【課題】チャックを複数の部材で構成する際、各部材の設置高さの違いによる露光むらを抑制する。
【解決手段】チャック１０を、複数のチャック部材１０ａ，１０ｂ，１０ｃで構成する。各チャック部材１０ａ，１０ｂ，１０ｃに、基板１を真空吸着する１つ以上の真空区画を設け、チャック部材とチャク部材との境界１０ｄ，１０ｅを含む領域に、基板１を真空吸着しない非真空区画を設けて、各チャック部材の真空区画により基板１を真空吸着する。各チャック部材１０ａ，１０ｂ，１０ｃの設置高さが微妙に異なり、チャック部材とチャク部材との境界１０ｄ，１０ｅに段差があっても、チャック１０に搭載された基板１は、境界１０ｄ，１０ｅを含む領域で真空吸着されないので、段差に倣うことなく緩やかに変形する。従って、各チャック部材１０ａ，１０ｂ，１０ｃの設置高さの違いによる露光むらが抑制される。 （もっと読む）

【課題】被吸着物に付与する吸着力を大きくすることができる静電吸着保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第２静電吸着保持装置３４は、支持面４１を有する基体４０を備え、基体４０の支持面４１側には、ウエハＷを支持するための複数の凸状の支持部４９が設けられている。また、第２静電吸着保持装置３４は、誘電材料で構成される誘電部材４２を備え、該誘電部材４２は、支持面４１上であって、且つ各支持部４９の間に設けられている。また、誘電部材４２内には、複数の第１電極部４４及び複数の第２電極部４６が設けられている。そして、各電極部４４，４６に電圧が印加されると、ウエハＷは、誘電部材４２がクーロン力を発揮することにより、基体４０に静電吸着される。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣからなるサセプタ表面に、載置されるウェーハの貼りつきを抑制するための所望の凹凸を形成することが可能なサセプタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のサセプタの製造方法は、加工基板表面に凹パターンを形成し、凹パターンを埋め込むように、ＳｉＣ粉末と焼結助剤を含むＳｉＣペーストを塗布し、ＳｉＣペースト上にＳｉＣ基板を積層し、ＳｉＣペーストを焼成し、ＳｉＣ基板表面に凸部を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板を容易に離脱させることができる基板保持具および基板保持方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板保持具は、Ｗ基板を真空吸引により保持する。この基板保持具は、基板Ｗの吸着面を有する基板保持ステージ１と、真空源および流体供給源に選択的に連結される流体通路１４，２３とを備える。基板保持具の吸着面は、凸部６ａ，６ｂ，６ｃによって囲まれた複数の閉区画１２を有し、流体通路１４，２３は、これらの閉区画１２にそれぞれ独立して連通する複数の連通路１４，２３ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を低減することが可能な基板温調固定装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 この基板温調固定装置は、基体の一方の面に載置される吸着対象物を吸着保持する静電チャックと、前記静電チャックを支持するベースプレートと、を有し、前記基体の他方の面と対向する前記ベースプレートの一方の面の外周には、土手部が設けられていることを要件とする。 （もっと読む）

【課題】温調手段上に基板が正常に吸着されなかった場合に、特別な検出装置を設置することなく、吸着異常の原因を判定し、露光装置のダウンタイムを低減する。
【解決手段】基板を吸着保持し、基板の温調を行う温調手段と、該温調手段からの基板の落下を防止する落下防止部材と、基板の受け渡しを行うための吸着機構及び上下駆動機構を備えた突き上げピンと、吸着機構及び駆動機構を制御する制御系とを備え、基板の保持及び温調を行う基板保持方法において、基板を温調手段に吸着保持させる際に、吸着異常が発生した場合、吸着異常の原因が、基板が落下防止部材に乗り上げたことに起因するものかを判定する判定工程Ｓ１２を有する。 （もっと読む）

