【課題】被洗浄物の洗浄処理の効率化して洗浄ガスの供給量を減らし、経済性に優れたドライ洗浄装置用反応炉を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体製造装置における汚染部品を洗浄する装置であって、洗浄ガス導入管１６とガス排出管２０を有する反応室８と、反応室８内で汚染部品２２を支持する支持手段４と、汚染部品２２を反応室８内で高温に保持するための遮熱部材７ａ，７ｂと、反応室８内を加熱する加熱手段３とを備え、前記洗浄ガス導入管１６を反応室８内の下部に配置した。これにより、反応室８内の下部から供給された洗浄ガスは、加熱装置３で加熱されて上部へ移動するので、汚染部品２２の汚染物と効率的に反応させることができ、効率的に汚染部品２２を洗浄することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】ビアエッチングプロセスは、丸角とテーパ型側壁プロファイルを有するスルーサブストレートビアを形成する。その方法は、半導体基板を提供するステップと、半導体基板上に、ハードマスク層とパターン化フォトレジスト層を形成するステップと、ハードマスク中に開口を形成して、半導体基板の一部を露出するステップと、パターン化されたフォトレジスト層とハードマスク層をマスキング要素として、半導体基板の少なくとも一部を通過するビアを形成するステップと、トリミングプロセスを実行して、ビアの頂角を丸くするステップと、フォトレジスト層を除去するステップと、からなる。 （もっと読む）

一部の実施形態では、プラズマ処理ツールを利用して処理対象物に対して材料を堆積させる。例えば、材料をコンフォーマルに堆積させる方法が開示される。本実施形態では、プラズマシースの形状を変更して、処理対象物に対して材料が入射角度の範囲で衝撃を与えるようにする。この入射角度の範囲を経時的に変更することにより、様々なフィーチャを堆積することが可能となる。別の実施形態では、プラズマ処理ツールを利用して処理対象物をエッチングする。この実施形態では、プラズマシースの形状を変更して、処理対象物に対してイオンが入射角度の範囲で衝撃を与えるようにする。この入射角度の範囲を経時的に変更することにより、様々な形状のフィーチャを作成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】被処理体のずれを抑制しつつ、静電チャック上から被処理体を離脱、しかも短時間で離脱することが可能な被処理体の離脱方法を提供すること。
【解決手段】処理室１を排気する排気機構４に伝熱ガス供給流路３を、伝熱ガス排気流路８を介して接続し、静電チャック２の表面と被処理体Ｗの裏面との間から、伝熱ガス供給流路３および伝熱ガス排気流路８を介して伝熱ガスを排気する工程と、処理室１内に不活性ガスを供給する工程と、静電チャック２の表面と被処理体Ｗの裏面との間の圧力が、処理室１内の圧力以下とされた状態で被処理体Ｗの静電吸着を解除して、被処理体Ｗを静電チャック２上から離脱させる。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバーの基板デチャックシステムは、基板のデチャック時に、電位スパイクを減少させて、基板をＥＳＣ（静電チャック）から取り外せるように構成される。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる放射器および絶縁管の変質やエッチングを防止する。
【解決手段】上端部が閉塞板１１ｂで閉塞され、下端部が開放端に形成された筒状の筐体３１と、閉塞板１１ｂの内面に立設された筒状の放射器１４と、不活性ガスＧ１を筐体３１内を経由して開放端まで搬送して筐体３１の外部に放出させる絶縁管１１ｃとを備え、筐体３１は内部に供給された反応性ガスＧ２を開放端から外部に放出して開放端の前方に反応性ガス雰囲気を形成する反応性ガス供給路として構成され、放射器１４が供給された高周波信号Ｓ１を放射して、絶縁管１１ｃ内にプラズマ化した不活性ガスＧ１による一次プラズマＰ１を発生させる。一次プラズマＰ１は、絶縁管１１ｃの先端部から反応性ガス雰囲気中に放出されて反応性ガスＧ２をプラズマ化させ、処理対象体６をプラズマ処理するための二次プラズマ等Ｐ２を発生させる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体製造装置を構成する部品を洗浄する際に、反応管内壁、特に封止キャップの内壁への反応生成物の付着を抑制して、作業者が安全に作業することができる洗浄方法及び洗浄装置を得る。
【解決手段】窒化物半導体製造装置内の汚染された部品９を、反応管１内で塩素系ガスを主成分とする洗浄ガスと接触させて汚染物質を除去した後、反応管１を冷却する際に、反応管１の両端開口部を閉塞する封止キャップ２と、封止キャップ２の封止面側に封止面との間に空間を有するように近接して設けられた防着板３との間にシールガスを流しながら冷却することを特徴とする窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法を採用する。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面をテクスチャするためのドライエッチング方法に関し、この方法は以下の工程：ａ）基板の表面上で第１ドライエッチング工程を行い、これにより突起部と溝部とを有する表面テクスチャを形成する工程であって、第１ドライエッチング工程は、フッ素（Ｆ）ラジカルと酸素（Ｏ）ラジカルとを含むプラズマ中で基板の表面をエッチングする工程を含み、プラズマは過剰の酸素（Ｏ）ラジカルを含む工程、および、ｂ）表面テクスチャ上で第２ドライエッチング工程を行い、これにより表面テクスチャを平坦化する工程であって、第２ドライエッチング工程は、フッ素（Ｆ）ラジカルを含むプラズマ中で、工程ａ）で得られた表面テクスチャを、化学等方性エッチングする工程を含み、これにより突起部が溝部より実質的に速くエッチングされる工程、を含む。
