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Fターム[5F031HA02]の内容

Fターム[5F031HA02]に分類される特許

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【課題】保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくし、静電破壊を抑制する。
【解決手段】ワーク1を支持する支持面421に負圧を伝達する多孔質体からなる吸着部42と、絶縁性を有する部材で形成された枠体41とを有するワーク支持部40と、ワーク支持部40を回転可能に支持する回転支持部50と、回転支持部50とワーク支持部40との間に形成された軽量化空間43と、吸着部42と負圧を発生させる負圧源80とを連通させる吸引経路70Aとを有し、吸引経路70Aは軽量化空間43と連通しない構成とする。ワーク支持部40を厚くして絶縁距離を大きくして帯電を抑えることができ、軽量化空間43を有することから重量増を招かない。 (もっと読む)


【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該載置台のウェハ載置面とは反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットが、発熱体と該発熱体を挟み込む複数の絶縁層とからなり、前記絶縁層の少なくとも1層に溝が形成されており、前記発熱体は前記溝に収納されて、他の絶縁層によって挟み込まれており、前記絶縁層同士は互いに接着されていない部分を有することを特徴とする。前記絶縁層同士は、互いに接着されていないことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】薄板蓋部を用いる微小変位出力装置において、大気圧以外の気圧雰囲気でも使用可能とすることである。
【解決手段】微小変位出力装置10は、筐体部12と上蓋部30と下蓋部34を含んで構成され、その内部の収納空間14には、中心軸40の軸方向に沿って、複数の平板状可動子60と薄板状可動子80とが交互に整列配置される。平板状可動子60の表面と裏面には、それぞれ中央部から外周部に延びる複数の細溝が設けられる。薄板メンブレムで構成される上蓋部30と下蓋部34は、中心軸40の両端で固定される。筐体部12の底面部16には気体連通穴20が設けられ、底面部16の裏側で下蓋部34と向かい合うくぼみ18は、収納空間14と同じ気圧とされる。 (もっと読む)


【課題】接合剤が薄く、高い熱伝導率を有し、かつ、静電チャックの構成部品にクラックが発生し難い静電チャックを提供する。
【解決手段】電極が表面に形成されたセラミック誘電体と、セラミック誘電体を支持するセラミック基板と、セラミック誘電体とセラミック基板とを接合する第1の接合剤と、を備え、第1の接合剤は、有機材料を含む主剤と、無機材料を含む無定形フィラーと、無機材料を含む球形フィラーと、を有し、第1の主剤中には、第1の無定形フィラーと、第1の球形フィラーと、が分散配合されてなり、第1の主剤、第1の無定形フィラー、および第1の球形フィラーは、電気絶縁性材料からなり、第1の球形フィラーの平均直径は、第1の無定形フィラーの短径の最大値よりも大きく、第1の接合剤の厚さは、第1の球形フィラーの平均直径と同じか、もしくは大きいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】予備的な位置合わせ装置において、透過型の光学系で積層ウェハの位置を検出しようとした場合、積層された最上段のウェハを直接観察することができず、最下段のウェハで位置を合わせることになるので、最上段のウェハに形成されたアライメントマークが位置合わせ装置の顕微鏡の観察視野内におさまらない場合があった。
【解決手段】ステージと、ステージ上に配置されたウェハの位置を検出する検出部と、予め定められた条件により、ウェハの位置を検出する異なる複数の検出制御を切り替えて検出部を制御する制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】作業の迅速化、簡素化、容易化を図ることのできる基板の固定治具を提供する。
【解決手段】剛性を有する支持板1と、この支持板1の表面に着脱自在に粘着されて薄化された半導体ウェーハWを着脱自在に粘着保持する両面粘着シート3とを備え、支持板1の表面と両面粘着シート3の一部との間に非粘着層4を介在して積層し、支持板1には、非粘着層4に対向する空気孔2を厚さ方向に穿孔する。専用の厚い内リングと外リングとを使用する必要がないので、コスト削減を図ることができる他、作業の作業性を向上させることができ、作業の迅速化、簡素化、容易化が期待できる。 (もっと読む)


【課題】 閃光を照射する基板熱処理装置において、基板が汚染されることを解消した基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】 基板支持体8は、円筒形の外形の一部を、上端面から斜めに切り落とすように傾斜面82を備えている。この傾斜面82は、基板Wの中央から基板支持体8を通る直線Rに垂直であって、かつ、基板Wの主面とは平行である直線Sを想定すると、その直線Sに対して平行な面である、平行な位置関係にある。傾斜面82が傾斜する向きは、基板Wの外周に近づくほど、基板Wの下面から離れる方向へ傾斜している。基板支持体8は、基板の反りを傾斜面82で許容するようにして基板Wを載置するので、基板Wと基板支持体8とが擦れて、発塵することを回避する。 (もっと読む)