【課題】残留電荷による被吸着基板の跳ね上げがなく、被吸着基板全面の面内温度を所望の温度あるいは温度分布に速やか且つ均一に制御することができる静電チャックを提供する。
【解決手段】静電気力を使用してウエハＷを吸着し、ウエハＷの裏面に溝を介することなく熱伝導用ガスを供給してウエハＷを冷却する機構を有する静電チャック１６は、ウエハＷと接触する複数の突起部１６Ｃを有し、且つ、突起部１６ＣのウエハＷの単位面積当たりの接触面積比率を１５％以下に設定すると共に突起部１６Ｃの高さを３０μｍ以上に設定したものである。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制できる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であることを特徴とする気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における金属汚染を抑え、ウェーハ上に均一に成膜することができ、歩留の低下を抑えるとともに、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能なサセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のサセプタ１１は、外径がウェーハｗの径より小さく、ウェーハｗの中心部を保持する第１のサセプタパーツ１２と、ウェーハｗの最外周を保持するスペーサ１４と、第１のサセプタパーツ１２とスペーサ１４を保持する第２のサセプタパーツ１３を備え、スペーサ１４の熱伝導率は、第１および第２のサセプタパーツ１２、１３の熱伝導率より低い。 （もっと読む）

【課題】裏面転写による不良を少なくする。
【解決手段】チャック１０の基板支持面に複数の凸部１１，１３又は複数の凸部１１を設け、複数の凸部１１，１３又は複数の凸部１１により基板１を支持する。凸部１１に吸着孔１２を設け、凸部１１の吸着孔１２により基板１を真空吸着する。従来の様にチャック１０の基板支持面の凸部以外の部分と基板１との空間を真空にすることなく、凸部１１の吸着孔１２により基板１を直接真空吸着することができる。従って、従来の真空区画を形成するための土手が必要なく、土手の形状が基板１の表面に焼き付けられることがなくなるので、裏面転写による不良が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】
基板を吸着保持した際に生じる基板の局所的な歪を軽減する基板保持装置を提供する。
【解決手段】
円周状に設けられ基板を支持するリムと、前記リムによって囲まれる領域の内側で基板を支持する凸部と、基板を吸着支持するために前記リムの内側の空間の気体を排気する排気部と、基板を前記リム及び前記凸部に載置または前記リム及び前記凸部から離間するための昇降機構を備えたリフトピンとを有する基板保持装置であって、前記リムによって囲まれる空間に気体を供給する供給部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シート状体へのレジスト液塗布時の飛散による問題を解決した搬送具を提供する。
【解決手段】シート状体１１を載置するための針状の複数の支持体１２と、その基部を固定するベース部１３とから構成する。ベース部１３は三角錐状の支持体受け部１４を有する。針状の支持体１２は、尖端がほぼ一線をなすように、かつ適宜間隔及び適宜配置で直立させて設ける。支持体受け部１４は、シート状体１１への塗布物が付着しにくいポリテトラフルオロエチレン等の樹脂製とする。塗布物（例えばレジスト）が飛散しても拭い取りやすい。ベース部１３の皿状の受け基部１５の隅部に、シート状体１１に塗布されずに支持体受け部１４上に落ちた塗布物を外へ引き出すための真空引き口１６を備える。レジスト等の塗布物は、針状の支持体１２、特にその尖端には付着、再付着しにくく、良好な搬送状態を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 リフトピンによる被加工物の段階的な離脱の際に、被加工物が撓み、最後に離脱する被加工物の内周部は、最初に離脱する外周部よりも、吸着面の凸部の頂面との接触時間および摺動時間が長く、パーティクルを多く発生するという問題点があった。
【解決手段】 静電チャック１は、板状セラミック体２の一方の主面または内部に静電吸着用電極３を備えて他方の主面をウエハを吸着保持する吸着面２ａとし、吸着面２ａに多数の凸部６を有する静電チャック１において、凸部６は頂面８と周面１０との間がＲ面９であり、Ｒ面９の曲率が吸着面２ａの外周部の領域よりも内側の領域で大きい。 （もっと読む）

