【課題】基板貼り合わせ装置構造を簡略化して、基板位置合せ精度を高める。
【解決手段】移動可能な第１ステージと、第１ステージ上に配され、第１ステージに対して移動可能であって、基板を支持する第２ステージと、第１ステージに配され、基板を誘導加熱する誘導加熱部とを備えるステージ装置が提供される。本体に対する第１ステージ可動範囲は、第１ステージに対する第２ステージの可動範囲よりも大きくてもよい。第２ステージは、第１ステージに駆動されるステージ本体と、ステージ本体に対してエアギャップを有して保持され、誘導加熱部の電磁誘導により加熱されて基板に伝熱する発熱体とを有してもよい。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、ウェーハの芯出しを精度良く行うことができる低コストの芯出し装置、及びそれを用いた面取り装置を提供する。
【解決手段】位置決めカップ１３がウェーハＷを支持した支持具１４に対して相対的に上方に移動することで、ウェーハＷを位置決めカップ１３のテーパー面１１で支持し、ウェーハＷを支持した時に、振動子１２により印加された振動で、ウェーハＷが前記テーパー面１１を滑って位置決めされ、位置決めカップ１３が支持具１４に対して相対的に下方に移動することで、位置決めされたウェーハＷを支持具１４で支持することによりウェーハＷの芯出しを行うものであるウェーハＷの芯出し装置１０。 （もっと読む）

【課題】高温ウエハを急速冷却し、ウエハズレ起因の異物発生を防止及び抑制できる真空処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は被処理体を処理する処理室と、前記処理室で処理された高温の前記被処理体を冷却する冷却室と、真空搬送ロボットを内部に設置し前記処理室と前記冷却室とを接続した真空搬送室とを備える真空処理装置において、前記冷却室は、前記冷却室内を減圧にする排気手段と、前記冷却室にガスを供給するガス供給手段と、前記冷却室内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記高温の被処理体を支持する支持手段と、前記支持手段に支持された被処理体を近接保持する載置台とを具備し、前記載置台は、前記載置台表面の温度を前記高温の被処理体を冷却できる温度に温調する温調手段を有し、前記支持手段は昇降速度可変手段を有することを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の成膜面への傷の発生およびそれによる発塵、ならびに、裏面中心部への傷の発生および異物の付着を解消することができ、多層反射膜および吸収層の形成時において、保持手段自体からの発塵を抑制することができるガラス基板保持手段の提供。
【解決手段】平坦なベースの表面にファンデルワールス力によって吸着保持する吸着部が設けられており、該吸着部がガラス基板の外縁部のみと接触するガラス基板保持手段。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ全面に亘って均一にプラズマ処理を施すことが可能な信頼性の高いウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 ウエハ搭載面１ａを有するセラミックス基体１と、セラミックス基体１内においてウエハ搭載面１ａからの深さが互いに異なるように埋設されている円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３と、円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３にそれぞれ電気的に接続される第１及び第２外部端子５、６と、円環状ＲＦ電極３と第２外部端子６との間に介在してこれらを電気的に接続する複数の接続回路１１とを備えたウエハ保持体１００であって、複数の接続回路１１は、円環状ＲＦ電極３と同じ深さにおいて放射状で且つ円環状ＲＦ電極３の中心軸に関して実質的に回転対称に形成されている。 （もっと読む）

【課題】物体を結合する際、接着剤の収縮に起因する変形を減少させ、用いた接着剤の収縮後におけるパネル形物体の所望の変形状態を実現させるものである。
【解決手段】第２の物体３は、少なくとも１方向Ｘに第１の物体２の縁部２'を越えて突出する。少なくとも１つの結合面２ａ上に、複数のスペーサ４ａ〜４ｅ，４ａ’〜４ｅ’を備え、スペーサの間の中間領域6a〜6d、および外側のスペーサから、第１の物体の縁部に形成される接着剤の外面５ａまで接着剤５を塗布する。さらに、物体を、結合面をスペーサに接触させることにより結合し、接着剤の外面と最外側のスペーサとの間の所定の距離ｄは、塗布した接着剤の収縮後、パネル形物体が所望の変形状態、とりわけパネル形物体の撓みを最小化させる。 （もっと読む）

