【課題】大型化を抑制しつつ、安定して基板を処理することができる基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法を提供する。
【解決手段】２つの真空処理ユニットＶＵのうちの一方の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗが搬入されると、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６３の第１制御バルブ６１ｖが開く。そして、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が大気圧から減圧される。続いて、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６４の第２制御バルブ６２ｖが開いた後、開状態の第１制御バルブ６１ｖが閉じる。これにより、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨが、高真空ポンプ６２によりさらに減圧される。低真空ポンプ６１および高真空ポンプ６２により減圧されたチャンバＣＨ内で基板Ｗに処理が行われる。１つの真空処理ユニットＶＵに接続された複数の真空処理ユニットＶＵには異なるタイミングで基板が搬入される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大気開放時に要する時間を抑制しつつ、圧力勾配の発生に基づくパーティクルの巻上げ防止を可能とする真空処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、給気管からのガス導入によるロードロック室の大気開放のときに、ロードロック室内の圧力が所定の第１の圧力まで上昇したときに、排気管を用いたロードロック室内の排気を開始し、第１の圧力より高い第２の圧力まで、ロードロック室内の圧力が上昇したときに、排気管を用いた排気を停止する真空処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】液晶露光装置において、ステージ組立て時の位置合わせを容易にする構造を提供する。
【解決手段】ワークを搭載するテーブルと、このテーブルの移動機構を有する可動ステージと、この可動ステージの移動機構を有する固定ステージと、前記テーブル上のワークに対してマスクパターンを露光する露光手段を支持するガントリ部と、を有する液晶露光装置において、前記ガントリ部を固定する固定ステージは、前記可動ステージの移動方向に直角の方向に複数分割可能な構造を有する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、処理中に半導体基板を支持するか、位置決めするか、または回転させる装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、サセプタの基板受取り表面上に基板を位置決めすることと、１つまたは複数の回転ポートから流体の流れを送達することによってサセプタおよび基板を回転させることとを含む基板処理方法を提供する。
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【課題】パージガスの消費量を削減可能なシリコンウエーハなどの保管対象物の保管システムを提供する。
【解決手段】保管対象物ＳＷを密封状に収納可能で且つパージ用ガスのための導入口６ａおよび排出口６ｂを備えた密封容器５と、密封容器５を載置可能な保管ユニット１ａ，３と、密封容器５にパージガスを供給するガス供給経路４ａ，４ｂとを備え、保管ユニット１ａ，３には、密封容器５の保管ユニット１ａ，３への載置に基づいて、導入口６ａをガス供給経路４ａ，４ｂと連通接続させ、パージガスの導入を開始させる自動パージ機構８が設けられており、保管ユニット１ａ，３に新たに載置された密封容器５に第１流量のパージガスを一定期間に渡って導入し、一定期間の経過後に第１流量を下回る第２流量のパージガスを導入開始する制御装置４０を有する保管システム５０とした。 （もっと読む）

【課題】表示パネルモジュール組立装置において、渡す側の吸着力を残したままパネルの受け渡しを行うと、パネルにストレスがかかり割れや強い湾曲が生じる、あるいは吸着パッド痕を残すなどの課題が発生する。また、逆に弱いと受け渡すときに位置ずれを生じたり、吸着が外れパネル自体の反りによって吸着部分からの浮き上がりが生じたりする課題がある。
【解決手段】表示パネル基板搬送を受け渡すときの吸着力を弱モードに下げることで、パネルにストレスもかからず、また吸引も外れることがない。そして、その方式として、開放弁によって吸引系を開放することで容易に安定した弱吸引モードを作ることができる。さらに、弱段階吸引圧力として開放弁の開放時間で制御できるため、高速化されても制御が容易である。 （もっと読む）

【課題】キャリアの開放時における基板への自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、基板搬送室の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ポッド１０の収納室１０ｃからウエハ９を取り出す際に、収納室１０ｃの出し入れ口１０ｂを塞ぐ蓋体１０ａを出し入れ口１０ｂから移動させ、出し入れ口１０ｂが開かれ、ポッド１０と連設されたポッドオープナ室６１を密封した状態で、ポッドオープナ室６１へ不活性ガスを流し、収納室１０ｃに不活性ガスを供給する。空のポッド１０の収納室１０ｃにウエハ９を収納する際に、空のポッド１０の収納室１０ｃにウエハ９を収納する前に、収納室１０ｃの蓋体１０ａを出し入れ口１０ｂから移動させて、出し入れ口１０ｂを開き、ポッドオープナ室６１を密封した状態で、ポッドオープナ室６１に不活性ガスを流し、収納室１０ｃに不活性ガスが供給する。 （もっと読む）

