【課題】半導体基板であるウエハに対して、ウエハの向きを所定の向きに合わせた後、真空処理室にて真空処理を行うに装置において、スループットを高めること。
【解決手段】予備真空室２１（２２）内にウエハを載置して温度調整するための温調プレート４を設け、この温調プレート４に突没自在な回転ステージ５を設ける。ラインセンサ６を構成する発光部６１を回転ステージ５の上方側又は下方側の一方に設け、受光部６２を他方に設ける。前記温調プレートにおける、発光部６１の光軸に対応する位置に光透過部４３を形成する。回転ステージ５にウエハを載置し、ラインセンサ６を用いて、大気雰囲気と真空雰囲気の切り替え時にウエハの向きを合わせる。 （もっと読む）

【課題】基板表面を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に設けられた基板２１が設置される下部電極２２と、前記下部電極２２の上部に形成される下部プレート３０と、前記下部プレート３０に前記基板２１を固定するためのチャッキング部２３と、前記下部プレート３０を貫通しガスを供給するためのガス供給手段２７と、を有し、前記下部プレート３０には、前記基板２１の直径よりも短い直径の凹部が形成されており、前記凹部の底部に凸状の曲面部２５が形成され、前記曲面部２５の頂点は、前記下部プレート３０の周囲の面と同じ高さまたは、前記下部プレート３０の周囲の面よりも低く形成され、前記基板２１は前記下部プレート３０の周囲の面と前記チャッキング部２３により挟み込まれて固定し、前記基板２１と前記下部プレート３０の凹部との間に前記ガス供給手段２７によりガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の一面を複数の露光領域に分けて露光するプロキシミティ露光装置を小型化する。
【解決手段】基板１を支持するチャック１０と、マスク２を保持するマスクホルダ２０と、チャック１０を移動するステージと、マスクホルダ２０を移動するマスクホルダ移動装置とを設け、ステージによりチャック１０をＸ方向（又はＹ方向）へ移動して、基板１の露光領域のＸ方向（又はＹ方向）への変更を行い、マスクホルダ移動装置によりマスクホルダ２０をＹ方向（又はＸ方向）へ移動して、基板１の露光領域のＹ方向（又はＸ方向）への変更を行う。露光領域をＹ方向（又はＸ方向）へ変更する際は、マスク２より大きな基板１をＹ方向（又はＸ方向）へ移動する必要が無く、マスク２がマスク２より大きな基板１の上方でＹ方向（又はＸ方向）へ移動される。従って、露光装置のＹ方向（又はＸ方向）の寸法を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減することを課題とする。
【解決手段】 トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するとトレイ支持面２８と、上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに収容された基板２を支持する基板支持部２１の環状部７４の上面７４ａは、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁１５ｄの傾斜角度αよりも小さい傾斜角度βを有する。環状部７４の上面７４ａにより基板２が線接触的又は点接触的な態様で支持される。 （もっと読む）

【課題】真空吸着機構からの基板の落下を防止する。
【解決手段】基板を保持する保持領域を有する本体と、本体における保持領域の外周に配され、保持領域を下向きにして本体が支持された状態で本体の落下を防止する落下防止部材が係合する係合部とを備える基板ホルダが提供される。また、基板を保持する保持領域および保持領域の外周に配された係合部を有する基板ホルダをその保持領域が下方を向いた状態で保持する上ステージと、上ステージに保持された基板ホルダの係合部に係合して基板ホルダの落下を防止する落下防止位置と、基板ホルダの外方へ退避する退避位置との間で移動可能な落下防止部材とを備えるステージ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】静電チャック及び処理物に残留する電荷をより一層確実に除去できる処理物保持装置、静電チャックの制御方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】静電チャック２０上にウエハを載置し、電極２１ａ，２１ｂに相互に逆極性の電圧を印加して静電チャック２０にウエハを吸着する。ウエハに対しプラズマ処理が終了した後、逆極性電圧の印加、除電プラズマ処理、除電電圧の印加を順次行い、その後リフトピンを作動させてウエハを静電チャック２０から脱離する。ウエハを脱離する際に電極２１ａ，２１ｂの配線経路２４ａ，２４ｂに流れる電流を電流計３２ａ，３２ｂにより検出し、その検出結果に基づき、制御部３４は、次のウエハを処理する際の除電プラズマ処理時のプラズマ条件、並びに除電電圧の極性、電圧値及び印加時間を決定する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面へのプラズマの侵入を防止して、半導体基板の裏面の損傷を防止することのできるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗを、サセプタ７の基板保持穴９内に収容し、半導体基板Ｗの裏面Ｗａ外周縁が基板保持穴９の内周面８に当接して、サセプタ７の基板保持穴９を半導体基板Ｗにて閉塞させて、半導体基板Ｗの裏面Ｗａ外周縁と基板保持穴９の内周面８との間を通って、プラズマが半導体基板Ｗの裏面Ｗａに侵入しないようにする。