【課題】雰囲気ガスの渦流を原因とするシリコンウェーハの外周部の不純物汚染を低減可能なシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハが支持リングを介して載置される遮蔽板の直径が、シリコンウェーハの直径より２０ｍｍ以上大径化し、各遮蔽板の上下間隔を５〜５０ｍｍとした。よって、シリコンウェーハの直径方向の外方で各遮蔽板の隙間に渦流緩衝空間が形成される。これにより、雰囲気ガスの渦流を原因とした炉壁から発生したニッケルなどの不純物によるシリコンウェーハの外周部の汚染を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】移動動作により防塵カバーにて覆うことができない箇所等の発塵でも、吸引ファン等の他の動力機構を用いずに装置の駆動力の一部を利用して吸引し、クリーンルーム内を高い清浄度に維持できるようにしたクリーン駆動装置を提供すること。
【解決手段】装置本体１の動作と連動するようにしたシリンダ２と、装置の発塵部に配設して発塵を吸引するようにした吸塵口４間を、エア回路３を介して接続し、エア回路３を介して装置本体１の動作と連動するシリンダ２にて発塵部の空気を吸引し、吸引した空気をフィルタ室５へ排気するようにする。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッジを把持し、センタリングとノッチ等の角度合わせを行うアライナー装置において、回転する部分にケーブルやチューブをなくすことで回転範囲に制限されない無限回転が可能な機構を構成し、タクトタイムの短縮、装置の小型化を実現することを目的とする。
【解決手段】ウェハ（１）を把持する把持機構を開閉動作させるリンク機構が、リンク機構を駆動するリンク機構駆動部に対して、ベアリング（１４）を介して支持されるよう構成し、把持機構とリンク機構のみが回転できる構造とした。 （もっと読む）

【課題】未処理ウエハと処理済ウエハとの混在を回避する収納方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、基板処理室１０２、基板を収納するフープＬＰ及びフロントストレージＦＳＴ、基板処理室とフープ及びフロントストレージとを連結する大気搬送室ＴＭを有する。基板処理システム１０における収納方法は、フープに収納された複数の未処理ウエハを順次基板処理室に搬送し、基板処理室にて未処理ウエハをプラズマ処理する処理ステップと、プラズマ処理後の処理済ウエハをフロントストレージＦＳＴまで順次搬送し、処理済ウエハを一時的に退避させる退避ステップと、フープＬＰから最後の未処理ウエハが搬出されたかを判定する判定ステップと、最後と決定された未処理ウエハが搬出された場合、フロントストレージに収納された複数の処理済ウエハを順次フープまで搬送して再収納する再収納ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板を収納する基板収納容器を閉鎖・密閉する際に、ガスケットを嵌合保持溝へ挿入する作業が容易であり、かつ、基板収納容器のシール性能のばらつくことが少ない基板収納容器及び基板収納容器の蓋体の製造方法を提供する。
【解決手段】開口を有し、基板を収納する容器本体２と、開口部を閉鎖する蓋体３と、容器本体２と蓋体３との間に介在するガスケット７を有する基板収納容器１において、蓋体３を筐体４とカバープレート６と筐体４の外側に設けられる枠体５とから形成し、前記枠体５は、前記筐体４と前記カバープレート６との間に挟持されていて、前記筐体４と前記枠体５との間にガスケット７が挟持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の処理チャンバを備える半導体製造装置に対して最適なウェーハ搬送制御処理を実現し、半導体製造のリードタイムを短縮して効率性を高めることができる半導体製造装置の制御システムおよび制御方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハをロット単位で処理する半導体製造装置の処理動作を指示する処理指示装置１０の搬送制御判断部１２は、装置状態データ収集部１１、ロット処理データ収集部１４および搬送制御データベース１３から取得した、装置状態データ、在庫ロット数、ウェーハ処理時間、ロット間クリーニング時間およびウェーハ搬送制御内容を示すデータに基づいて、ウェーハ搬送制御内容ごとに全在庫ロットの平均リードタイムを算出する。搬送制御判断部１２は、算出結果から最適なウェーハ搬送制御内容を選択し、処理指示部１５が選択されたウェーハ搬送制御内容に従うウェーハ搬送を半導体製造装置１６に実施させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハカセットのドアの開閉に要する時間を短縮してスループットを向上したウエハローディング・アンローディング方法および装置の実現。
【解決手段】取り出し口に設けられた開閉されるドア13を有し、複数のウエハWを収容するウエハカセット10を載置するウエハカセット載置部26と、ドア13を移動するドア移動機構22-25と、ウエハカセット10との間でウエハを搬出・搬入するウエハ搬送アーム30と、を備え、通常時はドア13を閉め、ウエハを搬出・搬入する直前にドアを開き、ウエハを搬出・搬入した後ドアを閉じるウエハローディング・アンローディング装置であって、ドア移動機構は、搬出・搬入するウエハのウエハカセット内の収容位置に応じて、ドアの開き位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】密着保持層の汚れに伴う半導体ウェーハの汚染を抑制できる半導体ウェーハ用保持具及び半導体ウェーハの取り外し方法を提供する。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１の表面に着脱自在に密着して半導体ウェーハＷを保持する可撓性の密着保持層１０とを備え、半導体ウェーハＷを保持した状態でハンダリフロー装置に供されるもので、支持基板１と密着保持層１０を半導体ウェーハＷと同じ形状・大きさに形成し、支持基板１と密着保持層１０に耐熱性をそれぞれ付与する。また、支持基板１の表面直径方向に、複数のガイド溝２を形成し、複数のガイド溝２に剥離液３を浸入させることにより、支持基板１の表面から密着保持層１０を剥離する。新たな半導体ウェーハＷの加工の度に新規の密着保持層１０を使用するので、前回の密着保持層１０の汚れが新たな半導体ウェーハＷに移ることがない。 （もっと読む）

