【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、広いプラズマ処理条件に対してマイクロ波の円偏波化が達成され、軸対称性の良いプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置の実現と処理方法を提供する。
【解決手段】反射波が有っても、マイクロ波の円偏波化が行える円偏波発生器を用いてプラズマ処理の軸対称性を高めるため、円矩形変換器４０２の円形導波管４０５側にスタブ４０３および４０４を設け、スタブ４０３および４０４は円柱状で先端部は半球状とした。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭ素子のような半導体装置において、半導体基板の溝部におけるゲート電極の埋設状態が良好となり、配線抵抗が低減され、素子特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面にゲート電極溝１３を形成する工程と、ゲート電極溝１３の内面に第１のバリア膜１６ａを形成する工程と、第１のバリア膜１６ａをエッチバックして、ゲート電極溝１３の底面に第１のバリア膜１６ａの一部を残存させながら除去する工程と、ゲート電極溝１３の内面と残存した第１のバリア膜１６ａの表面に第２のバリア膜１６ｂを形成する工程と、第２のバリア膜１６ａの表面にタングステン膜を形成する工程と、このタングステン膜及び第２のバリア膜１６ｂをエッチバックしてゲート電極溝１３内にそれぞれ一部を残存させながら各膜を一括除去する工程と、を具備する。 （もっと読む）

マスク層の下にアンダーカット形状を形成するエッチングプロセスによって基板にビアが形成される。ビアはコンフォーマルな絶縁層で覆われ、この構造にエッチングプロセスを実施して水平面から絶縁層を取り除くと共にビアの垂直な側壁の絶縁層を残す。ビアの上部領域はエッチバックプロセスの際、アンダーカットハードマスクによって保護される。
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【課題】側壁転写によるマスクパターンの倒れ、マスクパターンの接触を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１上に、第１のＴＥＯＳ酸化膜２、シリコン窒化膜３、第１のアモルファスシリコン膜４、第２のＴＥＯＳ酸化膜５を積層形成する。レジストによるパターニングでＴＥＯＳ酸化膜５を第１幅Ｄ１の中間パターン５ａに加工し、スリミング処理をして第２幅Ｄ２の芯材パターン５ｂを形成する。第２のアモルファスシリコン膜６を形成してスペーサ処理をすることで側壁膜６ａを形成し、芯材パターン５ｂを除去して孤立したマスクパターン６ｂを得る。下地に同じアモルファスシリコン膜４を用いるので、マスクパターン６ｂの倒れや接触の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを精度良く均一に、かつ、高選択比で形成することのできる半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に混合ガスからなる処理ガスを供給し、かつ複数種のガスのうち少なくとも１種のガスの流量を第１の時間中第１の流量とする第１工程と、第２の時間中前記第１の流量とは異なる流量の第２流量とする第２工程とからなる１サイクルの工程を、プラズマを途中で消すことなく連続的に少なくとも３回以上繰り返して行い、第１の時間及び第２の時間は、１秒以上１５秒以下、第１工程における処理ガスの総流量と、第２工程における前記処理ガスの総流量は、同一若しくは異なる場合は、総流量の差が多い方の総流量の１０％以下であり、第１工程と第２工程のいずれにおいても被エッチング膜のエッチングを進行させるガスを処理ガス中に含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】面取り基板のルーティング方法を提供する。
【解決手段】基板４の環状周囲ゾーン上にプラズマを用いて保護材料層６を堆積するステップと、前記基板の正面４１上に前記基板の縁部４３から所定の距離に延在する保護材料リング６０を残してアクセス可能な環状周囲ゾーン４００’の境界を定めるようにプラズマを用いて前記保護材料を部分的にエッチングするステップと、基板４の前記アクセス可能な環状周囲ゾーンを有するレベルのプラズマを用いてルーティングされる前記基板を構成する材料の厚さをエッチングするステップと、プラズマを用いて保護材料リング６０を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体デバイス製造に関わる一部の厳しい処理の間に繊細なナノ構造を保護するのに役立つように高アスペクト比ナノ構造の表面を処理するための方法が提供されている。高アスペクト比ナノ構造を含むウエハは、ナノ構造の表面の疎水性を高めるために処理される。その処理は、後に行われる湿式洗浄処理中に損傷されないようにナノ構造の表面を化学変化させるプライマの提供を含んでよい。次いで、ウエハは、例えば、湿式洗浄処理の次に乾燥処理を行うなど、さらに処理されてよい。ナノ構造の高い疎水性は、ナノ構造の崩壊を低減または防止するのに役立つ。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ化して基板上の被エッチング膜をドライエッチングするにあたり、基板に対して均一性高くエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を搬入して載置台に載置する工程と、少なくとも表面部の主成分が基板の被エッチング膜の主成分と同じ材質であるリング部材を基板を囲むように配置した状態で、基板に対向するガス供給部から処理ガスをシャワー状に吐出すると共に処理ガスをプラズマ化して被エッチング膜をエッチングする工程と、前記処理容器内を排気路を介して真空引きする工程と、を含むようにエッチングを行う。それによって基板の周端部付近におけるプラズマの活性種の分布の偏りを抑える。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の入力パワーに対して、プラズマ発生効率が良好で、エッチング速度が早く、スループットが高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理物（６）をプラズマ室（３３ｂ）にセットし、誘導結合コイル（４）を誘電板（３４）を隔ててプラズマ室（３３ｂ）に隣接して設け、誘導結合コイル（４）に高周波電力を印加してプラズマ室（３３ｂ）にプラズマを発生させて処理物（６）を処理する。コイル室（３３ａ）の内部はプラズマが発生しない放電限界圧力に減圧されており、誘電板（３４）の厚みを従来に比べて薄くでき、誘導結合コイル（４）で生成する電磁波の誘電板（３４）での減衰を低減して、プラズマ発生の効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、スパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜し、レジストの塗布、硬化処理、露光、さらに現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液や膜を除去するための溶液などを必要とし工程が複雑である。簡略なエッチング方法を実現する。
【解決手段】転写体１０は、基材１と、基材１上にパターン形成された剥離層２と、剥離層２上に形成された接合膜３とを備える。このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
巻取り式の真空処理装置をＲＦ電力を用いるプラズマ加工装置に適用するに際し、異常放電の発生を抑え、しかも比較的低コストで基板を処理できるようにしたエッチング装置を提供する。
【解決手段】
本エッチング装置は、処理すべきウエブ基板が接触して通過する処理ローラの一部を受けるように設けられ、高真空に排気される処理室と、処理すべき基板を案内しかつ移送する移送室と、処理室と移送室とを分離する仕切り壁部材とを有し、処理ローラをＲＦ電源に接続し、処理室にプラズマ生成用のガスを導入して処理室内にプラズマを発生させ、移送室が処理ローラの一部を受ける中央領域と巻出軸及び巻取軸の設けられる側部領域とを備え、移送室の中央領域と側部領域とがＮ_２ガスカーテンで仕切られる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチングに適したエッチング方法及びエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】ワークピースをテクスチャリングもしくは製造する方法を開示する。ワークピースは、たとえば太陽電池であってよい。テクスチャリングは、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状が絶縁性調整器により調整されたプラズマを用いたエッチングもしくは局所的スパッタリングであってよい。エッチング工程間もしくはスパッタリング工程間でワークピースを回転させてピラミッドを形成してよい。絶縁性調整器により調整されたプラズマから形成されるイオンにより、ワークピースの領域をエッチングもしくはスパッタリングして、ドーピングしてもよい。これらのドープ領域に金属層を形成してよい。 （もっと読む）

