基板テーブル、リソグラフィ装置、基板のエッジを平らにする方法、及びデバイス製造方法
【課題】例えば、基板のエッジの平坦度を調整することのできる基板テーブルを提供することが望ましい。
【解決手段】基板を支持するための基板テーブルが開示される。基板テーブルは、基板を支持し、基板のエッジに第１方向の曲げ力を付与するための基板支持部を含む。基板エッジ操作部が設けられており、第２方向の可変の曲げ力を基板のエッジに付与するよう構成されている。第２方向は、第１方向とは反対向きの成分を少なくとも有する。
【解決手段】基板を支持するための基板テーブルが開示される。基板テーブルは、基板を支持し、基板のエッジに第１方向の曲げ力を付与するための基板支持部を含む。基板エッジ操作部が設けられており、第２方向の可変の曲げ力を基板のエッジに付与するよう構成されている。第２方向は、第１方向とは反対向きの成分を少なくとも有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板テーブル、リソグラフィ装置、基板のエッジを平らにする方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用される。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン付けされる。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。
【０００３】
リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。そうして投影システムの最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。一実施例においては液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明の一実施形態は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に好ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることと見なすこともできる。）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下の粒子）で懸濁している液体がある。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体として炭化水素もある。例えば芳香族、フッ化炭化水素、及び／または水溶液がある。
【０００４】
基板を、又は基板と基板テーブルとを液体の浴槽に浸すということは（例えば米国特許第４，５０９，８５２号参照）、走査露光中に加速すべき大きな液体の塊があるということである。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
液浸装置においては液浸流体が、流体ハンドリングシステム、流体ハンドリングデバイス、流体ハンドリングデバイス構造、または流体ハンドリング装置によって操作される。ある実施例における流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給してもよく、よって流体供給システムであってもよい。ある実施例における流体ハンドリングシステムは液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてもよく、よって流体閉じ込めシステムであってもよい。ある実施例における流体ハンドリングシステムは液浸流体に対する障壁を提供してもよく、よってバリア部材、例えば流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施例における流体ハンドリングシステムは気体流れを生成または使用して、例えば液浸流体の流れ及び／または位置の制御を支援するようにしてもよい。その気体流れは液浸流体を閉じ込めるシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造はシール部材と称されてもよい。こうしたシール部材が流体閉じ込め構造であってもよい。一実施例においては液浸流体として液浸液が使用される。その場合流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。既述の説明を参照する際には、流体に関し定義された構成についての本段落における言及は、液体に関し定義される構成も含むものと理解されたい。
【０００６】
リソグラフィ露光装置においては、バール（突起）を備える基板テーブルの基板支持部によって基板が支持される。基板は通常、真空を適用することにより基板テーブルに吸引される。液浸システム（すなわち、基板を露光するときに投影システムと基板との間に液浸液を供給するシステム）においては、基板テーブルは大抵、基板と基板テーブルとの間の真空空間から液浸液を遮断するためのシールを備える。
【発明の概要】
【０００７】
基板のエッジはできるだけ平坦であることが望ましい。それ故に、基板のエッジはできるだけ平坦に保たれる。
【０００８】
そのために、最適なバール・パターンを、シールの位置（及び、より多くの真空区域がある場合には、それら区域間の相対圧力差）との組み合わせのもとで、選択することが行われている。ところがこれは、すべての基板が理想的に平坦であり一定の厚さを持つことを前提としている。また、基板及び基板支持部が完全に清浄であると仮定し、さらに、基板支持部が位置公差ゼロで製造されていることを仮定している。
【０００９】
現実には、コーティングや基板処理、汚染の１つまたは複数がエッジの平坦度を乱す原因となる。エッジ平坦度は基板ごとに変わりうる。それに加えて、またはそれに代えて、誤った真空設定、及び／またはバール・パターンの製造上の公差は、エッジ平坦度に一定のオフセットを生じさせる。これはエッジでのデフォーカスへとつながり、性能のみならず歩留まりにも不利益を与えうる。こうした領域は何ら露光され得ないからである。エッジの特性は、汚染及び／または摩耗のせいで経時的に変化し、性能及び歩留まりを時間とともに低下させることになる。
【００１０】
例えば、基板エッジの平坦度を調整することのできる基板テーブルを提供することが望ましい。
【００１１】
１つの側面によれば、基板を支持する基板テーブルであって、基板を支持し、基板エッジに第１方向の曲げ力を付与する基板支持部と、第２方向の可変の曲げ力を基板エッジに付与するよう構成され、第２方向は第１方向とは反対向きの成分を少なくとも有する基板エッジ操作部と、を備える基板テーブルが提供される。
【００１２】
１つの側面によれば、基板を支持する基板テーブルであって、使用時に、基板テーブルに支持されている基板のエッジを基板の上側主面との物理的接触によって曲げるよう構成されている部材を備える基板テーブルが提供される。
【００１３】
１つの側面によれば、基板のエッジを平らにする方法であって、基板のエッジに第１方向に曲げを引き起こすのに十分な力を基板のエッジに与えることと、基板のエッジの平坦度を改善するために、第１方向とは実質的に反対向きの第２方向の可変の力を基板のエッジに与えることと、を含む方法が提供される。
【００１４】
本発明のいくつかの実施形態が付属の図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００１６】
【図２】リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。
【００１７】
【図４】リソグラフィ投影装置に使用される他の液体供給システムを示す図である。
【００１８】
【図５】リソグラフィ投影装置に使用される他の液体供給システムを示す図である。
【００１９】
【図６】一実施形態に係る基板テーブルの断面を示す。
【００２０】
【図７】一実施形態に係る基板テーブルの断面を示す。
【００２１】
【図８】一実施形態に係る基板テーブルの断面を示す。
【００２２】
【図９】図７の基板テーブルの平面図を示す。
【００２３】
【図１０】一実施形態の基板テーブルの平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメタに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストで被覆されたウエーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメタに従って基板Ｗを正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと、を備える。
【００２５】
照明システムＩＬは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００２６】
支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスＭＡが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
【００２７】
本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、パターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００２８】
パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００２９】
本明細書では「投影システム」という用語は、使用される露光放射あるいは液浸液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきである。投影システムには屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影システム」と同義に用いられ得る。
【００３０】
ここに図示されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。
【００３１】
リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）のテーブルを備えてもよい。テーブルのうち少なくとも１つまたはすべてが基板を保持してもよい。リソグラフィ装置は、２つ以上のパターニングデバイステーブルを備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。
【００３２】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを備える。あるいは放射源ＳＯが例えば水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。
【００３３】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータＩＬの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬは取り外し可能とされ、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、またはその他の供給業者によって）別々に提供されてもよい。
【００３４】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスＭＡによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影システムＰＳに進入する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。そうして基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３５】
図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
【００３６】
１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
【００３７】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分Ｃの（走査方向の）長さを決定する。
