠けによるパーティクルの発生を防止することができる基板処理装置用のガス導入装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板３５と、電極板を冷却するクーリングプレート３６と、ガスが導入される上部電極体３７とがこの順序で下側から順に重畳されたガス導入装置において、クーリングプレート３６として、主成分がＪＩＳ規格のＡ６０６１合金を基材に用いて、この基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって皮膜を形成し、この皮膜に対して沸騰水中に５分〜１０分間浸漬する半封孔処理を施したものを用いる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層への太陽光の入射効率の良好であり、光電変換効率の高い光電変換素子を製造可能な光電変換素子用シリコン基板を歩留まり良く製造する。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板１０の一主面１０ｓに、ドライエッチングに対して耐性を有し、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第１粒子と、第１粒子よりも耐性が低く、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第２粒子と、第１粒子よりも耐性が低い結着剤とを含む液状組成物を塗布成膜してマスク材を配する工程と、マスク材が配された主面１０ｓにドライエッチングにより太陽光の反射を抑制する凹凸構造１０ｔを形成する工程と、凹凸構造１０ｔに、水素ガスによるドライエッチング処理と、希フッ酸中に浸漬させる処理を順次実施する洗浄工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を精度良く微細加工することを可能とした圧電体薄膜の加工方法を提供する。
【解決手段】組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を備える積層体に、前記圧電体薄膜側からＡｒを含むガスを用いてドライエッチングを行い、前記ドライエッチングにおいて放出されるイオンプラズマ中のＮａ発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマに長期間曝されても、保護対象から剥がれ難いプラズマ耐性の高い保護膜を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜５０において、構成部材上に形成される凹凸構造を有する下地膜５１と、凹凸構造を覆うように下地膜５１上に形成されるプラズマ保護膜５３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換層への太陽光の入射効率の良好であり、光電変換効率の高い光電変換素子を製造可能な光電変換素子用シリコン基板を歩留まり良く製造する。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板１０の一主面１０ｓに、ドライエッチングに対して耐性を有し、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第１粒子と、第１粒子よりも耐性が低く、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第２粒子と、第１粒子よりも耐性が低い結着剤とを含む液状組成物を塗布成膜してマスク材を配する工程と、マスク材が配された主面１０ｓにドライエッチングにより太陽光の反射を抑制する凹凸構造１０ｔを形成する工程と、凹凸構造１０ｔを、マイクロバブル及び超音波が断続的に、又は、連続的に供給されている希フッ酸中に浸漬させて凹凸構造１０ｔの表面を洗浄する工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空容器２内に、被成膜基板１３を置くための接地電極１１と、該接地電極と２〜５００ｍｍの間隔を空けて配置され高周波電源１５に接続された陰極３と、該陰極と前記接地電極との間に配置された電位シールド板８とを備え、前記陰極は、前記接地電極に対向する側に対向面５と複数の凹部４とを有する。前記電位シールド板は、前記陰極の各凹部と相対する各位置に、該各凹部の電位シールド板と平行な平面への投影面積の５０〜２５０％の投影面積を有する貫通孔９が形成されている。前記陰極と前記電位シールド板とは、最近接部の間隔が０．１〜２０ｍｍとなるよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に微細形状のリセスを形成する。
【解決手段】表面上に、第１の寸法と形状を備えた第１のフューチャを有するパターン形成層を形成し、該パターン形成層をエッチングして、前記第１の寸法とは異なる第２の寸法を有する第２のフューチャを形成し、該第２のフューチャを順応層で覆うとともに、該順応層の上方を除去して前記第２のフューチャの頂部を露出させた後に、
該第２のフューチャを、前記順応層と相互作用してin-situ硬化マスクを生成する酸素ベースの化学作用を伴うプラズマエッチングにより除去して、前記第１の寸法とは異なる第２の寸法を有する、前記形状の反転形状を作成して、該反転形状を前記表面に転写する。 （もっと読む）

【課題】環境負荷のない水素を用いて、太陽電池用のシリコン系基板表面にテクスチャーを広い面積に形成できるシリコン系基板表面粗面化処理方法およびその装置を提供する。
【解決手段】粗面化処理装置１０を用い、シリコン系基板Ｗを処理室１に載置する基板供給工程と、処理室１を真空ポンプ１６により減圧する減圧工程と、減圧した状態を保持しながら処理室１にプラズマ化工程を行って生成した水素活性種Ｈ^*をプラズマ発生室２から供給してこの水素活性種Ｈ^*でシリコン系基板Ｗをエッチングするプラズマ供給工程と、を行って、シリコン系基板Ｗの表面に凹凸構造を形成する。前記プラズマ化工程は、マスフローコントローラ２１により水素Ｈ₂をプラズマ発生室２に供給しながら、プラズマ源３によりプラズマ発生室２に高周波電力を印加することで水素Ｈ₂をプラズマ化する。 （もっと読む）

