【課題】静電チャックを備えた基板載置台においては、静電チャック電極への給電線の周囲を絶縁材料で囲むため、伝熱の悪い部分が生じる。そこでこの部分の伝熱を補償して、基板全体の温度を均一にする手段を提供する。
【解決手段】給電線周囲の基板載置台表面に環状凸部を形成して、基板と載置台との間隙の空間を内側領域と外側領域に画定し、各領域に冷却ガスの供給管と排出管を配して、それぞれの領域の冷却ガス圧力を独立に制御できるようにする。 （もっと読む）

【課題】露光後の製品に斑模様やモアレ模様等が形成されることを効果的に防止して製品の歩留まりを向上させることができる露光機用チャックステージを提供する。
【解決手段】チャックステージ１３は、保持対象となるガラス基板１９を真空吸着するための真空吸引孔２４を有する載置面２０を備えている。載置面２０のうち保持対象となるガラス基板１９の外縁に対応する部位には３つのチャック用壁部２１，２２，２３が形成されている。チャック用壁部２１，２２，２３はそれぞれ、サイズの異なる３種類のガラス基板に対応するものであり、各ガラス基板の外縁に沿って波形状に延びている。載置面２０上には、保持対象となるガラス基板１９を支持するための複数の突起部２５が形成されている。各突起部２５は、保持対象となるガラス基板１９の下面に接触する円形状の頂部端面を有している。また、これらの突起部２５は、載置面２０上にて格子状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】溶剤を用いて半導体ウエハから容易に剥離し得るが、半導体ウエハの加工を行う過程において基板から剥がれにくいサポートプレートを実現する。
【解決手段】基板２に貼着して基板２を支持するサポートプレート１を提供する。サポートプレート１において、複数の開孔１５・１５’が、基板２に面する接着面と該接着面に対向する非接着面とを貫通しており、該接着面には、第１領域１１および第１領域１１を取り囲む第２領域１２からなる開孔が形成されている領域１３が設けられており、第１領域１１における開孔率が第２領域１２の開孔率より大きい。 （もっと読む）

【課題】基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持することによる基板の冷却効率の向上等を図れるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のトレイ１５は、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄを備える。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁から突出する基板支持部を設ける。基板支持部が基板２の下面の外周縁部分を支持する。誘電体板２３は、トレイ支持面、トレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、かつその上端面である基板載置面に基板２が載置される基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備える。基板載置面に載置された基板２の下面と、トレイ支持部２８に載置されたトレイ１５の基板支持部の上面との隙間δ２が０．２〜０．３ｍｍ程度である。伝熱ガス供給機構４５は基板２と基板載置面との間に伝熱ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】光が照射されることに起因した被照射物体の温度上昇を好適に抑制できる保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】レチクルステージ１５は、レチクルＲを静電吸着する静電チャック２１を備え、該静電チャック２１のＸ方向及び反Ｘ方向の両端部には、ホルダ部３５がそれぞれ設けられている。各ホルダ部３５は、Ｚ方向に延びる延設部３６をそれぞれ備え、該各延設部３６の先端には、互いに接近する方向に突出した突設部３７がそれぞれ設けられている。これら各突設部３７のうち静電チャック２１に静電吸着されるレチクルＲに相対する第２相対面３７ａには、気体を供給するための供給口４１と、気体を外部に排気するための排気口４２とがそれぞれ設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板体の剛性を確保することができ、しかも、大掛かりな設備等の設置を要しない基板体の貼着装置及び基板体の取り扱い方法を提供する。
【解決手段】携帯可能なケース内に供給ステージ１、貼着ステージ１０、取り扱い機構３０を内蔵して供給ステージ１と貼着ステージ１０とを横一列に並べ備え、これら供給ステージ１と貼着ステージ１０の間で基板体を形成する半導体ウェーハ、基板保持具、半導体ウェーハを着脱自在に保持した基板保持具を取り扱い機構３０のハンド３２により選択的に取り扱う。剛性の基板保持具２２を使用するので、半導体ウェーハに剛性を容易に付与して各種の加工を施したり、ハンドリングしたり、搬送等することができる。 （もっと読む）

