【課題】絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。基板Ｓに対するエッチング処理を実施しているときに、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との切り替えを周期的に行うことによって静電チャック１７のチャック電極１７ｂに印加する直流電圧の極性を周期的に変える。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】光ディスクや基板等の立体形状の上面と外周面とを均一にエッチングすることが可能な基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】研削された外周面２ｂを有する基板２をエッチングガス雰囲気中に配置し、該エッチングガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の光をプリズム３を介して基板２の上面２ａに対して斜めに入射させて、前記光を基板２の上面２ａと底面２ｃとの間で反射させつつ外周面２ｂまで伝搬させ、外周面２ｂを介して基板２内から外部へと出射される前記伝搬光により前記エッチングガスを解離して外周面２ｂに形成された凹凸をエッチングするとともに、前記凹凸における少なくとも角部に前記伝搬光に基づいた近接場光を発生させ、該近接場光により前記エッチングガスを解離して前記凹凸をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有物をエッチングする装置において、分離回収装置や除害装置を不要とし、設備コストを低減する。
【解決手段】分解部２０において、フッ素含有成分を含む原料ガスに高周波又は熱エネルギーを印加して、フッ素含有成分を分解する。分解中又は分解後の原料ガスと水素含有成分とを接触させてフッ化水素を含むエッチングガスを生成する。このエッチングガスを処理槽１０内の被処理物９に吹き付け、シリコン含有物９ａをエッチングする。更に、処理槽１０内のガスを排気手段５によって吸引して排出する。シリコン含有物９ａのエッチングレートが所定以上になるよう、かつ排出ガス中のフッ素含有成分の流量が放出許容値以下になるよう、分解部２０への原料ガスの供給流量、及び供給電力又は供給周波数を設定する。 （もっと読む）

【課題】
被処理基板の温度制御性がよく、基板全体において局所的に抜熱量が急変するような特異点の無い基板載置台を提供する。
【解決手段】
基板載置台表面に、熱伝達用ガスの流入口と流出口を設け、基板載置台表面と基板との間の閉空間を流路とする定常的なガス流を形成させ、この流路に各種の障害物を置くことによってガスの流れやすさ（コンダクタンス）を調整し、ガスの流入口と流出口との間に１０Ｔｏｒｒから４０Ｔｏｒｒの差圧を発生させる。ガスの熱伝達率が圧力に比例することから、この差圧により被処理基板の温度分布を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】二フッ化キセノン、キセノン、アルゴン、ヘリウム又はネオン等の所望のガスを、化学プロセス反応器の排出物から回収するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】本装置は、２種以上の別個のガス組成物を導入するための１以上のラインを備えた化学プロセス反応器１０と、別個のガス組成物を導入するための少なくとも一つの流入口１１と、化学プロセス反応器からの排出ライン１８と、排出ラインにある逆止弁２０と、排出ラインから所望のガスを取り出すことができる回収ライン２４と、回収ラインにある自動弁２６と、プロセスコントローラー１０４、及び回収ラインにあるコンプレッサー２８を具備し、プロセスコントローラーはガス組成物の導入と、回収ラインにある自動弁の操作と、それによって所望のガスが排出ラインに存在するときの少なくとも一部の間に自動弁を開くように制御する装置、により課題を克服する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜を除去するラジカルクリーニング方法であって、Ｓｉ基板に付着した（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６等の残留生成物を除去する際に反応室（真空槽）内へ再付着した残留生成物も除去することができるラジカルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマによりＨラジカル生成用ガスを分解してＨラジカルを生成させ、このＨラジカルとＮＦ_３ガスを反応させてＮ、Ｆ及びＨからなるラジカルを生成するＮＦＨラジカル生成工程と、真空槽内で、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜に前記Ｎ、Ｆ及びＨからなるラジカルを照射することにより前記ＳｉＯ_２膜を除去するエッチング工程と、真空槽内で、前記エッチング工程で前記Ｓｉ基板上に生成した残留生成物を加熱して蒸発させることにより、前記残留生成物を前記Ｓｉ基板上から除去する第１残留生成物除去工程と、前記第１残留生成物除去工程で真空槽内に付着した前記残留生成物にマイクロ波を照射することにより、真空槽内に付着した前記残留生成物を昇華させて除去する第２残留生成物除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を向上することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷ上の半導体デバイスに形成されたハフニウム酸化膜にエッチング処理を施す際、ウエハＷをプラズマ処理装置１０のチャンバ１１内に搬入し、該チャンバ１１内の処理空間ＳにＣ_４Ｆ_８ガス、一酸化炭素ガス、アルゴンガス及びキセノンガスを所定の流量比で供給し、処理空間Ｓに高周波電力を印加して供給された処理ガスからプラズマを発生させ、キセノンによってＣ_４Ｆ_８からのフッ素の解離をより促進して高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って確実にプラズマに点火可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】軸方向に中空構造を有する中空構造体（１１）、中空構造体（１１）の内部に配置される第１電極（１２）、中空構造体（１１）のプラズマ発生領域（１３）を外面から覆う構造を有する第２電極（１４）を備え、第１電極（１２）は、中空構造体のプラズマ発生領域において変形構造（１２ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。
