【課題】ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング用のトレー１を、基体２と、この基体の一つの面２ａに位置する被エッチング体嵌合用の凹部３と、この凹部３の周囲の面２ａである開口面積率調整面４と、この開口面積率調整面４を０〜１００％の範囲で被覆する開口面積率調整層５と、を備えたものとし、基体２と開口面積率調整層５は、一方をドライエッチング可能な材質とし、他方をドライエッチングされない材質とする。 （もっと読む）

【課題】基板の端部近傍から作製する素子、例えば発光素子の発光波長が長波長にならず、基板中心部から作製する発光素子との違いを小さくすることができる、基板中心部と基板周辺部から作製する素子の特性差を小さくすることができる化合物半導体膜の気相成長に好適な化合物半導体膜気相成長用サセプタを提供する。
【解決手段】化合物半導体膜の気相成長の際に基板を支持するサセプタであって、該サセプタは、前記基板が配置されるザグリ部を少なくとも１つ以上備え、該ザグリ部は、底部底面がすり鉢状に湾曲しており、該湾曲部の凹部の最大深さが２５０〜５００μｍとなっているものであることを特徴とする化合物半導体膜気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に傷を付けることなく、ウェーハを吸引保持して搬送することができるウェーハ保持具を提供する。
【解決手段】本発明のウェーハ保持具は、テーブルと、吸引孔と、支持部材とを備えており、また、吸引孔の表面側の一部は拡径処理が施されており、拡径部および円環状テラスが形成されている。該円環状テラスに支持部材を固定することにより、ウェーハに直接接触する支持部材の面積が低減され、ウェーハの表面に傷を付けることなくウェーハを吸引保持することができる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の作製工程において、表面のファンデルワールス力を調整した保持用トレイに表面に絶縁層が形成された複数枚の単結晶半導体基板を貼り合わせ、複数枚の単結晶半導体基板にイオン照射工程を行うことで複数枚の単結晶半導体基板の所定の深さに脆化層を形成し、複数枚の単結晶半導体基板にファンデルワールス力を調整したベース基板を貼り合わせることでファンデルワールス力の差を利用して保持用トレイを選択的に分離し、剥離加熱処理を行い劈開面を形成して単結晶半導体基板をベース基板から分離することにより、絶縁層を介して単結晶半導体基板をベース基板に転載する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのような対象物を処理するのに使用するための方法及びシステム（１２０）を提供し、ウエハの研磨及び／又は研削を含む。
【解決手段】フロントエンドモジュール（１２４）は、保管装置（１２６）を連結し、処理のための対象物を保管する。フロントエンドモジュール（１２４）は、単一のロボット、搬送ステーション、及び複数のエンドエフェクタを備えることができる。処理モジュール（１２２）は、単一のロボットが対象物を保管装置から処理モジュール（１２２）へ供給するように、フロントエンドモジュール（１２４）と連結される。処理モジュール（１２２）は、回転テーブル、及び、供給された対象物を取り出しそして対象物を回転テーブル上で処理するキャリアをもつスピンドルを備える。 （もっと読む）

【課題】導電層内での空洞発生、高抵抗化、及び電気的不導通の発生を防止することができ、かつ接合強度を向上させることができ、かつ装置全体の長期信頼性を向上させることのできる静電チャックを提供する。
【解決手段】イットリアを主成分とするセラミックからなる板状の基体２Ａと、この基体の一主面に開口する凹部３Ａと、前記凹部の底面９Ａに露出した、白金とイットリアを主成分とするセラミックとで形成された導電層４Ａと、前記凹部内に立設して配置され、前記導電層と電気的に接続された電極端子５Ａとを有する静電チャック１Ａ装置であって、前記導電層の表面１０Ａと前記電極端子との間に形成された、９３体積％以上の白金を含む接続中間層６Ａを有することを特徴とする静電チャック。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも１℃の組合せ温度割合変化を有する。 （もっと読む）

