【課題】回折格子を用いて計測を行う際に、相対位置を予め定められた相対位置からの絶対位置として容易に計測する。
【解決手段】エンコーダ１０Ｘは、第１部材６に設けられ、格子パターン１２Ｘａ及び基準パターン１３ＸＡが形成された回折格子１２Ｘと、計測光ＭＸ１，ＭＸ２を供給するレーザ光源１６と、第２部材７に設けられ、計測光ＭＸ１，ＭＸ２を格子パターン面１２Ｘｂにθｙ方向（Ｘ方向）に対称な角度で傾斜させて入射させる傾斜ミラー３２Ｘ，３４Ｘと、計測光ＭＸ１，ＭＸ２の回折格子１２Ｘによる回折光ＤＸ２，ＥＸ２を受光する光電センサ４０ＸＡ，４０ＸＢと、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバＬＬとプロセスチャンバＰＣの間で移送されるキャリア７と、プロセスチャンバＰＣ内に移送されたキャリア７から基板７を受け取るフック１９を備えており、基板５への真空処理はキャリア７がロードロックチャンバＬＬに退避した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】複数台の搬送ロボットを備えた線形ツールにおいて、スループットを低下させない搬送効率の高い搬送制御を提供する。
【解決手段】真空処理装置の制御部を、処理室、搬送機構部、中間室、保持機構部のそれぞれにおける動作状態、並びに被処理体の有無およびその処理状態を表わす装置状態情報を実時間に更新して保持し、装置状態情報と、被処理体の処理時間とに基づいて、予め処理室の数・配置と被処理体の処理時間との組合せの条件毎に被処理体の搬送を制御する複数の搬送アルゴリズムをシミュレーションして得られた搬送アルゴリズム判定ルールの中から搬送アルゴリズムを選択し、および選択された前記搬送アルゴリズムに基づいて、前記被処理体の搬送先を算出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】撓みによって生じる搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる搬送装置及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】筐体内へ被搬送物を搬送する搬送装置である。搬送装置は、搬送アーム５２、アーム軸５３、複数の電磁石５０及び制御部４０を備えている。搬送アームは、被搬送物を載置するピック部５２ｂを先端に有し、水平方向に伸縮する。アーム軸５３は、搬送アーム５２を支持する。複数の電磁石５０は、筐体内部に磁場を発生させることにより搬送アーム５２に上昇方向の力を作用させる。制御部４０は、搬送アーム５２が水平方向に伸縮する際にアーム軸５３から搬送アーム５２先端までの長さが長くなるほど搬送アーム５２に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法および露光補正方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、露光工程、検出工程および補正工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。露光工程は、基板上に形成される層毎に、ショット領域の合わせズレを測定するための合わせズレ測定用パターンが外周側に形成されたフォトマスクによって、複数のショット領域のそれぞれを順次露光する。検出工程は、各層毎に、フォトマスクによってショット領域に形成された合わせズレ測定用パターンの位置を検出する。補正工程は、検出工程によって検出された合わせズレ測定用パターンの位置に基づいて、各層毎に露光工程における露光条件の補正を行う。 （もっと読む）

【課題】投影光学系と基板との衝突の低減に有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】ステージに保持された基板の上の複数の計測点の高さを計測する計測部と、基板を保持して前記光学系の光軸に平行な方向に第１ストロークで移動する微動ステージと、微動ステージを保持して光学系の光軸に平行な方向に第１ストロークより大きい第２ストロークで移動する調整ステージと、調整ステージが移動しないように機械的に調整ステージを固定する固定機構と、を含み、制御部は、基板に前記パターンを転写する前に、計測部で計測された複数の計測点の高さで代表される基板の仮想平面が水平になるように、且つ、仮想平面が光学系の最も基板側の面と基板との間であって第１ストロークから決まる初期位置に位置するように調整ステージを移動させ、仮想平面を初期位置に位置させた後に固定機構によって調整ステージを固定するリソグラフィ装置。 （もっと読む）