【課題】 大型の基板保持体であっても、所定の温度まで加熱することができ、かつ大型化した基板載置面の温度均一性を確保することが可能な基板保持体を提供する。
【解決手段】 本発明の基板保持体は、被処理物である基板を載置する基板載置面と、基板載置面の反対側の面あるいは内部に抵抗発熱体回路を有しており、該抵抗発熱体回路は、発熱部、および発熱部に電力を供給する非発熱部とからなり、前記発熱部と前記非発熱部との境界部分が、前記基板保持体の中心に対して略対称な位置に1組または2組以上の対となって存在しており、前記抵抗発熱体回路は、前記境界部分それぞれにおいて2個の回路に分岐することにより、対となる境界部分同士の間で並列回路をなし、前記並列回路それぞれにおいて、並列をなす2個の回路の抵抗値が、該2個の回路の抵抗値の平均値に対して、±10%の範囲内で略等しい抵抗値を持つことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内を汚染することなく、且つ基板載置台に余分な孔を設けることなく、基板載置台で支持するウエハ温度を正確に測定することができる基板載置台を提供する。
【解決手段】ウエハWを載置する載置面90aと、ウエハWをリフトピン84によって載置面90aから持ち上げる基板持ち上げユニット80と、リフトピン84内部を光路として低コヒーレンス光からなる測定光88をウエハWに照射し、ウエハWの表面及び裏面からの反射光をそれぞれ受光する光照射・受光ユニット87とを有し、光照射・受光ユニット87は、基板持ち上げユニット80のベースプレート86に固定されている。 (もっと読む)


【課題】チップサイズに拘わらず、半導体チップとそれを載置するシートとの接着強度の向上と接着力の安定化とを図れるようにする。
【解決手段】周縁部が移載側フラットリング42に保持され弾性及び粘着性を有するシート材44における半導体チップ51の載置領域の下側から、突き上げピン27によって載置領域の一部を押し上げる。続いて、シート材44の一部が押し上げられた載置領域の頂面の上に半導体チップ51を接触させる。続いて、載置された半導体チップ51と突き上げピン27の上面とを同時に下降させることにより、半導体チップ51をシート材44のチップ載置領域44aの上に保持する。 (もっと読む)


【課題】サセプタに対して水平磁束を与える場合であってもサセプタ水平面の温度分布制御を可能とし、かつバッチ処理による熱処理を可能とする半導体基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】水平配置されたサセプタ14上に載置されたウエハ30をサセプタ14を誘導加熱することで間接加熱する半導体熱処理装置10であって、サセプタ14の外周側に配置され、サセプタ14におけるウエハ載置面と平行な方向に交流磁束を形成する誘導加熱コイル20と、サセプタ14を水平回転させる回転テーブル18と、を備え、サセプタ14は、中心側に位置する薄肉部14aと、外縁側に位置する厚肉部14bとより構成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ワークの種類に関わらずワークを精度よく搬送可能なワーク搬送方法およびワーク搬送装置を提供する。
【解決手段】同心円周上に所定ピッチで複数個の貫通孔が形成さえた、保持面から僅かに突出したパッド77を先端のU形の保持アーム34に、さらに所定ピッチで複数個有し、当該パッド77から保護シートに向けて圧縮空気を吹き付けて保持アーム34の保持面と保護シートとの間に負圧を発生させて保護シートを浮遊させた状態で懸垂保持し、あるいは当該パッド77で表面の回路の露出したウエハの裏面を吸着保持してそれぞれを搬送する。 (もっと読む)


【課題】 被吸着体を吸着・保持するための、パーティクルの発生が少ない吸着部材を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係る吸着部材10は、基体1の上面に多数の支持用凸部2を形成した吸着部材10であって、支持用凸部2は、上面中央部に小凸部4を形成した円錐台状をなす基部3の上面及び側面に保護層5を形成してなる。これにより、基部3と保護層5が強固に密着されることになり、保護層5の剥離によって発生するパーティクルを極力少なくすることができる。 (もっと読む)


