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Fターム[5F031PA23]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 特殊目的 (8,207) | 汚染防止 (1,146)

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【課題】液体の漏れ出しを抑制する。
【解決手段】露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板を露光する。露光装置は、投影光学系が配置される第1領域と、第1領域と異なる第2領域とを含む所定領域内で、基板を載置して移動可能な第1ステージと、所定領域内で移動可能な第2ステージと、第1、第2ステージをそれぞれ第1、第2領域の一方から他方に移動するとともに、所定領域内で第1、第2ステージを独立に移動するリニアモータシステムと、投影光学系の直下に液体を供給して液浸領域を形成する液浸システムと、投影光学系と第1ステージとの間に液浸領域が維持される第1状態と、投影光学系と第2ステージとの間に液浸領域が維持される第2状態との一方が他方に遷移するように、投影光学系の直下に液浸領域を維持しつつ、リニアモータシステムによって、投影光学系の下方で第1、第2ステージを移動する制御システムと、を備える。 (もっと読む)


【課題】レジストが形成された基板を保持した際に、押圧部材へのレジストの付着を抑制
することができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】レジスト101が形成された基板100が載置されるステージ14と、ステ
ージ14上に載置された基板100の周縁部に先端面15aが当接する爪部15を備えて
基板100をステージ14側に向かって押圧する押圧部材16とを有し、爪部15の先端
面15aに複数の突起部21が設けられている構成とする。 (もっと読む)


【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットRSWにより裏面洗浄された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH12により保持されて冷却ユニットCPに搬送される。冷却ユニットCPにより温度調整された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH11により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH13により保持されて露光装置から基板載置部PASS9に搬送される。 (もっと読む)


【課題】基板表面が乾燥しないように水中で基板の表面に非接触で基板を保持し、効率良く搬送する。
【解決手段】液中に水平に浸漬された基板の上方に設けられた噴射ノズルで前記基板の上方から前方に向けて液体を噴射して基板を前方に送り出す基板の搬送装置において、基板4の搬送方向に沿って往復動可能に搬送ユニット30を設け、前記搬送ユニット30は、上下に揺動可能に設けられ基板4を静止させるストッパ34と、前記ストッパ34の後方に設けられ、前記基板4の後端よりもやや後方から液体45を前方に向けて噴射する噴射ノズル35とを一体に備え、 前記噴射ノズル35からの液体45の噴射により、基板4を浮上させると共に前記ストッパ34に基板4を当接させて静止させた状態で搬送ユニット30を移動させて基板4を搬送するようにする。 (もっと読む)


【課題】熱圧着部材の圧着面を容易に清掃することができるテープ剥離装置を提供する。
【解決手段】板状物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された板状物の表面に貼着された保護テープに剥離用テープを押圧して熱圧着するための圧着面を備えた熱圧着部材71と、板状物の表面に貼着された保護テープに熱圧着された該剥離用テープと該チャックテーブルとを相対的に移動せしめる移動手段とを具備するテープ剥離装置であって、熱圧着部材71の圧着面にはフッ素樹脂714が被覆されている。 (もっと読む)


【課題】紫外線ランプを用いて粘着テープに紫外線を照射しても、粘着層の一部がテープから剥がれてゴミとしてワークに付着せずに粘着テープからのワークの剥離を容易に行うことができる露光器を提供する。
【解決手段】紫外線ランプ12が収納される内部空間11Aを有する本体11と、この本体11の内部空間11Aに配置されワークWが貼付された粘着テープTをセットするフレーム13Aと、本体11の内部空間11Aを冷却する冷却装置であるファン14及びペルチェ素子18とを備え、粘着テープTの粘着力を瞬時に低下させるために紫外線を粘着テープTに照射するとともに、紫外線ランプ12から発生する熱を、ファン14及びペルチェ素子18で冷却することにより粘着テープTへの熱伝達を妨げる構成とする。 (もっと読む)


