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Fターム[5F031PA23]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 特殊目的 (8,207) | 汚染防止 (1,146)

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本発明の目的は、漏れ止め用の壁を備える、少なくとも1つのウェハ処理設備と協働することが可能な装置であって、漏れ止め用の壁が、移動チャンバおよび処理チャンバの間から選択される第1の設備に接続するための手段を備える第1の開口部と、ウェハをそれぞれ保管するのに適した一連の平行に積み重ねられたトレーを備え、かつ装置内で搬送することができるバスケットを収容する、ウェハ搬送ケースに接続するための手段を備える第2の開口部と、バスケットを搬送ケースから、ならびに搬送ケースまで移動させるための手段と、トレーを固定するための手段とを備える装置を提供することである。装置は、EFEMモジュールおよび移動チャンバの間から選択される第2の設備に接続するための手段を備える第3の開口部と、ウェハが第2の開口部および/または第3の開口部を通過することを可能にするために移動手段と共に働くことができる、ウェハを配置および支持するための手段とをさらに備えている。
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【課題】キャリアを高速で搬送することができ、なお且つ成膜室内の排気能力が高く、高真空度を短時間で容易に実現できるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア25を非接触状態で駆動するリニアモータ駆動機構201と、キャリア25の側面部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構201により駆動されるキャリア25を水平方向にガイドする水平ガイド機構206と、キャリア25の下端部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構201により駆動されるキャリア25を鉛直方向にガイドする鉛直ガイド機構207とを備え、水平又は鉛直ガイド機構206,207は、キャリア25の搬送方向に並ぶ複数の支軸209,211に制振部材を介して回転自在に取り付けられた複数のベアリング210,212を有し、この制振部材を介して支軸209,211とベアリング210,212との非接触状態が維持される。 (もっと読む)


【課題】ウェーハを保持する際に、ウェーハに対する損傷を抑えることができるようにする。
【解決手段】ウェーハWの外周の一部を保持可能なウェーハ保持溝13、11が形成されたウェーハ保持体12、11を複数有し、ウェーハ保持体12が複数連結された保持体列を有し、保持体列の複数のウェーハ保持体12(12a、12b)が、その隣のウェーハ保持体12(12b、12c)に対してウェーハWを保持する側に屈曲することにより、ウェーハWの外周を半周よりも広範囲な部分において保持可能な状態となるようにウェーハ保持治具3を構成する。 (もっと読む)


半導体ウェハの支持体は、ウェハを支持するためのサポート表面と、上記サポート表面から離れて形成されそれにより上記ウェハから離間される窪んだ表面と、を有するプレートを含む。複数のホールが、上記窪んだ表面から延び、サポート表面には、ウェハの汚染を防止するため、ホールが存在しない。
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【課題】被処理体の周囲に設けられた整流壁のたわみを軽減することの可能な処理装置を提供する。
【解決手段】
処理容器20の内部に処理ガスを供給して、載置台3上に載置された被処理体Sに例えばエッチング等の処理を行うための処理装置2において、整流部材5は被処理体Sの各辺に沿って伸びる複数の整流壁51を連結して、当該被処理体Sを囲むように構成され、各整流壁51は、その両端部を支持部材52にて支持され、且つ、その上縁が当該整流壁51の中央部に向かって徐々に高くなる形状に形成される一方、下縁は前記載置台の上面と平行に形成されている。 (もっと読む)


【課題】少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことが可能な被処理体の移載機構を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Wを複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックス6と、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器64内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段18との間で、被処理体の移載を行う被処理体の移載機構52において、昇降手段54により上下方向へ昇降可能になされた昇降台56と、昇降台に設けられて、被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段58と、フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させるイオン発生手段60とを備える。 (もっと読む)


