【課題】結晶成長面が下向きになるように基板を保持するサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するフェイスダウン型のIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、直径３インチ以上の大きさの基板を気相成長する場合であっても、基板の割れを防止できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタが１個の基板ホルダー８に対して４個以上のツメ１０を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】研磨後の試料に酸化、腐食又はその他の不具合が発生することを防止できる化学的機械研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨前又は研磨後のウェハ（試料）を一時的に載置するペデスタル（試料台）の上に、ペデスタルパッド（試料台パッド）１２５を配置する。このペデスタルパッド１２５は樹脂により形成され、少なくともウェハに接触する面が液体に対し非吸収性であって、組織が緻密で平滑であり、液体を保持する孔等の空隙を有していない。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ガラス基板やフィルム基板等の基板どうしを貼り合わせる際に、両基板の間隔が不均一にならず、液晶表示のコントラストが不均一になる等の問題が生じにくい粘着チャック装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 粘着チャック装置１は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、ベース部材１１上に、粘着部材１２を有する。ベース部材１１には貫通孔１３を複数有し、該貫通孔１３は後述するように、ガラス基板やフィルム基板等の基板を粘着部材１２から剥離する際に使用する気体等を供給するためのものである。実施形態においては、粘着部材１２は凹部１４を有し、上記剥離する際に使用する気体等が供給しやすいようになっている。基板を保持する前記粘着部材１２が伸縮する。前記粘着部材１２は、粘着部と非粘着部を有し、ウレタンゲルを含むことが好ましい。また、前記粘着部材１２内に押圧部材を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】誘電体層の吸着固定面に形成した突出部の先端面と側面とに施す研磨の前後で、板状部材が突出部の先端面に接触する接触面積が減少する従来の静電チャックの課題を解決する。
【解決手段】板状部材１０が吸着固定される吸着固定面が形成された誘電体層３０を具備する静電チャックであって、誘電体層３０の吸着固定面には、板状部材１０と当接する先端面のみが研磨によって平坦面に形成された複数の突出部３２が形成され、且つ突出部３２の各平坦面には、冷却ガスが流れる冷却ガス用流路３６が開口されている。 （もっと読む）

【課題】回収した液体から受ける影響を抑えられた液体回収機構を備える液浸露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置ＥＸは、液体を回収する液体回収機構２０を備え、液体回収機構２０のうち、回収された液体に接触する液体接触面の少なくとも一部は、液体に対して耐腐食性を有している。 （もっと読む）

【課題】組立調整に時間がかからない構成とし、ウェハ搬送装置とのウェハ受け渡し時間も大幅に短縮したプリアライナ装置によるウェハ搬送システムを提供すること。
【解決手段】ウェハを保持して回転させ、センサによって前記ウェハの外周を検出し、前記センサの検出情報を用いて少なくとも前記ウェハを所望の方向へと回転させるプリアライナ装置において、前記ウェハを保持する把持部材１に、前記ウェハの裏面と接触してこれを吸着保持する吸着面１２が形成され、かつ前記ウェハを前記吸着面１２へ搬送するウェハ搬送装置のエンドエフェクタ１３が進入可能な凹部１４が形成されたプリアライナ装置とした。 （もっと読む）

【課題】基板サポートの不均一性を回避する。
【解決手段】リソグラフィ投影装置は、放射ビームを提供するための、放射ビームをパターニングし、かつ、パターニングされたビームを基板のターゲット部分に投影するビーム生成システムと、物品を支持するための突起を備えたサポートテーブルと、突起の高さの偏りを検出するディテクタと、突起材料の高さを修正するようになされた材料除去デバイスと、ディテクタと材料除去デバイスの間に結合されたコントローラとを備えており、材料除去デバイスは、機械研磨デバイス、マグネトレオロジー仕上げツール、および一点または多点ダイヤモンドツールからなるグループから選択される除去ツールを備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の大型化に対して低コストと耐久性とを両立させる静電チャックを提供すること。
【解決手段】この静電チャック３０は、サセプタの載置面上で基板Ｇの外周エッジよりも内側の領域に配置される中心静電吸着部６０と、この中心静電吸着部６０を取り囲むようにその周囲に配置される周辺静電吸着部６２とで構成されている。中心静電吸着部６０は樹脂からなる誘電体層を有しており、周辺静電吸着部６２はセラミックスからなる誘電体層を有している。中心静電吸着部６０は、マトリクスに分割された複数個の矩形の静電吸着ブロック６４からなる。周辺静電吸着部６２は、中心静電吸着部６２の外周に沿って１列に配置された複数個の矩形の静電吸着ブロック６６からなる。 （もっと読む）

