【課題】例えば、リソグラフィ装置において物体を熱的に調整するための装置を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するよう構成されている。リソグラフィ装置は、第１の物体と、第２の物体への又は第２の物体からの熱移動を改善するために第１の物体に搭載されている平面部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】均熱性の良好なウェハ支持部を提供する。
【解決手段】ウェハ支持部材１０は、基体３と、絶縁体５と、基体と絶縁体とを接合する接合層９０とを具備したウェハ支持部材であって、接合層は、第１の層９１と該第１の層よりも絶縁体側に位置する第２の層９２とを有する複数の層の積層構造であり、第１の層と第２の層との熱伝導率が異なることから、ウエハを載置する面の均熱性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】２つの誘電層間に配置された電極を有する可撓性積層体を含んでいる、高効率静電チャック組立体を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の誘電層は、標準度又は高純度の熱可塑性フィルムである。可撓性積層体１１２は、静電チャックの表面に改善された温度分布を与える利点を備えるように、第１誘電層１２４の基板支持表面１３２を艶消し仕上げとすることができる。可撓性積層体の基板非支持面側、すなわち、ペデスタル受け側は、プラズマ処理されて、所望の表面仕上げにすることが可能であり、アクリル又はエポキシの接着剤でペデスタルに接合されて、従来のポリマー型静電チャックに較べて、優れた接合強度を生じる結果となる。電極１２２は、剥離ライナーに形成したシート電極とすることができ、これにより製造を簡単にすることができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハが載置される部分に切削痕ができないサセプタ基材の加工方法及びサセプタ基材を提供する。
【解決手段】回転刃物を用いて切削加工を行うサセプタ基材１１の加工方法であって、回転刃物１５の軸先端がＲ形状であり、回転刃物１５がサセプタ基材１１の上面の法線２３に対して所定角度傾斜させて前記サセプタ基材の切削加工を行い、サセプタ基材１１の切削加工が行われた凹部に切削痕のない加工面２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】強い腐食性環境下で、プラズマエッチング加工が行われる半導体加工用装置内に配設される静電チャックの耐久性を向上させること。
【解決手段】電極層と電気絶縁層とからなる静電チャック部材において、この部材最外層に、元素の周期律表の３Ａ族元素の酸化物の溶射被覆層を設けるとともに、前記溶射被覆層の表面に、高エネルギー照射処理によって形成された、孔率が５％未満で、かつ、その表面の平均粗さ（Ｒａ）が０．８〜３．０μｍになる緻密化再溶融層を形成する。 （もっと読む）

【課題】１つまたは複数の薄膜コンポーネントなどの１つまたは複数の電子的コンポーネントを確実に形成することができる基板ホルダを提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置用の基板ホルダは、その表面上に設けられた平坦化層を有する。この平坦化層は、薄膜の電子的コンポーネントなどの電子的コンポーネントを形成するための滑らかな表面を設ける。この平坦化層は、複数の副層に設けられてもよい。この平坦化層は、基板ホルダ上にバールを形成するように空所から材料を除去することによってもたらされた粗さの上を滑らかにすることができる。 （もっと読む）

