本発明は、シリコン基板の表面の気相中でのテクスチャリング方法および太陽電池用のテクスチャード加工シリコン基板を提供する。上記方法は、上記表面をSF₆/O₂高周波プラズマに2分〜30分の範囲内の時間暴露させてピラミッド構造を示すテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造する少なくとも１つのステップa)を含み、上記SF₆/O₂比が2〜10の範囲内にある。本発明によれば、ステップa)においては、上記高周波プラズマによって発生させた出力密度は2500mW/cm²以上であり、反応チャンバー内の圧力は13.332Pa (100ミリトール)以下であって、転倒タイプのピラミッド構造を有するテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造するようにする。
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本発明は、表面が酸化ケイ素の層で覆われているシリコン基板の表面の洗浄方法を提供する。この方法は、上記表面をフッ素化ガスから発生させた高周波プラズマに60秒〜900秒からなる時間暴露させ、上記プラズマによって発生させた出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、上記フッ素化ガスの圧力が1.333Pa〜26.664Pa (10ミリトール〜200ミリトール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップa)；および、上記表面を水素高周波プラズマに5秒〜120秒からなる時間暴露させ、出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、水素圧が1.333Pa〜133.322Pa (10ミリトール〜1トール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップb)を含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、新規な組成物と、これらの組成物を、半導体およびＭＥＭＳデバイスの製造中に保護層として用いる方法とを提供する。この組成物は、溶媒系中に分散または溶解したシクロオレフィン共重合体を含有し、酸エッチングおよびその他の処理および取扱い中に、基板を保護する層を形成するために用いることができる。保護層は、感光性であっても非感光性であってもよく、保護層の下に、プライマー層を用いても用いなくてもよい。好ましいプライマー層は溶媒系中に塩基性ポリマーを含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成する凹部の加工精度を向上させたドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器内にエッチングガスを用いたプラズマを発生させて基板電極にバイアス電力を供給することにより基板の表面に凹部を形成するエッチング工程Ｓ１と、ターゲット電極に高周波電力を供給してフッ素樹脂ターゲットをスパッタすることにより基板に形成された凹部の側壁に保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２とを繰り返すドライエッチング装置及びドライエッチング方法であって、保護膜形成工程Ｓ２では、フッ素樹脂ターゲットをスパッタしつつ、真空容器内に塩素、臭素、ヨウ素からなる群から選択された一つのハロゲン元素を含む反応ガスを供給することにより、フッ素樹脂ターゲットの構成材料と選択されたハロゲン元素とが含まれるかたちで保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】電極の位置決めが正確且つ容易にでき、且つ放電空間の形状の変形を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向配置した複数の被覆電極３によって形成される空間を放電空間４とし、被覆電極３の外面に放熱器６を配設したプラズマ処理装置Ａにおいて、被覆電極３及び放熱器６に連通する位置決め用孔Ｂを穿孔した。この位置決め用孔Ｂにボルト７１を挿通することで、被覆電極３の位置決めが正確且つ容易に実現される。また、ボルト７１の頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３を配設した。これにより、頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３の弾性力による遊びを持たせることができ、被覆電極３が変形する余地を持たせることができる。従って、コイルばね７３を用いずに被覆電極３などを固定したときと比較して、被覆電極３の変形の不均一さが抑えられ、放電空間４の形状の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量（プラズマ密度）と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０８、ガス導入手段１１１、圧力制御手段、プラズマソース電源１０１、被処理物１１２を真空容器内に載置する下部電極１１３、高周波バイアス電源１１７を具備するプラズマ処理装置において、プラズマソース電源１０１と高周波バイアス電源１１７とは異なる発振周波数をプラズマ処理室内に発振するプローブ高周波発振手段１０３と、プローブ高周波発振手段１０３から発振される高周波をプラズマに接する面で受信する高周波受信部１１４、１１５と、プローブ高周波発振手段１０３と受信部１１４、１１５から形成せられる電気回路内の発振周波数毎のインピーダンス、反射率及び透過率、高調波成分の変動を測定する高周波解析手段１１０を具備する。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング装置でのエッチングにおいて、チャンバー内に部分的なガス濃度の不均一が発生しやすく、さらにプロセス中での異常放電などの発生で基板毎の凹凸形成状態の不均一が発生することがあった。
【解決手段】複数の孔を有する第一電極板と、該第一電極板に対向して設けられた第二電極板と、前記第一電極板の前記第二電極板とは反対側に配置され、複数の孔を有する拡散板とをそれぞれ真空チャンバー内に平行に有し、反応性ガスが前記拡散板、前記第一電極板を通して前記第二電極板側の被処理物をエッチングするものであって、該拡散板が前記第一電極板に向かって移動可能であること。 （もっと読む）

【課題】高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】反応容器２内に被エッチング材１を設置し、エッチングガスを導入し、被エッチング材１とプラズマ発生用電極４との間でプラズマ６を発生させ、被エッチング材１をエッチングする。被エッチング材１を、内部に空隙を有した通気性物質にて構成する。 （もっと読む）