基板支持構造体（１３）が、周囲環境よりも低い圧力を有する液体のクランプ層（１１）によって創られた毛細管力によって基盤（１２）をクランプする。前記基板支持構造体は、基板を保持するための複数の基板支持要素（１７）が設けられた表面（１６）を有し、この表面は液体のクランプ層の範囲内に所定の毛細管流動を誘発するための異なる毛細管ポテンシャルを有する複数の部分（５１、５２；８３）をさらに有する。
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【課題】リソグラフィ機械装置のための準備ユニットを提供する。
【解決手段】準備ユニット（１１２）を備えている荷電粒子リソグラフィシステム。準備ユニットは、ハウジングの中にまたはハウジングから基板（２２，８２，１２２）を搬入および／または搬出するための第１の搬入ポート（１３１）を有するハウジングと、ハウジング内の基板支持構造体（２３，８３，１２３）上に基板を設置するための基板移動ユニット（１２７）と、基板を支持する基板支持構造体を搬入および／または搬出するための第２の搬入ポート（１３２）を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板とクランプ準備ユニットをクランプする方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板支持構造体（２３）の表面に基板（２２）をクランプする方法に関する。最初に、基板支持構造体の表面上に液体が塗布される。表面には、複数の接触要素が設けられている。液体は、接触要素が液体層によって完全に覆われるように塗布される。それから、基板が、液体層上に提供され配置される。最後に、基板が複数の接触要素にもたれ、基板と基板支持構造体の表面との間の液体の毛細管層によって及ぼされる毛細管クランプ力によってクランプされるように、基板の下の液体が除去される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの中心位置を回転ステージの実際の回転中心位置に正確に合わせることが可能なワークの中心位置合わせ装置を提供する。
【解決手段】ジグを用いて予め求められているアライメント用ステージ回転中心位置にウェーハ中心位置を合致させ得るようにウェーハを回転ステージ上に載せた状態で、アライメント用ステージ回転中心位置に対するウェーハの偏り量を測定するウェーハ偏り量測定手段５２と、ウェーハの偏り量に基づいてアライメント用ステージ回転中心位置の補正量を算出するステージ回転中心位置補正量算出手段５３と、アライメント用ステージ回転中心位置の補正量に基づいてアライメント用ステージ回転中心位置を補正するステージ回転中心位置補正手段５４とを備えたウェーハ中心位置合わせ装置とした。 （もっと読む）

基板表面に亘って所望の温度プロファイルを維持するための静電チャックシステムが開示されている。静電チャックシステムは、ペデスタル支持部の表面に亘って実質的に均一な温度プロファイルを画定するペデスタル支持部と、ペデスタル支持部によって支持されている静電チャックとを有する。静電チャックは、クランプ電極および独立に制御される複数の加熱電極を含む。独立に制御される加熱電極は、内部加熱領域を画定する内部加熱電極、および、ギャップ距離によって分離されている周辺部加熱領域を画定する周辺部加熱電極を含む。ペデスタル熱領域、内部加熱領域、周辺部加熱領域の熱特性を変化させる、または、内部加熱電極および周辺部加熱電極間のギャップ距離の大きさを変化させることにより、基板表面に亘る温度プロファイルを調整することが可能である。
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【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０から形成される半導体装置の製造装置であって、基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１にガスを送るガス導入手段２９、３０、３１、３４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面に熱を伝えるヒータ２４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面の温度を測定するセンサー２６と、センサー２６からの温度に基づいてヒータ２４に加える電力を調整するヒータ加熱制御手段２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸が有るチャック上から、異物を効果的に除去する。
【解決手段】表面に複数の凸部１１を有するチャック１０の上方に吸着手段３１を配置し、Ｘステージ５及びＹステージ７によりチャック１０を移動して、チャック１０上の異物を吸着手段３１の下方へ移動し、吸着手段３１を昇降させて、吸着手段３１によりチャック１０上の異物を吸着して除去する。あるいは、チャック１０の上方に吸引手段３２を配置し、Ｘステージ５及びＹステージ７によりチャック１０を吸引手段３２の下方で移動して、吸引手段３２によりチャック１０上の異物を吸引して除去する。吸着手段３１又は吸引手段３２により、チャック１０上の異物を吸着又は吸引して除去するので、チャック１０の表面に凹凸が有っても、チャック１０上の異物が効果的に除去される。 （もっと読む）

