【課題】エッチングの異方性と、エッチングレートとを高めることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング方法では、接地された真空槽１１内に処理対象物である基板Ｓを搬入する以前に、真空槽１１に供給される成膜ガスを下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して、該真空槽１１の内壁１１ｂに絶縁膜Ｉを形成する絶縁膜形成工程を実施する。その後、真空槽１１内に供給されるエッチングガスを真空槽１１内に配設された下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して真空槽１１内に搬入された基板Ｓを該プラズマによってエッチングするエッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の内側に設けられた誘電体保護カバーが局部的に削られて消耗することを抑制することができ、誘電体保護カバーの長寿命化により生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその誘電体窓構造を提供する。
【解決手段】誘電体窓の外側に配設された高周波アンテナに高周波電力を印加して処理空間に誘導結合プラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、誘電体窓は、処理空間と高周波アンテナとの間に介在するように配設され誘電体からなる窓部材と、窓部材を支持するための梁部材と、窓部材の処理空間側の面、及び、梁部材の処理空間側の面を覆いプラズマから保護する誘電体保護カバーと、少なくとも、梁部材と誘電体保護カバーとの間に設けられ、保護カバーの誘電率よりも低い誘電率を有する材料で形成された低誘電率誘電体層とを具備している。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板裏面をソース電極として使用するＬＤＭＯＳＦＥＴにおいて、出力効率向上のため、基板抵抗を下げようとして高濃度ボロンドープ基板を用いると、ソースドレイン間のリーク不良が、多発することが、本願発明者等によって明らかにされた。更に、この不良解析の結果、ソース不純物ドープ領域からＰ型エピタキシ層を貫通してＰ型基板に至るＰ型ポリシリコンプラグに起因する不所望な応力が、このリーク不良の原因であることが明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 （もっと読む）

【課題】基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラを発生させているエッチング装置を判別することにより、被処理基板におけるエッチングムラの発生を抑制して、歩留まりの低下を抑制することができるエッチング装置の検査方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理が施された被処理基板２０を搬送させながら、被処理面２０ａに照明ランプ３２による照射光２２を照射させた状態で、ラインセンサー３３により、被処理面２０ａの画像データを撮影し、該画像データに基づいて、被処理面２０ａに形成されたエッチングパターンを特定する。そして、前記エッチングパターンのデータと被処理面２０ａに形成される予定のエッチングパターンのデータとを比較して、基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラの発生の有無を判定し、エッチング装置に欠陥があるか否かを検出する。 （もっと読む）

【課題】マスク選択比を大きくでき、異方性に優れ、深くエッチングすることのできるエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、真空チャンバ１内に設けた基板電極６に対向して電位的に浮遊状態に維持された浮遊電極を設け、この浮遊電極の基板電極に対向した側に、エッチング保護膜を形成する材料１３を設け、浮遊電極に高周波電力を間欠的に印加させる制御手段１４を設けて構成される。エッチング方法は、基板電極に対向して設けた浮遊電極の基板電極に対向した側に設けた、エッチング保護膜を形成する材料をターゲット材として用い、主ガスとして希ガスのみを用い、浮遊電極に高周波電力を印加して基板上にスパッタ膜を形成し、その後、浮遊電極への高周波電力の印加を止め、真空チャンバにエッチングガスを導入して基板をエッチングし、基板上におけるスパッタ膜の形成とエッチングとを予定のシーケンスで繰り返すように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＳＦ_６ガスとおよびＯ_２ガスを用いてシリコン及びＳＯＩ基板にＴｒｎｃｈ又はＶｉａを形成する際に、マスク加工寸法異常やマスク消失を抑制し、かつウエハ面内の形状差を抑制する方法を提供する。
【解決手段】シリコン及びＳＯＩ基板２に溝および／または穴を形成するエッチング方法であって、フッ素含有ガスと酸素含有ガスと珪素含有ガスの混合ガスを用いて、プロセスガス導入口４から反応容器１内に導入して混合ガスプラズマを生成し、反応容器１内に設置する基板２を載置する電極（試料台）３内外に温度差を設け、かつ高周波バイアス電源１１から高周波電力を時間的に変調した間欠的な高周波のバイアスを印加する。 （もっと読む）

【課題】コンベアを有する表面処理装置において、被処理物を均一に加熱する。
【解決手段】ローラ２３を含むコンベア２０にて被処理物９を搬送し、ノズル１０からの処理ガスを被処理物９に接触させる。コンベア２０のノズル１０の直下又はノズル１０より搬送方向の上流側には、加熱手段３０を設ける。加熱手段３０を互いに別体をなす複数の加熱部３１に分離する。各加熱部３１を、対応するローラ１２に沿って延びる直線状にする。加熱部３１の長さを、被処理物９の処理されるべき領域のローラ軸線に沿う幅と略同じか上記幅より大きくする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、３つ以上並べられた電極のうち内側電極の下端部が、沿面放電に起因する腐蝕性成分により腐蝕するのを防止する。
【解決手段】３つ以上の板状の電極２１を並べる。各電極２１の放電生成面２７を板状の固体誘電体からなる誘電部材３０にて覆う。電極２１の側部に設けたパージノズル７０からパージガスを吹き出す。パージガスが、内側の電極２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの下端面に沿って流れる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のチャネル部分等のエッチングを効率化し処理タクトを短縮する。
【解決手段】被処理物９を大気圧近傍の圧力の搬送経路１１に沿って連続的に搬送する。搬送経路１１の上流側の位置において、供給ノズル２１からエッチング液を被処理物９に供給し、金属膜９７をウェットエッチングする。続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。フッ素系反応成分は、大気圧プラズマにて生成する。被処理物９の搬送速度に応じて、被処理物９が処理空間１９を通過する期間中のエッチング深さが、不純物がドープされた膜部分９６の厚さとほぼ等しくなるよう、エッチングレートを設定する。 （もっと読む）

