【課題】 マスキングにコストが嵩まず、処理時間を多大に費やさないプラズマエッチング法によって部分的にＤＬＣ被膜を除去するＤＬＣ被膜除去方法を提供する。
【解決手段】 略円柱の被加工物１０に、その長さ以上の長さを有し、被加工物１０の直径よりも大きい内径の円筒であるマスキング部材３０を、被加工物１０がすっかり覆われるように挿入してチャンバー内のカソード３に載置する。被加工物１０の外側面とマスキング部材３０の内面との間のマスククリアランス５０が１ｍｍ以下となるようなマスキング部材３０を使用する。マスキング部材３０の側面には略ひし形の開口部３１が複数設けられており、開口部３１で開放されている部分がエッチングされる。チャンバー内にはＡｒ混合比７０％以上のＡｒ，ＣＦ_４，Ｏ_２の混合ガスをガス圧２６Ｐａ以下で導入し、被加工物の側面温度を５０℃以上２５０℃以下に保ってエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 従来の多層配線構造においては、配線格子及び垂直接続孔の制限があるため、上層配線１の接続点と、下層配線２の接続点とを結ぶ接続配線は最短経路ではなかった。
そこで、本発明は、半導体装置の多層配線のうち、異なる配線層に属する所定の２点間を、短縮した距離で接続する接続配線を含む多層配線構造、及び、該多層配線構造中の該接続配線の形成方法を提供する。
【解決手段】
上記課題を解決するため、多層配線構造であって、第１の配線と、前記第１の配線が属する配線層とは異なる配線層に属する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線を接続する第３の配線を備え、前記第３の配線は、異なる配線層に属し、かつ、平面的に異なる位置にある２点を結ぶ立体対角線にそった配線を含むことを特徴とする多層配線構造を提供する。また、前記第３配線を形成する工程が、前記立体対角線に沿った貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電材料を充填する工程とを含むことを特徴とする多層配線構造を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体デバイス（２０５）における金属ゲートスタック（２００）を製作するためのプロセスを提供する。
【解決手段】本願の方法は、半導体基板（２２０）上に位置するゲート誘電体層（２１５）の上に金属層（２１０）を堆積させる段階を含む。本方法は、金属層（２１０）上にポリシリコン層（２２５）を形成する段階と、そのポリシリコン層（２２５）上に保護層（２３０）を生成する段階とを更に含む。本方法はは、また、保護層（２３０）上に無機反射防止被覆（２３５）を配置する段階を含む。他の実施形態では、金属ゲートスタックの前駆構造体及び集積回路の製造方法を含む。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理を用いた多孔質超低ｋ値（ＵＬＫ）絶縁体材料内に二重ダマシン構造を形成する方法に関して開示する。これらの方法においては二重ダマシンＵＬＫ処理中におけるハードマスク層を最小にし、最終的なＵＬＫ二重ダマシン構造内には、ハードマスク層が存在しない。ガスクラスターイオンビームのエッチング処理、緻密化処理、孔のシーリング処理、アッシング処理の各方法が記載されており、該方法は、材料の除去と同時にＵＬＫインターフェースの緻密化を進行させる。緻密なインターフェースとハードマスクがない新規なＵＬＫ二重ダマシン構造が含まれている。 （もっと読む）

パターニング方法は、相補的なレチクルの組を個別に転写することを可能にする。一実施形態においては、例えば本方法では、位相シフトマスク（ＰＳＭ）（１１２）をエッチングし、次にｃＰＳＭマスク（１１０）に対応するカットマスクをエッチングする。更に、分離相補型マスクパターン転写方法は２つの個別の、かつ分離されたマスクパターニング工程を含み、これらの工程では、像を最終ウェハパターニングの前に、複合パターンを、中間ハードマスク（１１２）に部分的に転写することにより形成する。中間ハードマスク材料（１１２）及び最終ハードマスク材料（１１０）は、像が最終エッチングプロセスの前に下層の基板（１０２）またはウェハに像が転写されることがないように選択される。
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本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路の内面のフルオロカーボンリッチプラズマ前処理を伴う。
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【課題】
【解決手段】処理チャンバ内で、基板上に少なくとも一つのシリコンゲルマニウム層を有するスタックをエッチングする方法を提供する。シリコンゲルマニウムエッチングを提供する。エッチャントガスは、処理チャンバ内に提供され、エッチャントガスは、ＨＢｒと、不活性希釈剤と、Ｏ₂及びＮ₂の少なくとも一方とを含む。基板は、４０℃未満の温度に冷却される。エッチャントガスは、シリコンゲルマニウム層をエッチングするために、プラズマに転換される。 （もっと読む）

