【課題】所定の処理を円滑に実行できるプレート部材を提供する。
【解決手段】プレート部材は、基板を保持する基板保持部を有し、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置において、基板保持部に保持されて使用される。プレート部材は、基材と、表面の少なくとも一部を形成し、液体に対して撥液性の第１膜と、基材と第１膜との間の少なくとも一部に配置され、基材と異なる色相を発現する第２膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】加熱温度が高温になっても加熱手段が反りにくく、基板を支持部材から剥離する際に基板が破損しにくい剥離装置を提供することを目的とする。
【解決手段】熱溶融性の接着剤により支持部材２に接着された基板４を加熱する加熱手段３０を備え、支持部材２から基板４を剥離する剥離装置１０において、加熱手段３０が、面状のヒータ３２と、ヒータ３２を挟持する一対のセラミックス板３４，３６と、一対のセラミックス板３４，３６を弾性的に締め付ける締付部材６０とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば、基板のエッジの平坦度を調整することのできる基板テーブルを提供することが望ましい。
【解決手段】基板を支持するための基板テーブルが開示される。基板テーブルは、基板を支持し、基板のエッジに第１方向の曲げ力を付与するための基板支持部を含む。基板エッジ操作部が設けられており、第２方向の可変の曲げ力を基板のエッジに付与するよう構成されている。第２方向は、第１方向とは反対向きの成分を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】板状部材の一方側の面に凸部および凹部が形成された場合でも適切に保持することができる板状部材の支持装置および支持方法を提供すること。
【解決手段】ウェハＷの外縁に沿った環状の枠体５を備えて保持手段３が構成され、凸部ＷＢ表面に対向する吸引口７から空気を吸入することによって、ウェハＷの凹部ＷＣに吸引力を作用させることなくウェハＷを吸引保持することができ、ウェハＷに作用するストレスを低減させつつウェハＷを適切に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】基板支持装置上に載置された基板の位置を修正する。
【解決手段】 基板Ｐは、基板トレイ９０上に載置された状態で基板搬入装置８０により搬送される。基板搬入装置８０は、搬送時における基板Ｐの移動経路上に基板ＰのＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθｚ方向に関する位置情報を計測する基板位置検出装置を有し、その計測結果に基づいて押圧装置８８ａ、８９ａ、８８ｂ、８９ｂを用いて基板トレイ９０上で基板Ｐの位置調整（アライメント）を行う。この際、基板トレイ９０は、基板Ｐの下面に対して加圧気体を噴出し、該基板Ｐを浮上支持する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングされたチップをシートからピックアップする工程をよりスムーズに行なうことが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明における半導体基板の製造方法は、個々のチップに切断された半導体基板が貼り付けられたシート２と、シート２が載せられた載置台１１との間の領域８を、降圧機構７を用いて減圧する工程と、減圧を中断する工程と、上記減圧を中断する工程の後、降圧機構７を用いて領域８を再度減圧する工程と、チップ４をシート２からピックアップする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】液体中の気泡の発生を低減し得るリソグラフィ装置およびリソグラフィ方法を提供することである。
【解決手段】基板を保持する基板テーブルと、基板上にパターン形成された放射ビームを投影するように構成された投影システムと、投影システムと基板と基板テーブルとの間の空間に液体を提供するように構成された液体供給システムと、基板と基板テーブルとの間のギャップを覆うように設けられ、基板および基板テーブルと接触するリングとを含むリソグラフィ装置。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の急速な加熱冷却が可能で、高い絶縁性を維持する静電チャックを提供する。
【解決手段】セラミック基板と、前記セラミック基板の上側に設けられ、被処理基板が載置される第１主面を有するセラミック誘電体と、前記セラミック基板と前記セラミック誘電体との間に設けられた電極と、を備え、前記セラミック誘電体の材質は、セラミック焼結体であり、前記セラミック誘電体の前記第１主面には、複数の突起部と、ガスを供給する溝と、が設けられ、前記溝の底面には、前記第１主面とは反対側の前記セラミック基板の第２主面まで貫通する貫通孔が設けられ、前記電極と前記溝との間の距離は、前記電極と前記第１主面との間の距離と同じか、もしくは大きいことを特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】セラミック板のクラック発生を抑制しつつ、被処理基板の急速な加熱冷却が可能な静電チャックを提供する。
【解決手段】主面に凹部が設けられ、内部に電極が設けられたセラミック板と、セラミック板に接合された温調プレートと、セラミック板と温調プレートとの間に設けられた第１の接合剤と、セラミック板の凹部内に設けられたヒータと、を備え、第１の接合剤は、主剤と、無定形フィラーと、球形フィラーと、を有し、球形フィラーの平均直径は、全ての無定形フィラーの短径の最大値よりも大きく、第１の接合剤の厚さは、球形フィラーの平均直径と同じか、もしくは大きく、凹部の幅は、ヒータの幅より広く、凹部の深さは、ヒータの厚さより深く、凹部内にヒータが第２の接合剤により接着され、ヒータの温調プレート側の主面と、温調プレートの主面と、の間の第１の距離が、セラミック板の主面と、温調プレートの主面と、の間の第２の距離よりも長い。 （もっと読む）