【課題】基板内の柔軟性の高いスペーサの変形をも防止でき、液晶基板のシール硬化処理に適用できるとともに、基板底面との当接部分の交換作業の容易な基板支持部材及び基板収納装置を提供する。
【解決手段】基板収納装置内の基板収納位置に対する基板の搬入方向に直交する方向に一定の間隔で複数配置され、前記基板収納位置に搬入された基板２００の底面に当接して該基板２００を支持する基板支持部材１０であって、該基板支持部材１０は、長手方向が前記搬入方向に平行な取付面１Ａを有する本体１と、前記取付面１Ａに固定され、上面及び前記搬入方向の両面に開放した凹部を有するガイド２と、前記取付面１Ａに沿って上側部分を前記凹部の上方に露出させた状態で前記凹部内に装入される耐熱樹脂チューブ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一に加熱することができるとともに、低コストで大量生産が可能である支持体、及びこの支持体を用いたウエハ成膜処理方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において用いられ、ウエハＷを載置する凹部１０が設けられている上面１ａを有する支持体であって、該支持体は、炭化ケイ素によって形成されており、凹部１０は、平面視において略円形状であるとともに、平面視における前記凹部１０の中心部を中心とした同心円状に設けられた複数の円環状の段によって形成されている底部１０Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】多孔質板を用いた吸着テーブルにおいて、基板に働く吸着力の大きさや分布を調整することができるようにした構造の吸着テーブルを提供する。
【解決手段】多孔質板で形成され上面１１ａに基板Ｇが載置されるステージ１１と、ベース１２とからなり、内部に中空空間１４が形成されるとともに、ステージの裏面１１ｂが中空空間１４に面するように構成されたテーブル本体１３と、中空空間１４を減圧する真空排気機構１７とを備えた吸着テーブル１０であって、ステージの裏面１１ｂは、通気性のないシール部材２１で覆われるとともにシール部材２１の一部にリーク穴２２が形成され、中空空間１４を減圧状態にするとリーク穴２２から多孔質板を介してリークが生じるようにする。 （もっと読む）

【課題】チャックプレート上のすべてのピン頭に、ウェーハやマスク基板等の被加工物を凝固固着するために余剰な量の冷凍液の液滴を保持した場合においても、被加工物を変形させることなく、板状の被加工物を高平坦度で加工することが可能な冷凍ピンチャックを提供する。
【解決手段】チャックプレート上面に多数のピン２が離散配置された冷凍ピンチャックにおいて、前記ピンのピン頭２ａの半径ｒ、隣り合うピン同士の間隔ａ及びピン高さｈが、下記式（１）
４／３・πｒ³ ＜ （ａ²−πｒ²）ｈ …（１）
の関係を満たすような構成とする。 （もっと読む）

【課題】多孔質板を用いた吸着テーブルにおいて、基板を固定するのに必要な吸着力が得られているかを確実に確認することができるようにした吸着テーブルを提供する。
【解決手段】多孔質板で形成され基板Ｇが載置されるステージ１１と、ステージ１１の周縁部分を支持するベース１２とからなり、中空空間１４が形成されるテーブル本体１３と、中空空間１４を減圧する真空排気機構１７と、中空空間１４の圧力を検出する圧力センサ３１とを備え、ステージ１１上で基板Ｇが載置される位置に、多孔質板を貫通して中空空間１４に達する細孔３３が形成されるようにして、基板Ｇを載置したときに大きな差圧が生じて圧力センサ３１で検出できるようにする。 （もっと読む）

【課題】熱電対がサセプターの周囲のスペースを圧迫せず、しかも熱電対に過度の圧力がかかることのないサセプターを提供する。
【解決手段】円盤状のセラミックプレート２０の中に、熱電対５０が埋設されている。熱電対５０は、互いに材料組成の異なる第１及び第２素線５１，５２と、第１及び第２素線５１，５２の先端を接合した測温部５０ａと、第１及び第２素線５１，５２を被覆する高純度アルミナ又はＭｏからなる水平及び垂直保護管５３，５４とを備えている。セラミックプレート２０は、一対のセラミックディスク２２，２４を接合したものであり、熱電対５０は、下方のセラミックディスク２４に形成された水平溝２４ａに配置されている。 （もっと読む）

