【課題】有機シロキサンを主成分とする絶縁膜にエッチング処理によって凹部を形成する際に、凹部の底部に異常形状が形成されるのを抑制する。
【解決手段】層間絶縁膜を構成する有機シロキサンを主成分とする有機絶縁膜２に形成された溝や孔等のような凹部４内に導体膜を埋め込むことで埋込配線構造を構成する半導体集積回路装置の製造方法において、有機絶縁膜２上にフォトレジスト膜３を形成した後、そのフォトレジスト膜３をエッチングマスクとして有機絶縁膜２に溝や孔等のような凹部４を形成する際に、その凹部４の底部に異常形状が形成されるのを抑制するために、ＣＦ系のガス／Ｎ₂／Ａｒガスを用いたプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部４を形成した。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理範囲を大面積化することができると共に、均一な処理を行うことができ、しかも処理対象に応じて容易に設計変更が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】一端側の開口からプラズマ生成用ガスＧが流入すると共に他端側の開口から活性化されたプラズマ生成用ガスＧが流出する複数の貫通孔２と、各貫通孔２内でそれぞれ放電を発生させるための一対の電極３，４とが設けられた平板状の絶縁基材１からなる反応器Ｒを具備する。上記一対の電極３、４は層状に形成されて上記貫通孔２におけるプラズマ生成用ガスＧの流通方向で対向して両方とも絶縁基材１に埋設される。上記貫通孔２におけるプラズマ生成用ガスＧの流通方向において下流側の電極３の周端部を上流側の電極４の周端部よりも外側に突出させる。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング選択性及び微細加工性を示し、高密度プラズマ下においてもエッチング速度とエッチング選択性のバランスに優れたドライエッチングが可能であり、また、加熱処理を施しても応力緩和の小さいフルオロカーボン膜を成膜可能なプラズマ反応用ガスを提供すること。
【解決手段】パーフルオロ−(３−メチレンシクロペンテン)を含有してなるプラズマ反応用ガス。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板ホルダを提供する。
【解決手段】ホルダ本体１Ａの基板保持側に静電チャック３を備え、基板１０を静電吸着する基板ホルダ１であって、静電チャック３に内蔵され、基板１０を加熱する加熱手段４と、ホルダ本体１Ａの内部に形成され、循環媒体１０１を循環供給する循環媒体供給手段２に接続された循環媒体流通経路１００と、ホルダ本体１Ａと静電チャック３との隙間に伝熱ガスを封止して形成され、封止圧力を調整可能な伝熱ガス供給系１１０に接続された熱伝達能可変手段６と、静電チャック３と基板１０との隙間に伝熱ガスを封止して形成され、伝熱ガス供給系１２０に接続されたガス封止手段８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。
【解決手段】ホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法は、プラズマが生成される複数の下側凹部２４１が底面に形成されたホローカソード２４０と、複数の噴射口が形成されたバッフル２５０との間に流入したガスによってホローカソードプラズマを発生させて、基板支持部上に配置された基板Ｗを前記噴射口を通過した前記ホローカソードプラズマによって処理する。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−Ｋ膜へのダメージを抑制するとともに、フローが冗長化せずかつ微細化にも対応可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】少なくとも１層以上の層間膜を備える半導体装置の製造方法であって、（ａ）層間膜であるＬｏｗ−Ｋ膜１０２上に形成されたマスクを用いて層間膜にトレンチ開口部１１０を形成する工程と、（ｂ）アッシングプロセスによりマスクを除去すると同時にビア開口部１０６およびトレンチ開口部１１０に側壁保護膜１１１を生成する工程を備える。さらに、（ｃ）ビア開口部１０６およびトレンチ開口部１１０にＣｕを埋め込む工程を備えて構成される。 （もっと読む）

エッチングされた物品の製造方法。トリフルオロブタジエンおよびテトラフルオロブテンの群から選択されるＣ４化合物は、エッチングされた物品、例えば、半導体、例えば半導体メモリまたは半導体論理回路、フラットパネル、または太陽電池の製造において特に異方性エッチングのためにエッチングガスとして使用されうる。好ましい化合物は、熱的、塩基誘起または触媒による脱ハロゲン化水素化によって、特に触媒による脱フッ化水素化によってハロテトラフルオロブタンまたは１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタンから得られる１，１，３−トリフルオロ−１，３−ブタジエン、（Ｅ）−１，１，１，３−テトラフルオロ−２−ブテン、２，４，４，４−テトラフルオロ−１−ブテンおよび（Ｚ）−１，１，１，３−テトラフルオロ−２−ブテンである。Ｃ４化合物は、フォトレジストで保護された物品の直接エッチングを可能にするという特別な利点を有し、そこでフォトレジストのパターンは、１９３ｎｍの波長の光、またはさらに「極紫外線」によって規定される。非常に狭いギャップを有するノード、例えば、１３０ｎｍ、９０ｎｍ、４５または３２ｎｍおよびさらに２２ｎｍのギャップを有するノードを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理空間にガスを均一に供給するようにしたガス供給装置及びこれを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１のガスを提供する第１のガス供給源２１０；上記第１のガスの供給経路を提供する第１の供給ライン２１１；上記第１の供給ラインに連結され、上記第１のガスを供給場所の複数個所に供給する複数の第１の分岐ライン２１３；第２のガスを提供する第２のガス供給源２３０；上記第２のガスの供給経路を提供する第２の供給ライン２３１；及び、上記第２のガスを分類させる複数の第２の分岐ライン２３３；を備えて、複数の上記第２の分岐ライン２３３は、複数の上記第１の分岐ライン２１３の各々に一つずつ連結されることによって、基板の処理空間に対応される領域を分割してガスを供給することができるため、基板処理による工程の均一性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 オゾンガスと紫外線とを併用する酸化による表面処理方法において、酸化効率を向上させることのできる手段を提供する。
【解決手段】 キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦ₆等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜上のアモルファスシリコン膜を良好にドライエッチングする。
【解決手段】 ゲート絶縁膜３の上面には真性アモルファスシリコン膜２１およびｎ型アモルファスシリコン膜２４が成膜され、その上にはレジスト膜２６、２７が形成されている。そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および塩素ガス（１００〜１０００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、ｎ型アモルファスシリコン膜２４および真性アモルファスシリコン膜２１が連続してドライエッチングされ、そのエッチングレートは約１５００Å／ｍｉｎであった。この場合、真性アモルファスシリコン膜２１が完全に除去されると、下地の窒化シリコンからなるゲート絶縁膜３が露出され、この露出されたゲート絶縁膜３がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。したがって、この場合の選択比は約４である。 （もっと読む）