【課題】半径rが既知である円形の被測定物の外周上の点の座標をセンサで測定し、前記測定値に基づき、被測定物の中心点の位置を特定する場合において、被測定物の中心点を特定する。
【解決手段】前記センサを被測定物の外側から内側へ走査して前記被測定物の内側に進入する位置の座標を検出し、前記センサが前記被測定物の内側であることを検知した所定の位置を屈曲点として、前記屈曲点で前記走査の方向を変更し、前記センサを走査して、前記内側に進入する位置および前記屈曲点からともに距離rである点のうち走査側にある点を中心点とする半径rの円である判定円から進出するより前または同時に、前記被測定物の外側に進出する位置の座標を検出し、前記進入した位置の座標、前記進出した位置の座標及び前記半径rから被測定物の中心点の座標を算出する。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハ裏面側に研削屑が付着したり、研削屑による傷の発生を抑制可能な洗浄装置のチャックテーブルを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ洗浄装置のチャックテーブルであって、回転可能なチャックテーブル基台と、該チャックテーブル基台の上面に該チャックテーブル基台の回転中心を中心とする同心円状に等間隔離間して配設された弾性部材からなる少なくとも3個の真空吸着パッドとを具備し、該チャックテーブル基台は該真空吸着パッドの各々に連通する吸引路を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
ダイポール式のJ−R電極を用い、安定な静電吸着の確保とプラズマ電位の上昇による異常放電の抑制が可能なプラズマ処理装置および方法を提供する。
【解決手段】
ダイポール式のJ−R電極(内側吸着電極15、外側吸着電極16)を備えた静電吸着装置2を有するプラズマ処理装置において、内側吸着電極15及び外側吸着電極16から流れるリーク電流をリーク電流検出計30で検出し、検出されたリーク電流の差が所定の範囲内となるように内側吸着電極15及び外側吸着電極16へ印加される電圧を制御部31で制御する。 (もっと読む)


【課題】種々の半導体チップをダイシングテープから容易に剥がして確実にピックアップすることのできる半導体チップのピックアップ装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ1が接着されたダイシングテープ2を搭載面Tの上に載せ、吸着溝M2でダイシングテープ2を下面側から吸着保持する保持台10と、保持台10の内部に設けられ、ダイシングテープ2を下面側から貫通して半導体チップ1を突き上げる突き上げピン20と、ダイシングテープ2の上面側から半導体チップ1を吸着保持する吸着コレット30とを有してなり、搭載面Tにおいて、ピン穴吸着溝M2aの最短幅Wが、半導体チップ1の辺の長さLcより小さく設定されてなり、ピン穴吸着溝M2aの半導体チップ1の直下で占める面積Smaが、半導体チップ1の面積Scの30%以上に設定されてなるピックアップ装置100とする。 (もっと読む)


【課題】製品の生産性を低下させることなく熱拡散板の亀裂やひび割れ等の割れを迅速に且つ容易に検出することができる割れ検出装置を提供する。
【解決手段】
処理すべき被処理体Wを載置するための熱拡散板61を有する載置台58を処理容器22の底部から支柱60により起立させて設けてなる載置台構造の割れを検出する割れ検出装置において、処理容器の外部に設けられる振動検出手段202と、振動検出手段で得られる信号中から熱拡散板の割れ態様に応じて発生する振動数の信号である割れ振動信号を検出する割れ検出手段204とを備える。これにより、製品の生産性を低下させることなく熱拡散板の亀裂やひび割れ等の割れを迅速に且つ容易に検出する。 (もっと読む)


【課題】基板を載置したサセプタを低速で回転させながら高品質で再現性も良好な堆積膜を得ることができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタの回転に伴って基板保持部材を自公転させるとともに、原料ガス導入部からサセプタ表面側に原料ガスを導入して加熱手段により加熱された基板面に薄膜を気相成長させる自公転型の気相成長装置を用いた気相成長方法において、サセプタの回転数を毎分60回転以下に設定するとともに、基板の回転方向を、正方向に回転している時間に比べて短い時間だけ負方向に回転させる。 (もっと読む)


【課題】ヒータ昇温時に、熱応力に起因する基板載置部の破損を防止することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し加熱処理を行う基板処理室と、前記基板処理室内に設けられ、その表面に基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第1のヒータと、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第2のヒータと、前記第1のヒータと第2のヒータを加熱制御する制御部であって、前記第1のヒータの加熱制御値に基づいて、第2のヒータの加熱制御値を決定するよう制御する制御部とから半導体製造装置を構成する。 (もっと読む)


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