また、チャンバ２の底板３の四隅に、排気穴５０を設け、チャンバ２内のガスを四隅から排気するようにして、拡散板４３から導出されて下方に配置された半導体基板Ｗの表面Ｗｂを曝された酸素プラズマは、チャンバ２の底板３の四隅に設けた排気穴５０に向かって導かれるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板のずれや落下を防止すると共に、露光装置のスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】レチクルのパターンを基板に転写する露光装置であって、前記基板の下面を吸着して保持しながら前記基板を搬送する搬送部と、前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるように、前記搬送部の搬送条件を制御する制御部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】大型化し、薄型化した平板状の基板の自重による大きな撓みを発生させない基板保持方法を提案すること。また、前記提案する基板保持方法を用いることにより、多段積み上げ式の基板処理装置を効率の良い形態で、処理の均一性も良好にできる装置として提案すること。
【解決手段】平板状の基板の保持方法であって、該基板を上に凸に湾曲させて湾曲方向と垂直に交わる対向する２辺で湾曲状態を固定する。また、基板処理装置は、前記湾曲状態に固定した複数の基板を順送りに処理室内に格納する機構と、前記基板を複数段積み上げて処理する機構と、処理の終了した基板を処理室内から払い出しする機構と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

【課題】基板搬送装置には、搬送時の振動等による半導体基板およびこれを保持する基板ホルダの脱落を防止する機構が必要となる。しかし、脱落防止機構の駆動は発塵の原因となる。
【解決手段】基板を保持する基板ホルダを搬送する基板搬送装置は、基板ホルダを載置する載置部と、載置部に載置された基板ホルダが保持する基板に対して、載置部と同じ側に配置された回転軸と、回転軸の軸周りに回動して、基板ホルダの脱落を防止する防止位置と、基板ホルダを開放するための開放位置を取り得る開閉ロック機構と、載置部、回転軸および開閉ロック機構を一体的に上下反転させる反転部とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減、装置の小型化及び省スペース化を図り、作業効率を向上させた。
【解決手段】プローバは、ウエハを設定位置で支持して当該ウエハの処理位置まで搬送して当該処理位置に設置されるトレイと、当該トレイに対して前記ウエハを前記設定位置に位置合わせする、１又は複数のアライメントユニットと、当該アライメントユニットよりも多く配置され前記処理位置で前記ウエハにコンタクトして検査処理を行うコンタクトユニットと、前記ウエハを支持した前記トレイを前記アライメントユニットと前記コンタクトユニットとの間で搬送するトレイ搬送部とを備えた。前記トレイは、前記チャックピンのＸＹＺθ方向への移動を許容する３以上のピン穴と、前記ウエハの位置決め用のアライメントマークと、前記トレイ自体を位置合わせするアライメント部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】一般的に基板ホルダは基板に比べて非常に重いので、基板ホルダを基板搬送装置で搬送しようとすると、搬送装置の基台部から先端に位置する把持部にかけての伸縮アームに自重撓みを生じてしまう。自重撓みを生じると基板ホルダが水平に保たれず、搬送先であるステージに対して傾斜した姿勢となってしまう。
【解決手段】基板を保持する基板ホルダを搬送する基板搬送装置であって、基板ホルダを載置し固定する載置部と、載置部を水平軸周りに揺動可能に支持する回転軸と、回転軸に対して載置部と一体的に揺動するバランスウェイトと、回転軸を支持するアーム部と、アーム部を回転させることにより、載置部、回転軸およびバランスウェイトを一体的に上下反転させる反転部とを備え、バランスウェイトは、反転部によりアーム部が上下反転されても、載置部が固定する基板ホルダが水平を保つように設置される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの位置認識及び位置決めの精度を向上でき、信頼性を高めることができるようにすること。
【解決手段】位置認識装置１１は、半導体ウエハＷの端縁の位置を検出可能な複数のセンサａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２を備えた検出手段１６と、半導体ウエハＷと検出手段１６とを直線方向に相対移動可能な移動手段１７と、検出手段１６の検出データから半導体ウエハＷの中心位置を算出可能な制御手段１８とを備えて構成されている。検出手段１６は、前記相対移動する直線方向に対して直交する方向に、所定間隔を隔てて少なくとも４か所にセンサａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】金属窒化膜に隣接する他の膜の特性を劣化させない温度範囲において、金属窒化膜中の塩素原子や酸素原子の残留量を低減し、金属窒化膜の耐酸化性を改善する。