【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第１のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセスの深さの制御を安定的に行なえるようにして、ノーマリオフ動作のデバイスを安定的に作製できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、基板１の上方に設けられたＧａＮ電子走行層２と、ＧａＮ電子走行層２上に設けられた第１ＡｌＧａＮ電子供給層３と、第１ＡｌＧａＮ電子供給層３上に設けられたＡｌＮ電子供給層４と、ＡｌＮ電子供給層４上に設けられた第２ＡｌＧａＮ電子供給層５と、第２ＡｌＧａＮ電子供給層５及びＡｌＮ電子供給層４に設けられたゲートリセス９と、ゲートリセス９に設けられたゲート電極１２とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】 内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。各誘電体カップ３０は、その底面に複数の小孔を有している。各誘電体カップ３０内には、ガス導入部３６から導入されたガス３４を前記各小孔に導くガス流路を有している誘電体製の充填物３８が充填されている。 （もっと読む）

【課題】試料の搬送中に試料温度の測定を可能とし、測定した試料の温度に応じて試料の搬送を制御して搬送効率の低下を抑制する。
【解決手段】搬入された試料に所定のプラズマ処理を施すプロセスモジュール１１０と、カセットに格納された試料を取り出して前記プロセスモジュールに搬入し、プロセスモジュールにおいてプラズマ処理が施された試料を前記カセットに収納する搬送モジュール１０１を備えたプラズマ処理装置において、前記搬送モジュールは、試料を静電吸着する静電吸着部および吸着した試料の温度を測定する温度測定部を具備する搬送ロボット１０８と、搬送モジュールを制御するモジュールコントローラ１１３を備え、測定した試料の温度をもとに前記静電吸着部の吸着力を推定し、推定した吸着力をもとに搬送ロボットに許容される最大加速度を計算し、計算結果にしたがって搬送制御する （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡単な構造でフォーカスリングを試料と同等の温度に冷却することでフォーカスリングの消耗を抑制し、試料の外周部のエッチング特性を長期間良好に保つ。
【解決手段】真空処理室と、試料台４と、試料３を静電吸着させるための第一の静電吸着層２０と、フォーカスリング１４を静電吸着させるための第二の静電吸着層２１と、試料３の裏面に伝熱ガスを供給する手段２４，２５と、前記第一及び第二の静電吸着層２０，２１の表面にそれぞれ伝熱ガス供給溝２７，２８，２９と、を有するプラズマ処理装置において、試料３の中心側と試料３の外周側に異なる圧力で伝熱ガスを供給するため２系統の伝熱ガス供給手段２４，２５とし、かつ、供給手段２５からの伝熱ガスを伝熱ガス供給経路２６によってフォーカスリング１４の載置面の伝熱ガス供給溝２９に分岐し、フォーカスリング冷却用伝熱ガスをウェハ冷却用伝熱ガスと共用する。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作により基板ｓと基板ホルダ１の急速冷却を可能とし、基板処理のスループットの向上を図る。
【解決手段】基板加熱冷却装置は、基板ホルダ１とこれに装着された基板ｓを加熱するヒータ５と、このヒータ５から発射される熱を基板ホルダ１と基板ｓ側に反射する反射鏡６とを有し、前記反射鏡６に基板ｓが配置される真空チャンバ２４の外側で冷却される冷媒を流通させる冷媒通路８を設け、前記基板ｓを装着した基板ホルダ１を移動させ、同基板ホルダ１を弾性部材１１を介して押し上げ、前記反射鏡６に当接し、離間する移動機構を備える。 （もっと読む）

【課題】平板スロットアンテナの電磁波放射特性の均一性に影響を与えずに波長領域の広いモニタ光を用いて処理容器内の被処理基板の表面に対する光学的なモニタリングを高精度に行う。
【解決手段】このマイクロ波プラズマエッチング装置における光学モニタ装置１００は、サセプタ１２上に載置される半導体ウエハＷのエッジよりも半径方向内側にあって、かつ同軸管６６よりも半径方向外側の位置で、冷却ジャケット板７２の上に配置されるモニタヘッド１０２と、このモニタヘッド１０２から鉛直下方にカバープレート７２、誘電体板５６、スロット板５４および誘電体窓５２を縦断して設けられるモニタリング用の光導波路１０４と、光ファイバ１０６を介してモニタヘッド１０２と光学的に結合されるモニタ本体１０８とを有している。 （もっと読む）