【課題】 高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有する薄いシリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）構造体を形成する方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＧｅ層（１０４）をＳＯＩウェハ（１０２、１００）上に堆積する（３００）。ＳｉＧｅ及びＳｉ層の熱混合を遂行し（３０２）、高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有する厚いＳＧＯＩ（１０６）を形成する。次に、ＳｉＧｅ層（１１０）が所望の最終の厚さにまで薄くする（３０６）。この薄層化処理によって、Ｇｅ濃度、緩和量、及び積層欠陥密度は不変に保持される。このようにして、高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有するＳＧＯＩ薄膜が得られる。次に、Ｓｉ層（１１２）を薄いＳＧＯＩウェハ上に堆積する。薄層化方法には、低温（５５０℃−７００℃）ＨＩＰＯＸ又は蒸気酸化法、エピタキシ・チャンバ内でのその場の（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ＨＣｌエッチング法、又はＣＭＰ法がある。ＨＩＰＯＸ又は蒸気酸化薄層化から得られる粗いＳｉＧｅ表面は、タッチ・アップＣＭＰ法、歪みＳｉ堆積中でのその場の水素ベーク及びＳｉＧｅバッファ層、又は、ＨＣｌ、ＤＣＳ及びＧｅＨ_４の気体混合物を有する水素環境中でウェハを加熱する方法、を用いて平坦化される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板処理のシステムおよび方法には、プラズマ室に基板を装填しプラズマ室の圧力を所定の圧力設定値に設定することが含まれる。プラズマ領域を構成するいくつかの内面が約２００℃以上の処理温度に加熱される。プラズマを形成するために処理ガスがプラズマ領域に注入され、基板が処理される。 （もっと読む）

本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。
そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ₂ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。 （もっと読む）

【課題】 多層配線において、ショートやビア抵抗増加のような目合わせずれによる問題を回避し、信頼性の高い多層配線を得る。
【解決手段】 半導体装置は、第１配線層（２０１）と、層間絶縁層（２０２〜２０８）とを具備する。第１配線層（２０１）は、基板の上面側に設けられ、第１配線を含む。層間絶縁層（２０２〜２０８）は、前記第１配線層（２０１）上に設けられ、一方の端を前記第１配線に接続されたビアと、前記ビアの他方の端に接続された第２配線とを含む。前記層間絶縁層（２０２〜２０８）はシリコン酸化膜より低い比誘電率を有する。前記層間絶縁層（２０２〜２０８）の上部は、下側から順に、シリコン酸化膜（２０６）、シリコン窒化膜（２０７）、シリコン酸化膜（２０８）を備える。 （もっと読む）

【課題】 積層絶縁膜を良好に加工する方法、並びにその方法を用いた配線構造の形成方法を提供すること。
【解決手段】 互いに異なる複数の絶縁膜４、５（更には３）のそれぞれについて少なくとも反応ガスの種類及び／又はその供給量に対するエッチング速度の関係を求めておき、この関係に基づいて反応ガスの供給量を設定してエッチング速度を選択し、エッチングを行う。各絶縁膜のエッチング速度をそれぞれ適切に選択するので、複数の絶縁膜が積層していても、常に良好な加工形状を得ることができる。膜種ごとに異なるエッチング速度の反応ガスの供給量に対する依存性を、複数の絶縁膜の相互間で差別化し、積層絶縁膜のエッチング選択比を目的にあわせて適切に設定する。 （もっと読む）

【課題】 メインテナンス後に再装着しても割れることのない電極板を有するプラズマ装置を提供する。
【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜をエッチングする際に生じる反応副生成物を形成される素子に悪影響を与えることなく除去する。
【解決手段】強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 （もっと読む）