【課題】被処理物に形成された酸化膜に対して、酸化膜中に含まれる酸素原子を分離させるために必要な量以上の水素ラジカルを照射して酸化膜を高速に除去するとともに、前記水素ラジカルを含むプラズマの温度を調整して被処理物等へダメージフリーな酸化膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物の表面の原子が酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１種類と結合することにより形成された被膜に対して、プラズマ生成用ガスに電圧を印加することにより発生したプラズマを照射して前記被膜中の前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を除去する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波のエネルギを伝達する伝達系中の熱による損傷を回避することを可能とする構造を備えるプラズマ生成装置及び該プラズマ装置の伝達系中のマイクロ波のエネルギ損失を考慮したプラズマ生成方法を提供することが課題である。
【解決手段】マイクロ波を発生させるマグネトロンと、第１導波管と、マイクロ波を放出する先端部とを備えるケーブルと、ケーブルの先端部から放出されたマイクロ波を捕捉する基端部を備える電極と、プラズマを吹き出すための開口部を備えるノズル体とを備えることを特徴とするプラズマ生成装置。 （もっと読む）

【課題】電極の位置決めが正確且つ容易にでき、且つ放電空間の形状の変形を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向配置した複数の被覆電極３によって形成される空間を放電空間４とし、被覆電極３の外面に放熱器６を配設したプラズマ処理装置Ａにおいて、被覆電極３及び放熱器６に連通する位置決め用孔Ｂを穿孔した。この位置決め用孔Ｂにボルト７１を挿通することで、被覆電極３の位置決めが正確且つ容易に実現される。また、ボルト７１の頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３を配設した。これにより、頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３の弾性力による遊びを持たせることができ、被覆電極３が変形する余地を持たせることができる。従って、コイルばね７３を用いずに被覆電極３などを固定したときと比較して、被覆電極３の変形の不均一さが抑えられ、放電空間４の形状の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄処理の効率化して洗浄ガスの供給量を減らし、経済性に優れたドライ洗浄装置用反応炉を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体製造装置における汚染部品を洗浄する装置であって、洗浄ガス導入管１６とガス排出管２０を有する反応室８と、反応室８内で汚染部品２２を支持する支持手段４と、汚染部品２２を反応室８内で高温に保持するための遮熱部材７ａ，７ｂと、反応室８内を加熱する加熱手段３とを備え、前記洗浄ガス導入管１６を反応室８内の下部に配置した。これにより、反応室８内の下部から供給された洗浄ガスは、加熱装置３で加熱されて上部へ移動するので、汚染部品２２の汚染物と効率的に反応させることができ、効率的に汚染部品２２を洗浄することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体製造装置を構成する部品を洗浄する際に、反応管内壁、特に封止キャップの内壁への反応生成物の付着を抑制して、作業者が安全に作業することができる洗浄方法及び洗浄装置を得る。
【解決手段】窒化物半導体製造装置内の汚染された部品９を、反応管１内で塩素系ガスを主成分とする洗浄ガスと接触させて汚染物質を除去した後、反応管１を冷却する際に、反応管１の両端開口部を閉塞する封止キャップ２と、封止キャップ２の封止面側に封止面との間に空間を有するように近接して設けられた防着板３との間にシールガスを流しながら冷却することを特徴とする窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置する載置台１２とを備え、該載置台１２は、載置されたウエハＷの裏面に接触して当該ウエハＷを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１からウエハＷの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系２５を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハＷを除電する際、まず、プラズマＰ中の電子によってウエハＷの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系２５からウエハＷに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハＷの裏面の負の電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】広い面積の基板を処理できる安価な装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１０の貫通孔２０に、イットリウム酸化物薄膜から成る保護膜が形成された窓２１を配置し、フッ素原子を化学構造中に有する反応ガスを含む処理ガスのプラズマを形成して基板１４表面にテクスチャーを形成する。イットリウム酸化物はフッ素と反応しないので、窓２１はエッチングされない。窓２１の長手方向が異なる方向に向けられているので、真空槽１０内での電波干渉が無く、安定してプラズマを生成できる。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電極パッド表面に触れること無く、電極パッド表面の酸化被膜を除去することができる、半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去方法および半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に、半導体と、上記半導体と所定の間隔に平板電極を配置し、さらに、上記半導体と上記平板電極の間に上記半導体に設けられた電極と相対する位置に穴が設けられたメッシュ電極を配置し、チャンバ内を所定のガス雰囲気状態とし、上記平板電極と上記メッシュ電極に電圧を加えて上記平板電極と上記メッシュ電極の間にプラズマを発生させ、上記メッシュ電極に設けられた穴を通じて上記プラズマを上記電極へと誘導し、誘導されたプラズマによって上記電極の表面の酸化被膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】微小放電プラズマの生成領域を制御して処理対象の所望部位のみに親水性を高める処理を施すため、必要最低限の局部領域に対して表面改質を行なうことができる微細放電表面改質方法および装置を提供する。
