【課題】結晶欠陥および金属汚染低減が可能な半導体基体の処理方法、そのための装置、また、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣとＮとを含む混合ガスをプラズマ化してＣＮ活性種を生成し、生成したＣＮ活性種により半導体基体１１の半導体層の表面を処理する。特に、前記処理としては、前記半導体基体１１の表面の半導体層を前記ＣＮ活性種によりパッシベートすることを含む。さらに、そのことにより、表面汚染金属および半導体中の欠陥を除去する。 （もっと読む）

【課題】 より平滑な表面を持ち、かつ、更なる薄膜化を達成することが可能なアモルファスシリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを供給し、下地２表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層３上にアモルファスシリコン膜４を、層成長する厚さに形成する工程と、層成長する厚さに形成されたアモルファスシリコン膜４をエッチングし、該アモルファスシリコン膜４の膜厚ｔを減ずる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】マスクをプラズマから保護することができ、形成する穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上方にパターニングされたシリコン酸化膜が形成されてなる被処理基板におけるシリコン層を第１の処理ガスによりエッチングして穴部を形成するプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを含む第２の処理ガスによりシリコン酸化膜の表面に保護膜を堆積させる第１の堆積ステップＳ１１と、第１の処理ガスによりシリコン層をエッチングする第１のエッチングステップＳ１２と、穴部の側壁に第２の処理ガスにより保護膜を堆積させる第２の堆積ステップＳ１３と、第１の処理ガスによりシリコン層を更にエッチングする第２のエッチングステップＳ１４とを有し、第２の堆積ステップＳ１３と第２のエッチングステップＳ１４とを少なくとも２回ずつ交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】特殊な装置を用いることなく、好適なエッチングレートを維持しつつ、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ＳＦ_６からなるガスに、酸素を添加するとともに、ＳＦ_６に対する流量比を０．２２以上０．６７以下に調整してＳｉｘＦｙで表されるフッ化ケイ素ガスを添加したエッチングガスをプラズマ化して、シリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基本波の波長が赤外域の超短パルスレーザ光でレーザ加工を行う際に、被加工物上に堆積するデブリがより少ないレーザ加工を実現すること。
【解決手段】レーザ発振器１から出射されるパルスレーザ光を、シリコンを主成分とする被加工物１５に照射することでレーザ加工を行う際に、パルスレーザ光は、パルス幅が３０フェムト秒以上１００ピコ秒以下、かつ基本波の波長が赤外域のものとする。加工する際には、パルスレーザ光を透過する窓４ａを有するチャンバ４に被加工物１５を収納し、チャンバ４に六フッ化硫黄の反応性ガスを導入する。次いで、チャンバ４に導入した反応性ガスの分圧を１０ｋＰａ以上５００ｋＰａ以下に保ちながら窓４ａを介して被加工物１５にパルスレーザ光を照射することでレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成するエッチングに際してより均一なエッチングを可能にする方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される１０４。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される１０８。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される１１２。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される１１６。蒸着ガスから、プラズマが形成される１２０。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される１２４。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる１２８。 （もっと読む）