【００３８】
３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３９】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。
【００４０】
本発明のある実施形態は、リソグラフィ装置に、特に液浸リソグラフィ装置に、適用される。本発明のある実施形態は、非液浸リソグラフィ装置、例えばＥＵＶリソグラフィ装置に適用される。液浸リソグラフィ装置の例を後述するのは、本明細書に述べる基板エッジ操作部が基板Ｗの端部と基板テーブルＷＴの上面との隙間を封じるシールとしても機能することができるからである。これは液浸装置に望ましい。しかし、後述の原理は非液浸装置にも同様に適用可能である。
【００４１】
投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも三種類に大きく分類することができる。２つの大まかな分類は、浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとである。浴槽型は基板の実質的に全体と任意的に基板テーブルの一部とが液槽に浸される。いわゆる局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類においては、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板がその領域の下を移動しているとき投影システムに対し実質的に静止状態にある。もう１つの分類は、本発明のある実施形態に向けられるものであるが、液体が閉じ込められない全濡れ型である。この構成においては、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、基板上の（例えば薄い）液体フィルムであってもよい。図２乃至図５の液体供給デバイスのいずれもがこうしたシステムにも使用可能であるが、シール構造はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにする。４つの異なる形式の局所液体供給システムが図２乃至図５に図示されている。
【００４２】
１つの提案される構成は、液体供給システムが基板の局所域のみにかつ投影システムの最終要素と基板との間に液体閉じ込めシステムを使用して液体を供給するというものである（基板は一般に投影システムの最終要素よりも大きな面積をもつ）。そのための構成の一例がＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に示されるように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される構成を概略的に示したものである。図において基板Ｗの上方の矢印は液体流れ方向を示し、基板Ｗの下方の矢印は基板テーブル移動方向を示す。図２では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイスにおける矢印が液体流れ方向を示す。
【００４３】
局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図４に示されている。液体は、投影システムＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口及び出口は、投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決まる（他方の組合せの入口及び出口は作動させない）。図４の断面図において矢印は入口での液体流入方向と出口での液体流出方向とを示す。
【００４４】
本明細書に参照によりその全体が援用される欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号には、二重ステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。こうした装置には基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。レベリング計測が１つのテーブルで第１位置で液浸液なしで実行され、露光が１つのテーブルで第２位置で液浸液ありで実行される。一実施例においては、装置は１つのテーブルのみを有するか、または一方のテーブルのみが基板を支持することのできる２つのテーブルを有する。
【００４５】
ＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液体が閉じ込められない全濡れ型を開示する。こうしたシステムにおいては、基板上面全体が液体で覆われる。これが有利であり得るのは、基板上面全体が実質的に同じ条件にさらされるからである。このことは温度制御と基板処理に利点をもつ。ＷＯ２００５／０６４４０５においては、液体供給システムは投影システムの最終要素と基板との隙間に液体を供給する。その液体が基板の残部へと漏れ（または流れ）出ることが許容されている。基板テーブル端部の障壁が液漏れを防いでおり、液体は基板テーブル上面から制御された方式で除去されることができる。こうしたシステムは温度制御と基板処理を改善するが、それでも液浸液の蒸発は生じ得る。その問題の緩和を支援する１つの方法が米国特許出願公開第２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆う部材が設けられている。この部材は、基板上面及び／または基板を保持する基板テーブルと当該部材との間に液浸液を延在させるよう構成されている。
【００４６】
提案されている別の構成は流体ハンドリング構造をもつ液体供給システムを設けることである。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在してもよい。こうした構成を図５に示す。流体ハンドリング構造は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。流体ハンドリング構造と基板表面との間にシールが形成される。一実施例においては、流体ハンドリング構造と基板の表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール等の非接触シールであってもよい。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。他の一実施例においては流体ハンドリング構造は非ガスのシールであるシールを有し、液体閉じ込め構造と呼ばれてもよい。
【００４７】
図５は、バリア部材または液体閉じ込め構造を形成する本体１２を有する局所液体供給システム、流体ハンドリング構造またはデバイスＩＨを模式的に示す図である。局所液体供給システムは、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルＷＴの表面にも言及するものと留意されたい）。液体ハンドリング構造は、投影システムＰＳに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（一般には光軸方向）では多少の相対運動があってよい。一実施例においては、本体１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールまたは流体シール等の非接触シールであってもよい。
【００４８】
流体ハンドリング構造は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール、例えばガスシール１６が投影システムＰＳの像フィールドの周囲に形成され、基板Ｗ表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１に液体が閉じ込められてもよい。この空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む本体１２により形成される。液体が、投影システムＰＳの下方かつ本体１２内部の空間１１に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。本体１２は、投影システムＰＳの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。一実施例においては本体１２は、上端において内周が投影システムＰＳまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。内周はいかなる形状であってもよく、例えば内周は投影システムの最終要素の形状に一致していてもよい。内周は円形であってもよい。
【００４９】
液体は、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。ガスシール１６は、例えば空気又は合成空気、一実施例ではＮ２又はその他の不活性ガスなどの気体によって形成される。ガスシール１６の気体は、圧力の作用で入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４から抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４の真空レベル、及び当該隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れが存在するように構成される。本体１２と基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れは空間１１に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００５０】
図５の例はいわゆる局所域型であり、液体はいかなる時点においても基板Ｗの上面の局所域に供給されるのみである。異なる構成も可能であり、例えば米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号には、単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリング構造を含む構成が開示されている。一実施例においては、単相抽出器または二相抽出器は、多孔質材料に覆われている入口を備えてもよい。一実施例の単相抽出器においては、多孔質材料が気体から液体を分離し単相の液体抽出を可能とするために使用される。多孔質材料の下流のチャンバがいくらか負圧に保たれて液体で満たされる。そのチャンバの負圧は、多孔質材料の孔に形成されるメニスカスが周囲の気体のチャンバへの引き込みを妨げるような大きさとされる。その一方、多孔質材料が液体に接触すれば流れを制限するメニスカスはなくなるので液体が自由にチャンバに流入できる。多孔質材料は多数の小孔、例えば５μｍ乃至３００μｍの、望ましくは５μｍ乃至５０μｍの範囲の直径の小孔を有する。一実施例においては、多孔質材料は少なくともいくらかの親液性（例えば親水性）をもつ。すなわち、多孔質材料は液浸液例えば水に対する接触角が９０度未満である。
【００５１】
液浸リソグラフィ装置の実施例においては、液浸リソグラフィ装置の形式そのもの（局所液浸であるとか、濡れ、浴槽など）は重要ではない。また、流体ハンドリングシステムが特定の形式であることも無関係であり、本発明はいかなる形式の流体ハンドリングシステムにも適用可能である。
【００５２】
基板Ｗ上のコーティングには、その基板Ｗを基板テーブルＷＴの基板支持部１００に取り付けたときに基板Ｗのエッジを上方または下方に曲げる効果を有しうる。加えて、コーティングは厚さ変動を有し、それによって基板Ｗエッジの平坦度に変動が生じうる。基板Ｗエッジ平坦度の別の変動原因は、基板Ｗの厚さ変動である。これは例えば研磨に起因する。基板Ｗ上部でエッジの特定位置からの材料除去が多い場合には、エッジに非平坦表面がもたらされる。加えて、基板Ｗの下側からの材料除去が多い場合には、基板Ｗが基板支持部１００に取り付けられたときに、基板Ｗエッジが下方に曲げられることになる。基板Ｗの裏側端部または基板支持部１００の端部は体系的または非体系的に汚染され、基板Ｗエッジの非平坦性の原因となる。例えばこれは時間とともに変化する。摩耗は時間とともにエッジ特性を低下させる。本発明の一実施形態は、経時的なエッジ特性変化を補償することにより、装置の有用な寿命を延ばすことができる。