【課題】把持部材を半導体チップの上面に近づけたときに把持部材から噴出する気体の背圧が予め定めた圧力まで上昇しなくても把持部材が半導体チップの上面に接触する高さ位置を、簡単な構成で高精度に求めることのできるハンドラのティーチング方法及びハンドラを提供する。
【解決手段】吸着パッドを検査用ソケットに配置されたＩＣチップに向かって下動させるとき、吸着パッドの先端から気体を噴出させながら下降させる。そして、吸着パッドの先端から噴出する気体の流量を流量センサで検出し、流量センサで検出した流量が予め定めた流量まで減少した時の吸着パッドの下降位置を吸着パッドがＩＣチップの上面に接触する高さ位置として記憶手段に登録する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの表面に貼付けられた保護テープに剥離テープを適切に貼付け、この剥離テープを剥離することで、保護テープを剥離テープと一体にして半導体ウエハか円滑に剥離する。
【解決手段】貼付け部材５４に帯状の剥離テープＴｓを巻き掛け供給し、貼付けブロック５６により半導体ウエハＷに貼付けられた保護テープＰＴの表面における剥離開始側の外周端部にのみ剥離テープＴｓを押圧して貼付ける。その後、当該貼付け箇所よりもウエハ中心側から他端まで貼付けローラ５４を押圧転動させて剥離テープＴｓを保護テープＰＴの表面に貼付けるとともに、当該貼付けローラ５４とウエハＷの相対的な水平移動に伴って、保護テープＰＴを剥離テープＴｓと一体にしてウエハ表面から剥離して回収する。 （もっと読む）

【課題】キャリアおよびキャリアに収容された半導体ウエハの姿勢を精度良く測定することのできる形状測定機を提供する。
【解決手段】測定対象であるキャリア１８を支持するステージ１２，２０と、測定対象の形状を測定する測定部１０とを有する。ステージ１２，２０は、キネマティックカップリングによって測定対象を支持するために、キネマティックカップリングピン２０ａ，２０ｂ，２０ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】
信頼性の向上したプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置またはその運転方法であって、前記開口の内部と連通された供給口から前記ウエハが前記上面に載せられていない間にガスを前記開口を介して前記処理室に供給する。 （もっと読む）

本発明は、装置チャージ−ディスチャージロック内の圧力を大気圧から大気圧より低い移送圧力に下げるための方法に関し、前記ロックは、少なくとも１つの基板が大気圧で配置されるチャンバを備え、前記方法は、ポンピングレートが限定されている一次ポンプを使用して、前記チャンバのターボ分子ポンピングを隔離しながら大気圧から第１の特性閾値への第１の一次ポンピングが実行される第１のステップ１０１と、ターボ分子ポンピングの隔離を維持しながら前記第１のステップの場合より速く第２の特性閾値への第２の一次ポンピングが実行される、前記第１のステップ１０１に続く第２のステップ１０２と、第１のポンピングから上流で前記ターボ分子ポンピングを使用して第２のポンピングが実行され、一次ポンプチャンバが隔離される、前記第２のステップ１０２に続く第３のステップ１０３とを備える。本発明はまた、本方法を実装するための装置に関する。
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【課題】
ステージの温度調節において、流体循環系の流量を低減すること、または、流体循環系を不用にすること。
【解決手段】
基板（１０１）を保持するウエハステージ（４）または原版を保持するレチクルステージ（２）を有し、ウエハステージ（４）に保持された基板（１０１）を露光する露光装置であって、ウエハステージ（４）に設けられた気体室（１０３）と、気体室（１０３）の内部で気体の圧力を変化させてウエハステージ（４）の温度を調節する調節手段（１０７，１０８）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