本発明(複数可)は、基板表面上に堆積させた材料を効率よく乾燥させる装置および方法を提供する。本明細書に記載する装置および方法は、基板の表面上に堆積させた材料から溶剤タイプの材料を除去するのに有用となり得る。場合によっては、材料は、スクリーン印刷プロセスを用いて堆積させることができる。一実施形態によるスクリーン印刷チャンバは、結晶シリコン基板上にパターン付き材料を堆積させ、次いで、堆積させた材料を乾燥チャンバ内で乾燥させる。一実施形態では、スクリーン印刷チャンバと乾燥チャンバがどちらも、カリフォルニア州サンタクララの本出願人によって市販されるRotary lineツールまたはSoftline(商標)ツール内に配置される。
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【課題】金属部品からイオン成分が溶出して基板の汚染等を招くのを抑制し、構成の簡素化を図ることのできるバルブ機構及び基板収納容器を提供する。
【解決手段】保持筒31と、保持筒31の部分的に開口した表面を被覆するフィルタ37と、保持筒31に内蔵される中蓋筒38と、保持筒31の開口裏面側に螺嵌される有底円筒形の固定筒44と、中蓋筒38と固定筒44の間に介在されて気体の流通を制御する弁体50とを備え、保持筒31と固定筒44を樹脂含有の成形材料により成形し、固定筒44の底部52に、気体流通用の通気口45を穿孔する。また、弁体50を、弾性材料により成形して保持筒31と固定筒44の螺嵌方向に伸縮可能にするとともに、弁体50の底部52を通気口45に接離可能に接触させ、弁体50を圧縮してその底部52を通気口45から離隔させることにより、保持筒31と固定筒44の間で気体をフィルタ37を介して流通させる。 (もっと読む)


【課題】オイルによる汚染がなく、磁気ノイズを発生しない、エネルギ効率のよい、高性能なステージ位置決め装置を提供する。
【解決手段】Yステージ7をX、Y、Zの3軸方向に移動するステージ位置決め装置1であって、架台に対してテーブル10を水圧によってZ軸方向に駆動する水圧アクチュエータ11と、テーブル10に設けられるガイドレール9に対してXステージ8を水圧によって支持する静圧軸受18と、テーブル10に対してXステージ8を水圧によってX軸方向に駆動する水圧アクチュエータ19と、Xステージ8に設けられるガイドレール20に対してYステージ7を水圧によって支持する静圧軸受17と、Xステージ8に対してYステージ7を水圧によってY軸方向に駆動する水圧アクチュエータ15とを備える。 (もっと読む)


半導体装置のウェハ台が提供される。ウェハ台は、基板を支持することができる。ウェハ台は、パージガスを流すように構成された少なくとも1つのパージ開口と、台の上に基板をチャッキングするように構成された少なくとも1つのチャッキング開口とを含む。この台は、少なくとも1つのパージ開口と少なくとも1つのチャッキング開口との間に配置された封止帯を含む。封止帯は、基板を支持するように構成される。
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【課題】薄膜積層体の各層が他の層の材料で汚染されることを防ぐことができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】容量結合方式でプラズマを生成する容量結合プラズマ成膜室11と、誘導結合方式でプラズマを生成する誘導結合プラズマ成膜室12と、容量結合プラズマ成膜室11と誘導結合プラズマ成膜室12の間で基板Sを搬送する基板搬送手段152を内部に備える基板搬送室15と、基板搬送室15内の圧力を切り替える搬送時圧力切り替え手段(圧力調整ガス供給口144及び排気装置155)を備える。ここで、基板搬送室15内の圧力は、容量結合プラズマ成膜室11と基板搬送室15の間で基板を搬出入する際には容量結合プラズマ生成時の圧力に近い値に設定し、誘導結合プラズマ成膜室12と基板搬送室15の間で基板を搬出入する際には誘導結合プラズマ生成時の圧力に近い値に設定する。 (もっと読む)


【課題】基板面を傷つけることなく、また、パーティクルの発生を抑制させ得る基板支持装置を提供すること。
【解決手段】各基板支持部4の上部面の一部が、基板載置部に載置される基板の平滑面(裏面)8と該平滑面8の外周に設けられた面取部(面取面)9との境界領域に形成される稜部10に当接して基板を保持するように基板載置部内に配置されている。つまり、本発明の装置では、基板支持部4は基板外周近傍の平滑面8には接することがない。従って、基板平滑面を傷つけることなく、また、パーティクルの発生も抑制される。 (もっと読む)


【課題】基板に付着している大気の成分を除去する。
【解決手段】ロードロック室に基板が搬入されると、ロードロック室の中は、まず排気され、その後パージガスが導入されて圧力が上昇する。そしてロードロック室は再び排気される。これにより、基板上に付着している大気の成分は除去される。その後、基板はロードロック室から処理室に搬送され、処理室の中で処理される。基板を処理する工程は、例えば大気に含まれる成分と反応するガスを用いて基板に膜を成膜する工程である。 (もっと読む)