【００５３】
基板Ｗのエッジにおける非平坦性はレベリングの悪化さらにはフォーカス性能の悪化を招く。結像に先行して基板Ｗの全部分の高さを決定して結像中の基板Ｗの高さを変化させるために基板Ｗ表面を計測することは可能であるが、これは計算コストが高く、スループットを低下させることになる。加えて、エッジが湾曲している場合、当該エッジにおけるフィールド全体で焦点を合わせた状態に維持することは不可能かもしれない。例えば、そのフィールドの一部分は投影システムＰＳからの焦点距離が大きい一方で、フィールドの別の一部分は投影システムＰＳからの焦点距離が小さいかもしれない。その場合、焦点距離の最良適合が選択される必要があり、それは必然的に妥協である。加えて、基板エッジの局所的傾斜はオーバレイ性能を悪化させる。
【００５４】
したがって、基板のエッジをできるだけ平坦に保つことが望ましい。これは基板エッジのオーバレイ性能を改善する。これにより、基板上で利用可能なダイが増えるので歩留まりが高くなる。
【００５５】
基板Ｗのエッジにおける平坦度に体系的誤差がある場合には、受動的な手法が、基板Ｗを基板支持部１００に位置決めしたときに所望の方向に基板Ｗのエッジを曲げるために、使用可能である。いくつかの受動的手法を、例えば図６を参照して後述する。
【００５６】
エッジ平坦度を補正する能動的手法もまた、あるいは上記に代えて、下記の通り利用可能である。基板Ｗのエッジの平坦度が計測される。これは例えば、リソグラフィ装置の外部でなされてもよいし、リソグラフィ装置内のある計測位置でなされてもよいし、あるいは、リソグラフィ装置の露光位置でなされてもよい。一実施例においては基板Ｗのエッジの平坦度は、基板が基板支持部に載置されているときに計測される。計測の結果に従って、ある能動的方法が基板Ｗのエッジに力を付与するために使用され、それによって基板のエッジが曲げられて非平坦度が補償されてもよい。この補償力が付与された後に、基板Ｗの平坦度を再計測することは可能である。基板Ｗの平坦度の再計測後に、基板Ｗに像が形成される。あるいは必要であれば、エッジ平坦度の再計測と、基板Ｗエッジに付与されている力の再調整を必要に応じて行うことが可能である。こうしたループは必要な回数または所望の回数だけ行われてもよい。
【００５７】
この処理は基板ごとに実行されてもよい。あるいはバッチごとに１枚の基板だけに実行されてもよい。この場合、そのバッチの各基板Ｗには同じ曲げ力が付与される。一実施例においては、調整力が、計測された平坦度に従ってルックアップテーブルから決定される。
【００５８】
図６は、基板テーブルＷＴと、付随する基板支持部１００と、を示す。基板支持部１００は複数の突起（バール）１１０を備える。基板Ｗは基板支持部１００に支持されている。基板支持部１００は、基板Ｗのエッジに第１方向１２０に曲げ力を付与するよう適応されている。
【００５９】
一実施例においては、基板支持部１００は静電基板支持部である。すなわち、基板Ｗは、静電気力によって基板支持部１００に保持されている。一実施例においては、基板支持部１００は、基板Ｗと基板支持部１００との間に負圧を生成することによって、自身に基板Ｗを吸引する。本明細書において負圧への言及は静電気力への言及とも読むものとする。負圧基板支持部１００への言及により説明されるものと同一の原理が静電基板支持部にも等しく適用されるからである。
【００６０】
各種の方法で基板支持部１００によって曲げ力が付与される。基板支持部１００と基板Ｗとの間に負圧を適用し、それによって基板Ｗを基板支持部１００に向けて下方に引っ張り、そうして基板Ｗを突起１１０の上面に静止させるというように、基板支持部１００は動作する。
【００６１】
能動的な負圧変動または受動的な負圧変動（負圧は１つまたは複数の開口１３０を通じて適用される）によって、あるいは、１つまたは複数の突起１１０における能動的な変動または受動的な変動によって、曲げ力が基板Ｗに付与されてもよい。例えば、一実施例においては、最も外側の突起１１０Ａの位置が基板Ｗのエッジに近づくようにシフトされ、または遠ざかるようシフトされ、それによって基板Ｗのエッジに生じる曲げ力を変化させてもよい。一実施例においては、突起１１０間のピッチ、剛性、平面図での断面積、及び／または突起１１０の高さが、基板支持部１００によって基板Ｗに第１方向１２０の力を与えるものであってもよい。ある能動システムにおいては、突起１１０の平面図での位置及び／または断面高さが、例えば圧電アクチュエータを使用して、調整可能であってもよい。
【００６２】
基板支持部１００の端にはシール１１２が設けられている。シール１１２は、基板Ｗ下方の空間を、基板エッジと基板テーブルＷＴとの間の空間から分離する。一実施例においてはシール１１２は基板Ｗの下表面に接触する。一実施例においてはシール１１２は基板Ｗの下表面に接触せず、基板Ｗの下表面とシール１１２の上端との隙間の寸法は、基板Ｗとシール１１２との間をシールを通過して（図において）シール１１２の左右に液体がほとんど漏れ出ないように設定されている。シール１１２は例えば環状であってもよい。シール１１２は、基板Ｗを基板支持部１００に保持するために使用される負圧が、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴとの隙間におけるシール１１２の放射方向外側の負圧と干渉することなく最適化されるようになっている。このことは、特に、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴの端部との隙間から液体を抽出する工程が行われ得る液浸リソグラフィ装置において有用である。図７及び図８の以下の実施形態においては、シール１１２は、基板エッジ操作部２００によって基板Ｗエッジに付与される力が、基板支持部１００によって基板Ｗに付与される力とは独立に調整されることを許容する。
【００６３】
一実施例においては基板Ｗに誘起される曲げ量は、基板Ｗエッジと基板支持部１００との間に与えられる局所的負圧によって決定される。
【００６４】
一実施例においては、図６に示されるように、基板エッジ操作部２００が設けられている。基板エッジ操作部２００は部材２１０を備える。部材２１０は使用時において、基板Ｗの上側の主面に、望ましくは基板Ｗエッジにおいて、物理的に接触する。部材２１０と基板Ｗの上側主面との物理的接触によって、基板Ｗのエッジに曲げが誘起される。すなわち、部材２１０は、基板Ｗのエッジに方向２２０に曲げ力を付与する。ある実施例においては方向２２０は、方向１２０とは反対方向の成分を少なくとも有する。ある実施例においては方向１２０は方向２２０と同一方向である。
【００６５】
一実施例においては部材２１０は、基板Ｗのエッジに可変の力を付与するよう構成されている。部材２１０は、基板Ｗのエッジに可変の力を付与するために、及び／または基板Ｗの基板支持部１００上での位置決めを許容するために、矢印２３０で図示される双方向に作動されてもよい。
【００６６】
一実施例においては、図１０にも示されるように、部材２１０は矢印２４０に図示される双方向に位置決め可能である。方向２４０の移動によって、基板Ｗの基板支持部１００へのローディングがより容易となる。
【００６７】
部材２１０はアクチュエータ２５０によって作動されてもよい。アクチュエータ２５０は例えば、圧電アクチュエータ、電磁アクチュエータ、空気圧式アクチュエータ、静電アクチュエータ等であってもよい。ある実施例においてはアクチュエータ２５０は基板テーブルＷＴに取り付けられている。ある実施例においてはアクチュエータ２５０は基板支持部１００に取り付けられている。
【００６８】
基板Ｗの平坦度を測定する測定デバイス６００（図１参照）は、基板Ｗのエッジの平坦度を表す信号を生成する。測定は基板Ｗに力を与えずに行ってもよい。あるいは、基板支持部１００及び部材２１０の一方または双方からの名目上の（受動的な）力のみがあるときに測定がなされてもよい。この信号は、それに応じてアクチュエータ２５０を制御するコントローラ３００に送信される。すなわち、アクチュエータ２５０は、部材２１０によって基板Ｗのエッジに付与される力が欠落しているときの基板Ｗエッジの平坦度に比べてそれが改善されるよう、部材２１０が基板Ｗエッジに付与する力を変化させるように作動される。
【００６９】
一実施例においてはコントローラ３００は、基準位置（例えば、本装置の投影システムＰＳの下方の位置）に対する基板テーブルＷＴの位置を表す信号を受信する。この信号に基づいてアクチュエータ２５０は、部材２１０が基板Ｗに所望の力を付与するように制御される。このようにして、基板Ｗエッジの外周に沿って平坦度が変化する場合に、基板Ｗエッジのどの部分がいま投影システムＰＳの下方にあるのかに従って、基板Ｗエッジに付与する力を変えることができる。したがって、平坦からの乖離が大きい基板Ｗエッジの一部分に像が形成されようとしているときには、部材２１０によって基板Ｗエッジに大きな力が付与される。逆に、相当に平坦であると測定されている基板Ｗエッジの一部分が投影システムＰＳの下方にあるときには、部材２１０によって基板Ｗエッジに小さな力が付与される。図１０は、ある代替的な構成を示す。基板エッジ操作部２００は基板Ｗの外周に沿って分割されており、平坦からの局所的な乖離を補正するのに適した局所的な力が基板Ｗのエッジに与えられる。
【００７０】
一実施例においては基板Ｗの平坦度を測定する測定デバイス６００は、基板Ｗに方向１２０または２２０のいずれにも力が与えられていないときに基板Ｗの平坦度を測定してもよい。一実施例においては測定デバイス６００は、基板支持部１００により付与される力１２０のみが存在するときに基板Ｗの平坦度を測定してもよい。一実施例においては測定デバイス６００は、ある力が、例えば予め定められた力が、基板Ｗエッジに基板エッジ操作部２００によって付与されているときに基板Ｗの平坦度を測定してもよい。検出された平坦からのいかなる変動であっても、基板エッジ操作部２００によって基板Ｗエッジに付与される力を変化させることにより補正されうる。これは、平坦からのある大きさの乖離をある大きさの力の変化量と同一とみなすルックアップテーブルに基づいてもよい。
【００７１】
一実施例においては、基板テーブルＷＴは、基板Ｗのエッジ平坦度とは無関係に基板Ｗのエッジに第１方向１２０に力を付与するために使用される。基板支持部１００は、受動的に基板Ｗに力を付与してもよい。基板支持部１００は、１つのバッチの基板ごとに、またはバッチごとには変化をしない方法で基板Ｗに力を付与してもよい。エッジに力を付与する既述の手法のいずれかが使用されてもよく、そうした手法には、基板支持部１００の表面形状（特に、突起１１０の表面形状）による方式、複数の突起１１０間の機械的特性の違いによる方式、及び／または、基板Ｗエッジに比較したときの基板Ｗ中心における基板Ｗと基板支持部１００の間の負圧変化による方式、が含まれる。
【００７２】
一実施例においては、基板Ｗが基板支持部１００に置かれた後に、エッジ平坦度が測定される。そのエッジ平坦度に従って、基板エッジ操作部２００の部材２１０によって付与される力が変更され、それによってエッジ平坦度が改善される。
【００７３】
上述の方法は、基板支持部１００を用いて基板支持部１００から離れるほうに基板Ｗエッジに曲げを意図的に引き起こし、その曲げを、部材２１０により付与される曲げ力の適用によって補正するものと理解される。このことの利点は、（基板支持部１００に対し）上方向に曲げるのか下方向に曲げるのかに関係なく、基板Ｗの平坦度を改善するために使用される能動的な構成要素（基板エッジ操作部２００）が１つだけであるということにある。
【００７４】
一実施例においては、上方向１２０の曲げ及び下方向２２０の曲げが基板支持部１００によって（例えば、突起１１０の表面形状及び負圧変化のそれぞれを使用することにより）実現されることが可能である。この場合、基板支持部１００は基板エッジ操作部として動作する。
【００７５】