【課題】サセプタのマーキングとしての刻印を打つ位置の特定方法を提供し、それにより刻印を打ったサセプタを提供する。また、好ましい刻印の条件についても教示する。
【解決手段】刻印は、気相成長等においてウェーハの品質に影響を及ぼさない位置になされるべきであり（第１の条件）、かつ、サセプタを単独で取り扱う際に容易に判読可能な位置になされるべきであり（第２の条件）、かつ、刻印は表面を削るので、削られるサセプタの機械的強度に影響の少ないところになされるべきである（第３の条件）。そのため、サセプタの裏側の面で、ウェーハ載置のためのポケットに対応する位置に刻印を施す。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に、仮固定剤を用いて優れた密着性をもって薄膜を形成して、これにより、この薄膜を均一な膜厚を有するものとし、その結果、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を支持基材１の一方の面にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２を形成する第１の工程と、犠牲層２を介して、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層２を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる第４の工程とを有し、支持基材１は、その仮固定剤に対する親和性が、機能面３１の仮固定剤に対する親和性とほぼ等しくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】保持テーブルの回転によるワークの位置ずれを抑制でき、ワークの位置を精度よく検出できる研削装置を提供すること。
【解決手段】研削装置の検出手段における保持テーブル８ａは、上面中央に吸引口８ｌを有する基台部８ｇと、基台部８ｇ上に吸引口８ｌを囲むように配設された環状部材８ｈと、基台部８ｇ上の環状部材８ｈの内側に配設された中央部材８ｉと、を有し、環状部材８ｈは非通気性と弾性とを有しワークＷ表面に貼着された保護テープの凹凸を吸収できる厚みであり、中央部材８ｉは通気性と弾性とを有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを確実に吸着保持する静電チャックを提供すること。
【解決手段】 ウェハを静電的に吸着保持する静電チャック１４１０は、基板１４０５、電極１４１２板及び絶縁層１４０４を重ねて成り、ウェハの印加電圧が０ボルトから所定電圧まで時間とともに増大又は減少されるのに連動する電圧を静電チャックの電極板に印加することにより、ウェハとチャックの間に吸引力を発生する。 （もっと読む）

【課題】移動体の位置を高精度に制御しつつ、物体上の複数のマークの検出時間を短縮する。
【解決手段】 露光装置は、ウエハＷを保持してＸＹ平面内で移動するとともに、上面にＹ軸方向を周期方向とする格子を有する一対のＹスケール３９Ｙ_１、３９Ｙ_２が設けられたウエハステージＷＳＴと、Ｘ軸方向に関して検出領域の位置が異なる複数のアライメント系ＡＬ１、ＡＬ２_１〜ＡＬ２_４と、Ｘ軸方向に関して前記複数の検出領域の両外側に１つずつ配置される一対のＹヘッド６４ｙ_１、６４ｙ_２を含む複数のＹヘッド６４を有し、一対のＹスケールの少なくとも一方と対向するＹヘッドによって、ウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の位置情報を計測するＹエンコーダと、を備えている。このため、ウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の移動の際に、ウエハ上の複数のマークを複数のアライメント系で同時に計測可能になる。 （もっと読む）

【課題】 数枚の基板を載置できる基板搬送トレイであって、ＣＶＤ成膜装置内で用いた場合に異常放電が発生しにくい基板搬送トレイを提供する。
【解決手段】基板搬送トレイ１は、複数の凹部１１がその一方面１２に形成され、凹部に基板Ｓが載置されて搬送される基板搬送トレイであって、基板搬送トレイの一方面に絶縁膜２１が形成されている。 （もっと読む）

【解決手段】絶縁体層とこの絶縁体層内に設けられた電極とを有する静電チャックの被吸着体と接触する表面に、
(A)オルガノポリシロキサン、
(B)Ｒ₃ＳｉＯ_1/2単位（Ｒは一価炭化水素基）とＳｉＯ₂単位を主成分とし、Ｒ₃ＳｉＯ_1/2単位とＳｉＯ₂単位とのモル比［Ｒ₃ＳｉＯ_1/2／ＳｉＯ₂］が０．５〜１．５で、かつ１×１０^-4〜５×１０^-3ｍｏｌ／ｇのビニル基を含有するシリコーン樹脂質共重合体、
(C)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(D)有機過酸化物
を含有してなるシリコーンゴム組成物の硬化物からなるシリコーンゴム層を形成してなる静電チャック。
【効果】本発明はウエハとの密着性がよく、冷却性能に優れるため、半導体集積回路の製造においてウエハの保持が必要となる工程、特に、プラズマエッチング工程やイオン注入工程、スパッタリング工程において、ウエハの温度を精度よく均一かつ一定に保つことができるため、高精度の加工を行うのに有用である。 （もっと読む）

