【課題】加工物の表面のすべてに隣接して均一な密度を有するプラズマを提供し、一連の加工物を順次処理するために、均一密度のプラズマを一貫して再現することができるプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システム（１０）の処理チャンバ（１２）内に、加工物を収容する基板サポート（６４）が設けられている。処理ガスからプラズマを生成するために、プラズマ励起源に動作可能に接続されるパワー電極が基板サポートの一側に配置され、反対側には接地電極が配置され、加工物に対して垂直な電場が生成される。チャンバ内における処理ガスの均一な分配と加工物の対称的な配置は、加工物（５６）に隣接してイオンの均一な密度のプラズマを提供する。処理システム制御（３０４）は、システムの動作を自動化し、処理ガスのフロー、チャンバの排気、およびプラズマ励起パワーの印加を制御して、処理サイクルの長さを最小限に抑え、プラズマ処理の均一性を最適化する。 （もっと読む）

【課題】 現状では、次世代のSOI膜である完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD SOI)は、厚さ制御の均一性及び欠陥に限界があるので、製造されていない。
【解決手段】 本発明は、少なくとも1つの直流(DC)/高周波(RF)ハイブリッド(DC/RFH)処理システム並びに関連する直流(DC)/高周波(RF)ハイブリッド(DC/RFH)手順及びDC/RFH処理パラメータ及び/又はDC/RFHモデルを用いることによってリアルタイムで基板及び/又はウエハを処理する装置並びに方法を供することができる。 （もっと読む）

【課題】相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決の手段】エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の処理室で塩素系のガスを用いてドライエッチングなどの基板処理を行い、続いて同一の処理室内で炭化水素を含む混合ガスのプラズマ、例えばＣ２Ｈ４とＡｒの混合ガスのプラズマにより基板上の残留塩素を除去（Ｓ４）した後、処理済の基板をロードロック室に搬送して大気開放し、取り出す。 （もっと読む）

二フッ化キセノン（ＸｅＦ_２）を用いてシリコンをエッチングするときに、周囲の材料に対して改良された選択性を提供する、マイクロ構造等をエッチングする方法および装置。エッチング選択性は、プロセスチャンバへの水素の追加によって、非常に強化される。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＣの外周部に堆積したＣＦベースでＳｉ及びＡｌを含有する肩デポを効率よく除去するチャンバ内クリーニング方法を提供する。
【解決手段】Ｏ_２ガスとＦ含有ガスとの混合ガスをＥＳＣ２４の外周部２４ａに向けて圧力４００〜８００ｍＴｏｒｒで供給し、この混合ガスから生成されたプラズマをＥＳＣ２４の外周部２４ａに選択的に照射すると共に、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面にマスキングガスとしてＯ_２単ガスを供給し、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面のＦラジカルによる被曝を防止しつつ該外周部２４ａに付着した肩デポ５０を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成する、及び低誘電率膜を良好にエッチングする。
【解決手段】CF₃CF=CFCF=CF₂及び／又はCF₂=CFCF=CF₂を必要に応じてHe、Ne、Ar、Xe、Kr、O₂、CO及びCO₂からなる群から選ばれる少なくとも１種のガスと混合してなるドライエッチングガスプラズマ(例えば、ICP放電電力200-3000W,バイアス電力50-2000W,圧力100mTorr(13.3Pa)以下)で、酸化シリコン膜及び／又は窒化シリコン膜をレジスト、シリコンに対して選択的にエッチングする方法；二重結合を二つ有する一般式（1）：CaFbHc（a=4〜7、b=1〜12、c=0〜11、b+c=2a-2を示す。）で表される化合物を少なくともひとつ含むドライエッチングガス及び該ガスプラズマで、酸化シリコン膜及び／又はシリコンを含有する低誘電率膜などのシリコン系材料をエッチングするドライエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための優れた方法などを提供する。
【解決手段】ベール除去と同時にフォトレジストを除去する方法が提供される。この方法は、Ｏ_２、ＮＨ_３およびＣＦ_４などのフッ素含有ガスを含むガス化学種から形成されたプラズマを用いる。この方法は、インクジェットプリントヘッド作製などのＭＥＭＳ作製プロセスでの使用に特に適している。 （もっと読む）