一実施例においては、部材２１０は、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴの上面４１０の端部との隙間に延在する。これは部材２１０への延長部分２８０として図６に破線で示されている。これにより、基板エッジ操作部２００は、基板Ｗエッジと基板テーブルＷＴの上面４１０との隙間を封じるシールであってもよい。部材２１０及び延長部分２８０は、基板Ｗの周囲において基板テーブルＷＴの上側表面４１０から基板Ｗの上側主表面の外周部へと延びるカバーを使用時に形成する。このカバーは開放された中心部分を画定し、それによって基板Ｗの上側主面のビームＰＢへの露光が許容される。開放中心部分のサイズは、基板Ｗの上側表面のサイズよりも若干小さくてもよい。図９に示されるように、基板Ｗが円形である場合には、カバーは、平面図で見たときに、略環状の形状であってもよい。
【００７６】
部材２１０、延長部分２８０、及びアクチュエータ２５０の構成は、部材２１０に基板Ｗのエッジを曲げる効果があることを除いて、２００９年６月３０日に出願された米国特許出願第６１／２１３，６５８号に開示されたカバー及びアクチュエータと同様であってもよい。
【００７７】
図７は、一実施形態の基板テーブルＷＴの断面を示す。図７の実施例は後述の点を除いて図６の実施例と同一である。
【００７８】
図７においては、基板エッジ操作部２００は、基板Ｗのエッジと、基板Ｗの位置する凹部４００の端部と、の間にシールを形成するカバー２１００を備える。カバー２１００は、基板テーブルＷＴ、カバー２１００、及び基板Ｗにより画定される窪み２２５０に生成される負圧によって所定の位置に保持される。負圧がカバー２１００を所定位置に保持する。負圧は、負圧源２６００によって生成され、基板Ｗエッジにカバー２１００が付与する力は負圧の大きさを変えることによって変化させることができる。この負圧は例えば、真空、静電気力、磁力等であってもよい。
【００７９】
図８は基板テーブルの別の実施例の断面を示す。図８の実施例は後述の点を除いて図７の実施例と同一である。
【００８０】
図８の実施例においては、カバー座部２２００が設けられている。カバー２１００はカバー座部２２００に載っており、２つの窪み２３００、２４００がカバー２１００の下に画定されている。第１窪み２３００は基板Ｗ側に画定されている。負圧源２６００により第１窪み２３００に与えられる負圧が、カバー２１００によって基板Ｗのエッジに付与される力を決定する。第２窪み２４００はカバー座部２２００と基板テーブルＷＴとの間にある。負圧源２６００により第２窪み２４００に与えられる負圧が、カバー２１００を基板テーブルＷＴに保持する力を決定する。この力及びカバー２１００が基板Ｗに接触する力は、カバー２１００に与えられるいかなる力によっても、特に流体ハンドリングシステムによって、カバー２１００が持ち上がって外れるのを避けるのに十分な大きさとすべきである。負圧は例えば、真空、静電気力、磁力等であってもよい。
【００８１】
一実施例においては、負圧源は、第１窪み２３０への負圧と第２窪み２４００への負圧とを独立に変化させることができる。
【００８２】
基板エッジ操作部２００が基板Ｗと基板テーブルＷＴとの隙間を覆うシールを形成する実施例は、液浸リソグラフィでの使用に有利である。液浸リソグラフィにおいては、基板Ｗエッジと基板テーブルＷＴとの隙間に捉えられた液体及び／または気体によって問題が生じうる。カバー２１００を設けることにより、こうした問題は回避されるか縮小される。
【００８３】
窪み２３００、２４００における通常の負圧は５０ｍｂａｒないし１００ｍｂａｒであってもよい。通常、平坦からの変動が１０ｎｍ大きくなるごとに、１０ｍｂａｒの負圧を追加する必要があるかもしれない。
【００８４】
基板エッジ操作部２００がシールを備える実施例においては、基板Ｗに方向２２０に力を付与することがともかく良好なシールを保証するために一般に必要である。したがって、基板支持部１００の使用により方向１２０に基板Ｗエッジを意図的に曲げ、その力を変えることにより補正をすることは、いずれにしても負圧が与えられているので、システムの複雑さを増やさない。
【００８５】
図９は、図７の実施例に係るカバー２１００の平面図を示す。図９は、カバー２１００がどのように窪み２２５０、基板Ｗのエッジ、及び凹部４００の端部を覆って延びているのかを示す。
【００８６】
図１０は、本発明の一実施形態の平面図を示す。図１０においては、基板エッジ操作部２００は６つのカバー２１００ＡないしＦを備える。いくつのカバー２１００Ａ〜Ｆが設けられてもよい。図６、７、または８のカバー２１００は、基板Ｗの外周に沿う局所位置での平坦からの乖離が、大域的な補正というよりも、局所的に補正されるように、分割されていてもよい。よって、カバー２１００Ａ〜Ｆのそれぞれが、関連する基板Ｗエッジの局所的平坦度を補正するのに適した力を付与してもよい。そのために、例えば基板エッジ操作部２００に図７の負圧源２６００が装備される場合には、別個の窪み２２５０Ａ〜Ｆがカバー２１００Ａ〜Ｆのそれぞれに関連して基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に設けられていてもよい。
【００８７】
理解されるように、本願にて網羅される明記された組み合わせには限られず、任意の上記の特徴は他の任意の上記の特徴とともに使用可能である。
【００８８】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【００８９】
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む１つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。
【００９０】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは１つまたは複数の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。
【００９１】
本明細書に記載のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくとも１つの構成要素内部に設けられた１つまたは複数のコンピュータプロセッサによって１つまたは複数のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。１つまたは複数のプロセッサは少なくとも１つのコントローラと通信するよう構成されていてもよい。例えば、各コントローラが上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含んでもよい。コントローラはコンピュータプログラムを記録する記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。コントローラは１つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。
【００９２】
本発明の１つまたは複数の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。特に、上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。
【００９３】
本明細書に述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態においては投影システムと基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。１つまたは複数の構造体、及び１つまたは複数の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、１つまたは複数の液体開口、１つまたは複数の気体開口、１つまたは複数の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口（または流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（または流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。一実施例においては、液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、液浸空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するための１つまたは複数の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。
【００９４】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板テーブル、リソグラフィ装置、基板のエッジを平らにする方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用される。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン付けされる。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。
【０００３】
リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。そうして投影システムの最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。一実施例においては液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明の一実施形態は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に好ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることと見なすこともできる。）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下の粒子）で懸濁している液体がある。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体として炭化水素もある。例えば芳香族、フッ化炭化水素、及び／または水溶液がある。
【０００４】
基板を、又は基板と基板テーブルとを液体の浴槽に浸すということは（例えば米国特許第４，５０９，８５２号参照）、走査露光中に加速すべき大きな液体の塊があるということである。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
液浸装置においては液浸流体が、流体ハンドリングシステム、流体ハンドリングデバイス、流体ハンドリングデバイス構造、または流体ハンドリング装置によって操作される。ある実施例における流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給してもよく、よって流体供給システムであってもよい。ある実施例における流体ハンドリングシステムは液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてもよく、よって流体閉じ込めシステムであってもよい。ある実施例における流体ハンドリングシステムは液浸流体に対する障壁を提供してもよく、よってバリア部材、例えば流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施例における流体ハンドリングシステムは気体流れを生成または使用して、例えば液浸流体の流れ及び／または位置の制御を支援するようにしてもよい。その気体流れは液浸流体を閉じ込めるシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造はシール部材と称されてもよい。こうしたシール部材が流体閉じ込め構造であってもよい。一実施例においては液浸流体として液浸液が使用される。その場合流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。既述の説明を参照する際には、流体に関し定義された構成についての本段落における言及は、液体に関し定義される構成も含むものと理解されたい。
【０００６】
