プローブステーションに装置を支持するように構成した透過板上に堆積した透過レジスタを有する熱光学チャックにより、試験中の加熱可能な装置の下面にアクセス可能な光路を提供する。
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本発明は、本体表面を含むチャック本体を備え、該チャック本体が平面内にある接触面を含み且つ本体表面から延びるピンを有する基板システムであって、ピンは平面と相対的に移動するようにチャック本体に可動的に結合されていることを特徴とする基板支持システムを含む。基板支持システムは、微粒子汚染物質の存在によって生じる基板内の非平面性の発生を回避できずとも軽減する。これは、ピンがコンプライアンスを有するように製作することにより達成され、基板内の十分な平面性を維持しながら粒子の存在に対処するようにピンが移動できるようになる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 少なくとも１つの半導体ウェハからのダイを収容するための窪みが表面に形成された部材を含んだワッフルパック装置。部材は、半導体ウェハ取り扱い装置および（または）半導体ウェハ処理に適合する。好ましくは、部材は、半導体ウェハからのダイの少なくとも過半数を収容する。また、ダイを１つのワッフルパック装置から取り外し、このダイを半導体パッケージ上へと配置して配置されたダイから集積回路に必要な全てのダイ部品を形成し、半導体パッケージ内に配置されたダイを相互に接続して集積回路を形成する、半導体装置組み立て方法が提供される。少なくとも１つのワッフルパック装置からダイを取り外し、このダイを半導体パッケージ上へと配置して配置されたダイから集積回路に必要なダイ装置部品を組み立て、半導体パッケージ内に配置されたダイを相互に接続して集積回路を形成する、別の半導体装置組み立て方法が提供される。 （もっと読む）

物体を熱処理する少なくとも１つの装置を含む熱処理システムであって、該装置は、１つのプラットフォーム、または互いに反対側に位置した２つのプラットフォームからなり、ここで少なくとも１つのプラットフォームは物体を加熱または冷却する少なくとも１つの熱的手段を有し、少なくとも１つのプラットフォームは、非接触で物体を支持する流体機械的手段を有している、熱処理システムである。前記プラットフォームは、少なくとも１つの、複数からなる基本セルからなる作動面を有し、この基本セルは、少なくとも１つの、複数からなる圧力吐出口と、少なくとも１つの、複数からなる流体排出流路を有するものである。各基本セルの圧力吐出口の少なくとも１つは、流量絞り機構を介して高圧流体源に流体的に接続され、この圧力吐出口は、前記物体とプラットフォームの作動面の間の流体クッションの形成維持のために加圧流体を供給するものである。流量絞り機構は、特性的には、流体的な戻しばね的な挙動を示すものである。各流体排出路は流入口と流出口を有し、各基本セルに対する質量流量の平衡をとるものである。 （もっと読む）

リフトアセンブリは基板を基板サポートから持ち上げ、かつ該基板を移送することができる。該リフトアセンブリは、該基板サポートの周辺に嵌合するようにサイズ設定されたフープと、該フープ上に搭載された１対のアーチ状フィンとを有しており、各アーチ状フィンは半径方向内側に延びる出っ張りを有する１対の対向端を備えており、各出っ張りは基板を持ち上げるための隆起した突起を有しており、該基板は実質的に該隆起した突起のみに接触して、該１対のフィンが該基板サポートから該基板を持ち上げるのに使用される場合に、該出っ張りとの接触を最小化することができる。該リフトアセンブリおよび他のプロセスチャンバコンポーネントは、（i）炭素および水素と（ii）シリコンおよび酸素の相互リンクネットワークを有するダイアモンド状コーティングを有することができる。該ダイアモンド状コーティングは、約０．３未満の摩擦係数と、少なくとも約８ＧＰａの硬度と、約５×１０^１２原子／ｃｍ^２未満の金属の金属濃度レベルとを有する接触表面を有する。該接触表面は、直接的または間接的に基板に接触する場合に、基板の汚染を削減する。 （もっと読む）

支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で複数枚の基板７２を複数段に支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板７２と接触する複数の支持板５８と、この複数の支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持板５８と支持片６６が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。 （もっと読む）

