【課題】 常温のみならず高温においても体積抵抗率を高い値に維持することができる窒化アルミニウム焼結体、及び該窒化アルミニウム焼結体を少なくとも部分的に用いた半導体製造装置用又は検査装置用のウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブを内部に含んだ窒化アルミニウム粒子からなる窒化アルミニウム焼結体であって、その常温及び５００℃における体積抵抗率がそれぞれ１.０×１０^１３Ω・ｃｍ以上及び１.０×１０^８Ω・ｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】ウエハステージにおいて石英ガラスからなる当設部材が割れるのを防止する。
【解決手段】ウエハＷを支持する支持ユニット２をウエハＷの外周円上に配置したウエハステージであって、各支持ユニット２は、ウエハＷの外周縁に接するセラミック質の当接部材３と、当接部材３が装着される金属製のベース部と、当接部材３をベース部に固定する固定具とを備える。ベース部には挿入孔４０が形成され、当接部材３には挿入孔４０に向かって上下に貫通する係合孔３０が形成され、固定具は挿入孔４０に嵌合する上下に延びる軸部５４と係合孔３０に係合する係合頭部５３とが一体に形成されたピン５を備え、ピン５が永久磁石の磁力によって下方に向かって付勢されていることで当接部材を固定している。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温や降温を繰り返しても、チャック本体に割れやかけ等が発生することを防止できる基板の温度制御性の良い基板保持装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板を保持する本発明の基板保持装置は、冷却手段を有する基台１と、基台の上面に固定される絶縁性プレート３と、この絶縁性プレートの上面に設置され、正負の電極４２ａ、４２ｂと加熱手段４１とを有するチャック本体４であって、全体が誘電体材料で構成されてその上面に基板Ｗが載置されるものとを備える。基台上面と絶縁性プレートの下面との間に、これら基台及びプレートに密着して熱抵抗を低下させる所定厚さのシート部材２を介在させている。 （もっと読む）

【課題】 搭載されるウエハに対して温度分布を均一にすることができ、かつ剛性に優れたウエハ加熱用ヒータを提供する。
【解決手段】 ウエハを載置する載置面１ａを備えたウエハ載置台１と、ウエハ載置台１を加熱する発熱体２とを有するウエハ加熱用ヒータ１０であって、ウエハ載置台１は、熱伝導率が２５０Ｗ／ｍＫ以上、ヤング率が２００ＧＰａ以上の金属−セラミックス複合体からなる。この金属−セラミックス複合体は、Ｍｇ又はＭｇ合金からなる金属と、ＳｉＣからなるセラミックスとの複合体であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】静電吸着装置における吸着力又はその分布を容易に調整可能とする。
【解決手段】ウエハＷを吸着して保持する静電チャック２２であって、ウエハＷに対向して配置される支持面３３を有するベース部材３２と、支持面３３に設けられてウエハＷを支持する複数の円柱状の支持部３４と、支持面３３の複数の支持部３４の間に設けられた吸着用の電極３８Ａ，３８Ｂと、電極３８Ａ，３８Ｂの支持面３３に対する高さを調整する複数のアクチュエータ４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ等の板状試料にプラズマを照射した際や、ヒータを加熱した際等において急速に温度が昇降した場合においても、破損や破壊を防止することができ、しかも、腐食性ガスやプラズマによる腐食を防止することができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】一主面を板状試料Ｗを載置する載置面とした耐食性セラミックスからなる載置板１１と、この載置板１１と一体化されて載置板１１を支持し熱伝導率が耐食性セラミックスより大である絶縁性セラミックスからなる支持板１２と、これら載置板１１と支持板１２との間に設けられた静電吸着用内部電極１３とを備えた静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】粘着テープからの剥離時における半導体チップの欠けや傷を低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ピックアップ装置１０は、粘着テープに貼り付けられた状態の半導体チップを保持する保持ステージ１１を備える。保持ステージ１１の半導体チップを保持する側の面には、第１溝２１ａおよび第２溝２２ａが設けられている。第１溝２１ａおよび第２溝２２ａには、少なくとも１つ以上の通気孔１２が連結されている。第２溝２２ａの開口部の幅ｔ２は、第１溝２１ａの開口部の幅ｔ１よりも狭い。ピックアップ装置１０は、第１，２溝２１ａ，２２ａの頂点部に、粘着テープが貼り付けられた側を下にして半導体チップを保持し、減圧手段によって粘着テープ、第１溝２１ａおよび第２溝２２ａに囲まれた密閉空間を減圧した後、コレットによって保持ステージ１１から半導体チップをピックアップする。 （もっと読む）