リソグラフィ露光装置においては、バール（突起）を備える基板テーブルの基板支持部によって基板が支持される。基板は通常、真空を適用することにより基板テーブルに吸引される。液浸システム（すなわち、基板を露光するときに投影システムと基板との間に液浸液を供給するシステム）においては、基板テーブルは大抵、基板と基板テーブルとの間の真空空間から液浸液を遮断するためのシールを備える。
【発明の概要】
【０００７】
基板のエッジはできるだけ平坦であることが望ましい。それ故に、基板のエッジはできるだけ平坦に保たれる。
【０００８】
そのために、最適なバール・パターンを、シールの位置（及び、より多くの真空区域がある場合には、それら区域間の相対圧力差）との組み合わせのもとで、選択することが行われている。ところがこれは、すべての基板が理想的に平坦であり一定の厚さを持つことを前提としている。また、基板及び基板支持部が完全に清浄であると仮定し、さらに、基板支持部が位置公差ゼロで製造されていることを仮定している。
【０００９】
現実には、コーティングや基板処理、汚染の１つまたは複数がエッジの平坦度を乱す原因となる。エッジ平坦度は基板ごとに変わりうる。それに加えて、またはそれに代えて、誤った真空設定、及び／またはバール・パターンの製造上の公差は、エッジ平坦度に一定のオフセットを生じさせる。これはエッジでのデフォーカスへとつながり、性能のみならず歩留まりにも不利益を与えうる。こうした領域は何ら露光され得ないからである。エッジの特性は、汚染及び／または摩耗のせいで経時的に変化し、性能及び歩留まりを時間とともに低下させることになる。
【００１０】
例えば、基板エッジの平坦度を調整することのできる基板テーブルを提供することが望ましい。
【００１１】
１つの側面によれば、基板を支持する基板テーブルであって、基板を支持し、基板エッジに第１方向の曲げ力を付与する基板支持部と、第２方向の可変の曲げ力を基板エッジに付与するよう構成され、第２方向は第１方向とは反対向きの成分を少なくとも有する基板エッジ操作部と、を備える基板テーブルが提供される。
【００１２】
１つの側面によれば、基板を支持する基板テーブルであって、使用時に、基板テーブルに支持されている基板のエッジを基板の上側主面との物理的接触によって曲げるよう構成されている部材を備える基板テーブルが提供される。
【００１３】
１つの側面によれば、基板のエッジを平らにする方法であって、基板のエッジに第１方向に曲げを引き起こすのに十分な力を基板のエッジに与えることと、基板のエッジの平坦度を改善するために、第１方向とは実質的に反対向きの第２方向の可変の力を基板のエッジに与えることと、を含む方法が提供される。
【００１４】
本発明のいくつかの実施形態が付属の図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００１６】
【図２】リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。
【００１７】
【図４】リソグラフィ投影装置に使用される他の液体供給システムを示す図である。
【００１８】
【図５】リソグラフィ投影装置に使用される他の液体供給システムを示す図である。
【００１９】
【図６】一実施形態に係る基板テーブルの断面を示す。
【００２０】
【図７】一実施形態に係る基板テーブルの断面を示す。
【００２１】
【図８】一実施形態に係る基板テーブルの断面を示す。
【００２２】
【図９】図７の基板テーブルの平面図を示す。
【００２３】
【図１０】一実施形態の基板テーブルの平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメタに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストで被覆されたウエーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメタに従って基板Ｗを正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと、を備える。
【００２５】
照明システムＩＬは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００２６】
支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスＭＡが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
【００２７】
本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、パターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００２８】
パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００２９】
本明細書では「投影システム」という用語は、使用される露光放射あるいは液浸液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきである。投影システムには屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影システム」と同義に用いられ得る。
【００３０】
ここに図示されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。
【００３１】
リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）のテーブルを備えてもよい。テーブルのうち少なくとも１つまたはすべてが基板を保持してもよい。リソグラフィ装置は、２つ以上のパターニングデバイステーブルを備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。
【００３２】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを備える。あるいは放射源ＳＯが例えば水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。
【００３３】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータＩＬの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬは取り外し可能とされ、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、またはその他の供給業者によって）別々に提供されてもよい。
【００３４】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスＭＡによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影システムＰＳに進入する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。そうして基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３５】
図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
【００３６】
１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
【００３７】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分Ｃの（走査方向の）長さを決定する。
【００３８】
３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３９】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。
【００４０】
本発明のある実施形態は、リソグラフィ装置に、特に液浸リソグラフィ装置に、適用される。本発明のある実施形態は、非液浸リソグラフィ装置、例えばＥＵＶリソグラフィ装置に適用される。液浸リソグラフィ装置の例を後述するのは、本明細書に述べる基板エッジ操作部が基板Ｗの端部と基板テーブルＷＴの上面との隙間を封じるシールとしても機能することができるからである。これは液浸装置に望ましい。しかし、後述の原理は非液浸装置にも同様に適用可能である。
【００４１】
投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも三種類に大きく分類することができる。２つの大まかな分類は、浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとである。浴槽型は基板の実質的に全体と任意的に基板テーブルの一部とが液槽に浸される。いわゆる局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類においては、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板がその領域の下を移動しているとき投影システムに対し実質的に静止状態にある。もう１つの分類は、本発明のある実施形態に向けられるものであるが、液体が閉じ込められない全濡れ型である。この構成においては、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、基板上の（例えば薄い）液体フィルムであってもよい。図２乃至図５の液体供給デバイスのいずれもがこうしたシステムにも使用可能であるが、シール構造はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにする。４つの異なる形式の局所液体供給システムが図２乃至図５に図示されている。
【００４２】
１つの提案される構成は、液体供給システムが基板の局所域のみにかつ投影システムの最終要素と基板との間に液体閉じ込めシステムを使用して液体を供給するというものである（基板は一般に投影システムの最終要素よりも大きな面積をもつ）。そのための構成の一例がＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に示されるように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される構成を概略的に示したものである。図において基板Ｗの上方の矢印は液体流れ方向を示し、基板Ｗの下方の矢印は基板テーブル移動方向を示す。図２では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイスにおける矢印が液体流れ方向を示す。
【００４３】
局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図４に示されている。液体は、投影システムＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口及び出口は、投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決まる（他方の組合せの入口及び出口は作動させない）。図４の断面図において矢印は入口での液体流入方向と出口での液体流出方向とを示す。
【００４４】
本明細書に参照によりその全体が援用される欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号には、二重ステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。こうした装置には基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。レベリング計測が１つのテーブルで第１位置で液浸液なしで実行され、露光が１つのテーブルで第２位置で液浸液ありで実行される。一実施例においては、装置は１つのテーブルのみを有するか、または一方のテーブルのみが基板を支持することのできる２つのテーブルを有する。
【００４５】
ＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液体が閉じ込められない全濡れ型を開示する。こうしたシステムにおいては、基板上面全体が液体で覆われる。これが有利であり得るのは、基板上面全体が実質的に同じ条件にさらされるからである。このことは温度制御と基板処理に利点をもつ。ＷＯ２００５／０６４４０５においては、液体供給システムは投影システムの最終要素と基板との隙間に液体を供給する。その液体が基板の残部へと漏れ（または流れ）出ることが許容されている。基板テーブル端部の障壁が液漏れを防いでおり、液体は基板テーブル上面から制御された方式で除去されることができる。こうしたシステムは温度制御と基板処理を改善するが、それでも液浸液の蒸発は生じ得る。その問題の緩和を支援する１つの方法が米国特許出願公開第２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆う部材が設けられている。この部材は、基板上面及び／または基板を保持する基板テーブルと当該部材との間に液浸液を延在させるよう構成されている。
【００４６】
提案されている別の構成は流体ハンドリング構造をもつ液体供給システムを設けることである。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在してもよい。こうした構成を図５に示す。流体ハンドリング構造は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。流体ハンドリング構造と基板表面との間にシールが形成される。一実施例においては、流体ハンドリング構造と基板の表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール等の非接触シールであってもよい。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。他の一実施例においては流体ハンドリング構造は非ガスのシールであるシールを有し、液体閉じ込め構造と呼ばれてもよい。
【００４７】
図５は、バリア部材または液体閉じ込め構造を形成する本体１２を有する局所液体供給システム、流体ハンドリング構造またはデバイスＩＨを模式的に示す図である。局所液体供給システムは、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルＷＴの表面にも言及するものと留意されたい）。液体ハンドリング構造は、投影システムＰＳに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（一般には光軸方向）では多少の相対運動があってよい。一実施例においては、本体１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールまたは流体シール等の非接触シールであってもよい。
【００４８】
流体ハンドリング構造は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール、例えばガスシール１６が投影システムＰＳの像フィールドの周囲に形成され、基板Ｗ表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１に液体が閉じ込められてもよい。この空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む本体１２により形成される。液体が、投影システムＰＳの下方かつ本体１２内部の空間１１に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。本体１２は、投影システムＰＳの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。一実施例においては本体１２は、上端において内周が投影システムＰＳまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。内周はいかなる形状であってもよく、例えば内周は投影システムの最終要素の形状に一致していてもよい。内周は円形であってもよい。
【００４９】
液体は、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。ガスシール１６は、例えば空気又は合成空気、一実施例ではＮ２又はその他の不活性ガスなどの気体によって形成される。ガスシール１６の気体は、圧力の作用で入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４から抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４の真空レベル、及び当該隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れが存在するように構成される。本体１２と基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れは空間１１に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００５０】
図５の例はいわゆる局所域型であり、液体はいかなる時点においても基板Ｗの上面の局所域に供給されるのみである。異なる構成も可能であり、例えば米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号には、単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリング構造を含む構成が開示されている。一実施例においては、単相抽出器または二相抽出器は、多孔質材料に覆われている入口を備えてもよい。一実施例の単相抽出器においては、多孔質材料が気体から液体を分離し単相の液体抽出を可能とするために使用される。多孔質材料の下流のチャンバがいくらか負圧に保たれて液体で満たされる。そのチャンバの負圧は、多孔質材料の孔に形成されるメニスカスが周囲の気体のチャンバへの引き込みを妨げるような大きさとされる。その一方、多孔質材料が液体に接触すれば流れを制限するメニスカスはなくなるので液体が自由にチャンバに流入できる。多孔質材料は多数の小孔、例えば５μｍ乃至３００μｍの、望ましくは５μｍ乃至５０μｍの範囲の直径の小孔を有する。一実施例においては、多孔質材料は少なくともいくらかの親液性（例えば親水性）をもつ。すなわち、多孔質材料は液浸液例えば水に対する接触角が９０度未満である。
【００５１】
液浸リソグラフィ装置の実施例においては、液浸リソグラフィ装置の形式そのもの（局所液浸であるとか、濡れ、浴槽など）は重要ではない。また、流体ハンドリングシステムが特定の形式であることも無関係であり、本発明はいかなる形式の流体ハンドリングシステムにも適用可能である。
【００５２】
基板Ｗ上のコーティングには、その基板Ｗを基板テーブルＷＴの基板支持部１００に取り付けたときに基板Ｗのエッジを上方または下方に曲げる効果を有しうる。加えて、コーティングは厚さ変動を有し、それによって基板Ｗエッジの平坦度に変動が生じうる。基板Ｗエッジ平坦度の別の変動原因は、基板Ｗの厚さ変動である。これは例えば研磨に起因する。基板Ｗ上部でエッジの特定位置からの材料除去が多い場合には、エッジに非平坦表面がもたらされる。加えて、基板Ｗの下側からの材料除去が多い場合には、基板Ｗが基板支持部１００に取り付けられたときに、基板Ｗエッジが下方に曲げられることになる。基板Ｗの裏側端部または基板支持部１００の端部は体系的または非体系的に汚染され、基板Ｗエッジの非平坦性の原因となる。例えばこれは時間とともに変化する。摩耗は時間とともにエッジ特性を低下させる。本発明の一実施形態は、経時的なエッジ特性変化を補償することにより、装置の有用な寿命を延ばすことができる。
【００５３】
基板Ｗのエッジにおける非平坦性はレベリングの悪化さらにはフォーカス性能の悪化を招く。結像に先行して基板Ｗの全部分の高さを決定して結像中の基板Ｗの高さを変化させるために基板Ｗ表面を計測することは可能であるが、これは計算コストが高く、スループットを低下させることになる。加えて、エッジが湾曲している場合、当該エッジにおけるフィールド全体で焦点を合わせた状態に維持することは不可能かもしれない。例えば、そのフィールドの一部分は投影システムＰＳからの焦点距離が大きい一方で、フィールドの別の一部分は投影システムＰＳからの焦点距離が小さいかもしれない。その場合、焦点距離の最良適合が選択される必要があり、それは必然的に妥協である。加えて、基板エッジの局所的傾斜はオーバレイ性能を悪化させる。
【００５４】
したがって、基板のエッジをできるだけ平坦に保つことが望ましい。これは基板エッジのオーバレイ性能を改善する。これにより、基板上で利用可能なダイが増えるので歩留まりが高くなる。
【００５５】
基板Ｗのエッジにおける平坦度に体系的誤差がある場合には、受動的な手法が、基板Ｗを基板支持部１００に位置決めしたときに所望の方向に基板Ｗのエッジを曲げるために、使用可能である。いくつかの受動的手法を、例えば図６を参照して後述する。
【００５６】
エッジ平坦度を補正する能動的手法もまた、あるいは上記に代えて、下記の通り利用可能である。基板Ｗのエッジの平坦度が計測される。これは例えば、リソグラフィ装置の外部でなされてもよいし、リソグラフィ装置内のある計測位置でなされてもよいし、あるいは、リソグラフィ装置の露光位置でなされてもよい。一実施例においては基板Ｗのエッジの平坦度は、基板が基板支持部に載置されているときに計測される。計測の結果に従って、ある能動的方法が基板Ｗのエッジに力を付与するために使用され、それによって基板のエッジが曲げられて非平坦度が補償されてもよい。この補償力が付与された後に、基板Ｗの平坦度を再計測することは可能である。基板Ｗの平坦度の再計測後に、基板Ｗに像が形成される。あるいは必要であれば、エッジ平坦度の再計測と、基板Ｗエッジに付与されている力の再調整を必要に応じて行うことが可能である。こうしたループは必要な回数または所望の回数だけ行われてもよい。
【００５７】
この処理は基板ごとに実行されてもよい。あるいはバッチごとに１枚の基板だけに実行されてもよい。この場合、そのバッチの各基板Ｗには同じ曲げ力が付与される。一実施例においては、調整力が、計測された平坦度に従ってルックアップテーブルから決定される。
【００５８】
図６は、基板テーブルＷＴと、付随する基板支持部１００と、を示す。基板支持部１００は複数の突起（バール）１１０を備える。基板Ｗは基板支持部１００に支持されている。基板支持部１００は、基板Ｗのエッジに第１方向１２０に曲げ力を付与するよう適応されている。
【００５９】
一実施例においては、基板支持部１００は静電基板支持部である。すなわち、基板Ｗは、静電気力によって基板支持部１００に保持されている。一実施例においては、基板支持部１００は、基板Ｗと基板支持部１００との間に負圧を生成することによって、自身に基板Ｗを吸引する。本明細書において負圧への言及は静電気力への言及とも読むものとする。負圧基板支持部１００への言及により説明されるものと同一の原理が静電基板支持部にも等しく適用されるからである。
【００６０】
各種の方法で基板支持部１００によって曲げ力が付与される。基板支持部１００と基板Ｗとの間に負圧を適用し、それによって基板Ｗを基板支持部１００に向けて下方に引っ張り、そうして基板Ｗを突起１１０の上面に静止させるというように、基板支持部１００は動作する。
【００６１】
能動的な負圧変動または受動的な負圧変動（負圧は１つまたは複数の開口１３０を通じて適用される）によって、あるいは、１つまたは複数の突起１１０における能動的な変動または受動的な変動によって、曲げ力が基板Ｗに付与されてもよい。例えば、一実施例においては、最も外側の突起１１０Ａの位置が基板Ｗのエッジに近づくようにシフトされ、または遠ざかるようシフトされ、それによって基板Ｗのエッジに生じる曲げ力を変化させてもよい。一実施例においては、突起１１０間のピッチ、剛性、平面図での断面積、及び／または突起１１０の高さが、基板支持部１００によって基板Ｗに第１方向１２０の力を与えるものであってもよい。ある能動システムにおいては、突起１１０の平面図での位置及び／または断面高さが、例えば圧電アクチュエータを使用して、調整可能であってもよい。
【００６２】