【課題】ローラー搬送方式で基板をトレイ等に搭載することなく直接搬送させる場合、搬送用ローラーと基板の接触面積が大きく、搬送用ローラーの基板接触面への異物の付着を防ぐことは困難であるが、この付着した異物との接触による基板へのダメージを抑制することを可能にした基板搬送装置を提供するものである。
【解決手段】基板の搬送方向に配列し、駆動系と連結して複数のローラーシャフトを回転させて基板を搬送する基板搬送装置において、複数のローラーシャフトに、それぞれ幅の細い複数個の半径の異なるリングローラーを交互に連結させて一体のローラーを形成し、かつ、ローラーがローラーシャフトに複数個配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ドライクリーニング処理回数を抑制したり、或いはドライクリーニング処理自体をなくして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に且つ低コストで行うことが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を表面に形成するための被処理体Wを載置する載置台構造22において、被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータ26が設けられた載置台本体114と、載置台本体の側面と底面とを囲んだ状態で載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路28が設けられて、原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持された基台116とを備える。これにより、ドライクリーニング処理自体をなくすなどして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に行う。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハ裏面側に研削屑が付着したり、研削屑による傷の発生を抑制可能な洗浄装置のチャックテーブルを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ洗浄装置のチャックテーブルであって、回転可能なチャックテーブル基台と、該チャックテーブル基台の上面に該チャックテーブル基台の回転中心を中心とする同心円状に等間隔離間して配設された弾性部材からなる少なくとも3個の真空吸着パッドとを具備し、該チャックテーブル基台は該真空吸着パッドの各々に連通する吸引路を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 乱れの無い安定した層流状態の置換ガスの流れを得るには、供給管における置換ガスの圧力変動を断つ必要がある。
【解決手段】 基板を収納するための中空部と開口とを有する本体容器と、該開口に挿嵌され、該開口を密閉可能な蓋部材と、該蓋部材の内部に画定されるバッファ空間と、該バッファ空間に置換ガスを供給するための給気ポートと、前記本体容器の開口に挿嵌された状態において、該本体容器の中空部に対向する該蓋部材の内面と該バッファ空間との間に連通するように配置され、該バッファ空間に供給された置換ガスを該中空部に送出する複数の孔とを備える基板収納ポッドにより解決する。 (もっと読む)


【課題】材料起因によるパーティクル汚染をほぼ完全に防止することができるワーク保持装置及びそのエンボス形成方法を提供する。
【解決手段】真空チャック1は、ベース2上に吸着部3を設けた構成である。ベース2は、アルミニュウム製の本体部21と軸部22とを備える。吸着部3は、エンボス23と外周壁部24とを樹脂フィルム4で覆った構造である。具体的には、樹脂フィルム4によって、本体部21の表面21aに突出したエンボス23と外周壁部24とを覆い、樹脂フィルム4を、エンボス23と外周壁部24との形状に沿って密着させ、接着樹脂シート5を介してこれらに接着した。 (もっと読む)


【課題】ウエハホルダによるウエハのスリップや反り等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ウエハ1の下面に面接触してウエハ1を保持するウエハホルダ70をボート60に多数段装着しておき、多数段のウエハホルダ70にウエハ1をそれぞれチャージした状態で、処理室内にボートローディングし、ウエハ1のアニール処理後にボートアンローディングする。ボート60の多数段のウエハホルダ70からウエハ1をディスチャージする際に、ボート60の最上段領域Uのウエハホルダ70からウエハ1Aをディスチャージし、その後に、最下段領域Bに向かってウエハ1をディスチャージして行く。取り出そうとしているウエハ1から落下した異物は下側のウエハ1に付着するので、異物が下側のウエハホルダに付着するのは防止でき、ウエハホルダに付着した異物による次回のウエハ1でのスリップや反り等の弊害の発生を未然に防止できる。 (もっと読む)


【課題】ワークが保持される状態において、ワークの姿勢の安定性を高めつつワークと他の部材との接触を防止するチャック装置を提供する。
【解決手段】ワークWに対向する保持面32に開口する旋回室33を有した保持部材12を備え、旋回室33に流入した圧縮空気の旋回流によって旋回室33とワークWとの間に負圧を形成するとともに、旋回室33から流出した圧縮空気によって保持面32とワークWとの間に正圧を形成することによって、支持台40に支持されたワークWを浮上させて保持部材12から保持距離HDだけ離れた保持位置でワークWを保持するチャック装置10において、ワークWの浮上方向において保持面32から保持位置よりも保持部材12の領域である規制領域に配置されるとともに、ワークWとの接触によって浮上方向におけるワークWの進路を規制領域の支持台40側に規制する浮上規制部材45を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャルウェーハ裏面における傷、接触痕を発生させるのを防止し、且つ半永久的に使用できるサセプタを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置用サセプタは、サセプタ基材の少なくともウェーハ支持領域に、ガラス状カーボン製のウェーハ支持部材を交換可能に設置したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャルウェーハ裏面への傷、接触痕を防止でき、且つ高温処理において変形が起こりにくい気相成長装置用サセプタ及び該サセプタを用いた気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置用サセプタは、SiCを基材とするサセプタの表面全面又は少なくともウェーハ支持部を、ガラス状カーボンで被覆したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体基板処理動作中に流体を分配する装置。
【解決手段】当該装置は、複数の流体源に結合された複数の分配ノズルを備える中央流体分配バンクと、中央流体分配バンクの第1の側に位置された第1の処理チャンバとを含む。また、当該装置は、中央流体分配バンクの第2の側に位置された第2の処理チャンバと、中央流体分配バンクと第1の処理チャンバと第2の処理チャンバとの間で並進するようになっている分配アームとを含む。さらに、当該装置は、第1の処理チャンバと第2の処理チャンバとの間に位置された分配アームアクセスシャッタを含む。 (もっと読む)