【課題】半導体、液晶、太陽電池およびＭＥＭＳ等の製造のプロセスで使用される薄膜形成装置の内部に付着する堆積物を選択的に除去することができ、毒性がなく、地球温暖化効果が小さいクリーニングガス及びそれを用いたクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２を含むクリーニングガス。ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２の含有率は、流量比１０〜１００％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理対象の被処理試料の歩留まりを向上させるため、試料台表面の異物除去機能を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室１０４と、処理室１０４内の下部に配置されその上面に処理対象の被処理試料１０２が載置される試料台１１３と、処理室１０４の上方に配置されこの処理室内に処理ガスを導入するための導入孔を有するガス導入機構を備えた真空処理装置において、試料台１１３は被処理試料１０２との間に伝熱ガス１１８を導入する溝１１７とガス供給口１１９を備え、真空容器内の試料台１１３に載置した被処理試料１０２或いは被処理試料と略同形のダミー試料２０２と試料台１１３の間にガス供給口１１９を介して除塵ガス１２０を導入する機構を備え、除塵ガス１２０による流体力で前記試料台１１３に付着している異物２０１を除去する。 （もっと読む）

【課題】光学素子の表面形状に依存することなく、しかも低コスト、小電力でしかも短時間で、光学素子表面に形成されたナノオーダの凹凸をエッチングして平滑化する。
【解決手段】光学素子２を原料ガス雰囲気中に複数段に亘り重ねて配置し、原料ガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の光を光学素子２に照射することにより、これを光学素子２の上段から下段へ順次透過させ、各光学素子２表面に形成された凹凸における少なくとも先鋭化部分において発生させた近接場光に基づいて原料ガスを解離させてエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電型が異なる不純物層を順に形成する場合に、先に形成した不純物層へのドーピング用の不純物が後に形成する不純物層に混入されることを抑制する。
【解決手段】ｐ⁺型第２ゲート層８を形成してから次のロットでｎ^-型チャネル層７を形成する工程に移行する前の工程として、ｎ^-型チャネル層７の成長温度よりも高い温度においてＣＶＤ装置内のＳｉＣコーティングの表面をエッチングするエッチング処理と、エッチング処理後にＣＶＤ装置内をｎ^-型チャネル層７の成長温度よりも高い温度で加熱する加熱処理とを行う第１の残留不純物除去工程と、ｎ^-型チャネル層７の成長レートよりも早い成長レートにて、後工程で成長させるｎ^-型チャネル層７と同じ導電型の不純物層をカーボン容器の内壁面のＳｉＣコーティングの表面にデポジションするデポジション工程を行う第２の残留不純物除去工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングの処理時間が長時間に亘った場合においても、エッチャントとデポとのバランスを一定条件に保ちつつ、均一のトレンチ形状の形成及びブラックシリコン現象の発生防止を図ることを目的とする。
【解決手段】エッチングガスと保護膜形成ガスとを反応処理室内で交互に切り替えて供給口を介して供給しつつ反応処理室内に高周波エネルギーを供給しドライエッチングをなし、当該ガス供給開始時点から所定時間内には反応処理室内の圧力に応じて当該反応処理室の排気口の開度を調整し、所定時間経過後に反応処理室内の排気口の開度を一定に調整する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマを用いるプラズマ処理において、被処理体の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、ウェハＷを収容するチャンバー１０′と、チャンバー１０′の上方にチャンバー１０′と連通するように設けられた誘電体からなるベルジャーおよびベルジャーの外側の周囲に巻回されたコイルを有するプラズマ発生部と、処理空間にプラズマ形成用のガスを導入するガス導入機構と、チャンバー１０′内に設けられたウェハＷが支持される載置台２１と、誘電体からなり載置台を覆うとともにウェハが載置されるマスクプレート（マスク）１７０とを具備し、マスクプレート１７０は、ウェハが載置されるウェハ載置領域（第１領域）１７０ａと、ウェハ載置領域１７０ａの周りの周辺領域（第２領域）１７０ｂとが同一の高さに構成されている。 （もっと読む）

【解決手段】半導体プラズマ処理装置内で基板アーキングを検出する方法が提供されている。プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板支持体上に、基板が載置される。処理ガスが、反応チャンバ内に導入される。処理ガスからプラズマが生成され、基板は、プラズマで処理される。プラズマ処理中に反応チャンバ内で生成された選択ガス種のリアルタイム質量分析信号の強度が、監視される。選択ガス種は、基板アーキング現象によって生成されたものである。強度が閾値を越えた時に、アーキング現象が検出される。 （もっと読む）