【課題】伝熱ガスのガス圧が高圧であっても、基板温度の面内分布を均一化できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の静電チャック２１は基板２が載置される基板載置部２７Ａ〜２７Ｆを備える。基板載置部２７Ａ〜２７Ｆの上端部２７ａは、外周縁に沿って設けられた上向きに突出する環状突出部４１を備える。環状突出部４１に囲まれた凹部４３には多数の柱状突起４７，４８が設けられている。基板２の下面２ａは環状突出部４１と柱状突起４７，４８の上端面に直接接触して支持される。凹部４３内には供給孔２９から伝熱ガスが充填される。凹部４３は、伝熱ガスのガス圧分布の均一性のために深さを深く設定した内側領域４５と、基板２の最外周縁付近の下面と環状突出部４１の上端面（基板載置面）４１ａを通る凹部４３からの伝熱ガスの漏洩の均一化のために内側領域４５よりも深さを浅く設定した外側領域４６とを有する。 （もっと読む）

【目的】搬送ロボットをチャンバ等に衝突させずにティーチング可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビーム装置は、ロボットハンド１４３を有し、荷電粒子ビームが照射される基板をロボットハンドに配置して搬送する搬送ロボット１４２と、搬送ロボットによって基板が搬送される描画室１０３と、搬送ロボットの移動位置をティーチングする際のロボットハンドの予定位置を示す予定位置座標を入力し、予定位置座標にロボットハンドを移動させた際にチャンバに干渉するかどうかを検証する検証部１４と、検証の結果、干渉しない場合に、予定位置座標にロボットハンドを移動させるロボットコントローラ１１４と、検証の結果干渉しない予定位置座標をティーチング座標として登録する登録部１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に傷をつけることなく、エッチング斑の発生を効果的に防止することが可能な載置台を提供する。
【解決手段】載置台５Ａは、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料で形成された基材７と、基材７の上に設けられた絶縁膜８とを備えている。絶縁膜８の上面は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｓを載置する基板載置面５０となっている。基板載置面５０は、表面粗さＲａが２μｍ以上６μｍ以下の粗い表面を有する粗化部５１と、この粗化部５１の周囲を囲む表面粗さＲａが２μｍ未満の平滑部５３とを有している。 （もっと読む）

【課題】 基板を目的の温度に迅速に冷却でき、均一冷却が可能な装置を提供すること。
【解決手段】 ＥＳＣステージにおいて、熱伝達ガスを導入可能な内側領域２５と外側領域２６を設け、これらの間に排気溝３０を設ける。排気領域は、内側領域２５との間を隔てる内周隔壁３４、外側領域２５との間を隔てる中間隔壁２９とに挟まれた溝状で、内周隔壁３４、中間隔壁２９を介して、内側領域、外側領域を排気する。 （もっと読む）

【課題】ピンチャックを採用した基板保持装置であって、反ったウエハを平面矯正し、正常に吸着することができる基板保持装置を提供する。
【解決手段】複数のピン状凸部６が形成された底部２２、２３と、複数のピン状凸部６の外周に位置するように底部２３に形成された隔壁部７と、底部２２の中心付近に貫設された真空排気のための真空穴１０とを備えたチャック本体２１を有し、ピン状凸部６を含む載置面に基板２が載置された際に基板２と底部２２、２３との間に形成された領域２４、２５を真空排気することで基板２を吸着保持する基板保持装置２０であって、底部２２、２３は、中心領域とその外周に設けられた外周領域とを含み、中心領域の深さが外周領域よりも深い。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微粒子による汚染を減少させることのできる基板ホルダを提供することである。
【解決手段】本発明は、基板支持体と、第１の位置においては支持体上に配置された基板と係合し、別の位置においては基板から離れて配置されるように構成された可動クリッピング手段と、クリッピング手段を第２の位置から第１の位置へ動かすための位置決め手段とを備えた基板ホルダに関する。基板が支持体上に配置されていないときにクリッピング手段と支持体との接触を防止するために、弾性停止要素が使用され、この弾性停止要素は、クリッピング手段の運動を制限する。さらに本発明は、これらの基板ホルダおよびクリッピング装置を使用したクリッピング装置およびイオン注入装置に関する。 （もっと読む）

【課題】静電吸着により被吸着物を保持した際に、被吸着物への傷、パーティクルの発生を抑制できる静電吸着機能を有する装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１と、該支持基板１１上に形成された静電吸着用電極１２と、該静電吸着用電極１２を覆う絶縁層１４と、前記支持基板１１の静電吸着用電極１２側の前記絶縁層１４上に形成された窒化アルミニウム製の突起部１５とを含む静電吸着機能を有する装置であって、前記窒化アルミニウム製の突起部１５の窒化アルミニウムの相対密度が、４０％〜９７％である静電吸着機能を有する装置。 （もっと読む）

【課題】小型でかつストロークが大きくとれ、適用に制限がないアクチュエータ素子を提供すること。
【解決手段】アクチュエータ素子１０は、シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなり、電圧が印加されることにより変位する変位子１１ならびに変位子１１に電圧を印加するための電極１２、１３とを有する素子本体１４と、変位子１１の変位によって面外方向に変位する変位伝達部１５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 吸着台の吸引孔形成領域よりも小さいサイズの対象物を安定して保持することが可能な吸着用部材を提供する。
【解決手段】 吸着用部材は、複数の吸引孔が設けられた吸着台上に載置され、吸引孔による気体の吸引によって対象物を吸着する。吸着用部材は、吸着台上に着脱可能に載置される基板を有し、該基板は、対象物が載置され、吸引孔による吸引を可能にして対象物を吸着する吸着領域と、該吸着領域の外周に設けられ、複数の吸引孔の一部を覆う吸着遮断領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】不良デバイスの発生を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持部に搬送された基板に対して第１手順に対応した第１処理を実行する基板処理方法は、保持部に搬送された基板の歪みに関する情報を検出することと、歪みに関する情報に基づいて、基板に対して第１処理と異なる第２処理の要否を判断することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光不良を抑制できる、ステージ装置、露光装置、洗浄方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】
基板ステージ２の基板保持部５は、液体供給装置７に接続可能な液体供給口３を備える。液体供給装置７は、液体供給口３を介して、チャック面５ａに液体を供給することが可能である。 （もっと読む）

