【課題】露光時の剥れが抑制される感光性レジストパターンの形成方法、及びそれを利用した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ドライエッチングが施されたシリコン基板の表面に対して、酸溶液又はアルカリ溶液によりウエットエッチング処理を施す工程と、ウエットエッチング処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基で終端させる表面処理を施す工程と、水酸基で終端させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理を施す工程と、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、感光性レジストパターンを形成する工程と、を有する感光性レジストパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】光電変換層への太陽光の入射効率の良好であり、光電変換効率の高い光電変換素子を製造可能な光電変換素子用シリコン基板を歩留まり良く製造する。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板１０の一主面１０ｓに、ドライエッチングに対して耐性を有し、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第１粒子と、第１粒子よりも耐性が低く、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第２粒子と、第１粒子よりも耐性が低い結着剤とを含む液状組成物を塗布成膜してマスク材を配する工程と、マスク材が配された主面１０ｓにドライエッチングにより太陽光の反射を抑制する凹凸構造１０ｔを形成する工程と、凹凸構造１０ｔに、水素ガスによるドライエッチング処理と、希フッ酸中に浸漬させる処理を順次実施する洗浄工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層への太陽光の入射効率の良好であり、光電変換効率の高い光電変換素子を製造可能な光電変換素子用シリコン基板を歩留まり良く製造する。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板１０の一主面１０ｓに、ドライエッチングに対して耐性を有し、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第１粒子と、第１粒子よりも耐性が低く、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第２粒子と、第１粒子よりも耐性が低い結着剤とを含む液状組成物を塗布成膜してマスク材を配する工程と、マスク材が配された主面１０ｓにドライエッチングにより太陽光の反射を抑制する凹凸構造１０ｔを形成する工程と、凹凸構造１０ｔを、マイクロバブル及び超音波が断続的に、又は、連続的に供給されている希フッ酸中に浸漬させて凹凸構造１０ｔの表面を洗浄する工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】環境負荷のない水素を用いて、太陽電池用のシリコン系基板表面にテクスチャーを広い面積に形成できるシリコン系基板表面粗面化処理方法およびその装置を提供する。
【解決手段】粗面化処理装置１０を用い、シリコン系基板Ｗを処理室１に載置する基板供給工程と、処理室１を真空ポンプ１６により減圧する減圧工程と、減圧した状態を保持しながら処理室１にプラズマ化工程を行って生成した水素活性種Ｈ^*をプラズマ発生室２から供給してこの水素活性種Ｈ^*でシリコン系基板Ｗをエッチングするプラズマ供給工程と、を行って、シリコン系基板Ｗの表面に凹凸構造を形成する。前記プラズマ化工程は、マスフローコントローラ２１により水素Ｈ₂をプラズマ発生室２に供給しながら、プラズマ源３によりプラズマ発生室２に高周波電力を印加することで水素Ｈ₂をプラズマ化する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。石英管４、真鍮ブロック５、蓋６には冷媒流路が設けられ、冷媒としての水が流れることによって各部材が冷却される。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチの深さのばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、所望の深さよりも浅い深さを持つトレンチ１６をＳｉ基板１０の主面に形成する。次に、トレンチ１６の深さを測定する。トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０に酸素イオン１８を注入する。この際に、測定したトレンチ１６の深さと所望の深さの差に基づいて酸素イオン１８の注入エネルギーを調整して、Ｓｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８が注入されるようにする。次に、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置にＳｉＯ_２膜２２を形成する。次に、ＳｉＯ_２膜２２をエッチングストッパとして用いて、トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０を更にエッチングしてトレンチ２４を形成する。その後、ＳｉＯ_２膜２２を除去する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを高くしつつ、均一な角度の側壁面を有するトレンチを形成できるトレンチ形成工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アスペクト比が所定値となるまでは保護膜形成工程と保護膜剥離工程およびエッチング工程の３工程によってトレンチ１２の底部を掘り進め、アスペクト比が所定値以上となると保護膜形成工程とエッチング工程の２工程によってトレンチ１２の底部を掘り進める。これにより、アスペクト比が所定値以上となったときに、ダメージ層１４の厚みに応じてトレンチ１２のうちエッチング工程によってエッチングされる幅が狭くなるようにでき、半導体基板１０のうちダメージ層１４とダメージ層１４ではない部分の境界の角度がほぼ所望の角度となるようにできる。また、高アスペクト比の領域では２工程によってトレンチ１２の底部を掘り進められるため、エッチングレートも増大する。 （もっと読む）

【課題】イットリア系の皮膜で被覆された部材であって、主に、半導体や液晶製造用等のプラズマ処理装置部材として用いることができ、表面が緻密で滑らかであり、プラズマ処理時にパーティクルや金属不純物の発生によって被処理品を汚染することがなく、かつ、耐久性に優れた耐食性部材を提供する。