【課題】光散乱封じ込め効果を有効に発揮すると共に、後工程で所定の薄膜を形成するような場合でも、カバレッジよく成膜できるようにしたテクスチャー構造を持つシリコン基板を効率よく製造できる低コストのドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗを配置した減圧下の成膜室１２内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第１のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面をエッチングする第１工程と、第１工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第２エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の部位に応じて異なるエッチング量を実現可能な加工方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー（１１）内に設けられた一対の電極の一方の表面に加工対象物（２０）を配置するステップと、チャンバー（１１）内にエッチングガスを導入するステップと、一対の電極間に電圧を印加して一対の電極間にプラズマを発生させることで加工対象物（２０）をエッチングするステップと、を備え、加工対象物（２０）が、その第１部位より第２部位において高いエッチングレートで加工されるように、少なくとも一方の電極として、電極表面の第１部位に対応する位置に凹部（１３ａ）が設けられ、電極表面の第２部位に対応する位置に凸部（１３ｂ）が設けられた電極を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生室に誘導結合方式で放電プラズマを発生させるようにしたエッチング装置１において、主としてラジカルでエッチングが進行する場合にエッチング速度が向上するようにする。
【解決手段】誘導放電式でプラズマが発生されるプラズマ発生室３ａ及びこのプラズマ発生室に連通し、エッチング処理すべき被処理物Ｓが配置される待機室３ｂとを有する真空チャンバ３と、プラズマ発生室に所定のエッチングガスを導入するガス導入手段９とを備える。そして、エッチングガス及び被処理物の種類により、主としてラジカルでエッチングが行われる場合、プラズマＰ発生領域に被処理物Ｓが存するように、待機室に配置された被処理物の位置を変更する位置変更手段１０、１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をエッチングして穴部を形成する際に、穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるとともに、高速にシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の上方にレジスト層が形成されてなる被処理基板が設置されている処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給したエッチングガスをプラズマ化したプラズマにより、シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ化硫黄ガスの流量に対する酸素ガスの流量の流量比を第１の流量比とした状態でエッチングする第１のステップＳ１と、流量比が第１の流量比から第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながらエッチングする第２のステップＳ２と、流量比を第２の流量比とした状態でエッチングする第３のステップＳ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルと、大気圧以下に減圧可能な洗浄室と；洗浄室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、純水、フッ化水素水からなる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む乾燥ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板を貫通するビアホールの形成時におけるノッチの発生を抑制することができ、製造歩留まり及び信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 シリコン基板貫通電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面側に機能素子と配線層１５が形成され、且つ配線層１５の下層にエッチング停止層１２を有するシリコン基板１０の表面側に支持基板３０を取着した後、基板１０の裏面側を研削して厚みを減少させる。次いで、基板１０の裏面側に、ビアホール用開口及び該開口よりも小径のダミーホール用開口を有するマスクを形成した後、基板１０の裏面側からエッチングすることにより、配線層１５の一部に達するビアホール４２を形成すると共に、基板１０の途中までダミーホール４３を形成する。次いで、ビアホール４２の側面に絶縁膜４４を形成した後、ビアホール４２内に配線材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの表面に膜を成長させる技術であって、半導体装置を効率よく製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、チャンバ内に配置された半導体ウエハの表面に膜を成長させる動作と、チャンバ内に配置された半導体ウエハと前記膜とをエッチング可能なエッチングガスをチャンバ内に導入する動作とを実行可能な半導体製造装置のチャンバ内に半導体ウエハを搬入する搬入工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第１エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第１成膜工程と、チャンバから半導体ウエハを搬出するとともに、チャンバに別の半導体ウエハを搬入する入れ換え工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第２エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第２成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハに貫通孔を形成することが不可欠なチップサイズパッケージや３次元積層型のパッケージについて、シリコンウエハに直接識別記号を形成する技術を提供することを目的とした
【解決手段】少なくとも、シリコンウエハ上に感光性レジストを塗布する塗布工程、感光性レジストを所定のパターンを有する濃度分布マスクを介して露光する露光工程、感光性レジストにシリコンウエハが露出する開口部と露出しない開口部とを形成する現像工程、ドライエッチングにより感光性レジスト開口部に対応する部位のシリコンウエハを除去してシリコンウエハに導通用の貫通孔と非貫通孔から構成される識別記号とを同時に形成する工程、残余の感光性レジストを除去する工程、とを有することを特徴とするシリコンウエハの加工方法である。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いて被処理物に対するより効果的な処理が可能となるレーザ処理装置及び方法を提供することである。
【解決手段】液体の存在のもとで被処理物１００の表面にレーザビームを照射して当該被処理物を処理するレーザ処理装置であって、気体供給機構３４と、液体に前記気体供給機構からの気体を加えて気体含有液を生成する気体含有液生成機構３６、３８、３９と、処理槽１１内において、少なくとも被処理物１００の処理すべき部位を前記気体含有液生成機構からの気体含有液が満たされた状態を形成する処理状態形成機構１５ｃとを有し、前記気体含有液が満たされた状態の被処理物１００の表面の処理すべき部位に前記レーザビームを照射する構成となる。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域が形成される半導体層のチャネル形成領域と逆側近傍の加工方法を工夫した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】少なくとも結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも第１のエッチングと第２のエッチングを行い、第１のエッチングは非晶質半導体膜の一部を残存させつつ行い、第２のエッチングは非晶質半導体膜上の被覆膜を除去させた後に、非晶質半導体膜に対するエッチングレートが高く、且つ結晶性半導体膜に対するエッチングレートが低い条件により行い、積層半導体膜に設けられた結晶性半導体膜の一部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理後の放置時間の長短に係わらず、効率的に堆積物を除去することができ、かつ、パターン中の構造物の二酸化シリコンに対するダメージを抑制することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後、前記基板を、処理チャンバー内でフッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒し、かつ、前記アルコールガスの分圧を第１の分圧とする第１の期間と、処理チャンバー内を排気し前記アルコールガスの分圧を第１の分圧より低い第２の分圧とする第２の期間とを、複数サイクル繰り返すサイクル処理工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン球状体の上の半球部分のみならず下の半球部分にもテクスチャー形状を形成できるシリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法を提供する。
【解決手段】電極２上に載置して真空雰囲気内でテクスチャーを加工される加工電極装置は、シリコン球状体１４の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有する。加工方法は、前記処理基板に、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°になるように構成した磁石１２を組み込み、反応性イオンエッチング法により、エッチングガスとしてμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスと、マスク材をより効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスと、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガスとを含むガスを使用して、シリコン球状体の表面に微細なμテクスチャーを加工する。 （もっと読む）

【課題】大気圧下での基板のエッチングにおいて、反応室内でＣｌＦ_３などプロセスガスによるエッチングとＮ_２ガスなどによる基板冷却同時に実現可能とすること。
【解決手段】大気圧下でのエッチング処理において、基板裏面側にベルヌーイチャックで保持し、このベルヌーイチャックに冷却ガスを供給することによって基板裏面を冷却しながら、基板表面をプロセスガスによってエッチングする。
本構成によって、プロセスガスによるエッチングと冷却ガスによる基板冷却を同時に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 全てのウエーハのエッチング量を容易に測定可能なエッチング量検出方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの被エッチング面にエッチング不要領域を有するウエーハをエッチングした際のエッチング量を検出するエッチング量検出方法であって、ウエーハをエッチングする前にウエーハの該エッチング不要領域上に耐エッチング部材を配設する耐エッチング部材配設ステップと、該耐エッチング部材が配設されたウエーハの被エッチング面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、該耐エッチング部材の厚みを除いた未エッチング領域の厚みとエッチングされた領域の厚みを測定し、エッチングで除去された厚みを検出するエッチング量検出ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）