【課題】従来のプラズマ処理では、プラズマ条件の変化に応じて処理室内部のガス流れ分布、反応生成物分布を制御することができない、制御できるガス流れ分布、反応生成物流れ分布の範囲が狭い、ステップエッチングにおいて、各ステップ間で高精度にガス流れ分布、反応生成物流れ分布を変化できないという課題がある。
【解決手段】第一のエッチングガス供給手段と第二のエッチングガス供給手段を設け、それぞれのエッチングガス供給手段を調整し、前記第二のエッチングガス供給手段をウエハ周辺に設置し、処理室内のエッチングガス流れ、反応生成物流れを制御する。 （もっと読む）

【課題】監視したり人手を要したりすることなく、容易にかつ確実にプラズマを点火した
り再点火したりすることが可能なプラズマ点火技術を提供する。
【解決手段】所定の高周波信号ＨＳを発生しプラズマ発生させるための負荷電極１１４に
供給する高周波電源装置１０１、高周波電源装置側と負荷電極側とのインピーダンスを整
合させる整合装置１０５、高周波信号ＨＳの進行波および反射波を検出する進行波・反射
波検出装置１０２、所定の高電圧ＨＶを発生する高電圧発生装置１０３、反射波の進行波
に対する比率が第１のしきい値より大きい場合に高電圧ＨＶを高周波信号ＨＳに重畳する
制御装置１００を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジストに対する高い選択性、表面粗度上昇の抑制と、シリコン酸化膜の高いエッチングレートを達成させることのできるエッチングガスおよびそれを用いたエッチング方法を、環境負荷の低い材料により提供する。
【解決手段】 少なくとも、一般式（１）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスと一般式（２）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスとを含んでなる、シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするためのエッチングガス。
一般式（１）：Ｃｘ_１Ｈｙ_１Ｆｚ_１ （ｘ_１＝４〜６、ｚ_１−ｙ_１≦２ｘ_１−２、ｘ_１、ｙ_１およびｚ_１はいずれも整数）
一般式（２）：Ｃｘ_２Ｈｙ_２ＯｗＦｚ_２ （ｘ_２＝５〜７、２（ｘ_２−ｗ）−２＜ｚ_２−ｙ_２≦２ｘ_２、ｗ≧０、ｘ_２、ｙ_２、ｚ_２およびｗはいずれも整数） （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板１上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜２と、遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる反射防止膜３と、反射防止膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜４とを有し、エッチングマスク膜の膜厚が２〜１５ｎｍで、２５０ｎｍ以下の露光波長の光を用いて０．１μｍ以下のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィーにおいて用いるバイナリーマスクの素材となるフォトマスクブランク。
【効果】形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造できる。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの製造に好適なパターン製造方法を提供すること。
【解決手段】ハードマスク層１２の１段目の段差部１５’’のパターン位置から所望の距離をずらした位置のレジスト膜１３を露光させレジストパターン１４’を形成し、レジストパターン１４’をマスクとしてハードマスク層１２をエッチングすることで、所望の位置に３次元構造の２段目の段差部１９を形成出来る。また、ハードマスク層１２は基板１１に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応する２段目の段差部１９の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さく出来る。また、ハードマスク層１２に２段目の段差部１９を形成するにあたり、ハードマスク層１２を基板１１の表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板１１の帯電（チャージアップ）を抑制出来る。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】モリブデンと、ケイ素と、酸素及び／又は窒素とを含有する第１のケイ素系材料層と、モリブデンと、ケイ素と、酸素及び／又は窒素とを含有し、酸素と窒素との合計の含有率（原子％）が上記第１のケイ素系材料層以下であり、かつモリブデンとケイ素との組成比（Ｍｏ／Ｓｉ（原子比））が第１のケイ素系材料層より高い第２のケイ素系材料層との間で、上記第２のケイ素系材料層を、上記第１のケイ素系材料層を残して選択的にエッチング除去する方法であって、酸素を含有する塩素系ドライエッチングガスを用い、上記第１のケイ素系材料層のエッチング速度に対する上記第２のケイ素系材料層のエッチング速度が大きくなるように塩素系ガスと酸素ガスとの比率を設定して、上記第２のケイ素系材料層を選択的にエッチング除去するドライエッチング方法。
【効果】本発明によれば、ケイ素系材料で構成した２層の一方を選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化と腐食性ガスに対する耐腐食性を兼ね備えたマスフローコントローラシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のマスフローコントローラシステム５００は、腐食性ガスが導入され、前記腐食性ガスに対する耐腐食性処理が施された第１マスフローコントローラ１００と、非腐食性ガスが導入される第２マスフローコントローラ２００と、前記第１マスフローコントローラに複数種類の腐食性ガスをそれぞれ供給する複数の第１ガス配管３１、３２、３３と、前記第２マスフローコントローラに複数種類の非腐食性ガスをそれぞれ供給する複数の第２ガス配管３４、３５、３６とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された絶縁膜をエッチングするとき、絶縁膜の下地に酸素プラズマの悪影響が生ずるのを防止できるエッチング方法を提供する