【課題】基板表面を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に設けられた基板２１が設置される下部電極２２と、前記下部電極２２の上部に形成される下部プレート３０と、前記下部プレート３０に前記基板２１を固定するためのチャッキング部２３と、前記下部プレート３０を貫通しガスを供給するためのガス供給手段２７と、を有し、前記下部プレート３０には、前記基板２１の直径よりも短い直径の凹部が形成されており、前記凹部の底部に凸状の曲面部２５が形成され、前記曲面部２５の頂点は、前記下部プレート３０の周囲の面と同じ高さまたは、前記下部プレート３０の周囲の面よりも低く形成され、前記基板２１は前記下部プレート３０の周囲の面と前記チャッキング部２３により挟み込まれて固定し、前記基板２１と前記下部プレート３０の凹部との間に前記ガス供給手段２７によりガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度を均一にする。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、被形成体が載置される保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部材を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板であるウエハに対して、ウエハの向きを所定の向きに合わせた後、真空処理室にて真空処理を行うに装置において、スループットを高めること。
【解決手段】予備真空室２１（２２）内にウエハを載置して温度調整するための温調プレート４を設け、この温調プレート４に突没自在な回転ステージ５を設ける。ラインセンサ６を構成する発光部６１を回転ステージ５の上方側又は下方側の一方に設け、受光部６２を他方に設ける。前記温調プレートにおける、発光部６１の光軸に対応する位置に光透過部４３を形成する。回転ステージ５にウエハを載置し、ラインセンサ６を用いて、大気雰囲気と真空雰囲気の切り替え時にウエハの向きを合わせる。 （もっと読む）

【課題】 サファイアウエーハ等の硬質ウエーハを研削して薄く加工しても割れを生じさせることのないウエーハの研削装置を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールを回転可能に支持する研削手段とを備えたウエーハの研削装置であって、該チャックテーブルは、ウエーハを吸引保持する保持面を有する吸引板と、該吸引板の保持面以外を囲繞する枠体とを含み、該チャックテーブルは、該枠体に形成された吸引路を介して吸引源に連通され、該吸引板は、該保持面に複数の気孔と該気孔同士を仕切る隔壁が露出したポーラスセラミックスで形成されていて、該隔壁の露出面には凹凸が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱処理される半導体ウェーハの支持に関し、コストが増大することなくスリップ欠陥の発生を抑制することができるようにする。
【解決手段】熱処理される半導体ウェーハＷを裏面Ｗ_Ｂから複数のピン６によって水平に支持するものであって、ピン６として平面形状の上面を有するものを用いるとともに、ピン６の上面６ａを半導体ウェーハＷの裏面Ｗ_Ｂに対して傾斜させた状態として、ピン６の上面６ａと側面６ｃとがなす角部６ｄの上に半導体ウェーハＷを載せて支持する。 （もっと読む）

【課題】気化熱による温度変化を抑制できるステージ装置を提供する。
【解決手段】液体ＬＱを用いた液浸露光が実施される基板ステージ２であって、接触した液体ＬＱを回収して液体ＬＱを保持する多孔体から形成された多孔体流路５０を備え、多孔体流路５０は、鉛直成分を含む方向に延在する延在部Ｌを有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】耐電圧性能の問題を生じさせずに絶縁皮膜を薄く形成して必要な吸着力を確保することができ、除電が不要な静電吸着電極を提供すること。
【解決手段】ガラス基板Ｇを静電力により吸着保持する基板保持面を備えた静電吸着電極（静電チャック）６であって、基材５上に設けられ、溶射により形成された絶縁皮膜４１と、絶縁皮膜４１中に設けられた、正電圧が印加される第１の電極層４２ａおよび負電圧が印加される第２の電極層４２ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】アライメント対象物の変形を抑制し、高精度のアライメントを行うアライメント技術を提供する。
【解決手段】アライメント対象物１０を吸着して回転するスピンチャック１１０を備えたアライメント装置１００であって、スピンチャック１１０が吸着している位置とは異なる位置において、回転するアライメント対象物１０を支持する支持部１３０を備えているアライメント装置１００を用いる。これにより、アライメント対象物１０の自重による撓み等の変形を抑制して、高精度のアライメントを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】移動体の位置情報を高精度で計測する。
【解決手段】 露光ステーション２００では、ウエハを保持するステージＷＦＳ１の位置情報は、計測アーム７１Ａを含む第１の微動ステージ位置計測系により計測され、計測ステーション３００では、ウエハを保持するステージＷＦＳ２の位置情報は、計測アーム７１Ｂを含む第２の微動ステージ位置計測系により計測される。露光装置１００は、ステージＷＦＳ２が計測ステーション３００から露光ステーション２００へ搬送される際、このステージＷＦＳ２の位置情報を計測可能な第３の微動ステージ計測系を有する。第３の微動ステージ計測系は、複数のＹヘッド９６，９７を含むエンコーダシステムとレーザ干渉計７６ａ〜７６ｄを含むレーザ干渉計システムとを含む。 （もっと読む）