【課題】生産性の維持を図りつつ、ウェーハにスリップが発生することを抑制することができるウェーハ熱処理方法を提供する。
【解決手段】略水平状態に配置される複数のウェーハＷを、上下方向にほぼ一定のピッチを空けて積み重ね、これらウェーハＷに対して所定の処理温度での熱処理を施すウェーハ熱処理方法において、ピッチをＰｍｍ、処理温度に対する昇降温レートをＲ℃／ｍｉｎとした際に、Ｒ≦０．０４５１×Ｐ^{１．５８８} …（１）の関係を満たす昇降温レートＲでもってウェーハＷに熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】液体を、液浸リソグラフィシステムのレンズとウェハテーブルアセンブリの間に実質的に閉じ込めることを可能とするための方法及び装置が開示される。
【解決手段】本発明の一態様に従えば、露光装置はレンズとウェハテーブルアセンブリを含む。ウェハテーブルアセンブリは上面を有し、ウェハを支持して、レンズ及び少なくとも１つのコンポーネントに対して動かされるように配置されている。ウェハの上面とコンポーネントの上面は各々、ウェハテーブルアセンブリの上面とほぼ同じ高さである。ウェハの上面、ウェハテーブルアセンブリの上面及び少なくとも一つのコンポーネントの上面を含むウェハテーブルアセンブリの全上面は、実質的に平面状である。 （もっと読む）

【課題】石英治具とその製造方法、及び半導体装置の製造方法において、半導体ウエハに欠けが発生するのを防止すること。
【解決手段】
鉛直上向きに開口した複数の溝１０ａの各々に半導体ウエハWを立てて保持する石英治具の製造方法１０であって、粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いて、溝１０ａの底面に対してブラスト処理を行う石英治具の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】処理済みの基板に付着した付着物が大気や大気中の水分と触れて不所望な反応が生じることを防止することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、搬送室２０１と搬送口２１１を介して連通され、内部に複数の半導体ウエハＷを棚状に収容可能とされた基板収容室２１２と、搬送口２１１の部分において基板収容室２１２内と搬送室２０１内とを仕切る上下動可能なゲート２１３と、基板収容室２１２内にガスを供給するガス供給機構２１５とを具備した基板収容部２１０を有する。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバーの基板デチャックシステムは、基板のデチャック時に、電位スパイクを減少させて、基板をＥＳＣ（静電チャック）から取り外せるように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板表面を加工あるいは観察する際に、基板の裏面を汚染したりダメージを与えずに、ステージへの基板の着脱が容易で、かつ基板をステージ上に十分に固定させる基板固定装置を提供する。
【解決手段】表裏に主面を有する基板１０１の表面を微細加工する場合、あるいは微細加工した基板の表面を観察する場合に、基板をステージ上に固定する基板固定装置であって、ステージ１０３上に固定されたステージガード１０４を備え、ステージガードは、基板を加工あるいは観察する開口部が設けられているとともに、所定の高さを有してステージとの間に空間を形成して、基板の裏面を前記ステージに非接触とし、基板の表面の一部を用いて、基板をステージガードに水平に保持する手段を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理後のウエハの冷却時間を短くし、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】熱遮蔽板５０は、ボート３８に保持されたウエハに冷却ガスを吹き付ける冷却ガス吹出部備え、この冷却ガス吹出部には、冷却ガスの吹き出し口である吹出孔が複数設けられている。熱遮蔽板５０は、ウエハ移載装置３６ａとボート３８との間でウエハが授受される際には、これを干渉しない位置に退避されており（退避位置）、ウエハ（及びボート３８）を冷却する際には、ウエハ（及びボート３８）からの放熱を吸収及び遮断するように、ウエハ移載装置３６ａとボート３８との間に移動する（冷却位置）。 （もっと読む）