【課題】薄板蓋部を用いる微小変位出力装置において、大気圧以外の気圧雰囲気でも使用可能とすることである。
【解決手段】微小変位出力装置１０は、筐体部１２と上蓋部３０と下蓋部３４を含んで構成され、その内部の収納空間１４には、中心軸４０の軸方向に沿って、複数の平板状可動子６０と薄板状可動子８０とが交互に整列配置される。平板状可動子６０の表面と裏面には、それぞれ中央部から外周部に延びる複数の細溝が設けられる。薄板メンブレムで構成される上蓋部３０と下蓋部３４は、中心軸４０の両端で固定される。筐体部１２の底面部１６には気体連通穴２０が設けられ、底面部１６の裏側で下蓋部３４と向かい合うくぼみ１８は、収納空間１４と同じ気圧とされる。 （もっと読む）

【課題】基板を汚染することなく非接触で保持する基板保持装置では、基板の自重によるたわみが発生したり、使用条件の中で回転動作の風圧による基板のたわみが発生するために、各種処理の障害になっている。
【解決手段】基板の上面を所望の面高さに保持したり、あるいは平面度を保持したりするために、基板上面に基板面の高さを測る非接触の変位センサを設置し、また、載せ台上面には複数の溝と障壁を設け、基板と乗せ台の間にエアーを供給してその圧力によって基板の変位を可能として、さらに、変位センサの出力をフィードバックすることで基板を任意の凸，凹形状に変形したり、平面化することを可能とする構造を持つ基板搭載装置。 （もっと読む）

【課題】 閃光を照射する基板熱処理装置において、基板が汚染されることを解消した基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】 基板支持体８は、円筒形の外形の一部を、上端面から斜めに切り落とすように傾斜面８２を備えている。この傾斜面８２は、基板Ｗの中央から基板支持体８を通る直線Ｒに垂直であって、かつ、基板Ｗの主面とは平行である直線Ｓを想定すると、その直線Ｓに対して平行な面である、平行な位置関係にある。傾斜面８２が傾斜する向きは、基板Ｗの外周に近づくほど、基板Ｗの下面から離れる方向へ傾斜している。基板支持体８は、基板の反りを傾斜面８２で許容するようにして基板Ｗを載置するので、基板Ｗと基板支持体８とが擦れて、発塵することを回避する。 （もっと読む）