工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び方法。機器は、工作物の動きを熱により誘起するように構成された工作物加熱システムを備え、さらに、工作物から離間し、減衰力を加えて工作物の動きを減衰させるように構成された減衰部材を備える。この減衰部材は、減衰部材と工作物の間のガス圧が工作物の動きを妨げるのに十分に短い距離だけ工作物の静止位置から離間し得る。この距離は、好ましくは調節可能である。
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本発明は、被処理物のための受座及び受座の下側に受座が支える被処理物に沿ってガス出口がある、被処理物（１２）とりわけ半導体部品の基板、例えばウエハのための支持体（１０）に関する。所望のガスがよく配量され、微細に配分されてガス出口から流出することができるように、支持体（１０）が少なくとも部分的に、安定化した繊維（１８、２０）で作られ、ガス出口をなす気孔を備えた材料からなることを提案する。 （もっと読む）

温度制御されたホットエッジリングアセンブリは、プラズマ反応室内の基板支持体を取り囲むように構成されている。このアセンブリは、導電性の下部リング、セラミックの中間リング及び上部リングを含む。中間リングは、下部リングの上に横たわり、下部リングを介してＲＦ電極に取り付けられるように構成されている。上部リングは、中間リングの上に横たわり、プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する。
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【課題】比較的高い温度およびエネルギーレベルに耐えることができ、かつスパッタリングのコンタミネーションの可能性を低減したウエハーホルダを提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂から形成されたウエハー保持構造であって、例えば、ＳＩＭＯＸウエハープロセスを含む半導体プロセスに用いられる。一実施形態では、ピンが、ウエハーの縁を受容するように構成され、ウエハーホルダ組立体に結合される。このピンは、導電材料で満たして、ウエハーとウエハーホルダ組立体との間に、グランドに接続できる電気経路を形成することができる。この構成により、イオン注入プロセスの際にウエハーからの放電を防止する導電経路が得られる。このピンは、ウエハーの局所的な熱の放散が起こらないように断熱特性および十分な硬度を有するが、ウエハーにマークを付けたり、他の損傷を与えない程度に軟質である。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理装置を用いて、半導体基板をクランプして処理するための方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、静電チャックと基板との間の熱接触伝導によって基板を加熱または冷却する動作を開示する。この多極静電チャックは、複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記突起は、その間にギャップを形成し、突起の表面あらさは、100Å以下である。静電チャックは、更にチャックに印加される電圧を制御する電圧制御システムを含み、チャックの接触熱伝達係数を制御する。静電チャックの熱伝達係数は、基板と複数の突起との間の接触圧の関数である。
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本発明は無焼結窒化アルミニウム（ＡｌＮ）静電チャックおよびその製造方法に係わり、特に本発明はウエハーの加工時にウエハーを固定させるために使用する静電チャックにおいて、焼結工程や接着工程を行わずに誘電体を結合して使用することによって優れた静電特性を有すると共に優れた結合強度および熱伝導度を有する窒化アルミニウムのコーティング層が誘電体であることを特徴とする無焼結窒化アルミニウム（ＡｌＮ）静電チャックおよびその製造方法に関する。 本発明は、静電チャックにおいて、誘電体がコーティングによって生成される窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であるので静電チャックの特性を向上させることができる窒化アルミニウム層を誘電体に使用するようになることによって、優れた静電特性および熱伝導性を有すると共に、これを焼結工程や接着工程を行わずに生成するようになるので優れた結合強度および熱伝導度を有する静電チャックを製作することができる。

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加工物は、処理中、加工物への機械的ストレスを減じるためにガスクッションによって支持される。加工物を受け入れる加工物支持フランジを有するプレナムは、ガス供給源に接続されている。ガスがプレナム内に流れて、加工物を持ち上げるのに十分な圧力が増加すると、加工物は、持ち上げられ、そして、支持フランジと加工物エッジとの間のプレナムからガスが流れる。その結果、加工物は、処理中、ガスによって支持フランジ上方で支持される。 （もっと読む）