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【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置する載置台１２とを備え、該載置台１２は、載置されたウエハＷの裏面に接触して当該ウエハＷを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１からウエハＷの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系２５を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハＷを除電する際、まず、プラズマＰ中の電子によってウエハＷの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系２５からウエハＷに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハＷの裏面の負の電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】予め定めた形状にパターニングされた導電層の上下に配置されている絶縁層のそれぞれにコンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールを介して互いに異なる層として形成された２つの導電層を互いに電気的に接続する場合であっても、導電不良が生じ難い多層膜の形成方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に成膜された第１導電層４０上に第１絶縁層２０を成膜し、前記第１絶縁層２０上に第２導電層４１を成膜し、前記成膜した第２導電層４１をパターニングし、パターニングされた前記第２導電層４１を覆うように前記基板２上に第２絶縁層２５を成膜し、前記第２絶縁層２５上に該第２絶縁層２５よりもエッチング速度が速い第３絶縁層２６を成膜し、前記第１絶縁層２０、前記第２絶縁層２５及び前記第３絶縁層２６に対して前記第１導電層４０の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを一括形成する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストや、メタルゲート／Ｈｉｇｈ−ｋ等の積層膜のドライエッチング加工において、高精度の加工精度が要求される。
【解決手段】複数層の連続エッチング加工において、エッチング後の寸法測定することなく、加工の形状または寸法を、真空処理室１の内壁または半導体基板４と、真空処理室１内に生成されたプラズマとの間の電荷量に応じて変動するバイアス電位を計測し、また、プラズマ中の波長の異なる各イオン種の発光強度を測定し、これらから予め設定したモデル式にて、各膜種のエッチング処理毎に、エッチング後の各膜種の加工寸法を予測し、次の膜のエッチング後寸法が、所定の寸法値になるよう処理条件を変更し、連続して次の膜種のエッチング処理を行うことで、寸法や形状を補正するドライエッチング方法および装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】導電層と絶縁層とが積層された構造に貫通ホールを一括して形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上にシリコン酸化物を含む絶縁層１７とシリコンを含む導電層ＷＬとの積層体を形成する工程と、絶縁層１７及び導電層ＷＬを貫通するホール５０を積層体に形成する工程とを備え、ホール５０の形成工程は、積層体上にシリコン酸化物を含む第１のマスク層４１を形成する工程と、第１のマスク層４１をマスクにして導電層ＷＬをエッチングする工程と、第１のマスク層４１上に絶縁層１７よりもシリコン含有量が多い第２のマスク層４２を形成し第２のマスク層４２をマスクにして、絶縁層１７をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板をドライエッチングにより微細加工して水晶デバイスを製造する