【課題】ＯＲ搬送処理を行った場合にも、全てのウエハの処理後の物性値を測定することなく、各ウエハに対して最適処理を施すことができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、測定器とを備えた基板処理装置を用いてＯＲ搬送処理によって複数のウエハＷに対してシュリンク処理を連続して施す基板処理方法であって、処理前のウエハＷのＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、得られたＣＤ値に基づいて作成された処理条件に従ってＦＦ制御によってウエハＷにシュリンク処理を施す処理ステップと、処理後のウエハＷのＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、処理後のＣＤ値と目標値との差に基づいてＦＦ制御における処理条件作成用のオフセット値を更新するオフセット値更新ステップとを有し、チャンバにおける経過処理時間が予め決められた所定値に到達するまで処理後測定ステップ及びオフセット値更新ステップを省略する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦ6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜、アモルファスシリコン膜等のシリコン化合物膜を良好にドライエッチングする。
【解決手段】 例えば、ゲート絶縁膜３の上面には真性アモルファスシリコン膜２１および窒化シリコン膜（チャネル保護膜形成用膜）２２が成膜され、その上にはレジスト膜２３が形成されている。そして、少なくともＣＯＦ_２ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜２２を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜２３下にチャネル保護膜が形成される。この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約７である。 （もっと読む）

【課題】異なる幅のトレンチを同じ深さに制御できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】保護膜形成ステップとエッチングステップを繰り返すにあたり、保護膜形成ステップを酸化膜形成ステップとポリマー系保護膜形成ステップとに分け、酸化膜形成ステップの際のＯ₂プラズマ照射により残存しているポリマー系保護膜１０ｂした後酸化膜とポリマー膜の二層構造の保護膜を底面に形成できるようにする。これにより、仮にポリマー系保護膜１０ｂが残存したとしても、次の酸化膜形成ステップの際のＯ₂プラズマ照射により残存しているポリマー系保護膜１０ｂを除去することができる。ポリマー系保護膜については十分はエッチング時間が確保されて残存せず、また最後に残る酸化膜はポリマー膜に比べて残存しにくい。よって、ポリマー系保護膜１０ｂが残存してエッチング残りが発生することが抑制でき、異なる開口幅のトレンチＡ、Ｂを同じ深さにできる。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】 ナノ／微小球リソグラフィによって製造されるナノ／マイクロワイヤ太陽電池を提供する。
【解決手段】 ナノワイヤ／マイクロワイヤ・ベースの太陽電池を製造する技術が提供される。一実施形態において、太陽電池を製造する方法が提供される。本方法は、以下のステップを含む。ドープ基板を準備する。基板の上に球の単層を堆積させる。球は、ナノ球、微小球、又はそれらの組み合わせを含む。球をトリミングして単層内の個々の球の間に空間を設ける。トリミングされた球をマスクとして用いて、基板内にワイヤをパターン形成する。ワイヤは、ナノワイヤ、マイクロワイヤ、又はそれらの組み合わせを含む。ドープ・エミッタ層をパターン形成されたワイヤ上に形成する。上部コンタクト電極をエミッタ層の上に堆積させる。底部コンタクト電極を基板のワイヤとは反対の側に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン・オン・インシュレータ界面のアンダカットを実質的に抑制する方法を提供する。
【解決手段】垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】処理基板に微細パターンをエッチングする際にノッチの発生を極力防止することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の誘導結合プラズマ処理装置１は、処理室２、この処理室２内に配置された下部電極６、処理室２内にプラズマを発生させるための誘導結合コイル４を備えている。処理室２内に発生するプラズマにより下部電極６上の処理基板がプラズマエッチングされる。処理基板をエッチングするとき、前記下部電極６には、低周波電力に高周波電力を重畳した重畳高周波電力が印加される。これにより、微細パターン内にイオンが強く引き込まれて微細パターン底面に形成された保護膜を効率よく除去することができ、ノッチの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面をプラズマエッチングする工程を含むシリコンウェーハの加工方法において、ウェーハの厚みのムラを抑制するとともにウェーハ表面に突起形状が発生するのを抑制することが可能なシリコンウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】フッ酸を含む洗浄液によりシリコンウェーハの表面の自然酸化膜を除去する洗浄工程Ｓ６と、この洗浄工程の直後にシリコンウェーハの表面をプラズマエッチングするプラズマエッチング工程Ｓ７とを含み、洗浄工程Ｓ６は、洗浄液による洗浄時間、洗浄液の温度、及び洗浄液の濃度の少なくとも１つを調整して、シリコンウェーハの表面の自然酸化膜の厚みを０．３ｎｍよりも厚く、０．７ｎｍよりも薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工体の中央部から周辺部までの全域に渡って均一にスパッタリングを行うことができ、エロージョンの発生を減少することができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置１において、カソード電極５と、被加工体１０上に磁界を形成する磁界形成部７と、アノード電極１３とを備える。磁界形成部７は、回転軸８Ｃからずれた位置に第１の磁極面７３Ｓを有する第１の磁石７３と、回転軸８Ｃ及び第１の磁石７３の周囲に沿って磁極が異なる第２の磁極面７２Ｓを有する第２の磁石７２と、第２の磁極面７２上の第１の磁石７３の周囲に沿った一部に第１の磁極面７３Ｓよりも低く第２の磁極面７２Ｓよりも高い範囲内において第２の磁極面７２Ｓと磁極が同一の第３の磁極面７４Ｓを有する第３の磁石７４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供する。
【解決手段】
真空処理室内で試料を吸着保持するとともに試料温度を制御して試料を処理する真空処理装置および真空処理方法において、試料載置面に試料１を支持する凸部を外周部とその内側に離間して設け、押上げピン穴２０６を前記凸部の面内に設け、伝熱ガス供給穴２０５を前記凸部以外に設けて、押上げピン穴部に前記凸部以外に供給される伝熱ガス圧力よりも高い圧力の伝熱ガスを供給して試料を処理する。 （もっと読む）