基板支持部１００の端にはシール１１２が設けられている。シール１１２は、基板Ｗ下方の空間を、基板エッジと基板テーブルＷＴとの間の空間から分離する。一実施例においてはシール１１２は基板Ｗの下表面に接触する。一実施例においてはシール１１２は基板Ｗの下表面に接触せず、基板Ｗの下表面とシール１１２の上端との隙間の寸法は、基板Ｗとシール１１２との間をシールを通過して（図において）シール１１２の左右に液体がほとんど漏れ出ないように設定されている。シール１１２は例えば環状であってもよい。シール１１２は、基板Ｗを基板支持部１００に保持するために使用される負圧が、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴとの隙間におけるシール１１２の放射方向外側の負圧と干渉することなく最適化されるようになっている。このことは、特に、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴの端部との隙間から液体を抽出する工程が行われ得る液浸リソグラフィ装置において有用である。図７及び図８の以下の実施形態においては、シール１１２は、基板エッジ操作部２００によって基板Ｗエッジに付与される力が、基板支持部１００によって基板Ｗに付与される力とは独立に調整されることを許容する。
【００６３】
一実施例においては基板Ｗに誘起される曲げ量は、基板Ｗエッジと基板支持部１００との間に与えられる局所的負圧によって決定される。
【００６４】
一実施例においては、図６に示されるように、基板エッジ操作部２００が設けられている。基板エッジ操作部２００は部材２１０を備える。部材２１０は使用時において、基板Ｗの上側の主面に、望ましくは基板Ｗエッジにおいて、物理的に接触する。部材２１０と基板Ｗの上側主面との物理的接触によって、基板Ｗのエッジに曲げが誘起される。すなわち、部材２１０は、基板Ｗのエッジに方向２２０に曲げ力を付与する。ある実施例においては方向２２０は、方向１２０とは反対方向の成分を少なくとも有する。ある実施例においては方向１２０は方向２２０と同一方向である。
【００６５】
一実施例においては部材２１０は、基板Ｗのエッジに可変の力を付与するよう構成されている。部材２１０は、基板Ｗのエッジに可変の力を付与するために、及び／または基板Ｗの基板支持部１００上での位置決めを許容するために、矢印２３０で図示される双方向に作動されてもよい。
【００６６】
一実施例においては、図１０にも示されるように、部材２１０は矢印２４０に図示される双方向に位置決め可能である。方向２４０の移動によって、基板Ｗの基板支持部１００へのローディングがより容易となる。
【００６７】
部材２１０はアクチュエータ２５０によって作動されてもよい。アクチュエータ２５０は例えば、圧電アクチュエータ、電磁アクチュエータ、空気圧式アクチュエータ、静電アクチュエータ等であってもよい。ある実施例においてはアクチュエータ２５０は基板テーブルＷＴに取り付けられている。ある実施例においてはアクチュエータ２５０は基板支持部１００に取り付けられている。
【００６８】
基板Ｗの平坦度を測定する測定デバイス６００（図１参照）は、基板Ｗのエッジの平坦度を表す信号を生成する。測定は基板Ｗに力を与えずに行ってもよい。あるいは、基板支持部１００及び部材２１０の一方または双方からの名目上の（受動的な）力のみがあるときに測定がなされてもよい。この信号は、それに応じてアクチュエータ２５０を制御するコントローラ３００に送信される。すなわち、アクチュエータ２５０は、部材２１０によって基板Ｗのエッジに付与される力が欠落しているときの基板Ｗエッジの平坦度に比べてそれが改善されるよう、部材２１０が基板Ｗエッジに付与する力を変化させるように作動される。
【００６９】
一実施例においてはコントローラ３００は、基準位置（例えば、本装置の投影システムＰＳの下方の位置）に対する基板テーブルＷＴの位置を表す信号を受信する。この信号に基づいてアクチュエータ２５０は、部材２１０が基板Ｗに所望の力を付与するように制御される。このようにして、基板Ｗエッジの外周に沿って平坦度が変化する場合に、基板Ｗエッジのどの部分がいま投影システムＰＳの下方にあるのかに従って、基板Ｗエッジに付与する力を変えることができる。したがって、平坦からの乖離が大きい基板Ｗエッジの一部分に像が形成されようとしているときには、部材２１０によって基板Ｗエッジに大きな力が付与される。逆に、相当に平坦であると測定されている基板Ｗエッジの一部分が投影システムＰＳの下方にあるときには、部材２１０によって基板Ｗエッジに小さな力が付与される。図１０は、ある代替的な構成を示す。基板エッジ操作部２００は基板Ｗの外周に沿って分割されており、平坦からの局所的な乖離を補正するのに適した局所的な力が基板Ｗのエッジに与えられる。
【００７０】
一実施例においては基板Ｗの平坦度を測定する測定デバイス６００は、基板Ｗに方向１２０または２２０のいずれにも力が与えられていないときに基板Ｗの平坦度を測定してもよい。一実施例においては測定デバイス６００は、基板支持部１００により付与される力１２０のみが存在するときに基板Ｗの平坦度を測定してもよい。一実施例においては測定デバイス６００は、ある力が、例えば予め定められた力が、基板Ｗエッジに基板エッジ操作部２００によって付与されているときに基板Ｗの平坦度を測定してもよい。検出された平坦からのいかなる変動であっても、基板エッジ操作部２００によって基板Ｗエッジに付与される力を変化させることにより補正されうる。これは、平坦からのある大きさの乖離をある大きさの力の変化量と同一とみなすルックアップテーブルに基づいてもよい。
【００７１】
一実施例においては、基板テーブルＷＴは、基板Ｗのエッジ平坦度とは無関係に基板Ｗのエッジに第１方向１２０に力を付与するために使用される。基板支持部１００は、受動的に基板Ｗに力を付与してもよい。基板支持部１００は、１つのバッチの基板ごとに、またはバッチごとには変化をしない方法で基板Ｗに力を付与してもよい。エッジに力を付与する既述の手法のいずれかが使用されてもよく、そうした手法には、基板支持部１００の表面形状（特に、突起１１０の表面形状）による方式、複数の突起１１０間の機械的特性の違いによる方式、及び／または、基板Ｗエッジに比較したときの基板Ｗ中心における基板Ｗと基板支持部１００の間の負圧変化による方式、が含まれる。
【００７２】
一実施例においては、基板Ｗが基板支持部１００に置かれた後に、エッジ平坦度が測定される。そのエッジ平坦度に従って、基板エッジ操作部２００の部材２１０によって付与される力が変更され、それによってエッジ平坦度が改善される。
【００７３】
上述の方法は、基板支持部１００を用いて基板支持部１００から離れるほうに基板Ｗエッジに曲げを意図的に引き起こし、その曲げを、部材２１０により付与される曲げ力の適用によって補正するものと理解される。このことの利点は、（基板支持部１００に対し）上方向に曲げるのか下方向に曲げるのかに関係なく、基板Ｗの平坦度を改善するために使用される能動的な構成要素（基板エッジ操作部２００）が１つだけであるということにある。
【００７４】
一実施例においては、上方向１２０の曲げ及び下方向２２０の曲げが基板支持部１００によって（例えば、突起１１０の表面形状及び負圧変化のそれぞれを使用することにより）実現されることが可能である。この場合、基板支持部１００は基板エッジ操作部として動作する。
【００７５】
一実施例においては、部材２１０は、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴの上面４１０の端部との隙間に延在する。これは部材２１０への延長部分２８０として図６に破線で示されている。これにより、基板エッジ操作部２００は、基板Ｗエッジと基板テーブルＷＴの上面４１０との隙間を封じるシールであってもよい。部材２１０及び延長部分２８０は、基板Ｗの周囲において基板テーブルＷＴの上側表面４１０から基板Ｗの上側主表面の外周部へと延びるカバーを使用時に形成する。このカバーは開放された中心部分を画定し、それによって基板Ｗの上側主面のビームＰＢへの露光が許容される。開放中心部分のサイズは、基板Ｗの上側表面のサイズよりも若干小さくてもよい。図９に示されるように、基板Ｗが円形である場合には、カバーは、平面図で見たときに、略環状の形状であってもよい。
【００７６】
部材２１０、延長部分２８０、及びアクチュエータ２５０の構成は、部材２１０に基板Ｗのエッジを曲げる効果があることを除いて、２００９年６月３０日に出願された米国特許出願第６１／２１３，６５８号に開示されたカバー及びアクチュエータと同様であってもよい。
【００７７】
図７は、一実施形態の基板テーブルＷＴの断面を示す。図７の実施例は後述の点を除いて図６の実施例と同一である。
【００７８】
図７においては、基板エッジ操作部２００は、基板Ｗのエッジと、基板Ｗの位置する凹部４００の端部と、の間にシールを形成するカバー２１００を備える。カバー２１００は、基板テーブルＷＴ、カバー２１００、及び基板Ｗにより画定される窪み２２５０に生成される負圧によって所定の位置に保持される。負圧がカバー２１００を所定位置に保持する。負圧は、負圧源２６００によって生成され、基板Ｗエッジにカバー２１００が付与する力は負圧の大きさを変えることによって変化させることができる。この負圧は例えば、真空、静電気力、磁力等であってもよい。
【００７９】
図８は基板テーブルの別の実施例の断面を示す。図８の実施例は後述の点を除いて図７の実施例と同一である。
【００８０】
図８の実施例においては、カバー座部２２００が設けられている。カバー２１００はカバー座部２２００に載っており、２つの窪み２３００、２４００がカバー２１００の下に画定されている。第１窪み２３００は基板Ｗ側に画定されている。負圧源２６００により第１窪み２３００に与えられる負圧が、カバー２１００によって基板Ｗのエッジに付与される力を決定する。第２窪み２４００はカバー座部２２００と基板テーブルＷＴとの間にある。負圧源２６００により第２窪み２４００に与えられる負圧が、カバー２１００を基板テーブルＷＴに保持する力を決定する。この力及びカバー２１００が基板Ｗに接触する力は、カバー２１００に与えられるいかなる力によっても、特に流体ハンドリングシステムによって、カバー２１００が持ち上がって外れるのを避けるのに十分な大きさとすべきである。負圧は例えば、真空、静電気力、磁力等であってもよい。
【００８１】
一実施例においては、負圧源は、第１窪み２３０への負圧と第２窪み２４００への負圧とを独立に変化させることができる。
【００８２】
基板エッジ操作部２００が基板Ｗと基板テーブルＷＴとの隙間を覆うシールを形成する実施例は、液浸リソグラフィでの使用に有利である。液浸リソグラフィにおいては、基板Ｗエッジと基板テーブルＷＴとの隙間に捉えられた液体及び／または気体によって問題が生じうる。カバー２１００を設けることにより、こうした問題は回避されるか縮小される。
【００８３】
窪み２３００、２４００における通常の負圧は５０ｍｂａｒないし１００ｍｂａｒであってもよい。通常、平坦からの変動が１０ｎｍ大きくなるごとに、１０ｍｂａｒの負圧を追加する必要があるかもしれない。
【００８４】
基板エッジ操作部２００がシールを備える実施例においては、基板Ｗに方向２２０に力を付与することがともかく良好なシールを保証するために一般に必要である。したがって、基板支持部１００の使用により方向１２０に基板Ｗエッジを意図的に曲げ、その力を変えることにより補正をすることは、いずれにしても負圧が与えられているので、システムの複雑さを増やさない。
【００８５】
図９は、図７の実施例に係るカバー２１００の平面図を示す。図９は、カバー２１００がどのように窪み２２５０、基板Ｗのエッジ、及び凹部４００の端部を覆って延びているのかを示す。
【００８６】
図１０は、本発明の一実施形態の平面図を示す。図１０においては、基板エッジ操作部２００は６つのカバー２１００ＡないしＦを備える。いくつのカバー２１００Ａ〜Ｆが設けられてもよい。図６、７、または８のカバー２１００は、基板Ｗの外周に沿う局所位置での平坦からの乖離が、大域的な補正というよりも、局所的に補正されるように、分割されていてもよい。よって、カバー２１００Ａ〜Ｆのそれぞれが、関連する基板Ｗエッジの局所的平坦度を補正するのに適した力を付与してもよい。そのために、例えば基板エッジ操作部２００に図７の負圧源２６００が装備される場合には、別個の窪み２２５０Ａ〜Ｆがカバー２１００Ａ〜Ｆのそれぞれに関連して基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に設けられていてもよい。
