【課題】処理後のウエハをサポートプレートから剥離する工程を遅延させず安定に行うことができるサポートプレートを実現する。
【解決手段】本発明のサポートプレート１０は、接着剤を介して基板を支持するサポートプレート１０であり、接着剤と接する面３を有する板状部１と、接着剤と接する上記面３上に設けられたスペーサー２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の板状部材に貼付して極薄且つ均一に研削するとともに、当該板状部材から剥離するときに、大掛かりな設備を用いることなく容易に剥離することができる板状部材の支持部材を提供すること。
【解決手段】支持部材１０は、両面接着シートＡを介して半導体ウエハＷの一方の面に貼付することで当該半導体ウエハＷを支持する本体部１１を備えている。本体部１１において両面接着シートＡが貼付される面の外縁側には、弱接着処理面１３が形成されている。弱接着処理面１３は、凹凸面により形成したり、本体部１１を構成する部材とは別の部材からなる形成体１５を用いたりすることにより形成される。 （もっと読む）

【課題】 均熱板にウエハを支持するウエハ加熱装置において、均熱板の載置面が凹状になると、中心付近で均熱板とウエハの間のギャップが大きくなるので、特に、均熱板の温度設定を変更したり、ウエハを交換したりした際の昇温過渡時に中心部の加熱が遅れ気味になり、その結果ウエハ面内の温度分布が大きくなるという課題があった。
【解決手段】 セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面もしくは内部に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備してなるウエハ加熱装置において、前記均熱板の載置面を凸状にする。 （もっと読む）

【課題】載置される基板の温度の均一性を向上させることができる基板保持治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施の形態にかかる基板保持治具１は、基板４が載置され、熱源からの放射エネルギーによって加熱されるものである。また、基板保持治具１は、放射エネルギーが照射される第１領域２７と、第１領域２７より少ない放射エネルギーが照射され、単位面積あたりで比較した場合、第１領域２７より体積が大きい第２領域２６、２８とを備える。 （もっと読む）

本発明の或る実施形態によれば、静電チャックが提供されている。静電チャックは、基板を静電チャックに静電的にクランプする目的で電荷を形成するために電極内の電圧によって活性化される表面層を備えている。表面層は、複数のポリマー突起と、複数のポリマー突起が接着する電荷制御層と、を含んでいる。複数のポリマー突起は、基板の静電クランプの間、基板を複数のポリマー突起上で支持するために複数のポリマー突起を取り囲む電荷制御層の一部より上方の高さまで伸張している。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、被処理物を載置する側に形成された樹脂層の剥離抑制効果を向上させることができる静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体基板と、前記誘電体基板の第１の主面に開口する貫通孔の開口部分に形成された第１の面取り加工部と、前記第１の主面に形成され、前記貫通孔が開口する位置に開口部を有する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の開口部の周端は、前記第１の面取り加工部に形成されていること、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の基板テーブルを軽量化できるとともに、基板テーブルを平坦形状に調節し、その平面度を維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を載置する載置面を有する基板テーブルと、前記基板テーブルの載置面に載置された基板に対し、所定の処理を行なう基板処理部と、前記基板テーブルを支持するテーブル調整支持ユニットとを備え、前記テーブル調整支持ユニットは、前記基板テーブルの載置面が平坦形状になるように前記基板テーブルの平面度を調整する。 （もっと読む）

精密な基板冷却制御のための方法と装置が提供されている。基板の温度測定のための装置は、基盤を支持する冷却板と、冷却板上に配置された時、基板の温度に相当するデータを提供するセンサと、センサのデータから基板の温度を決定するために、基板に結合されたコンピュータとを含むことができる。基板の温度測定の方法は、その中に、冷却板と、基板の温度に相当するデータを提供するセンサと、センサに結合されたコンピュータとを有するチャンバに、冷却される基板を配置する工程と、所定の第１の期間の経過後に基板の第１温度を測定する工程と、第１温度を所定の温度と比較して第１温度が所定の温度より高いか、所定の温度と等しいか、あるいは所定の温度より低いかを決定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】マスク撓みや光学系の歪みによって発生するデフォーカスを補正できる露光装置、フォーカス補正装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】原版１に光を照射する照明光学系７と、該照明光学系７により照射された原版１のパターンを基板４上に投影する投影光学系３と、原版１を保持し駆動する原版ステージ２と、基板４を保持し移動する基板ステージ６とを有する露光装置３０であって、基板ステージ６は、基板４を吸着保持する複数のチャック５を有し、チャック５は、吸着部と、該吸着部を基板面に垂直な方向に駆動する駆動機構２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い吸着力を持ちながら、脱着時間が短く、製造時に反りが発生しにくく、熱サイクル後の機械的強度の劣化が少ない静電チャックを提供する。
【解決手段】セラミックス製の静電チャックは、誘電体層と、その誘電体層の裏面に接する支持体層とを備え、静電電極が埋設されたものである。誘電体層は、表面にウエハーを載置可能であり、Ｓｍを含む窒化アルミニウム焼結体からなり、室温における体積抵抗率が４×１０⁹〜４×１０¹⁰Ωｃｍである。支持体層は、ＳｍとＣｅを含む窒化アルミニウム焼結体からなり、室温における体積抵抗率は１×１０¹³Ωｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】高
スループットに寄与でき、ウェハの開放後においてもパッド上でのウェハがずれず、アライメント精度が高精度でありながら、パーティクル汚染が極めて少ないプリアライナを提供する。
【解決手段】
ウェハを吸引して保持するパッド１が、パッド１の表面から突出してウェハを直接支持し、パッド１の表面とウェハとの間に微小な隙間を形成する複数の支持片１０と、複数の支持片１０の内側に形成され、ウェハとともに略閉空間を形成する第１真空溝１１と、複数の支持片１０の外側に形成され、ウェハとともに略閉空間を形成する第２真空溝１２と、を備え、第１真空溝１１の略閉空間の圧力Ｇ１と第２真空溝の略閉空間の圧力Ｇ２との関係が、Ｇ１≦Ｇ２となるよう第１と第２の真空溝を真空吸引
する。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