【課題】外縁位置や方位マークの検出を確実に精度良く行うことができるようにすること。
【解決手段】ウエハＷのオリフラＯＦやＶノッチＮ、外縁位置を検出し、その位置データを出力するカメラ１８と、ウエハＷの外縁全域からはみ出す大きさに設けられるとともに、当該ウエハＷを支持可能な支持面２０を有する支持手段１５と、支持面２０内で支持手段１５を回転させる回転手段１６と、カメラ１８の検出領域ＡＲに向かって発光する発光手段１９とを備えて位置検出装置１１が構成されている。支持手段１５は、発光手段１９の光を透過可能な素材によって支持面２０を形成する。発光手段１９は、支持面２０を平面視したときに当該支持面２０からはみ出さない位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】第１搬送手段及び第２搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室５，６と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室７と、第１搬送室と第２搬送室を連結する減圧可能な予備室３，４と、第１搬送手段及び第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、第１搬送手段及び／又は第２搬送手段の調整処理と、処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】加熱基板からシャフト側への熱伝導を抑制することが可能なステージヒータ及びシャフトの製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウムを含む合金からなる加熱基板２と、加熱基板の一方の面に接合され、加熱基板を支持するシャフト５とを備えたステージヒータ及びシャフトの製造方法。シャフト５は、加熱基板の素材よりも熱伝導率の低い金属からなるパイプ６と、アルミニウムの粉体又はアルミニウムを含む合金の粉体をガスと共に加速し、固相状態のままでパイプに吹き付けて堆積させることにより、パイプの加熱基板と接合される側に形成された接合層７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハからサポートプレートをより容易に剥離する。
【解決手段】本発明に係る剥離方法は、非極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物又は高極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物により形成された接着剤層４を介してサポートプレート３が貼着されたウエハ２から、サポートプレート３を剥離する剥離方法であって、接着剤層４に上記非極性溶剤又は上記高極性溶剤を供給する供給工程を包含している。したがって、溶剤の供給時に、ウエハ２に貼り付けられたダイシングテープ５を保護する必要がない。 （もっと読む）

【課題】加工が容易で、製造するための作業時間を短縮することができるとともに、製造コストを抑制することが可能となる支持ピンを提供する。
【解決手段】支持ピン１は、半導体製造プロセスにおいて、ウェハあるいはウェハを載置させるサセプタを支持する支持ピン１であって、支持ピン１は、長手方向の端部の間に、長手方向に沿って延び、長手方向に直交する方向に沿って、支持ピン１を貫通するスリット状の孔である第１孔１１及び第２孔１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大型の基板で製膜処理等を行うにあたり、調整が容易で高速に基板搬送が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、搬送室１０、第１処理室１２−１〜２、第２処理室１２−３〜４、第１基板搬送台車２０−１〜２、第２基板搬送台車２０−３〜４を備える。搬送室１０は、Ｘ方向に伸び、第１搬送領域１０−１と第２搬送領域１０−２を含む。第１処理室１２−１〜２は、第１搬送領域１０−１側に接続される。第２処理室１２−３〜４は、第２搬送領域１０−２側に接続される。第１基板搬送台車２０−１〜２は、第１搬送領域１０−１内を移動する。第２基板搬送台車２０−３〜４は、第２搬送領域１０−２内を移動する。第１基板搬送台車２０−１〜２は第２処理室１２−３〜４の少なくとも一つと第１処理室１２−１〜２とに対し基板２を搬入、搬出する。第２基板搬送台車２０−３〜４は第２処理室１２−３〜４に対し基板２を搬入、搬出する。 （もっと読む）

【課題】ウエハからサポートプレートを、より短時間で容易に剥離する。
【解決手段】本発明に係る剥離方法は、ウエハ２と、非極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物又は高極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物により形成された接着剤層４を介してウエハ２に貼着されたサポートプレート３とを含む積層体１から、サポートプレート３を剥離する剥離方法であって、少なくとも、積層体１のサポートプレート３側の端面部及び積層体１の側面部に、上記非極性溶剤又は上記高極性溶剤を滞留させるように、上記非極性溶剤又は上記高極性溶剤を供給する供給工程を包含している。 （もっと読む）