改良されたウェハー・ツー・ウェハーボンディング方法は、上側ウェハー及び下側ウェハーを位置合わせすること、及び単一の点において終端するポートを通して加圧ガスを流すことにより上側ウェハーの単一の点に圧力を加えることによって、その単一の点において結合を開始することを含む。ガス圧を制御することによって、かつ／又は下側ウェハーが上側ウェハーに向かって上方に動く速度を制御することによって、結合フロントが、位置合わせされた、向かい合って配向されたウェーハウェハー表面にわたって、設定された径方向速度で径方向に伝搬し、２つのウェハー表面を完全に原子接触させる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板のうち最初の基板の処理を開始してから最後の基板の処理を完了する迄の残時間の把握を容易にする。
【解決手段】複数枚の基板のうち最初の基板について処理を開始してから、複数枚の基板のうち最後の基板について処理を完了する迄の残時間を算出する算出手段と、算出手段により算出された残時間を表示する表示手段と、を備え、基板の搬送完了、前室内の大気圧復帰完了、前室内の減圧完了、及び処理室内での基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、残時間を前記算出手段により再算出させて表示手段に表示させる。 （もっと読む）

【課題】
迅速かつ安定して吸着対象物を吸着することができる動作弁を提供する。
【解決手段】
本発明の動作弁は、基板を真空吸着するための差圧動作弁１００であって、外部から内部へ空気を吸引する吸引側に対向し、内部から外部へ空気を排出する排出側に設けられた開口部を有するボディ４と、弁８、一端がボディ４の吸引側に接続され、他端が弁８に接続されたばね９とを備え、ばね９は、吸引側と排出側における差圧に応じて伸縮する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップに要する時間を短くすることができる半導体チップのピックアップ方法を提供する。
【解決手段】半導体チップＣＰが貼付けられた貼付領域と、貼付領域を囲む囲繞領域とを有するダイシングシートＤＳが準備される。囲繞領域を固定しつつ貼付領域を介して半導体チップＣＰが突き上げられる。半導体チップＣＰが突き上げられる際、半導体チップＣＰの外周部の変位に関する測定に基づいて、半導体チップＣＰの外周部とダイシングシートＤＳとの間の剥離が検知される。剥離が検知された後に、ダイシングシートＤＳから半導体チップＣＰが分離される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、不活性ガスの消費量を少なくして短時間にガス置換ができ、小型化を実現した連続低酸素雰囲気処理室を提供する。
【解決手段】ガス置換室３は、被処理物１１を搬入及び搬出するためのドア４と、処理室２に連通する開口部１０とを備え、大気に開放されたベントライン５０と、不活性ガスを供給するガス供給管２０と、ガスを排気する排気管３０とを接続し、処理室２は、ガス置換室３と処理室２との間で被処理物１１を移送する移送手段６とを備え、ガス供給管２５と、排気管４０とを接続し、さらに、処理室２とガス置換室３とを連通させる開口部１０を開閉するシャッター５とを備えたことを特徴とする。. （もっと読む）

真空環境内で使用されるかもしれない搬送ロボットのための方法及び装置が説明される。搬送ロボットは、第１プラットホームと、複数の支持部材によって第１プラットホームに結合される第２プラットホームを含むリフトアセンブリを含み、複数の支持部材は、支持部材の第１組と、支持部材の第２組を含み、搬送ロボットは、複数の支持部材の一部に結合される第１駆動アセンブリを更に含み、第１駆動アセンブリは、複数の支持部材に動力を提供し、これによって第１プラットホームに対して第２プラットホームを第１直線方向に動かし、搬送ロボットは、第２プラットホーム上に配置され、第２駆動アセンブリによって第２直線方向に可動なエンドエフェクタを更に含み、第２直線方向は、第１直線方向に対して直角である。
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【課題】吸着パッドに生じた摩耗や位置ずれを自動的に検知する吸着装置を提供する。
【解決手段】吸着パッド１０の基準位置Ｌ_０における吸着力Ｆ１を吸着センサ３０が測定し、測定された吸着力Ｆ１が閾値ＴＨより小さいと判定部４２が判定した場合には、駆動部２０が吸着パッド１０を昇降方向または交差方向に所定の変位量を変位させ、変位した位置（変位位置Ｌ_Ｄ）における吸着パッド１０の吸着力Ｆ２を吸着センサ３０が測定するとともに、吸着力Ｆ２が閾値ＴＨより大きいと判定部４２が判定した場合の変位量ΔＬを取得する機能を有する制御部４０を備える吸着装置１００。 （もっと読む）