【解決手段】二次元平面上に所定の間隔に配置された線状の高電圧電極と、二次元平面と実質的に平行な他の二次元平面上に所定の間隔に配置された線状の接地電極と、を二次元投影平面視野において互いに交差するように配置し、高電圧電極と接地電極との間に被処理基板を配置し、かつ接地電極を被処理基板と接触導通させ、かつ高電圧電極と被処理基板とを対向して配置し、高電圧電極と接地電極との間に高電圧を印加するとともに、高電圧印加領域に放電ガスを供給し、微細な非平衡放電プラズマを生成し、高電圧電極および接地電極に対する給電動作を制御することにより、二次元投影平面視野において高電圧電極と接地電極とが交差する領域に微小放電プラズマを発生させ、被処理基板の表面の所望部位を改質する。 （もっと読む）

【課題】処理範囲を大面積化することができると共に、均一な処理を行うことができ、しかも処理対象に応じて容易に設計変更が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】一端側の開口からプラズマ生成用ガスＧが流入すると共に他端側の開口から活性化されたプラズマ生成用ガスＧが流出する複数の貫通孔２と、各貫通孔２内でそれぞれ放電を発生させるための一対の電極３，４とが設けられた平板状の絶縁基材１からなる反応器Ｒを具備する。上記一対の電極３、４は層状に形成されて上記貫通孔２におけるプラズマ生成用ガスＧの流通方向で対向して両方とも絶縁基材１に埋設される。上記貫通孔２におけるプラズマ生成用ガスＧの流通方向において下流側の電極３の周端部を上流側の電極４の周端部よりも外側に突出させる。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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【課題】大気圧プラズマにて被処理物を処理するに際してプラズマ点灯後のプラズマの点灯状態やプラズマの照射状態を確認できて信頼性の高いプラズマ処理を確保することができる大気圧プラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の所定の反応空間１１に第１のガス１５を供給するとともに反応空間１１近傍のアンテナ１３又は電極に高周波電圧を印加して一次プラズマ１６を発生させ、発生した一次プラズマ１６又は前記一次プラズマ１６を第２のガス１８に衝突させて発生させた二次プラズマ２１を被処理表面６に向けて照射し、被処理表面６をプラズマ処理する大気圧プラズマ処理方法において、一次プラズマ１６の点灯後の反射波の大きさを検出し、反射波の大きさを第１の所定値と比較して一次プラズマ１６が点灯しているか否かを確認するようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理体の吸湿を抑えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明では、プラズマ処理室と、真空搬送室と、ロック室と、大気側搬送室とを備えた半導体製造装置において、乾燥空気を大気側搬送室に導入して、大気搬送室内の湿度を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】下部電極で発生する熱を外部ハウジングによって遮断することで、被加工物の表面の損傷を防止し、下部電極の一部を突出させることで、プラズマが被加工物の表面に広がる現象を防止し、プラズマ処理が行われるところに隣接して排気をなして、プラズマ処理の際に発生する副産物を即時除去する、突出したプラズマ排出口の周囲に吸入口が形成されたプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】電源放電電圧が印加される第１電極、及び前記第１電極に付着されるかまたは第１電極を取り囲む形態の誘電体でなる第１電極部、及び前記第１電極部の下部に所定間隔で離隔して設置され、下方に伸びるプラズマ排出口を有する第２電極、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】処理可能な被処理物が制限されることなく、処理効率を向上させることができる放電装置およびそれを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘電体１の容量結合によって誘電体１に配設された２極の電極２，３間で放電させるために、放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設して構成する。放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設するので、従来のように電極を互いに対向させて放電させずに、電極２，３から誘電体１側へと放電する。したがって、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がなく、処理可能なワークＷが制限されることがない。また、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がないので、両電極２，３を配設した誘電体１にワークＷを近接させることができ、処理効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてマスクとしての有機膜層に対するシリコン含有誘電層の選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜１０２をマスクとしフォトレジスト膜１０２に対して、ＳｉＯ₂膜１０１を選択的にプラズマエッチングしてホール１０４を形成する。プラズマエッチングには、Ｃ₆Ｆ₆ガスと、希ガスと、酸素ガスとを含み、Ｃ₆Ｆ₆ガスに対する酸素ガスの流量比（酸素ガス流量／Ｃ₆Ｆ₆ガス流量）が２．８〜３．３の処理ガスを用い、この処理ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、ワークの処理面の形状に拘わらず、その形状に対応してプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、第１の電極２と、ワーク設置部２１の第１の電極２の対向側に位置し、外周面が前記ワーク設置部２１に設置されたワーク１０の処理面１１に対面するように設置され、中心軸を回動軸として回転可能な円筒状の第２の電極３とを有し、発生したプラズマにより処理面１１を処理するものであり、第２の電極３は、その外周面に、周方向に沿って、有効電極領域３１ａの幅が変化している部分を有し、この第２の電極３を、その中心軸を回動軸として回転させることにより、処理面１１と対面する有効電極領域３１ａの幅が変化するよう構成され、ガス供給手段５により、有効電極領域３１ａの幅の大きさに応じて、処理ガスを供給する幅も変化するよう構成されている。 （もっと読む）