本発明は、比重誘起ガス拡散分離法によるプラズマ生成を用いた基板処理装置及び方法を供することができる。各異なる比重（つまり気体の構成要素の分子の重さと参照分子の重さとの比）を有する不活性ガスとプロセスガスを含むガスを追加又は使用することによって、2領域又は多領域プラズマを生成することができる。2領域又は多領域プラズマでは、一の種類のガスがプラズマ生成領域付近で強く閉じこめられ、かつ、他の種類のガスは、比重の違いにより誘起される拡散によって、前記一の種類のガスから大きく分離されて、前記一の種類のガスよりもウエハ処理領域の近くで閉じこめられる。
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【課題】プロセス条件などに応じてプロセスガスの流れを最適化できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１において、処理容器２の壁面を挿通する軸部と前記軸部の前記処理容器の内部に面する側の一端に設けられた前記軸部の径寸法よりも大きい径寸法を有する拡径部とを有する制御ノズル部１６と、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させる移動部１７と、前記移動部を制御する制御部１４と、前記制御ノズル部を介して、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部１２と、を備え、前記制御部は、前記壁面を挿通する軸部の外周面に沿って供給されるプロセスガスの流れを、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させることで制御すること、を特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。また、酸化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生する反応空間に対して遠近方向に、また平面的にも広い範囲でプラズマ処理が可能な大気圧プラズマを小さな入力電力で発生することができる大気圧プラズマ発生方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応空間１に第１の不活性ガス５を供給するとともに高周波電源４から高周波電界を印加することで、反応空間１からプラズマ化した第１の不活性ガスから成る一次プラズマ６を吹き出させ、この一次プラズマ６が衝突するように、第２の不活性ガスを主とし適量の反応性ガスを混合した混合ガス８が存在する混合ガス領域１０を形成し、プラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマ１１を発生させるようにした。 （もっと読む）

【課題】単結晶表面に下り方向段差と上り方向段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、平坦な第１のテラスと、下り方向の第１の段差と、平坦な第２のテラスと、前記第１の段差よりも高さの小さい上り方向の第２の段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法であって、単結晶基板に対してエッチングを行なうことで自己組織的に複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】無駄を排除することができるプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素がＣＶＤによって積層されて炭化硅素塊４１が生成され、炭化硅素塊４１が加工されてフォーカスリング２５が製造され、製造されたフォーカスリング２５がプラズマ処理装置１０に装着された後、プラズマエッチング処理が所定の回数ほど繰り返され、プラズマエッチング処理中に消耗したフォーカスリング２５’の表面が酸洗浄され、洗浄されたフォーカスリング２５の表面へＣＶＤによって炭化硅素が積層されて炭化硅素塊４２が生成され、炭化硅素塊４２が加工されてフォーカスリング２５”が再製造され、再製造されたフォーカスリング２５”がプラズマ処理装置１０に装着された後、プラズマエッチング処理が所定の回数ほど繰り返される。 （もっと読む）

【課題】エッチング損傷を減少させるべくドライエッチングを用いて磁気素子を製造する。
【解決手段】磁気素子の製造方法と装置を提供する。素子の磁性及び／又は非磁性層はＴａのような非有機材マスクを用いＮ_２のような不活性ガスと水素ガスの混合ガスによりエッチングされる。結果として、研究例ではＭＴＪテーパ角はほぼ垂直である。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に形成された被加工層上に、レジストパターンを用いて第１のドライエッチングによりハードマスク層にレジストパターンを転写し、ハードマスク層に転写されたハードマスクパターンを用いて被加工層を第２のドライエッチングによりパターン加工する際、第１のドライエッチング後、第１のドライエッチングを行ったエッチング装置内で、ドライエッチングガスの主要成分を変更することなく、副成分の濃度を変更して第２のドライエッチングを行う。
【効果】エッチングマスク層と、エッチングマスク層をマスクとして加工される被加工層とを有する積層膜のパターン加工を行う際、高精度のエッチング加工を可能とするハードマスク技術を使用しつつ、同一チャンバー内でのドライエッチング処理により積層膜をドライエッチング加工することができ、欠陥発生の可能性を抑制してフォトマスクブランクを加工することができる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。また、このカーボンポリマによる保護膜１０７により、金属材料１０４をエッチングする際に飛散した金属物質はポリシリコン膜１０５に直接付着することなく、アッシング工程によりカーボンポリマの保護壁１０７とともに簡単に取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄処理の効率化して洗浄ガスの供給量を減らし、経済性に優れたドライ洗浄装置用反応炉を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体製造装置における汚染部品を洗浄する装置であって、洗浄ガス導入管１６とガス排出管２０を有する反応室８と、反応室８内で汚染部品２２を支持する支持手段４と、汚染部品２２を反応室８内で高温に保持するための遮熱部材７ａ，７ｂと、反応室８内を加熱する加熱手段３とを備え、前記洗浄ガス導入管１６を反応室８内の下部に配置した。これにより、反応室８内の下部から供給された洗浄ガスは、加熱装置３で加熱されて上部へ移動するので、汚染部品２２の汚染物と効率的に反応させることができ、効率的に汚染部品２２を洗浄することが可能になる。 （もっと読む）