【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【課題】より安価に超微細な加工が可能な微細加工方法を提供する。
【解決手段】
基板の微細加工方法は、薄膜形成過程と、Ｖ字溝形成過程と、薄膜エッチング過程と、基板エッチング過程と、薄膜除去過程と、からなる。薄膜形成過程は、基板１よりも軟性を有し、基板１に対して選択エッチングが可能であり、且つ可塑性を有する薄膜２を基板１上に形成する。Ｖ字溝形成過程は、薄膜２よりも硬性を有する少なくとも断面がＶ字形状のＶ字工具４を薄膜に押圧させ、基板１まで達さない少なくとも断面がＶ字形状のＶ字溝３を薄膜２に形成する。薄膜エッチング過程は、Ｖ字溝３の先端が開孔して基板１が露出するように薄膜２をエッチングする。基板エッチング過程は、薄膜２をマスクとして基板１をエッチングする。薄膜除去過程は、基板１上から薄膜２を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部１０３を有するフォトレジスト膜１０２が形成された基板１０１をエッチングチャンバ内に設置する設置工程と、フォトレジスト膜１０２をマスクとして、ＳｉＦ_４とＯ_２とを含むガスを用いて、エッチングチャンバ内に設置された基板１０１をエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程に続いて、ＳＦ_６とＯ_２とＨＢｒとを含むガスを用いて基板１０１をエッチングし、基板１０１に穴１０７を形成する第２のエッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて簡易な補正コイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、プロセス条件に応じてスイッチング機構１１０により補正コイル７０の通電デューティ・レシオを可変するようにしている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、対レジスト選択比や加工形状のエッチング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるＣＦ₄を実質的に副生しない新規なエッチングガスを提供する。
【解決手段】
ＣＨＦ₂ＣＯＦを含んでなるエッチングガスであって、Ｏ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｆ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＸＦ_n（式中、ＸはＣｌ、ＩまたはＢｒを表し、ｎは１≦ｎ≦５の整数を表す。）、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃、Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなど、または、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂，Ｃ₂Ｈ₄，Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₄、Ｃ₃Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ₃、Ｈ₂など、または、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃の中から選ばれた少なくとも１種のガスを添加物として含むエッチングガス。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果を抑えつつ開口幅の異なる溝を同時に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工部材１上の第１のマスク膜２上に、第１のアスペクト比を有する溝４ａを含む小開口パターン領域５ａと第１のアスペクト比よりも小さい第２のアスペクト比を有する溝４ｂを含む大開口パターン領域５ｂを含むパターンを有する第２のマスク膜３を積層する工程と、第２のマスク膜３のパターンを第１のマスク膜２に転写する工程と、小開口パターン領域５ａの第２のマスク膜３を選択的に除去する工程と、小開口パターン領域５ａの第２のマスク膜３を選択的に除去した後、第１のマスク膜２および第２のマスク膜３をマスクとして用いて被加工部材１にエッチングを施し、溝を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

エッチング基板、特に光吸収性エッチング基板、及びこのような基板の製造方法について記載する。 （もっと読む）