例えば、集積チップ製造装置のクリーニングで又は集積チップ製造装置と組み合わせて使用するためのクリーニングウェハ又は基板。クリーニング基板は、一つ以上の予め決められた接着剤、非粘着、静電又は突出、くぼみあるいは他の物理的区分などの異なる予め決められた表面特徴を有する基板を含むことができる。予め決められた特徴は、集積チップウェハの適所に集積チップ製造装置などで使用されるコンポーネントのより効果的なクリーニングを提供できる。クリーニング基板は、真空、機械的、静電又は他の力によってクリーニング又は他の位置に付勢される。クリーニング基板は、削り又は研磨を含む様々な機能を達成するのに適される。クリーニング基板は、新規な製造方法で作られ、チップ製造装置と組み合わせて新規な使用方法で使用される。 （もっと読む）

【課題】基板載置部を備えた基板保持部材に基板を載置して吸着保持するにあたって、基板との摺動による基板載置部の劣化を抑えることのできる基板保持部材を提供すること。また、基板載置部上の基板の表面に対して上方側から処理液を供給して液処理を行う場合には、処理液による基板載置部の劣化を抑えること。
【解決手段】テーブル１１を構成する樹脂内にその端部がテーブル１１の表面から外側に突き出るように成形されたカーボンファイバー２４が埋設されるように、少なくともウェハＷを吸着保持する保持面を覆うようにダイヤモンドライクカーボン膜２５を成膜する。また、テーブル１１上に吸着保持したウェハＷの表面に処理液を供給して液処理を行う場合には、ウェハＷの表面と連通するテーブル１１の側周面及び裏面にフッ素を含むダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、パーティクル汚染の発生を大幅に抑制することができ、かつ、静電チャックの載置面側に形成された樹脂層の密着力が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された樹脂層と、を備えた静電チャックであって、前記突起部の頂面の表面粗さは、前記平面部の表面粗さより小さいこと、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送や、基板の回転を確実に行うことができる基板保持機構、およびこの基板保持機構を備える基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持して回転させるスピンチャックを備えている。スピンチャックは、開位置と閉位置との間で変位可能であり、開位置と閉位置との間の当接位置で基板の周端面に当接して当該基板を保持するための可動ピンと、可動ピンの変位量に応じた変位量で可動ピンと連動し、開位置および閉位置にそれぞれ対応する開検知位置および閉検知位置の間で変位する磁石６２と、開検知位置と閉検知位置との間における磁石６２の位置に応じて変化する磁界を検知するセンサ６４と、センサ６４の検出値に基づいて、開位置と閉位置との間における可動ピンの位置を検出する制御部６３とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、その上端面である基板載置面に反りを有する基板２が載置される。基板載置面は曲面状である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンランプによって予備加熱する基板の面内温度分布を均一にすることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】石英の保持プレート７４の上面に複数のバンプ７５が立設されている。半導体ウェハーＷは複数のバンプ７５によって保持プレート７４上面と所定間隔を隔てて水平姿勢に支持される。保持プレート７４の上面には、半導体ウェハーＷの端縁部に近接して環状に温度補償リング７６が配置されている。温度補償リング７６は石英よりも赤外線の吸収率が高い炭化ケイ素にて形成されている。ハロゲンランプによって半導体ウェハーＷを予備加熱するときには、温度補償リング７６もともに昇温することとなり、予備加熱中の半導体ウェハーＷの端縁部から失われた熱は温度補償リング７６によって補償される。その結果、予備加熱される半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の搬送装置とロードロック室との間で基板の交換を行う場合において、単位時間当たりの基板の処理枚数を増大させることが単純な構成で実現できる基板交換機構を提供する。
【解決手段】ロードロック室内で基板Ｗ１を固定して支持する第１の支持部材３１と、ロードロック室内に上下動可能に設けられ、基板Ｗ２を支持する第２の支持部材３２と、搬送装置に設けられ、基板Ｗ１、Ｗ２のそれぞれを第１及び第２の支持部材３１、３２のそれぞれとの間で受け渡しする第１及び第２の搬送部材４１、４２とを有し、ロードロック室内で第１及び第２の搬送部材４１、４２が一体的に上方又は下方に第１の距離Ｈ１だけ移動するとともに、第２の支持部材３２が搬送部材４１、４２の移動方向と同じ方向に第１の距離Ｈ１よりも大きな第２の距離Ｈ２だけ移動し、搬送部材４１、４２の一方の搬送部材が基板を受けるとともに、他方の搬送部材が基板を渡す。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置における被処理体配置台の平面度を容易かつ正確に調整することを可能にする。
【解決手段】被処理体配置台の下方に複数備えられて被処理体配置台を支持し、支持位置の昇降が可能な支持部と、支持部の昇降を行う駆動部と、被処理体配置台の上面形状を測定する変位測定部と、駆動部を制御するとともに変位測定部の測定結果を取得可能な制御部と、各駆動部を動作させた際の被処理体配置台の上面形状の変位から各駆動部の動作量と被処理体配置台変位量との関係データを記憶する記憶部と、を備え、制御部は、変位測定部による測定結果を受けて被処理体配置台上面を所定の平面度に調整するために各駆動部の動作によって変位すべき被処理体配置台の変位量を求め、該変位量から記憶部に記憶された関係データを参照して各駆動部の動作量を決定し、該動作量に基づいて各駆動部を動作させる。 （もっと読む）