【課題】基板への静電気の誘引を抑えることができると共に、基板を確実に吸着することができる基板吸着装置及び基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板（Ｇ）を吸引するための吸引孔１１ｃが形成された吸着パッド１１と、この吸着パッド１１の基部１１ｂを収容し吸引孔１１ｃに連通する収容凹部１２ａ及びこの収容凹部１２ａに連通する吸引路１２ｂが形成されたパッド支持部材１２と、吸着パッド１１を基板（Ｇ）側に付勢する弾性部材（１３）と、を備える基板吸着装置１０において、吸着パッド１１は、この吸着パッド１１の揺動軸Ａ１と交差する中心軸Ａ２を有する係止ピン１６がこの係止ピン１６と略同一の幅で且つ係止ピン１６よりも高さ方向（Ｚ軸方向）に長い係止孔１７ｄ内を移動することで、高さ方向に移動し、吸着パッド１１は、係止ピン１６が係止孔１７ｄにより係止孔１７ｄの幅方向への移動を規制されることで、揺動軸Ａ１回りの回転が規制される。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの除電を効率よく行うことができ、基板電流をより正確かつ精密に測定可能なウェハ除電方法を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハの除電方法は、電子ビーム照射によりウェハＷＥＨに流れる基板電流を真空中の試料室内で測定する前に、Ｘ線イオナイザー１’を用いて軟Ｘ線を気流存在の条件下で、ウェハＷＥＨに向けて照射して、ウェハＷEＨに帯電している電子を除電する。 （もっと読む）

【課題】 処理プレートの表面へのパーティクルの侵入を防止すること。
【解決手段】 摺動支持部材２０は、上部ブロック２１と、シール部材２２と、下部ブロック２３とから構成されている。シール部材２２は、リフトピン１０における支持部１２の外周面と当接している。上部ブロック２１には、リフトピン１０の周囲を覆うチャンバーを形成するチャンバー部２４が付設されている。下部ブロック２３には、リフトピン１０における支持部１２と当接・摺動する摺動部２５が付設されている。摺動支持部材２０におけるチャンバー部２４を含む上部ブロック２１と熱処理プレート３０との間には、熱処理プレート３０の裏面側の領域と貫通孔１４とを連通するバイパス流路１５が形成される。このバイパス流路１５の熱処理プレート３０の裏面側の端部には、フィルター３２が付設されている。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダの上面と基板の背面との固着力が問題とはならない基板ホルダを提供する。
【解決手段】 リソグラフィ装置は、放射線のビームを供給する照明システムと、放射線のビームの経路に配置される平らな物品を支持する物品支持部と、支持手段により支持される際に、物品の背面にバックフィルガスを供給するために物品支持部に配備されたバックフィルガス供給部と、投影の間、物品支持部に物品をクランプするクランプとを含む。本発明の一態様に基づいた装置は、バックフィルガス供給圧を減じる前にクランプを解除することを目的としてクランプおよび／またはバックフィルガス供給圧を調整するコントローラを具備する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングを行う際のサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】半導体素子の形成のための溝に対応するマスクを半導体膜の一方に備え、絶縁膜をその半導体膜の他方に備えるＳＯＩ基板などの半導体基板をドライエッチング装置の下部電極に置き、下部電極との間にコンタクトなどが配置されて下部電極と略同電位となる金属性のクランプにより絶縁部材を介して前記半導体基板を押さえて半導体基板を下部電極に固定し、前記絶縁膜をエッチングストッパ層としてドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにおいて、サイドエッチングの発生を抑制する。
【解決手段】半導体素子を形成する領域に溝を形成するためのマスクを半導体膜の一方に備え、絶縁膜をその半導体膜の他方に備える半導体基板をドライエッチング装置の下部電極上にマスクを備える面が被加工面になるように置き、前記半導体基板の外周部を前記下部電極と略同電位となる金属性のクランプにて押さえ、前記絶縁膜をエッチングストッパ層とするドライエッチングを開始し、すくなくとも、前記領域の周囲に形成される溝の底面が前記絶縁膜に達した後は、前記領域と前記クランプとを電気的に絶縁状態にする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ吸着面又は静電吸着装置載置面にキズがつくことを防止し、また、発塵を抑え、耐摩耗性に優れた長寿命の静電吸着装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ、ガラス基板等の被吸着物を吸着するための静電吸着装置１において、支持基板２の一面に形成された静電吸着用電極３ａ、３ｂを覆って被吸着物を吸着する吸着面をなす絶縁層５が形成される。絶縁層５は、動摩擦係数が０．３以下であり、更に、絶縁層５の表面に多数の微小凹みが形成されている。 （もっと読む）