【解決手段】本発明のエッチング方法は、絶縁膜２２２をプラズマ化させた処理ガスに晒し、絶縁膜２２２を厚さ方向に途中までエッチングする第一のエッチング工程と、第一のエッチング工程の終了後に残存する絶縁膜２２２を酸素プラズマに晒し、残存する絶縁膜２２２の表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去工程と、残存する絶縁膜２２２をプラズマ化させた処理ガスに晒し、残存する絶縁膜２２２をエッチングする第二のエッチング工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い電荷移動度を有し、大面積表示装置に対して均一な電気的特性を得ることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたＳｉＮｘから構成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されたＳｉＯｘから構成された第２ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と重畳するように形成され、チャネル部を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層及び前記ゲート電極の上部に形成されたＳｉＯｘから構成された保護膜とを含み、前記保護膜はドレイン電極拡張部を露出するコンタクトホールを含む。ここで、前記コンタクトホールは、ドレイン電極拡張部を直接的に露出する部分の保護膜が、その上部の保護膜よりさらに狭い領域を占める形状を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板裏面をソース電極として使用するＬＤＭＯＳＦＥＴにおいて、出力効率向上のため、基板抵抗を下げようとして高濃度ボロンドープ基板を用いると、ソースドレイン間のリーク不良が、多発することが、本願発明者等によって明らかにされた。更に、この不良解析の結果、ソース不純物ドープ領域からＰ型エピタキシ層を貫通してＰ型基板に至るＰ型ポリシリコンプラグに起因する不所望な応力が、このリーク不良の原因であることが明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型マイクロプラズマは、高密度プラズマが得られるが点灯が難しい問題があった。電離開始に必要な初期電子を発生させる、内部にイグナイター機構を加える方法が知られているが、専用電源を新たに用意すること、電極製作、電極と電源間の結線を必要とするため、小型化をも阻害する。
【解決手段】 誘導結合型マイクロプラズマ源のガス流路内部に、浮遊電極を用意する。マイクロプラズマの励起に誘導結合を利用しているため、特別の結線を施すことなく、浮遊電極にエネルギーを供給することができる。この電極から、電離開始に必要な初期電子を発生させることができる。浮遊電極周辺からガスの電離が促進され、点灯が容易になると同時に、より省電力でプラズマを発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを容易に排出する。
【解決手段】処理室１０２の天井壁１０５に下部電極１１１に対向して昇降自在に設けられ，処理ガスを導入する多数の吹出孔１２３を設けた上部電極１２０と，各電極とその間の処理空間の周囲を囲むシールド側壁３１０と，シールド側壁の内側に設けられ，処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路３３０と，シールド側壁の外側に設けられ，上部電極と天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路１３８とを設けた。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０にトランジスタ３６を形成する工程と、半導体基板上に、トランジスタを覆う第１のシリコン窒化膜３８を形成する工程と、第１のシリコン窒化膜にＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程と、ＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程の後、第１のシリコン窒化膜に対して熱処理を行う工程と、熱処理を行う工程の後、第１のシリコン窒化膜上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】エッチングステップによる残留したエッチングガスの排気効率を大幅に高めることができ，次に連続して実行されるアッシングステップを実行したときに，残留したエッチングガスによる被エッチング膜のエッチングを防止する。
【解決手段】エッチングステップが終了すると，アッシングステップの実行前に，処理室１０２の排気口１３０に設けられた圧力制御弁１３４を全開にして処理室内を所定時間だけ真空引きすることによって，エッチングステップ後に処理室内に残留したエッチングガスを排出する残留ガス除去ステップを，処理室内からウエハＷを搬出せずに連続して実行する。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ極性面（＋ｃ面）を有する酸化亜鉛系基板中の不純物含有量を十分に低減できる酸化亜鉛系基板の処理方法、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛結晶を含有する酸化亜鉛系薄膜、及び該薄膜の形成に好適な、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛系基板の提供。
【解決手段】一般式「Ｚｎ_ｘＭｇ_１−ｘＯ（式中、ｘは、０＜ｘ≦１を満たす数である。）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】コンベアを有する表面処理装置において、被処理物を均一に加熱する。
【解決手段】ローラ２３を含むコンベア２０にて被処理物９を搬送し、ノズル１０からの処理ガスを被処理物９に接触させる。コンベア２０のノズル１０の直下又はノズル１０より搬送方向の上流側には、加熱手段３０を設ける。加熱手段３０を互いに別体をなす複数の加熱部３１に分離する。各加熱部３１を、対応するローラ１２に沿って延びる直線状にする。加熱部３１の長さを、被処理物９の処理されるべき領域のローラ軸線に沿う幅と略同じか上記幅より大きくする。 （もっと読む）