【課題】装置自体の有する能力を超えた処理条件が設定されるのを防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供するを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを格納し、真空排気可能な少なくとも１つの真空容器と、この真空容器にガスを供給するガス供給部と、開度を調整することにより真空容器内からの排気量を制御するAPCバルブと、真空容器内の圧力を、ガス供給部によるガス供給量とAPCバルブの開度とに対応付けて記憶する記憶部と、操作者から所定の圧力、ガス供給量、及び開度に関する指示を受付ける受付部と、受付部が受付けたガス供給量の範囲及び開度の範囲のうち、受付部が受付けた所定の圧力に対応する記憶部が記憶するガス供給量の範囲及び開度の範囲に含まれる範囲を算出する算出部と、算出部が算出した範囲を表示する表示部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実運転に近い条件で、効率的に試運転を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】搬送容器（ＦＯＵＰ１〜４）から基板Ｗを取り出して処理モジュール２にて処理を行い、元の搬送容器に戻す基板処理装置１において、選択部３１は、基板搬送機構１５、１７や処理モジュール２の動作確認運転を行うモードの選択を受け付け、ジョブ設定部３２は、動作確認用の複数のコントロールジョブ（ＣＪ）を設定すると共に、基板Ｗに対して実行されるレシピであるプロセスジョブ（ＰＪ）をＣＪ毎に設定し、制御部３は、順番が相前後する２つのＣＪのＰＪが並列で実行可能か判断する。 （もっと読む）

【課題】待機中の基板収容器内の基板に対し、基板表面へのパーティクルの付着等の問題を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部とを備えた基板処理装置において、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として基板処理中に、第２の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行った後に、前記第２の基板収容器の蓋を閉じる。 （もっと読む）

【課題】 次世代リソグラフィの半導体デバイス製造への導入を可能とするオーバーレイ制御方法を提供すること。
【解決手段】 実施形態のオーバーレイ制御は、基板上の第１の層の第１のパターンと、前記基板上の第２の層の第２のパターンとの間の合わせずれを、前記第２の層にて測定することを含む。ここで、前記第１の層は前記第２の層としてよりも低い層である。実施形態のオーバーレイ制御は、さらに、前記第２の層から前記第１の層にフィードバック情報を提供することを含む。ここで、前記フィードバック情報は、前記測定した合わせずれと前記第２の層に関連した許容範囲とを含み、前記許容範囲は、前記第２の層にて補正可能な合わせずれの程度を示す。 （もっと読む）

【課題】確実にダイを剥離できるダイボンダを提供すること，または前記ダイボンダを用い、信頼性の高いダイボンドまたはピックアップ方法を提供する。
【解決手段】ダイシングフィルム１６に貼り付けられた複数のダイ(半導体チップ)４ｄのうち剥離対象のダイ４を突上げて前記ダイシングフィルムから剥離する際に、前記ダイの周辺部のうちの所定部における前記ダイシングフィルムを突上げて剥離起点５１ａを形成し、その後、前記所定部以外の部分の前記ダイシングフィルムを突上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】疎水化処理モジュールまたは塗布膜形成用の単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに塗布、現像装置の稼働効率の低下を抑えることができ、基板の搬送手段の動作の複雑化を防ぐ技術を提供すること。
【解決手段】互に同一の塗布膜が形成されるＮ重化された塗布用の単位ブロックと、前記キャリアブロックと処理ブロックとの間の昇降搬送ブロックにおいて、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのＮグループの疎水化モジュールと、前記Ｎグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】モニタデータの解析を要する異常（例えば、成膜異常）について監視するために、最適なコンテンツを作成する仕組みを提供する。
【解決手段】基板処理システムは、基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置から送信される測定データを蓄積する蓄積手段と、前記基板処理装置の稼動状態に関する前記測定データの項目、前記測定データに適用する統計量の種類、及び前記統計量の判定に用いる条件をそれぞれ個別に記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記測定データの項目、前記統計量、及び前記条件からなる組み合わせについて、前記蓄積手段に蓄積された前記測定データが異常と判断される組み合わせを抽出する抽出手段と、を備えた管理装置と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板処理(ＪＯＢ)開始時に基板処理で使用される処理室に対して、予め必要と思われる前処理を一括で実施することにより、大気搬送ロボットの待機状態を解消し、基板処理(ＪＯＢ)の処理スループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に連接され、前記基板を搬送する搬送手段を備える搬送室と、基板を格納する基板収容器が載置される基板載置台と、前記基板収容器から最初の基板を搬出するときに、前記基板を処理する際に使用される全ての処理室を前処理するように制御する制御手段で少なくとも構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に形成された複数箇所のレジスト１９を測定する測定室１０２と、基板１８を１枚ずつ成膜して基板１８上に電極２１を形成する枚葉式成膜室１０４と、を有する成膜システム１００であって、基板１８上にて隣接するレジスト１９のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段１１６を測定室１０２に有し、測定手段１１６によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板１８から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段１１４を有し、枚葉式成膜室１０４は、基板１８の電極膜厚が制御手段１１４で算出された最適な電極膜厚となるように、基板１８に電極を形成する成膜手段１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料の遅延時間を監視することで、次工程での材料処理のスケジュールを調整可能にする基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置１００と、前記基板処理装置１００の少なくとも一台に接続される管理装置１０を含む基板処理システムであって、基板処理装置１００は、少なくとも基板処理の遅延許容時間を設定する操作画面を有し、材料処理の遅延時間を監視する遅延時間監視処理プログラムを実行して、前記基板処理装置１００における材料処理の遅延時間が遅延許容時間を超えた場合に警告を発すると共に管理装置１０に通知される。 （もっと読む）