【解決手段】セラミックス又は金属からなる基材の少なくともプラズマ又は腐食性ガスに曝される部位の表面に、イットリア系耐食膜が形成された耐食性部材において、前記耐食膜の少なくとも表面層を、イットリアを主成分とし、他は五酸化タンタル又は五酸化ニオブのいずれか１種以上を前記イットリア１００ｍｏｌ％に対して０．０２ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有している組成とする。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板１上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜２と、遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる反射防止膜３と、反射防止膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜４とを有し、エッチングマスク膜の膜厚が２〜１５ｎｍで、２５０ｎｍ以下の露光波長の光を用いて０．１μｍ以下のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィーにおいて用いるバイナリーマスクの素材となるフォトマスクブランク。
【効果】形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造できる。 （もっと読む）

【課題】金属マスクを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、金属片が支持基板に付着することを防止する。
【解決手段】この製造方法は、支持基板１０の表面１０ａに貼付された半導体ウェハ１２上にネガレジストを塗布し、該ネガレジストを露光することにより所定のパターンを有するレジスト１８を形成するレジスト形成工程と、半導体ウェハ１２上にメッキ処理を施すことにより金属マスク２０を形成したのちレジスト１８を除去する金属マスク形成工程と、金属マスク２０を介して半導体ウェハ１２にエッチングを施すことにより、貫通孔１２ｄを形成するエッチング工程と、金属マスク２０を除去したのち、貫通孔１２ｄの内面及び半導体ウェハ１２の裏面１２ｂに金属膜２６を形成する金属膜形成工程と、半導体ウェハ１２を支持基板１０から取り外す取外し工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートあるいは所望の加工形状をウエハ面内で均一に得ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置１１３と、前記真空処理容器内に試料を載置して保持する載置電極１１５と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源１１７と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイル１０７，１０８，１０９と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置１０１とを備え、前記高周波バイアス電源は２ＭＨｚ以上の高周波であり、前記載置電極上の前記真空処理容器のプラズマ生成領域に対向する面に形成されたアース領域の高さ以下の領域の磁束密度は２０ｍＴ以下である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル基板と製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル基板は結晶性基板を備える。結晶性基板は微細な凹凸を備えるとともにパターニング不要のエピタキシャル表面を有する。本発明によるエピタキシャル基板は化合物半導体材料から、良好な品質のエピタキシャル層の成長を得るという利点を有する。さらに、本発明によるエピタキシャル基板の製造方法は低コストかつ製造時間短縮といった利点を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを、生産性良く、低コストで、且つ信頼性良く製造する配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１に第１電極３及び第２電極７が形成される。第１電極３及び第２電極７を連通するように形成された微細穴の側壁部及び底部に、導電膜９を形成してコンタクトホール２を形成する。この配線基板１００の製造する際に、微細穴を形成する微細穴形成工程において、微細穴の側壁部の開口端側に相対的に浅い溝からなる第１溝領域４が形成され、微細穴の側壁部の底部側に相対的に深い溝からなる第２溝領域５が形成される。このように区分けした溝領域４，５のうち、第２溝領域５に導電性材料を含有する液体を付与して、導電膜９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】エッチングの異方性と、エッチングレートとを高めることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング方法では、接地された真空槽１１内に処理対象物である基板Ｓを搬入する以前に、真空槽１１に供給される成膜ガスを下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して、該真空槽１１の内壁１１ｂに絶縁膜Ｉを形成する絶縁膜形成工程を実施する。その後、真空槽１１内に供給されるエッチングガスを真空槽１１内に配設された下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して真空槽１１内に搬入された基板Ｓを該プラズマによってエッチングするエッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】未使用の誘電体を取り付けた直後から、又は極めて短い時間のダミー放電をするだけで、望ましいエッチングレートで安定して基板をエッチングすることが可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板１４が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間１６を形成し、処理空間１６と外部とを連通する開口２０が設けられた処理容器１８と、誘電体を有し、処理容器１８に着脱自在であって、処理容器１８に取り付けた場合に開口２０を塞ぐ隔壁２２と、隔壁２２が有する誘電体を介して処理空間１６に導入され、プロセスガスをプラズマ化する電磁波を生成するコイル２４とを備えるドライエッチング装置１０であって、誘電体の処理空間側の面が研磨面となっている。 （もっと読む）