【課題】一方向に搬送される基板を一時的に退避させる基板バッファユニットにおいて、バッファ空間の空気洗浄を効率的に行うことのできる基板バッファユニットを提供する。
【解決手段】基板搬送路を搬送される基板Ｇを一時的に収容し、前記基板搬送路から退避させる基板バッファユニット１００であって、上面が開放された箱状の筐体１と、前記基板搬送路から前記筐体内に搬入された基板を載置する載置部６と、前記載置部を前記基板搬送路から外れた所定位置に移動可能に設けられた箱状の棚部２と、前記棚部の一側面に設けられ、前記載置部に清浄空気を導入する空気導入口６ａと、前記棚部に接続され、該棚部内の空気を吸引して前記筐体外に排気する排気手段３０と、前記棚部よりも下方の前記筐体側面に設けられ、該筐体内の雰囲気を排気する排気窓４０とを備える （もっと読む）

【課題】 基板を吸着して搬送する際に基板にパーティクルが付着しにくい吸着搬送部材およびこれを用いた基板搬送装置ならびにこの基板搬送装置を用いた基板処理装置および基板検査装置を提供する。
【解決手段】 先端側が二股に分岐した、支持部側から先端側に向けて長い板状体７に、板状体７の先端部の各表面の少なくとも２カ所に設けられた、気体を吸引して基板を吸着するための吸着部３と、分岐部を通って先端部の吸着部３同士をつなぐ先端側吸引路４ａと、支持部に設けられた、分岐部における先端側吸引路４ａに支持部側吸引路４ｂを介してつながって気体を吸引するための吸引部５とを備え、先端側吸引路４ａが、先端部側で直線状であり、分岐部側で湾曲している吸着搬送部材１において、先端側吸引路４ａの板状体７の長手方向における長さは、湾曲している部分の方が直線状の部分よりも長い吸着搬送部材１である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大気開放時に要する時間を抑制しつつ、圧力勾配の発生に基づくパーティクルの巻上げ防止を可能とする真空処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、給気管からのガス導入によるロードロック室の大気開放のときに、ロードロック室内の圧力が所定の第１の圧力まで上昇したときに、排気管を用いたロードロック室内の排気を開始し、第１の圧力より高い第２の圧力まで、ロードロック室内の圧力が上昇したときに、排気管を用いた排気を停止する真空処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハへの汚染が少なく加熱容器のシール性を向上する。
【解決手段】 気密構造の容器と、容器内に収納される基板を保持する基板保持手段と、容器の上壁を透過して基板を加熱するランプユニットと、容器の外周に設けられ容器の鉛直軸を中心に回転する円筒状の外部ロータと、容器内に嵌められ基板保持手段を外部ロータと同心に回転させる円筒状の内部ロータと、外部ロータと内部ロータとを容器の側壁を介して磁気的に結合し外部ロータにより内部ロータを回転させる磁気結合手段と、内部ロータにガスを流し内部ロータを浮上支持させるガス軸受と、を備え、磁気結合手段は外部ロータに設けられた磁石と内部ロータに設けられた磁性体とを有し、基板保持手段を回転させる際に外部ロータに設けられた磁石の上面を内部ロータに設けられた磁性体の上面より高い位置に保持する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ用収容ケースの品質を容易に且つ短時間で評価できると共に、内部に収容される半導体ウエハの常温における保管寿命を推定することで当該収容ケースの品質を評価することが可能な半導体ウエハ用収容ケースの品質評価方法を提供する。
【解決手段】ウエハ収容ケースを所定条件で乾燥させた後、半導体ウエハを収容して、常温より高い所定温度で所定時間加熱し、該加熱されたウエハ収容ケースに収容されている半導体ウエハの品質を判定し、前記所定温度と判定された半導体ウエハの品質とに基づいてアレニウスプロットを実行し、収容ケース内の常温における水分量に基づいて、該収容ケースが吸着している水分量を算出し、アレニウスプロットとウエハ収容ケース内が吸着している水分量に基づいて、半導体ウエハの常温における保管寿命を推定する。 （もっと読む）