【課題】成形性の向上を図ることができ、しかも、基板と支持体との接触領域を減少させて塵埃の発生を抑制することのできる基板収納容器を提供する。
【解決手段】樹脂を含む成形材料により半導体ウェーハを整列収納するフロントオープンボックスタイプに射出成形される容器本体1と、この容器本体1の内部両側にそれぞれ設けられて相対向する一対の支持体4とを備え、この一対の支持体4に半導体ウェーハの周縁部側方を支持させる基板収納容器であり、各支持体4を、容器本体1の前後方向に分割して複数のティース5を形成し、ティース5とティース5との間に半導体ウェーハに非接触の隙間6を形成する。各支持体4が短い複数のティース5からなるので、支持体4の成形性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】 工程数を増やさずに、半導体チップに付着した粉塵を効率的に除去することができる半導体チップのピックアップ装置及び半導体チップのピックアップ方法を実現する。
【解決手段】 ピックアップ装置10は、半導体チップ22cを吸着固定する吸着部11aと、割断面22mの全周にわたって厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部11bとが形成されたコレット11を備えており、半導体チップ22cの割断面22mと覆い部11bとの間に隙間25を形成し、吸引装置12に向かう気流Wを発生させることができる。気流Wにより割断面22mから粉塵Pを脱離させて吸引装置12により吸引除去することができる。続いて、吸着部11aに半導体チップ22cを吸着固定し、粉塵Pの除去と半導体チップ22cのピックアップとを同じ工程で行うことができる。 (もっと読む)


【課題】研削加工後のウエーハをチャックテーブルから搬出する際に、ウエーハを汚染させることなく、またウエーハを破損させることなくチャックテーブルから搬出することができるウエーハの搬出方法を提供する。
【解決手段】チャックテーブル52の保持面に吸引保持されたウエーハ10の上面に、搬送アーム172の一端に取り付けられた吸引保持パッド171の吸引面171aを接触させ、吸引保持パッドの吸引面にウエーハの上面を吸引保持するウエーハ保持工程と、吸引保持パッドの吸引面にウエーハの上面を吸引保持した状態で、チャックテーブルの保持面に吸引保持されたウエーハの吸引保持を解除し、チャックテーブルを回転しつつ吸引保持パッドを上昇せしめて吸引保持パッドの吸引面に吸引保持されたウエーハをチャックテーブルの保持面から離脱して搬出するウエーハ搬出工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】簡単で安価な構造で芯ずれを低減したベローズ機構を提供する。
【解決手段】べローズ16が伸縮する過程で芯ずれを生じても、その芯ずれは中間リング17の内側面における丸リング19と中間リング17内側面との接触点を支持点として中間リング17が揺動することによって吸収される。その結果、べローズ16が伸縮する過程で生じる芯ずれに起因して中間リング17とブッシュ18及びシャフト8とブッシュ18間に負荷が加わり、摩耗やかじりを生じることによって結果としてベローズ機構12の耐久性が低下することが防止される。 (もっと読む)


クリーン環境において使用するための、改良された清浄度を備えるロボットが開示され、このロボットは、クリーン環境と、ロボットハウジングとの間の開放インターフェースを通る均一な流れを有し、この均一な流れは、粒子発生領域を通って排出ポートへ移動し、クリーン環境から粒子を排除する。均一な流れは逆流を低減又は排除し、さらに、開放インターフェースのスケーラビリティが、ロボットハウジング内の移動機構から生じる多粒子がクリーン環境を汚染することを阻止する。均一な流れは、流れの動力学を設計し、排出ポートをセンタリングすることによって、又は細長いスロットに沿って流れを制限することによって、例えば、細長いスロットに沿って流れを均一に制限することによって、又は細長いスロットに沿って制限器を提供することによって、確立することができる。
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【課題】乾式加工時の静電気による不具合、及び、発熱による問題を低減でき、パーティクルの発生が少なく、吸着性能に優れた真空吸着装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素粒子が金属珪素により結合された構造を有する多孔質体からなる載置部と、炭化珪素焼結体の緻密質体からなる支持部と、を具備する真空吸着装置であって、前記載置部と前記支持部とが実質的に隙間なく直接接合された接合構造を有することを特徴とする真空吸着装置。 (もっと読む)


【課題】汚れ付着によるロール劣化が軽減され、従来以上の長期にわたって搬送、転写を安定的に行なえる搬送装置及び積層体の製造装置を提供する。
【解決手段】ゴム層65aを有する圧着ローラ64a及びゴム層65bを有する圧着ローラ64bとゴム層65aにUV−B光を照射するUV−Bランプ81とを備えており、ゴム層65aの表面に汚れが生じていると判定されたときに、ゴム層65aに積算照度が所定値に達するまでインラインでUV−B光を照射して洗浄できるようになっている。 (もっと読む)


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