【課題】 狭持に基づく基板の歪みを低減する基板ホルダーを提供する。
【解決手段】 ホルダー本体１の凹部に設けられたプレート５の三箇所に、それぞれ、バネ９ａ，９ｂ，９ｃの弾性力によりガラス乾板１０を押し上げる為のピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃとピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃが設けられている。ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各ピン支持部は筒状に成してあり、ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各筒状部と各ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃの下方側面それぞれとの間にオーリング６２ａ，６２ｂ，６２ｃが挿入されており、ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃがそれぞれピン支持体支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃ上で回転可能に成してある。 （もっと読む）

【課題】基板を冷却するにあたり、その基板の変形を抑えることができる基板冷却ステージを提供すること。
【解決手段】本発明の基板冷却ステージは、基板の裏面がその表面に接するかまたは近接する台座部と、基板を冷却するために前記台座部の表面を冷却する冷却手段と、前記台座部にて前記基板に接するかまたは近接する領域の全周に亘って、あるいはその周方向に沿った複数箇所に設けられ、上方外方側へ向かって傾斜するように伸びると共に基板の周縁を下方にガイドするための傾斜ガイド部材とを備えており、所定の温度になるまで放熱されていない基板が台座部に近接することが防がれるので、基板が急激に冷却されて変形してしまうことを抑えることができる。また、前記冷却手段の他にガスを供給して基板を冷却する場合、そのガス供給レシピを基板に形成されている膜に応じて設定する必要が無くなるので有利である。 （もっと読む）

【課題】ウェハ裏面のパーティクル付着が極めて少なく、アライメント時間が短いプリアライナを提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハを保持して旋回させる機構が、ウェハが載置されるパッド５と、前記ウェハの側面を把持可能なクランプ１４と、パッド５とクランプ１４の両方を支持して回転する旋回ベース２と、を備え、クランプ１４が、パッド５に載置されたウェハに対して、上昇位置でウェハの側面を把持し、下降位置でウェハの裏面よりも低い位置に移動するよう、旋回ベース２に対して昇降自在に支持されるよう構成した。 （もっと読む）

【課題】ウェハチャックに吸着保持された半導体ウェハの反りをより効果的に防止し、半導体ウェハの全面で高い平坦度を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】外周壁１２に囲まれた吸引室１３を負圧にすることによって支持ピン１５に支持された半導体ウェハ１１を平坦に吸着保持するためのウェハチャックにおいて、外周壁１２の上面が支持ピン１５の上面よりも低く形成され、外周壁１２上面が半導体ウェハ１１に押付力を及ぼさず、外周壁１２と最寄りの支持ピン１５ａの距離Ｌ１が１．８ｍｍ以内であり、外周壁１２と最寄りの支持ピン１５ａの内側に向かって並ぶ支持ピン１５の配列ピッチＬ２は、外周壁１２と最寄りの支持ピン１５ａの距離Ｌ１の１．５倍以下とした。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、パーティクル汚染の発生を抑制することができ、被処理物の離脱応答性が良好で、静電チャックの載置面部分に形成された被覆部の剥離耐久性が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された被覆部と、を備えた静電チャックであって、前記平面部の少なくとも一部には、前記被覆部が形成されていない領域が設けられていること、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）