【課題】省スペースな装置で、大型の板状物を研削・研磨可能な研削装置を提供する。
【解決手段】ワークを保持する保持機構2a、2bは、一面にワークを保持する垂直方向に沿った第一の保持面21と他面にワークを保持する垂直方向に沿った第二の保持面22とを有し、研削機構3は、第一の保持面21に対向する第一の研削部3aと第二の保持面22に対向する第二の研削部3bとから構成され、第一の保持面22に保持されたワーク及び第二の保持面22に保持されたワークが第一の研削部3a及び第二の研削部3bに押圧されることによってワークが挟持された状態で回転して研削を行う。保持面21、22を垂直にしたため、ワークが大型化してもそれに応じて装置が大型化することがなく、装置の大型化を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】真空搬送室に備えられた真空処理室の配置を最適化し、設置面積あたりの被処理物の生産能力の高い装置を提供する。
【解決手段】カセット内に収納されたウエハが搬送される大気搬送室と、大気搬送室から搬送されるウエハを収納するロック室105と、ロック室後方に連結される第一の真空搬送室104とを備えており、第一の真空搬送室には、複数の搬送中間室111、115〜117が連結されており、さらにその後段には真空搬送室110、112〜114が連結されており、ウエハは、ロック室を介して第一の真空搬送室に搬送され、後段の各真空処理室内において処理するために、第一の真空搬送室に連結された複数の搬送中間室の何れかを介して後段の夫々の複数の真空搬送室に搬送され、第一の真空搬送室以外の後段の複数の真空搬送室に搬送された夫々のウエハが、複数の真空搬送室に夫々連結された各真空処理室に搬送されて処理される。 (もっと読む)


【課題】レチクルを保護する保護部材を設けた場合でも、レチクルを搬送して露光装置の取り付ける場合に、適当な位置に取り付け可能なレチクル搬送装置を提供する。
【解決手段】位置測定装置29はレチクル1の下面に形成された位置測定用マーク26の位置を測定し、これによりレチクル1の位置を測定する。位置測定装置30は、下蓋2bの下面に形成された位置測定用マーク27の位置を測定し、これにより下蓋2bの位置を測定する。レチクル1の位置と下蓋2bの位置が分かれば、レチクル1と下蓋2bの相対的な位置ずれが分かる。よって、搬送装置によりレチクル1を搭載した下蓋2bを搬送して露光装置にセットするとき、このずれを勘案して下蓋2bの停止位置を決定することにより、レチクル1を正しく露光装置にセットできる。 (もっと読む)


【課題】真空搬送室に備えられた真空処理室の配置を最適化し、設置面積あたりの被処理物の生産能力の高い装置を提供する。
【解決手段】複数のカセット台の内の1つに設置されたカセット内に収納されたウエハが搬送される大気搬送室と、大気搬送室の後方に配置されたロック室と、ロック室の後方に連結された第一の真空搬送室と、第一の真空搬送室の後方に連結された搬送中間室と、搬送中間室の後方に連結された第二の真空搬送室と、第一の真空搬送室の後方に連結された少なくとも1つの真空処理室と、第二の真空搬送室の後方に連結された2つ以上の真空処理室とを備え、第一の真空搬送室に連結された真空処理室の数が第二の真空搬送室に連結された真空処理室の数よりも少なく構成するか、第一の真空搬送室に連結された真空処理室の使用を1つに制限するように構成した半導体被処理基板の真空処理システム及びそのシステムを用いた真空処理方法である。 (もっと読む)


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