【課題】３次元トランジスタ構造のＰolyシリコンゲート側壁の窒素含有シリコン膜をシリコン基板削れを抑制しつつ、所望の形状に加工する方法を提供する。
【解決手段】３次元トランジスタ構造上の窒素含有シリコン膜をプラズマエッチングするために、堆積性の高いガスでエッチングする第１ステップと、堆積成分を除去する第２ステップとを有し、前記第１ステップと前記第２ステップを交互に繰り返すことにより、Ｐolyシリコンゲート電極３１の側壁にのみ窒素含有シリコン膜３４を残し、かつ、シリコン基板３３の削れを抑制するようにエッチング加工する。 （もっと読む）

【課題】生産のリードタイムが短く、小フットプリント化を実現できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを搬送する搬送装置２と、基板Ｋ上にエッチング液を供給して金属膜をエッチングする第１エッチング部１０と、金属膜エッチング後の基板Ｋを洗浄する第１洗浄部１５と、洗浄後の基板Ｋを乾燥させる第１乾燥部２０と、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含む処理ガスを用い、略大気圧下で、基板Ｋ上のシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング部３０と、シリコン含有膜エッチング後の基板Ｋを洗浄する第２洗浄部３５と、洗浄後の基板Ｋを乾燥させる第２乾燥部４０とを順次搬送方向に配設する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングチャンバ内でデュアルドープゲート構造をエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】エッチングされるポリシリコンフィルムを保護するパターンを設ける工程、次いで、プラズマが点火され、保護されていないポリシリコンフィルムのほぼすべてがエッチングされる。次いで、シリコン含有ガスを導入しつつポリシリコンフィルムの残りをエッチングする。また、エッチング処理中にシリコン含有ガスを導入するよう構成されたエッチングチャンバ。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比でも異なる開口幅のトレンチの深さ制御が行え、かつ、プロセス時間の増大を抑制できるようにする。
【解決手段】エッチングステップ時にＭ種類の異なる幅の複数のトレンチ３３のうちＮ番目（ただし、ＮはＭ未満の整数）に幅の狭いトレンチ３３の底面上で保護膜３４が除去されたタイミングに合せて、当該エッチングステップの残り時間内でＮ番目のトレンチ３３の底面上におけるシリコンのエッチング量が（Ｎ＋１）番目に幅の狭いトレンチ３３の底面上におけるシリコンのエッチング量以上になるように、反応性イオンエッチングにおける入射イオンのエネルギー値を設定する。 （もっと読む）

【課題】地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法は、プラズマ生成室に１００容量％のフッ素ガス（Ｆ₂）である処理ガスを供給し、高周波電界の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことによりプラズマを生成し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うことを特徴とする。また、前記プラズマから負イオンまたは正イオンを、個別にまたは交互に、あるいは、負イオンのみを選択的に引き出して中性化することにより中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを基板に照射して基板処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】 短時間で確実にデポ膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 錘部と、錘部を開口部を挟んで囲むように配置された外枠支持部と、錘部と支持部とを連結する梁部とを備える半導体装置の製造方法であって、支持基板をエッチングして錘部と支持部とを形成する基板加工工程と、基板加工工程のエッチングで生じたデポ膜に接する錘部及び支持部各々の開口部側の側壁を変質させる変質工程と、変質工程後、側壁の変質箇所をデポ膜と共に錘部及び支持部各々から除去するデポ膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所望のテーパ角度を容易に達成すると共に、テーパ表面の平滑化を実現でき、またオーバーハング形状が生じないシリコンエッチング方法及び装置並びにそれによって作製したエッチングシリコン体を提供する。
【解決手段】反応器１内を減圧し、ガス導入管４からプロセスガス（ＳＦ₆ ，Ｃ₄ Ｆ₈ 及びＯ₂ の混合ガス）をプラズマ発生室２ａ内に導入する。コイル３に交流電圧を印加してプラズマ発生室２ａ内にてプロセスガスのプラズマを発生させ、同時に基板電極１１に交流電圧を印加して、発生させたプラズマを反応室２ｂ内に引き込み、引き込んだプラズマにより、プラテン６に載置した試料２０（エッチングマスクが形成されたシリコン材）をテーパ状にエッチングする。エッチング後のシリコン材のエッチングマスクに接する面積が、エッチングマスクより狭い。 （もっと読む）

【課題】クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法は、処理チャンバー内に支燃性ガス供給管を介して支燃性ガス並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給しつつ、可燃性ガス供給管を介して前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する工程を備える。前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第１合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第２合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させる。 （もっと読む）

【課題】基板の外周側縁部上面を覆う保護部材を高精度に位置決めすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、基板Ｋが載置される基台２１と、処理ガスを供給するガス供給装置４５と、処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置５０と、基台２１に高周波電力を供給する高周波電源５５と、環状且つ板状に形成され、基台２１の外周部に載置可能に構成されるとともに、基台２１の外周部に載置されたときに、内周側縁部によって基板Ｋの外周側縁部上面を覆う環状且つ板状の保護部材３１と、保護部材３１を支持する支持部材３５と、基台２１を昇降させる昇降シリンダ３０とを備える。保護部材３１の下面には、基台２１上に載置される際に基台２１の外周部と係合する少なくとも３つの第１突起３３がピッチ円上に形成され、このピッチ円の中心は、保護部材３１の中心軸と同軸になっている。 （もっと読む）

【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、及びＣＯＦ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ_４やＣＦ_３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低く、環境への負荷が低い。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することで、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）