【課題】これまで知られているものより改善した配置精度を有する基板配置方法、基板搬送方法および搬送システムを提供する。
【解決手段】本発明は、複数のバールが設けられた基板ホルダの表面に基板を配置する方法に関する。方法では最初に、基板ホルダの表面上にある複数のバールの位置に対する特定の位置に基板を配置できるようにするための基板配置データを計算する。次に、基板配置データに従って特定の位置に基板を配置する。特定の位置は、オーバレイ誤差が最小になるような配置の位置に基づくか、基板の変形が最小になるような配置の位置に基づく。 （もっと読む）

真空チャック及びこの真空チャックを備えた処理チャンバを提供する。真空チャックアセンブリは、支持体本体と、複数の突起と、複数のチャネルと、支持体本体を支持する少なくとも１つの支持部材と、支持部材に連結された少なくとも１つの弾性部材と、支持体本体を支持する中空シャフトと、中空シャフト内に配置された少なくとも１つの電気コネクタと空冷装置を備える。支持体本体は、基板（ウェハ等）を保持するための支持面を有する。基板と支持面との間に間隙を形成するために突起が支持面上に形成され、また支持面から突出している。間隙内を減圧するために支持面にはチャネルが形成される。空冷装置を使用することによって、電気コネクタ付近を空冷する。
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【課題】静電チャックに吸着保持される吸着対象物の裏面側に付着するパーティクルを低減することができる静電チャック、及び、静電チャックを有する基板温調固定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】静電電極が内蔵された基体に吸着対象物を載置し、前記静電電極に電圧を印加することで前記吸着対象物との間にクーロン力を発生させ、前記吸着対象物を吸着保持する静電チャックであって、前記基体は、前記吸着対象物と対向する基体上面と、前記吸着対象物が当接する前記基体上面に設けられた突起部とを備え、前記突起部は、前記基体上面の外縁部を除く領域に形成されており、前記外縁部は、前記基体上面と略面一であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフ処理の間、基板を支持する可撓性チャック（１００）を提供する。
【解決手段】 可撓性チャックは、電極層（１１６）、電極層に配置された圧電層（１１０）、および圧電層上に配置された基板支持層（１１１）を備える。電極層を通して、圧電層に電気的信号を提供することによって支持層は屈曲され得、それによって可撓性チャックに配置された基板の表面形態を、変化させる。接触層は、突起部を含み得、この突起部の各々は、電極層内のそれぞれの電極に対応する。別の基板支持体および接地層が提供され得る。本発明に従う可撓性チャックは、真空チャックであり得る。また開示されるのは、本発明に従う可撓性チャックにおける形態変化をモニタリングするための方法である。 （もっと読む）

【課題】切削装置においてパッケージ基板の分割時に使用する保持治具を、サイズの小さいデバイスパッケージにも対応できるようにする。
【解決手段】分割予定ラインによって区画されて複数のパッケージデバイスが形成されたパッケージ基板を吸引保持するチャックテーブルに保持されチャックテーブルと切削対象のパッケージ基板との間に介在する保持治具５に、金属板の表面にパッケージ基板の分割予定ラインに対応する位置の切削ブレードの逃げ溝５４と、金属板の表裏面を貫通し個々のパッケージデバイスを吸引保持する吸引孔５３とを備え、金属板の表面には樹脂層５５を被覆する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の清掃を半導体製造装置を停止することなく行うことができ、生産効率の向上を図り得るウエハ載置台のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 表面に凹凸パターンを有するクリーニングウエハを用いたウエハ載置台のクリーニング方法であって、前記クリーニングウエハ１１の表面を前記ウエハ載置台１４の表面に対向させて、正規の位置とは異なる位置に載置する工程と、前記ウエハ載置台１４の表面に載置された前記クリーニングウエハ１１の位置を正規の位置に補正する機構を用いて、前記クリーニングウエハ１１の位置を補正して前記クリーニングウエハ１１を前記ウエハ載置台１４上の正規の位置に移動させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】これまで知られているものより改善した配置精度を有する基板搬送方法および搬送システムを提供する。
【解決手段】本発明は、基板を第１基板ホルダ、例えばプリアライメントユニットから、第２基板ホルダ、例えばリソグラフィ装置内の基板テーブルへ、搬送ユニットによってそれに利用できる搬送データに基づいて搬送する方法に関する。第１に、基板が第１基板ホルダ上に提供される。引き続いて、基板の位置誤差が測定され、位置調整データが測定された位置誤差に基づいて計算される。次いで、第２基板ホルダを位置調整データに従って、それの基準位置に関して移動させる。最後に、基板を搬送データに従って第１基板ホルダから第２基板ホルダへ搬送ユニットによって搬送し、移動した第２基板ホルダ上に基板を配置する。 （もっと読む）