【課題】搬送手段によりウエハを搬送する製造ラインであって、制御がより簡単な製造ラインを提供する。
【解決手段】循環する経路に沿ってウエハを搬送する搬送手段と、複数の加工装置と、各ウエハの周回数をカウントする周回数カウント手段と、加工を行う周回数を記憶している記憶手段と、制御手段を備えている。前記経路上には、加工装置毎に判定領域が設けられている。制御装置は、各加工装置と搬送手段を、（１）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致しているときに、その加工装置によって加工を行ってからそのウエハを下流側に送り出し、（２）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致していないときに、その加工装置によって加工を行わないでそのウエハを下流側に送り出すように制御する。 （もっと読む）

【課題】 容易に構成情報を設定する。
【解決手段】 本発明は、搬送チャンバに識別情報を容易に設定可能な識別情報設定装置、および識別情報設定方法を提供する。本発明の一実施形態では、記憶装置５０４は、搬送ロボットを有する搬送チャンバを配置可能な各位置に対し予め設定したフィールド識別情報を格納する。実際に搬送チャンバを配置させる位置及び当該搬送チャンバの情報を指定情報として、受け付ける。実際に配置させる搬送チャンバと識別情報との対応を格納する。
（もっと読む）

【課題】、本発明は、基板の搬送に関して、非接触型の搬送が可能となる新たな技術的手段を備えた塗布システムを提供する。
【解決手段】基板Ｗを浮上させる浮上ユニット１０及び浮上させた基板Ｗを搬送する搬送ユニット２０を有する搬送装置１と、搬送される前記基板Ｗの上面に対して塗布液を吐出するノズル３１を有している塗布装置３とを備えている。浮上ユニット１０は、振動子６と、この振動子６の動作に起因して振動し当該振動による放射圧によって基板Ｗを浮上させる振動板７とを有しており、この振動板７は、ノズル３１の直下位置に設けられていること。 （もっと読む）

【課題】製造装置の構造や稼働状態などに起因する加工ばらつきによる半導体装置の特性のばらつきを抑え、製造歩留りを向上させることが可能な半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、複数のウェハ処理する第１の処理装置において、第１の処理オーダーで、複数のウェハに第１の処理を行い、第１の処理における複数のウェハ毎の処理量を求め、第１の処理の後に、複数のウェハ処理する第２の処理装置における第２の処理による複数のウェハ毎の処理量を求め、第１の処理による複数のウェハ毎の処理量と第２の処理による複数のウェハ毎の処理量から第１の処理オーダーとは異なる第２の処理オーダーを決定し、第２の処理装置において、第２の処理オーダーで、複数のウェハに第２の処理を行う。 （もっと読む）