【００８７】
理解されるように、本願にて網羅される明記された組み合わせには限られず、任意の上記の特徴は他の任意の上記の特徴とともに使用可能である。
【００８８】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【００８９】
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む１つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。
【００９０】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは１つまたは複数の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。
【００９１】
本明細書に記載のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくとも１つの構成要素内部に設けられた１つまたは複数のコンピュータプロセッサによって１つまたは複数のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。１つまたは複数のプロセッサは少なくとも１つのコントローラと通信するよう構成されていてもよい。例えば、各コントローラが上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含んでもよい。コントローラはコンピュータプログラムを記録する記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。コントローラは１つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。
【００９２】
本発明の１つまたは複数の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。特に、上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。
【００９３】
本明細書に述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態においては投影システムと基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。１つまたは複数の構造体、及び１つまたは複数の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、１つまたは複数の液体開口、１つまたは複数の気体開口、１つまたは複数の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口（または流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（または流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。一実施例においては、液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、液浸空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するための１つまたは複数の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。
【００９４】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するための基板テーブルであって、
基板を支持するための基板支持部であって、基板エッジに第１方向の曲げ力を付与する基板支持部と、
第１方向とは反対向きの成分を少なくとも有する第２方向の可変の曲げ力を基板エッジに付与する基板エッジ操作部と、を備える基板テーブル。
【請求項２】
前記基板エッジ操作部により基板エッジに付与される力を信号に基づいて制御するコントローラをさらに備える、請求項１に記載の基板テーブル。
【請求項３】
前記信号は、（ｉ）前記基板支持部に支持されているときの基板エッジの平坦度を表し、及び／または、（ｉｉ）基準位置に対する基板テーブルの位置を表す信号である、請求項２に記載の基板テーブル。
【請求項４】
前記コントローラは、前記基板エッジ操作部により付与される力が欠落しているときの平坦度に比べて、前記第２方向に基板エッジの曲げを引き起こして前記基板支持部にある基板エッジの平坦度を改善するために、前記基板エッジ操作部により基板エッジに付与される曲げ力を制御する、請求項２または３に記載の基板テーブル。
【請求項５】
前記基板支持部は、該基板支持部の表面形状によって基板エッジに力を付与する、請求項１から３のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項６】
前記基板支持部は、使用時に基板を支持する複数の突起間の機械的特性の違いによって基板エッジに力を付与する、請求項１から５のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項７】
前記基板支持部は、基板中心部に対して基板エッジにおける基板と基板支持部との間の負圧を変化させることによって基板エッジに力を付与する、請求項１から６のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項８】
前記基板エッジ操作部は、基板エッジと基板テーブルの上面との隙間を封じるシールである、請求項１から７のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項９】
前記基板エッジ操作部は、基板に物理的に接触する機械的操作部を備える、請求項１から８のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項１０】
前記基板エッジ操作部は、基板の周囲において基板テーブルの上側表面から基板の上側主面の外周部分へと使用時に延びているカバーを備え、該カバーは開放された中央部分を画定する、請求項９に記載の基板テーブル。
【請求項１１】
前記基板エッジ操作部は、負圧源、電磁アクチュエータ、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータの１つまたは複数を通じて前記可変の曲げ力を付与する、請求項１から１０のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。
【請求項１３】
基板の平坦度を測定するための測定デバイスをさらに備える、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板のエッジを平らにする方法であって、
基板のエッジに第１方向に曲げを引き起こすのに十分な力を基板のエッジに与えることと、
基板のエッジの平坦度を改善するために、第１方向とは実質的に反対向きの第２方向の可変の力を基板のエッジに与えることと、を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の基板のエッジの平坦度を改善する方法を含むデバイス製造方法。
【請求項１】
基板を支持するための基板テーブルであって、
基板を支持するための基板支持部であって、基板エッジに第１方向の曲げ力を付与する基板支持部と、
第１方向とは反対向きの成分を少なくとも有する第２方向の可変の曲げ力を基板エッジに付与する基板エッジ操作部と、を備える基板テーブル。
【請求項２】
前記基板エッジ操作部により基板エッジに付与される力を信号に基づいて制御するコントローラをさらに備える、請求項１に記載の基板テーブル。
【請求項３】
前記信号は、（ｉ）前記基板支持部に支持されているときの基板エッジの平坦度を表し、及び／または、（ｉｉ）基準位置に対する基板テーブルの位置を表す信号である、請求項２に記載の基板テーブル。
【請求項４】
前記コントローラは、前記基板エッジ操作部により付与される力が欠落しているときの平坦度に比べて、前記第２方向に基板エッジの曲げを引き起こして前記基板支持部にある基板エッジの平坦度を改善するために、前記基板エッジ操作部により基板エッジに付与される曲げ力を制御する、請求項２または３に記載の基板テーブル。
【請求項５】
前記基板支持部は、該基板支持部の表面形状によって基板エッジに力を付与する、請求項１から３のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項６】
前記基板支持部は、使用時に基板を支持する複数の突起間の機械的特性の違いによって基板エッジに力を付与する、請求項１から５のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項７】
前記基板支持部は、基板中心部に対して基板エッジにおける基板と基板支持部との間の負圧を変化させることによって基板エッジに力を付与する、請求項１から６のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項８】
前記基板エッジ操作部は、基板エッジと基板テーブルの上面との隙間を封じるシールである、請求項１から７のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項９】
前記基板エッジ操作部は、基板に物理的に接触する機械的操作部を備える、請求項１から８のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項１０】
前記基板エッジ操作部は、基板の周囲において基板テーブルの上側表面から基板の上側主面の外周部分へと使用時に延びているカバーを備え、該カバーは開放された中央部分を画定する、請求項９に記載の基板テーブル。
【請求項１１】
前記基板エッジ操作部は、負圧源、電磁アクチュエータ、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータの１つまたは複数を通じて前記可変の曲げ力を付与する、請求項１から１０のいずれかに記載の基板テーブル。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。
【請求項１３】
基板の平坦度を測定するための測定デバイスをさらに備える、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板のエッジを平らにする方法であって、
基板のエッジに第１方向に曲げを引き起こすのに十分な力を基板のエッジに与えることと、
基板のエッジの平坦度を改善するために、第１方向とは実質的に反対向きの第２方向の可変の力を基板のエッジに与えることと、を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の基板のエッジの平坦度を改善する方法を含むデバイス製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１１−２４３９８１（Ｐ２０１１−２４３９８１Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１１−１０６０８５（Ｐ２０１１−１０６０８５）
【出願日】平成２３年５月１１日（２０１１．５．１１）
【出願人】（５０４１５１８０４）エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． (1,856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０６０８５（Ｐ２０１１−１０６０８５）
【出願日】平成２３年５月１１日（２０１１．５．１１）
【出願人】（５０４１５１８０４）エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． (1,856)
【Ｆターム（参考）】
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