【課題】チャックプレート上のすべてのピン頭に、ウェーハやマスク基板等の被加工物を凝固固着するのに十分な量の冷凍液の液滴を均一に保持させることができ、しかも、必要とされる冷凍液の使用量を低減することが可能な冷凍ピンチャックを提供する。
【解決手段】チャックプレート上面に多数のピン２が離散配置された冷凍ピンチャックにおいて、ピン頭の表面粗さＲａを０．１μｍ以上０．５μｍ以下とする、又は、ピン頭に窪みを形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の接合を効率よく行い、接合処理のスループットを向上させる。
【解決手段】接合装置７００は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを受け渡すための受渡部７２０と、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの表裏面を反転させる反転部７２１と、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合部１０１と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する搬送部７２２とを有している。反転部７２１は、支持ウェハＳ又は被処理ウェハＷを保持する保持部材と、前記保持部材に保持された支持ウェハＳ又は被処理ウェハＷを水平軸周りに回動させると共に鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構と、前記保持部材に保持された支持ウェハＳ又は被処理ウェハＷの水平方向の向きを調節する位置調節機構７７０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】多孔質セラミックスによるポーラスチャックであって、高強度で変形せず、真空吸着又は真空解除の際、被加工物の吸着面に、前記多孔質セラミックスの連通する気孔の尖った角や突起に起因する塵埃や脱粒等による傷を生じさせることを防止することができるチャックプレートを備えたポーラスチャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス製チャックプレートを備えたポーラスチャックにおいて、前記チャックプレートに、撹拌起泡によって形成された多孔質成形体を、２２００℃以上２３００℃以下、２時間以上５時間以下で焼成して得られた多孔質セラミックス焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】
ワークを固定し、搬送する真空吸着装置などの吸着面に使用し、安価でワークに皺や吸着跡が残らず、また吸着汚れを発生させることのない不織布製吸着プレートを提供する。
【解決手段】
低融点繊維９０〜１００重量％と、低融点繊維よりも融点が７０℃以上高い繊維が１０〜０重量％からなる目付５０〜２００ｇ／ｍ²、嵩密度０．６０〜１．２０ｇ／ｃｍ³の熱接着タイプの不織布Ａを吸着面とし、低融点繊維２０〜９０重量％、低融点繊維よりも融点が７０℃以上高い繊維８０〜１０重量％からなる熱接着された目付３００〜８００ｇ／ｍ²で嵩密度０．１０〜０．５０ｇ／ｃｍ³の熱接着タイプの不織布Ｂを真空吸引側として、上記両不織布Ａ，Ｂを積層し、外周を熱プレスにて融着して吸着プレート１を形成すると共に、非融着部の通気量を５０〜１５０ｃｃ／ｃｍ²／ｓｅｃ、融着部の通気量をが５ｃｃ／ｃｍ²／ｓｅｃ以下とした。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、パーティクルの発生を抑制することができる静電チャック及び静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が１％未満とされたこと、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】 ダイシングフィルム上に接着フィルムが積層されたダイシングシート付き接着フィルムが所定の間隔をおいてカバーフィルムに積層された半導体装置用フィルムをロール状に巻き取った際に、転写痕が接着フィルムに発生することを抑制することが可能な半導体装置用フィルムを提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルム上に接着フィルムが積層されたダイシングシート付き接着フィルムが所定の間隔をおいてカバーフィルムに積層された半導体装置用フィルムであって、カバーフィルムの厚みをＴａとし、ダイシングフィルムの厚みをＴｂとしたとき、Ｔａ／Ｔｂが０．０７〜２．５の範囲内である半導体装置用フィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、パーティクルの発生を抑制することができるとともに、静電チャック表面の清浄状態を容易に回復させることができる静電チャックを提供する。
【解決手段】被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、前記突起部の頂面は曲面とされ、前記頂面には第１の凹部が形成され、前記平面部は、平坦部を有し、前記平坦部には第２の凹部が形成され、前記第１の凹部の深さ寸法は、前記第２の凹部の深さ寸法よりも大きいこと、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）