【解決手段】本発明は厚さが２００ｎｍから５００ｎｍの磁性膜をドライエッチングするプラズマ処理方法において、レジスト膜と、前記レジスト膜の下層膜である非有機系の膜と、前記非有機系の膜の下層膜であるＣｒ膜と、前記Ｃｒ膜の下層膜であるＡｌ₂Ｏ₃膜とを含む積層膜を前記磁性膜の上に成膜した試料をドライエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】放電開始直後に基板に位置ずれが発生しても，それを早期に検出して直ぐに処理を中止することで，異常放電による載置台の損傷を極力防止する。
【解決手段】伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると，処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し，基板保持面上の被処理基板上に処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップとを有し，上記放電ステップにおいて，流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け，各判定ポイントごとに閾値を設定することによって，伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行う。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に形成された１又は２以上の層で構成された膜であり、該膜の最表層がクロム系材料からなる膜を塩素系ドライエッチングによってエッチングする方法であって、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜をエッチングマスクとして上記最表層を塩素系ドライエッチングする方法。
【効果】本発明のエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に形成されたレジスト膜の際まで絶縁膜を除去することができる半導体デバイス形成用基板の製造方法及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜から露出されている絶縁膜を、ＣＯＦ₂と酸素とを含む混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより除去する工程を含む半導体デバイス形成用基板の製造方法であって、絶縁膜を除去する工程はＣＯＦ₂と酸素との流量比（ＣＯＦ₂／酸素）が第１の値に設定された第一のドライエッチング工程７００と、ＣＯＦ₂と酸素との流量比が第１の値よりも大きい第２の値に設定された第二のドライエッチング工程７５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比が高いエッチング方法を提供する。
【解決手段】結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、Ｂｒ系ガスと、Ｆ系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させる。このようにエッチングを行うことで、露出された部分の膜減りを抑えることができる。更には、当該エッチング方法を薄膜トランジスタのバックチャネル部を形成するエッチングに採用することで、当該薄膜トランジスタの電気的特性を良好なものとすることができる。該薄膜トランジスタ上には絶縁層が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の発熱チャンバクリーニング処理を制御する方法及びシステムである。
【解決手段】この方法は、システム部品から材料堆積物を除去するためにチャンバクリーニング処理においてクリーニングガスにシステム部品を晒すこと、チャンバクリーニング処理において少なくとも１つの温度関連システム部品パラメータをモニタリングすること、モニタリングによりシステム部品のクリーニング状態を決定すること、を含み、そして、決定された状態に基づいて、（ａ）晒すこと及びモニタリングの継続、（ｂ）処理の停止、のうち一つを行う。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。石英管４、真鍮ブロック５、蓋６には冷媒流路が設けられ、冷媒としての水が流れることによって各部材が冷却される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成でチャージアップ現象の発生を防止するプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】高周波信号が供給される第１電極（１１）と、プラズマを発生させるための第２電極（１２）と、第２電極の周囲にプラズマガスを供給するガス供給装置（１３、１０）と、を備え、第２電極（１２）は、所定の周波数成分を通過させ直流成分を遮断するフィルタ回路（１５）を介して接地されていることを特徴とする。 （もっと読む）