【解決手段】洗浄装置２で洗浄済みの支持基板１１に真空貼付装置３により粘着剤フィルム２１を真空貼付する。マスク層１３ａ，１３ｂを形成済みの水晶基板９を、真空貼合装置４によって粘着剤フィルム２１を介して支持基板１１に真空貼り合わせする。支持基板１１を静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給して水晶基板９をドライエッチングする。表面９ａのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の一部が残る深さまでエッチングする。表面９ａのドライエッチング後に、ウエットエッチングにより粘着剤層を除去して支持基板１１から水晶基板９を剥離する。裏面９ｂのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の残りの一部が除去される深さまでエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高硬度で脆い基板に対する微細加工を実現できる現実に実用化可能な基板のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置２で洗浄済みの支持基板１１に真空貼付装置３により粘着剤フィルム２１を真空貼付する。マスク層１３ａを形成済みの水晶基板９を、真空貼合装置４によって粘着剤フィルム２１を介して支持基板１１に真空貼り合わせする。支持基板１１をドライエッチング装置６の基板載置面４１ａに静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給した状態で、プラズマを発生させた水晶基板９をドライエッチングする。 （もっと読む）

【解決手段】酸素及び／又は窒素を含有し、遷移金属を含有してもよい単層又は多層の第１のケイ素系材料層と、第１のケイ素系材料層に隣接して形成され、遷移金属を含有してもよく、第１のケイ素系材料層より窒素及び酸素の合計の含有率が小さいケイ素系材料層からなる単層又は多層の第２のケイ素系材料層とからなる積層体から、第１のケイ素系材料層のエッチング速度に対する第２のケイ素系材料層のエッチング速度が大きくなるように塩素系ガスと酸素ガスとの比率を設定して、塩素系ドライエッチングにより、第２のケイ素系材料層を選択エッチング除去する。
【効果】エッチングストッパー膜を用いなくとも、同種のケイ素系材料の積層体、例えば、位相シフト膜であるケイ素系材料の遮光膜を、ケイ素系材料の位相シフト膜上に積層したものを用いても、位相シフト膜にダメージを与えることなく、遮光膜に対する高精度なエッチング加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウェットクリーニング後のシーズニングにかかる時間を短縮し、かつ、再現性よく最適なシーズニング処理終了判定が可能なプラズマ処理装置のシーズニング終了判定方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のウェットクリーニング（Ｓ５０１）後、処理ガスにＳＦ６を含む処理ガスを使用し、量産条件の２倍のＲＦバイアスを印加してシーズニング（Ｓ５０２）し、ＳｉＦとＡｒガスを用いた検査条件でプラズマ処理中のＳｉＦおよびＡｒ発光データを取得し（Ｓ５０３）、シーズニング中の発光強度の演算値が量産安定時の発光強度の演算値以下であるか否かを判断し（Ｓ５０４）、判断が以下であるときにシーズニング処理の終了を判定する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に位相シフト膜が形成され、更に位相シフト膜上に遮光膜が形成され、位相シフト膜及び遮光膜が各々ケイ素系材料層を有し、位相シフト膜のケイ素系材料層と遮光膜のケイ素系材料層とが互いに隣接し、位相シフト膜中のケイ素系材料層中の窒素及び酸素の合計の含有率と、遮光膜のケイ素系材料層中の窒素及び酸素の合計の含有率との差を有するフォトマスクブランクから、塩素系ガスと酸素ガスとの比率が設定された塩素系ドライエッチングにより、遮光膜のケイ素系材料層を選択エッチング除去する工程を含むフォトマスクの製造方法。
【効果】エッチングストッパー膜を用いなくとも、位相シフト膜と同種の材料であるケイ素系材料の遮光膜を、ケイ素系材料の位相シフト膜上に積層したものを用いても、位相シフト膜にダメージを与えることなく、遮光膜に対する高精度なエッチング加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去工程において、ポッピングを抑制し、且つスループットの高い基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法であって、ドーパントが混入されたレジストの塗布された基板を処理室に搬入する工程と、基板を加熱する工程と、前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含み、水素成分の濃度が６０％以上７０％以下である反応ガスを供給する工程と、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態として基板を処理する工程とを有する。前記基板を加熱する工程では、基板の温度を２２０℃以上３００℃以下とすることが望ましい。また、前記基板を加熱する工程では、基板の温度を２５０℃以上３００℃以下とすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】輝度が改良された半導体発光装置とそれを製造するための方法の提供。
【解決手段】半導体発光素子の光取り出し表面へ自己組織化膜により凹凸構造を形成する際に、電極部分の厚さに起因する凹凸構造が形成できない部分を減少するため、電極形成部分を保護膜により保護し、最後に電極を形成する。このとき、光取り出し表面と電極との間にオーミックコンタクトを生成させるコンタクト層を設ける。 （もっと読む）