各種ウェハ処理分野に使用される現在の最高技術水準のホルダに勝る製造及び性能利点を有する改善されたウェハホルダ設計を開示する。このウェハホルダには、一連の短い半径方向溝が組み込んである。溝は環状チャンネルの基部から延び、このチャンネルはウェハ寸法と肉厚に基づき変化する固定された半径方向位置へ基部ウェハ凹部の外径沿いに延びている。この溝がウェハに対し若干の重複を備え、ウェハの着脱操作に必要なウェハ下側での自由なガス交換を容易にしている。半径方向溝の短い長さが、ウェハホルダをより簡単に製造させ、現在の最高技術水準のホルダに比べより優れた性能を提供する。 （もっと読む）

試料位置合わせ機構（１０）が、複数の軸に沿って動かせる可動ステージ（１２）と、試料取り付けチャック（１４）と結合され、それを支持する板（３５）と、板を可動ステージに結合し、可動ステージと板との間の異なる位置に相隔たり、かつ可動ステージと板との間の距離を変化させるために別々に制御できる、複数の直線変位機構（３６，３８）と、可動ステージおよび板に結合する可撓性部材（２２）と、を含む。可撓性部材は３つの運動軸で応従して動く。直線変位機構の直線変位に対応する可撓性部材は、試料取り付けチャックの直線および回転運動を３つの応従運動軸で可能にする。 （もっと読む）

支持構造体が半導体作業片またはウェハーの第１の側に、完全にウェハーの周囲の縁部であり内部に延在するが、所望の回路パターンがその内部に配置される選択された区域の外側で層毎の様式でステレオリソグラフィープロセスによって直接施され、この支持構造体は、作業片が反対の第２の側で周囲の縁部に酸エッチングに施されたときに選択された区域の回路パターンを酸から封止するのに効果的な、酸エッチング・プロセスに耐性のある材料の、所望の高さのものである。支持構造体はさらに、曲げ破損に対して作業片を補強する。
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処理チャンバ内にワークピースを支持する装置が設けられ、その装置は、ワークピースを支持する表面を有する第１の「ホット・チャック」を有し、そのホット・チャックは当該ホット・チャックを加熱する電気的な加熱要素を含んでおり、当該装置はまた熱伝導流体を循環させるためにそこに形成された流路を有する第２の「コールド」チャックを有する。ホット・チャックとコールド・チャックとの間の熱伝達の比率を変化させるために、コールド・チャックはホット・チャックに向けてまたはホット・チャックから離れて選択的に移動可能である。
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【課題】
【解決手段】チャンバ内の流体の流れと流体の圧力とを可変に制御することを可能にするチャンバが提供されている。そのチャンバは、チャンバ内の内部容器内の流体の流れと流体の圧力とを制御するよう構成可能である着脱可能なプレートを用いる。また、着脱可能なプレートは、チャンバ内の内部容器をチャンバ内の外部容器と分離するために用いられてもよい。さらに、そのチャンバで用いるためのウエハ固定装置が提供されている。ウエハ固定装置は、ウエハの上面と下面との間の圧力差を用いて、ウエハ下面に接触するウエハ支持構造に向かってウエハを引っ張ることにより、動かない状態にウエハを固定して維持する。さらに、高圧チャンバの構成が提供されている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な電極パターンによってウエハ吸着領域のほぼ全域に安定で均一な吸着力を得ること。
【解決手段】 静電チャック１００の電極パターン３は、半径方向に直線部３１ａ、３１ｂを有し、この直線部３１ａ、３１ｂから枝状に複数のＣ字形状部３２ａ、３２ｂを延出した形状で、その直線部３１ａ、３１ｂは、互いに対向して直径方向となる略一直線上に位置し、前記Ｃ字形状部３２ａ、３２ｂは複数の同心円パターンを形成され、相互にくし歯状に入り込むようになる。 （もっと読む）

【課題】セラミックスからなる板状体の一方の主面に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を具備してなるセラミックヒーターにおいて、板状体の厚みを薄くすると、発熱抵抗体で発生した温度分布が十分緩和されず、載置したウエハの温度がなかなか均一にならないという課題があった。
【解決手段】上記発熱抵抗体の少なくとも一部を、周囲のパターンの抵抗値に対し３倍以内の抵抗値にトリミングした抵抗調整部を形成する。 （もっと読む）