【解決手段】酸素原子、塩素原子及び金属原子を含有する薄膜が形成された基板が搬入される処理室と、処理室内で基板を支持して加熱する基板支持部と、処理室内に窒素原子含有ガス及び水素原子含有ガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気するガス排気部と、処理室内に供給された窒素原子含有ガス及び水素含有ガスを励起させるプラズマ生成部と、基板支持部、ガス供給部及びプラズマ生成部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの均一な温度分布を実現するのに有効なサセプタと、スリップの発生を低減しつつ、均一な膜厚の膜を成膜することのできる成膜装置とを提供する。
【解決手段】サセプタ１０２は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接して設けられ、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂとを有する。第２のサセプタ部１０２ｂは、シリコンウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａに支持された状態でシリコンウェハ１０１との間に所定の間隔Ｈの隙間２０１が形成されるように配置されるとともに、第１のサセプタ部１０２ａとの間にも隙間２０１に連続し且つ所定の間隔Ｈと実質的に等しい間隔Ｈ’の隙間２０２が形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと基板との間にトレーを介在させることなく、静電チャックに複数枚の基板を設置できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、そのチャック台１３の上面に、複数のチャック領域１６（１６Ａ〜１６Ｅ）を備えている。各チャック領域１６は、チャック台１３の上面に複数突出形成された島状部１７の各々の上面に形成されている。各島状部１７の内部には、基板吸着用の双極型の電極層２０ａ，２０ｂと、基板冷却用ガスの流出孔１８がそれぞれ設けられている。この構成により、複数の基板が載置されたトレー上面にカバーを取り付けて基板をトレーに保持する作業が不要となるので、作業性および生産性が向上し、基板の冷却効率も高められる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の脆弱性を帯びた板状部材を搬送対象とした場合の当該板状部材にストレスを与え難くするとともに、ウエハの割れ原因を効果的に回避可能な搬送装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷの下面側に位置してこれを支持する支持手段１１と、この支持手段１１を移動可能に支持する移動手段１２とを備えて搬送装置１０が構成されている。支持手段１１は、第１アーム形成部材２４と第２アーム形成部材２５とにより一部開放可能な閉ループを形成可能な支持アーム２０と、この支持アーム２０に設けられた吸引手段２１とを含む。第２アーム形成部材２５の先端２５Ｂ側は、接離可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】リフトピンの動作状況の異常を迅速に把握して半導体装置の加工不良を未然に防ぐことができ、半導体装置の製造ロスを大幅に軽減して製品の歩留まりを確実に向上することができる半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】リフトピン２を駆動するモータ１１の負荷を常時監視する機能１と、機能１における電圧値のバラつきが規格値を超えた場合にリフトピン２の動作を異常とみなす機能２を備え、リフトピン２を駆動するモータ１１の負荷を迅速に把握することにより、リフトピン２の昇降状況の迅速な把握を可能にする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された塗布膜を減圧雰囲気下で熱処理するにあたり、処理室内へのパージガスの供給量が少ない場合でも基板への昇華物の付着を抑制することができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室２１の天井の中央部に、基板載置台３１と対向するように当該処理室２１にパージガスを導入するためのガス供給ノズル５１を設けて、処理室２１の底部に当該処理室２１内を減圧雰囲気とするための排気口６４ａ、６４ｂを設ける。また、処理室２１の中央部にウエハＷを水平に載置するための基板載置台３１を設けると共に、この基板載置台３１を加熱するヒータ３３を設けて、前記基板載置台３１の外縁から外方に突出し、当該基板載置台３１の周方向に沿って形成されると共に処理室２１の底面との間に空間を形成する整流部３４を設ける。 （もっと読む）