【課題】位置計測用のマークが存在しない移動体の位置を管理することを可能にする。
【解決手段】 所定形状のプレート５０が着脱可能に搭載された移動体ＷＳＴの位置をその移動座標系を規定する計測装置１８等で計測しつつ、プレート５０の一部をアライメント系ＡＬＧで検出するとともにその検出結果と対応する前記計測装置の計測結果とに基づいてプレート５０の外周エッジの位置情報を取得する。このため、その移動体ＷＳＴ上に位置計測用のマーク（基準マーク）などが存在しなくても、プレートの外周エッジの位置情報に基づいて、プレートの位置、すなわち移動体の位置を前記計測装置で規定される移動座標系上で管理することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】棒状電極端子の位置精度が高く、かつ焼成時やろう付け時の応力の集中に起因するセラミック基体のクラックの発生も抑制することができる半導体製造装置用接続部、及びそのような半導体製造装置用接続部の形成方法を提供する。
【解決手段】板状のセラミックからなる基体１１と、この基体１１の一主面に開口する凹部１７と、基体１１内に配置され、凹部１７の底面に露出する導電層１４と、凹部１７内に配置され、導電層１４にろう材１８を介して接合された棒状電極端子１６とを備える半導体製造装置用接続部であって、凹部１７は開口側の大径部１７ａとそれに続く小径部１７ｂからなり、導電層１４は小径部１７ｂの底面に露出し、小径部１７ｂ底面に露出する導電層１４の外周は、小径部１７ｂ側面より内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体４０であって、金属熱伝達部材４８と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック５０と、を備え、前記熱伝達部材４８は、当該熱伝達部材４８に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ウエハの分子接着モジュールを備える製造装置でアライメント制度が十分で、層歪みが低減された製造装置を提供する。
【解決手段】この装置は、大気圧未満の圧力のもとでウェハの接着を行うための真空チャンバを備える接着モジュール１と、接着モジュール１に接続され、且つ接着モジュール１へのウェハ移送のために構成され、且つ第１の真空ポンプデバイス５に接続されている装填ロックモジュール２と、を具備し、第１の真空ポンプは、装填ロックモジュール２内の圧力を大気圧未満に低減するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】熱処理プレートに基板を受け渡すときの基板の横滑りによる位置ずれが起きないようにして加熱処理の適正な処理が行われる熱処理装置（方法）を提供すること。
【解決手段】熱処理プレート６０の基板載置面と基板の裏面との間に第１の隙間距離をとるための伸縮自在な弾性部材からなる複数の第１の載置支持部材６４と、基板載置面と基板の裏面との間に前記第１の隙間距離よりも小さい隙間距離となる第２の隙間距離を設けるための複数の第２の載置支持部材６２と、熱処理プレート６０の基板載置面に設けられ前記基板の裏面との隙間の空間を吸引するための複数の吸引孔６３と、を備えて、前記吸引孔により第１の載置支持部材６４上に支持された基板を吸引することで第１の載置支持部材６４を収縮させて第２の載置支持部材６２に基板を支持させる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有し、しかも該吸着力が面内で均一であり機械的強度に優れ、残留吸着力の低い静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムアルミニウム結晶相（Ａ）又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相（Ｂ）と、イットリウムを除く希土類元素−アルミニウム酸化物結晶相（Ｃ）とを含む複合酸化物焼結体を含み、Ｘ線回折プロファイルに基づき所定の式で算出される結晶相（Ｃ）の含有率が０．０５％以上１０％以下である静電チャック及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板が収容されるチャンバに対して基板位置検出装置を高い位置決め精度で取り付けなくても、基板の位置を高い精度で検出できる基板位置検出装置を提供する。
【解決手段】サセプタを動かして基板載置部を撮像装置の撮像領域に位置させる工程と、処理容器内において撮像装置の撮像領域内に位置するように設けられる２つの第１位置検出マークであって、２つの第１位置検出マークの第１垂直二等分線がサセプタの回転中心を通る２つの第１位置検出マークを検出する工程と、サセプタにおいて基板載置部に対して設けられる２つの第２位置検出マークであって、２つの第２位置検出マークの第２垂直二等分線がサセプタの回転中心と基板載置部の中心とを通る２つの第２位置検出マークを検出する工程と、検出した２つの第１位置検出マーク及び２つの第２位置検出マークに基づいて基板載置部が所定の範囲に位置するかを判定する工程とを含む。 （もっと読む）