【課題】液体窒素のような冷却媒体によって冷却される静電チャック装置に用いられる接着剤層からのガス放出を防止できる接着剤層の乾燥方法を提供することである。
【解決手段】冷却媒体によって冷却される静電チャック装置に用いられる接着剤層を乾燥する方法であって、１２０℃〜１４０℃の間の温度で、不活性雰囲気中で、前記接着剤層からの所定の質量数（１５、９０、１２１、及び１６３）のガスの放出がなくなるまでベークする乾燥方法が得られる。即ち、２時間〜８．５時間の間、ベーク乾燥することによって、所定質量数のガス放出を無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト１０３は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３であって、前記サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７と、該支柱１０７から前記サセプタ１０２の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム１０８と、隣接する該アーム１０８の先端同士を接続するアーム接続部材１０９と、該アーム接続部材１０９から延び、前記サセプタ１０２を支持するｎ本（ｎは４以上の自然数）の支持ピン１１０と、を有し、前記アーム１０８が（ｎ-１）本以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材を提供する。
【解決手段】 炭化珪素を主成分とし、チタンを含む緻密質の炭化珪素質焼結体であって、炭化珪素の平均結晶粒径が4.8μｍ以下（但し、０μｍを除く）であり、チタンの含
有量が140質量ｐｐｍ以下（但し、０ｐｐｍを除く。）の炭化珪素質焼結体である。この
炭化珪素質焼結体は、機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きなものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】クーロンタイプのみならずＪ−Ｒタイプの静電チャックにおいても、吸着力を殆ど低下させることなく、誘電層の脱粒を防止する。
【解決手段】ウエハＷを吸着保持する静電チャック２２において、ウエハＷを吸着するための吸着面３２ｓが形成された絶縁体３２と、絶縁体３２の吸着面３２ｓに形成され、絶縁体３２よりも体積抵抗率の小さい脱粒防止層３６と、脱粒防止層３６の表面に形成され、脱粒防止層３６よりも抵抗の大きい接触抵抗調整層３８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ成膜処理において、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。
【解決手段】基板搭載部の基板を搭載する上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。基板搭載部は基板を保持する保持部材を備え、保持部材の表面の内、基板と搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分を平滑面とする。保持部材の上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くする。 （もっと読む）

【課題】試料の温度分布を所望の値に制御することができるとともに、信頼性の高い、長寿命のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、該真空処理室に配置された試料台を備え、前記真空処理室内にプラズマを生成して、前記試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台１０７は、円柱状の基材部２０１と、該基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部２０２と、前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板２０９と、前記誘電体膜部とセラミクス板を接着する第１の接着層２０７と、前記第１の接着層の側面を被覆する耐熱性の第２の接着層２１１と、前記第２の接着層および誘電体膜部の側面を被覆する保護部材２１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】低温で基材を支持体上に仮固定でき、かつ薬液に対する耐性を有する仮固定材、前記仮固定材を用いた基材の処理方法、および前記処理方法によって得られる電子部品を提供する。
【解決手段】（１）低軟化点を有する非晶質体を含有する仮固定材を介して、支持体上に基材を仮固定する工程、（２）前記基材を加工および／または移動する工程、ならびに（３）前記仮固定材を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する基材の処理方法。 （もっと読む）

【課題】接合時の残留応力を下げ、セラミックス基体にクラックが発生せず、使用温度が２００℃であっても十分な接合強度が得られる。
【解決手段】静電チャックは、電極１４が埋設されたセラミックス基体１２と、セラミックス基体１２の裏面に設けた凹部１６の底面に露出する電極端子１４ａと、電極１４に給電するための給電部材２０と、この給電部材２０とセラミックス基体１２とを接続する接合層２２とを備えている。接合層２２は、ＡｕＧｅ系合金、ＡｕＳｎ系合金、又はＡｕＳｉ系合金を用いて形成されている。セラミックス基体１２と給電部材２０とは、給電部材２０の熱膨張係数からセラミックス基体１２の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄが−２．２≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択されたものである。 （もっと読む）

【課題】誘電層の厚みのバラツキを小さく抑える。
【解決手段】静電チャックの製法として、（ａ）成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、その成形型内でゲル化剤を化学反応させてスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第１及び第２のセラミック成形体１１、１２を得る工程と、（ｂ）第１及び第２のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第１及び第２のセラミック仮焼体を得る工程と、（ｃ）第１及び第２のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極用ペースト１４を印刷して静電電極とする工程と、（ｄ）静電電極を挟み込むようにして第１及び第２のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）