【課題】チャックの開口を塞ぐ蓋の高低により発生する露光むらを効果的に抑制する。
【解決手段】チャックに、少なくとも１つの開口と、開口を塞ぐ蓋１４と、チャックに対する蓋１４の取り付け高さを調整する高さ調整機構とを設ける。チャックの開口の周囲に非真空区画を形成し、非真空区画からチャックの裏面へ通じる空気通路を設け、非真空区画の周囲に真空区画を形成する。高さ調整機構により、チャックに対する蓋１４の取り付け高さを調整して、蓋１４の上面の高さをチャックの上面の高さより低くし、真空区画により基板を真空吸着して、基板をチャックに固定し、空気通路により非真空区画を大気開放して、基板が非真空区画に吸着されるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】 被吸着体を吸着・保持するための、パーティクルの発生が少ない吸着部材を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係る吸着部材１０は、基体１の上面に多数の支持用凸部２を形成した吸着部材１０であって、支持用凸部２は、上面中央部に小凸部４を形成した円錐台状をなす基部３の上面及び側面に保護層５を形成してなる。これにより、基部３と保護層５とが強固に密着されることになり、保護層５の剥離によって発生するパーティクルを極力少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプからの閃光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理用サセプタおよび熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュランプから閃光を照射してフラッシュ加熱を行うときに半導体ウェハーＷを保持するサセプタ７２に、上方に向かって開口が広くなる円錐台形状の凹部７８が形設されている。円錐台形状の上底面（凹部７８の開口面）は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きく、下底面（凹部７８の底面７８ａ）は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも小さい。凹部７８が形成されたサセプタ７２によって半導体ウェハーＷを保持するときには、凹部７８のテーパ面７８ｂによって半導体ウェハーＷの周端部が支持されることとなる。その結果、半導体ウェハーＷの下面とサセプタ７２の上面と間に気体層を挟み込んだ隙間が形成されることとなる。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハ裏面側に研削屑が付着したり、研削屑による傷の発生を抑制可能な洗浄装置のチャックテーブルを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ洗浄装置のチャックテーブルであって、回転可能なチャックテーブル基台と、該チャックテーブル基台の上面に該チャックテーブル基台の回転中心を中心とする同心円状に等間隔離間して配設された弾性部材からなる少なくとも３個の真空吸着パッドとを具備し、該チャックテーブル基台は該真空吸着パッドの各々に連通する吸引路を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電チャック部と温度調整用ベース部との間の絶縁破壊を防止し耐電圧性を向上させ、静電チャック部の板状試料の載置面の面内温度の均一性を向上させると共に、静電チャック部に設けられた加熱部材の耐電圧性を向上させることができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置１は、表面を板状試料Ｗを載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、この静電チャック部２の下面にシート状の接着材４を介してヒータエレメント５が接着され、このヒータエレメント５が接着された静電チャック部２と温度調整用ベース部３とは、有機系接着剤層８及びシート状の絶縁部材７を介して接着一体化されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの外周部の厚さを容易且つ適切に制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を生成する際における、ウェーハＷを載置するためのサセプタ２６の外周部の高さ位置から、サセプタ２６のウェーハＷを載置する位置までのザグリ深さを特定するザグリ深さ情報を決定し（ステップＳ１）、サセプタ２６におけるザグリ深さが、ザグリ深さ情報により特定されるザグリ深さとなるように、サセプタ２６の外周部の高さ方向にシリコン膜を生成させ（ステップＳ４）、サセプタ２６にウェーハＷを載置させ、ウェーハＷにエピタキシャル層を生成する（ステップＳ７）ようにする。 （もっと読む）

【課題】低温の処理液を用いた処理処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行う。
【解決手段】現像処理装置１は、基板を保持する保持部材と、基板上に現像液、リンス液、処理液を供給する複合ノズル体４２と、保持部材上から退避した複合ノズル体４２を待機させるノズルバス４４とを有している。ノズルバス４４内には、複合ノズル体４２の先端部が収容される。ノズルバス４４は、待機中の複合ノズル体４２を挟んで設けられ、当該複合ノズル体４２においてノズルバス４４から露出した露出部を覆うように水平方向に延伸する一対のパージガスノズル９３、９３を有している。一対のパージガスノズル９３、９３は、複合ノズル体４２の露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の被処理体を支持する際に、この裏面（下面）にスクラッチや傷等が付くことを防止することが可能な保持体機構を提供する。
【解決手段】板状の被処理体Ｗを保持するための保持体構造において、被処理体の荷重を受けるための保持体本体１０４と、保持体本体の上面に形成された複数の凹部状の支持体収容部１０６と、各支持体収容部内に収容されると共に上端が保持体本体の上面よりも上方へ突出して上端で被処理体の下面と当接して支持しつつ支持体収容部内で転動可能になされた支持体１０８とを備える。これにより、半導体ウエハ等の被処理体を支持する際に、この裏面（下面）にスクラッチや傷等が付くことを防止する。 （もっと読む）