【課題】これまで知られているものより改善した配置精度を有する基板搬送方法および搬送システムを提供する。
【解決手段】本発明は、リソグラフィ投影装置において、基板を、第１基板ホルダから第２基板ホルダへ、搬送ユニットによってそれに利用可能な搬送データに基づいて搬送する方法に関する。第２基板ホルダは、複数の第１バールが設けられた表面を含む。この方法では、バール位置データおよび基板位置データが符号化されたメモリが提供される。それにより、基板は第１基板ホルダ上に提供される。その後、基板の位置誤差および方向が測定される。バール位置データ、基板位置データ、および測定された方向に基づいて、方向調整データが計算される。次いで、方向調整データに従って基板の方向が調整される。その後、基板は、第１基板ホルダから第２基板ホルダへ搬送ユニットにより搬送され、第２基板ホルダ上に配置される。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにする。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板Ｗ２と相対的に大型の基板Ｗ１を処理容器３０内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置５であって、処理容器３０内には、基板Ｗ１、Ｗ２を選択的に上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面の中央部３１’には、載置台３１の上面の中央部３１’に載置される小型の基板Ｗ２の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材７０が設けられ、載置台３１の上面の周辺部３１”には、載置台３１の上面の中央部に載置された小型の基板Ｗ２の外側において昇降自在な周辺昇降部材７５が設けられ、周辺昇降部材７５は、載置台３１の上面に載置される大型の基板Ｗ１の裏面を支持可能な位置に配置されている。 （もっと読む）

重合可能材料のインプリント中にテンプレートと基板との間の接触境界線の速度および高さプロファイルを制御するシステムおよび方法を説明する。
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【課題】高動作速度がロードロックのために使用されるときの温度効果を制限することができる装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、真空室と気体除去のためのロードロックを有する。ロードロックは、基板を支持するために支持テーブルを有する。カバープレートは、ロードロック内に設けられ、カバープレートは、支持テーブルの上方表面に面する下方表面を有する。開口が、カバープレートの下方表面に設けられ、下方表面に対して実質的に垂直な方向に基板上方から気体の除去を可能にする。一実施形態において、支持テーブルの上方表面内の開口を有する気体除去構成が設けられ、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力を、初期的に開口を介してロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定圧力に低減する。ロードロックの残り内のロードロック圧力が所定より低く低下されるとき、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力はロードロックの残り内のロードロック圧力とともに低減される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、基板との接触面積の小さい静電チャックにおいて、特にシールリング部における接触ムラに起因する基板の温度ばらつきが起きない静電チャックを提供することである。
【解決手段】 本発明では、複数の突起の配置ピッチをａとし、前記複数の突起の内、最も前記シールリングへ近接した突起の中心と前記シールリングの内周部との最短距離をｂとしたとき、
ｂ≧ａ×０．３
であり、かつ前記複数の突起先端と前記シールリングの上面が同一平面上となるように前記複数の突起を配置することとした。 （もっと読む）

【課題】 裏面ガスの均一な分布と、気相熱伝達と、固体接触熱伝達とのバランスを効果的に取る表面エンボスパターンを有する静電チャックを提供する。
【解決手段】 静電チャックは、熱伝達ガスが供給される傾斜管路又は傾斜したレーザードリル形成通路を含む。傾斜管路及び／又は傾斜したレーザードリル形成通路の一区間は、基板をチャックに保持するために生成される電界軸とは異なる軸に沿って延びており、それによってプラズマアークの発生及び裏面ガスのイオン化が最小限に抑えられる。前記管路には、それ自体の第１の外部溝の一区間が前記電界軸とは異なる軸に沿って延びる第１のプラグを挿入することができる。誘電部材と電極のうちの少なくとも一方を貫通するセラミックスリーブに第１及び第２のプラグを挿入することができる。最後に、前記誘電部材の表面は、熱伝達及びガス分布を改善することができるように、前記誘電部材の中心からある径方向距離の位置に配置されるエンボスを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）