【課題】サポートプレートの洗浄後に廃溶液を発生させること無く、且つ安価に処理することが可能なサポートプレートの洗浄方法を実現する。
【解決手段】サポートプレート７にドライアイス粒子４を接触させて、サポートプレート７に付着した有機物および金属を除去する二酸化炭素ブラスト処理工程を含み、サポートプレート７は、基板が剥離された後のサポートプレートである。 （もっと読む）

【課題】処理中に基体を支持するための基体支持組立体を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、支持組立体(136)は、第１の側(216)及び第２の側(232A)を有する上側セラミック板(208)と、第１の側(212)、第２の側(214)及び埋込まれた電極(234)を有する下側セラミック板(210)を含み、前記下側セラミック板の第１の側(212)は前記上側セラミック板の第２の側に接合されてそれらの間にチャンネル(290)を限定している。別の実施の形態においては、支持組立体は、第１の側及び第２の側を有する第１の板を含む。前記第１の側上にはシールリング(258)が設けられている。前記第１の側の、前記リングの半径方向内側には段付き表面(220)が形成されている。第２の板が、前記第１の板の第２の側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】広範囲の温度領域で使用可能であり、高温で使用する際のウェハ載置面の反りを低減した静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明の静電チャックは、双極型の静電チャック用電極と、ヒータ用電極とを備えた静電チャックであって、誘電層の体積固有抵抗率をρ１、静電チャック用電極の双極間の体積固有抵抗率をρ２、静電チャック用電極とヒータ用電極間の体積固有抵抗率をρ３としたときに、ρ１＜ρ２＜ρ３であることを特徴とする。また、前記誘電層内の体積固有抵抗は、静電チャック用電極側からウェハ載置面に向けて順次低くなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該ウェハ載置面の反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と前記抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットは発熱体と該発熱体と前記載置台の間の絶縁層とからなり、前記発熱体のパターン間に介在物が存在することを特徴とする。前記発熱体と介在物とが同じ材料であることが好ましい。あるいは、前記発熱体と介在物の厚みが略同一であり、前記介在物が絶縁体であることが好ましい。あるいは、前記支持板が導電体であり、前記抵抗発熱ユニットと支持板の間に絶縁層が存在することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミック板のクラック発生を抑制しつつ、被処理基板の急速な加熱冷却が可能な静電チャックを提供する。
【解決手段】主面に凹部が設けられ、内部に電極が設けられたセラミック板と、セラミック板に接合された温調プレートと、セラミック板と温調プレートとの間に設けられた第１の接合剤と、セラミック板の凹部内に設けられたヒータと、を備え、第１の接合剤は、主剤と、無定形フィラーと、球形フィラーと、を有し、球形フィラーの平均直径は、全ての無定形フィラーの短径の最大値よりも大きく、第１の接合剤の厚さは、球形フィラーの平均直径と同じか、もしくは大きく、凹部の幅は、ヒータの幅より広く、凹部の深さは、ヒータの厚さより深く、凹部内にヒータが第２の接合剤により接着され、ヒータの温調プレート側の主面と、温調プレートの主面と、の間の第１の距離が、セラミック板の主面と、温調プレートの主面と、の間の第２の距離よりも長い。 （もっと読む）

【課題】保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくし、静電破壊を抑制する。
【解決手段】ワーク１を支持する支持面４２１に負圧を伝達する多孔質体からなる吸着部４２と、絶縁性を有する部材で形成された枠体４１とを有するワーク支持部４０と、ワーク支持部４０を回転可能に支持する回転支持部５０と、回転支持部５０とワーク支持部４０との間に形成された軽量化空間４３と、吸着部４２と負圧を発生させる負圧源８０とを連通させる吸引経路７０Ａとを有し、吸引経路７０Ａは軽量化空間４３と連通しない構成とする。ワーク支持部４０を厚くして絶縁距離を大きくして帯電を抑えることができ、軽量化空間４３を有することから重量増を招かない。 （もっと読む）