【課題】生産性が向上し、かつ、半導体膜の導電膜からのはみ出し量が低減できる積層構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる積層構造体は、半導体膜１５、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１７、及びドレイン電極１８を有するものである。ゲート絶縁膜１２は、半導体膜１５下において、半導体膜１５の端から徐々に膜厚が薄くなるテーパー部を有する。ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体膜１５上において、半導体膜１５のパターンからはみ出さないように形成され、半導体膜１５端からの距離が０以上０．３ｕｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】
信頼性の向上したプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置またはその運転方法であって、前記開口の内部と連通された供給口から前記ウエハが前記上面に載せられていない間にガスを前記開口を介して前記処理室に供給する。 （もっと読む）

閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
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【課題】金属薄膜をリモートプラズマによって処理するときのガスの種類によってドットの密度を制御可能な金属ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２膜５０２がＳｉからなる半導体基板５０１上に形成され（工程（ｂ））、金属薄膜５０４がＳｉＯ_２膜５０２上に形成される（工程（ｃ））。その後、水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスとヘリウムガスとの混合ガス、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスおよび水素ガスと窒素ガスとの混合ガスの中から選択したガスを用いたリモートプラズマによって金属薄膜５０４を処理する（工程（ｄ））。これによって、金属ドット５０３がＳｉＯ_２膜５０２上に形成される（工程（ｅ））。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生じさせないインシチュウ・クリーニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバー１０のクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバー４６に、前駆体ガス４４を供給する；遠隔チャンバー４６内で該前駆体ガス４４を活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバー１０の内部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の機器類にフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを作用させた際に、効果的に表面腐食を抑制する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の処理チャンバーとこの処理チャンバーに連通する配管路の内部をフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを導入してクリーニング処理あるいはプロセス処理した後、この処理チャンバー及び処理チャンバーに連通する配管路に露点温度が２１３Ｋ以下の不活性ガスからなるパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】ワークを加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させ、前記プラズマを照射してワークを加工するプラズマ処理装置であって、前記プラズマを前記ワークに向けて噴射する噴射口及び前記噴射口の周囲の空間を吸引する吸引口を有するプラズマ発生機構と、前記プラズマ発生機構と前記ワークとを相対移動させる移動機構と、少なくとも前記ワークの目標形状データと、前記ワークの加工前形状データと、前記プラズマ発生機構の加工量データと、前記プラズマ発生機構を用いた加工後の前記ワークの形状に基づく加工分布データとに基づいて前記ワークの加工計画データを生成し、前記加工計画データに基づいて前記ワークの加工を行わせる制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを行うエッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング速度を２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度でエッチングが行われるよう塩素ガスを供給する。ネオジム塩化物は蒸気圧がアルミニウム塩化物に比べて低いが、２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度となるようプラズマエッチングすることで、アルミニウム塩化物と同時に蒸発させることができるため、フェンスの発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数の処理を効率良く実行可能な真空処理装置の圧力制御方法を提供する。
【解決手段】ロードロック室５０、ＣＯＲ処理室１０、熱処理室３０及び大気搬送モジュール７０を有する真空処理装置１００において、熱処理室３０の真空引き中にロードロック室５０を大気状態にしてＣＯＲ処理前の被処理体を大気搬送モジュール７０からロードロック室５０に搬入し、熱処理室３０の真空引きを終了してロードロック室５０を設定圧力まで真空引きし、ロードロック室５０が設定圧力に到達したら真空引きを終了し、“ロードロック室内圧力＞熱処理室内圧力”となるように熱処理室３０を真空引きし、圧力条件が満たされた後にロードロック室５０と熱処理室３０とを連通させる。 （もっと読む）

【課題】真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。
【解決手段】試料を真空搬送室から処理室に搬送する際（Ｓ８）、事前に（Ｓ５）真空搬送室と処理室に試料搬送用（不活性）ガスのガス流れを形成し、その状態をエッチング処理を開始するまで維持し、その後エッチング処理ガスを導入した（Ｓ１２）後、エッチング処理ガスの導入と同時またはエッチング処理ガスの導入に重ねて試料搬送用ガスの導入を停止し（Ｓ１０´）、試料のエッチングを行う（Ｓ１３〜Ｓ２４）。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】微細化に伴うコントロールゲートの非対称性や素子の形状バラツキを解消する
【解決手段】（ａ）ウェハ基板（１５、２）の上に形成されたゲート絶縁膜（６）の上に、ワードゲート（４）を形成する工程と、（ｂ）ウェハ基板（１５、２）の表面と、ワードゲート（４）の側面と、ワードゲート（４）の上面とを覆う電荷蓄積膜（１３、７）を形成する工程と、（ｃ）電荷蓄積膜（１３、７）の表面を覆う導電体膜（１４）を形成する工程と、（ｄ）導電体膜をエッチングしてコントロールゲート（５）を形成する工程とを具備する製造方法で不揮発性半導体装置を製造する。ここにおいて、コントロールゲート（５）を形成する（ｄ）工程は、ウェハ基板（１５、２）が配置されたウェハステージ（２２）をカソード電極とし、カソード電極のバイアスパワーを１００Ｗ以上１５００Ｗ以下から選択されるエッチング条件に設定して異方性ドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【解決手段】内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、チャンバー内部に配設された電極と、チャンバー外部に配設されたコイルとを備えるドライエッチング装置を用いてドライエッチングした後、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時と同じ又は大きくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングし、更に、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時より小さくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングする。
【効果】本発明のクリーニング方法は、膜のドライエッチングによりドライエッチング装置のチャンバー内壁に付着した金属化合物などを簡易な方法によって、効率的、かつ確実に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】カソード電極３の上面部及び側面部にはガス噴出穴１３が複数開口されており、カソード電極３の下面部にはガス噴出穴１３と連通するガス供給口１４が形成されている。ガス供給口１４にはＨｅ又はＯ_２などのエッチング抑制ガス１５が供給されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】疎部及び密部のそれぞれにおいて、所望の寸法のデバイスパターンを簡単にエッチングにより形成できるようにする。
【解決手段】金属層１２上に２層のマスク層１３，１４を形成する工程と、２層のマスク層１３，１４に対して、各層ごとに、デバイスパターンを疎に形成する疎部または密に形成する密部におけるＣＤシフト量を調整する１種類のエッチングパラメータを変更させてエッチングを行い、マスクパターン１３−１〜１３−４，１４−１〜１４−４を形成する工程と、マスクパターン１３−１〜１３−４を用いて金属層１２をエッチングし、ゲート電極１２−１〜１２−４を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるＳｉエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Ｌを印加する。エッチングガスにはＢｒ_２ガスとＣｌ系の高分子ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】小型で、ワークの被処理面を局所的かつ連続的に安定してプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、板状のワーク１０を保持する保持部４と、保持部４に保持されたワーク１０の被処理面１０１に対面するように設置された第１の電極２１と、保持部４に保持されたワーク１０の被処理面１０１と反対側の裏面１０２の一部に対面するように設置された第２の電極２２と、第２の電極２２をワーク１０１の裏面１０２に沿って移動させる移動手段５と、ワーク１０の被処理面１０１上に処理ガスを供給する処理ガス供給手段６と、第１の電極２１と第２の電極２２との間へ通電する通電手段６とを有する。 （もっと読む）