ヒ化ガリウム基板のような化合物半導体基板は、共融して金属基板（４００）に接着されている。半導体基板は状況に応じて薄くされる、そして、ビアまたはトレンチ（６０１）が、整合した相互接続を容易にするために、前面から金属基板（４００）まで形成される。金属基板（４００）によって与えられる機械的支持により、ビアまたはトレンチ（６０１）がどんな形であることも可能になる。トレンチ（６０１）は、熱隔離または熱拡散を与える、または（金属エア・ブリッジと組み合わせて）電磁遮蔽を可能にするために、特定の回路素子を取り囲むことができる。トレンチ構造物（６０１）は、また、標準的なビア・ホールと比較して、超短波で低いインピーダンスの接地接続を可能にする。金属基板（６００）を、接地面として、またはヒート・シンクとして使用することができる。
（もっと読む）

【課題】超小型電子相互接続構造の多層キャップ障壁を提供すること。
【解決手段】本明細書には、少なくとも１つの低ｋサブレイヤと少なくとも１つの空気障壁サブレイヤとを有する低ｋ多層誘電拡散障壁層を有する構造が記載される。多層誘電拡散障壁層は金属の拡散に対する障壁であり、かつ空気の透過に対する障壁である。この構造の生成に関連した方法および組成物も記載される。これらの低ｋ多層誘電拡散障壁層を利用する利点は、導電性金属フィーチャ間のキャパシタンスの低下によるチップ性能の増大、および多層誘電拡散障壁層が空気を通さず金属拡散を防ぐことによる信頼性の増大である。
（もっと読む）

【課題】目的とする方向に沿って正確に形成された細幅の導電膜を備える半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法、これにより製造された半導体装置、かかる半導体装置を備える表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板２上に半導体層５と、ソース電極３と、ドレイン電極４と、を形成する工程と、半導体層５上にゲート絶縁層６を形成する工程と、ゲート絶縁層６上に一定方向へ延びる溝６１を複数形成する工程と、複数の溝６１上に液状材料を吐出しゲート電極７を形成する工程とを有し、ゲート電極７は、複数の溝６１に重なるように、この溝６１と同一方向へ延在する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌを主成分とする主導体層をより低抵抗に維持すると同時に、一括のウェットエッチングでパターニングでき、主導体層の耐熱性、特にヒロック耐性が確保される新規の薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上にＮｉを主成分とする面心立方格子構造を有する下地層を、該下地層上に主成分が９９原子％以上のＡｌからなる主導体層を形成した薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層は、添加元素として（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ）から選択される１種または２種以上の元素を７〜３０原子％含有し、残部が不可避的不純物およびＮｉからなる薄膜配線層である。 （もっと読む）

基板上に形成された例えば窒化シリコン膜などの薄膜において、その引張応力を増大させる方法及びシステムが提供される。薄膜は平面状の膜であってもよいし、例えばＮＭＯＳゲート上に形成された窒化膜などの非平面状の膜であってもよい。薄膜は該膜を非等方的に曝す平行電磁（ＥＭ）放射線に曝される。ＥＭ放射線は約５００ｎｍ未満の波長を有する成分を有する。ＥＭ放射線源は多周波放射線源を含み得る。
（もっと読む）

【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴塗出法により液滴を配置する際に、区画領域端部で液滴が十分に塗れ広がらず空隙が残ったり、局所的に膜厚が薄くなったりしてしまう、という課題を解決することを目的とする。
【解決手段】本発明の膜パターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、前記基板上に前記膜パターンに応じた隔壁を形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域に前記機能液の液滴を配置する工程とを有し、前記区画領域の端部は曲率を持たせて形成し、液滴が塗れ広がる距離を短くして機能液の充填性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】補完的撥水領域を基体の表面に予め形成することなく、滲みが抑制されたパターンを基体の表面に形成できる吐出用溶液、および、上記パターンを形成する方法などを提供する。
【解決手段】例えば、インクジェット法を用いて、滲みが抑制されたパターンを基体の表面に形成する吐出用溶液などを提供する。基体の表面にパターンを形成するための吐出用溶液であって、前記液体は、第１のパターン形成材料としてフルオロアルキル鎖を有する有機分子を含み、前記液体の表面張力が２０dyne/cm以上であることを特徴とする吐出用溶液とする。
（もっと読む）

【課題】本発明の目的は、例えば、表示装置において、表示ムラを低減することのできる電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板の製造方法、かかる電子デバイス用基板を備える表示装置および信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】
本発明の電子デバイス用基板は、基板と、この基板上に設けられたスイッチング素子と、このスイッチング素子を覆い、前記スイッチング素子の端子（接続部３５４）に到達するコンタクトホール３６１が設けられた層間絶縁膜３６０と、層間絶縁膜３６０上に設けられた画素電極２２３と、画素電極２２３に連続して、コンタクトホール３６１の内面および接続部３５４の表面に、気相プロセスにより形成された導電膜３７１と、コンタクトホール３６１の導電膜３７１内側の空間３６２を埋めるように充填された充填材料３７２とで構成される電気接続部３７０とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】より高性能、高信頼性の記憶装置、及びその記憶装置を備えた半導体装置を低コストで、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層と、第１の導電層の側端部と接して設けられる第１の絶縁層と、第１の導電層及び第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に設けられる第２の導電層とを有し、第２の絶縁層は、絶縁性材料によって形成されており、絶縁性材料が流動化したときの流動化物に対するぬれ性は、第１の導電層より第１の絶縁層の方が高い。 （もっと読む）

本発明は、応用可能な品質の低誘電率(低k)隠微結晶層を最新技術の半導体ウエハー上に生成させるための、そして組織化されたナノ構造物を隠微結晶から生成させるための方法を提供し、これらの物質から得ることができる光学的・電子的なデバイスに関する。本明細書に開示されている結果は、化学気相堆積法(CVP)を使用して単結晶マトリックスの構造と化学組成を改良することで、均一であって且つ半導体ウエハーとの平滑なインターフェースを形成する高品質の隠微結晶層が得られる、ということを示している。この方法を使用すると、誘電性の隠微結晶層を形成するために、1μm/時という高い成長速度を達成することができる。本発明はさらに、隠微結晶を組織化されたシステムに変換することによってマイクロワイヤおよびナノワイヤを製造する方法を提供する。この方法を使用すると、数ナノメートル〜最大で1000ナノメートルの範囲の寸法と、最大で50マイクロメートルの長さを有するナノワイヤを製造することができる。隠微結晶、ナノワイヤ、および組織化された構造物は、次世代のインターコネクションにおけるインターレベル誘電体およびインターメタル誘電体として、超高密度のメモリセルを製造する際において、情報セキュリティにおけるキージェネレータとして、光通信部品を製造する際において、そしてマイクロエレクトロニクスとナノエレクトロニクスの高度な実装とセンサーにおける冷却チャンネルの作製において使用することができる。
（もっと読む）

【課題】製造工程で有機半導体に与えられる悪影響を最小限に抑えることで、有機薄膜トランジスタの所望の電気的特性を確保できる有機薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（124）がゲート絶縁膜（140）で覆われ、その上にソース電極（193）とドレイン電極（195）とが形成されている。ゲート電極（124）の上方ではソース電極（193）とドレイン電極（195）とが所定距離を隔てて対向し、その境界部には有機半導体（154）が形成されている。ゲート電極（124）、ゲート絶縁膜（140）、ソース電極（193）、ドレイン電極（195）、及び有機半導体（154）が有機薄膜トランジスタを構成する。本発明による有機薄膜トランジスタでは更に、有機半導体（154）を下部絶縁体（186p）が覆い、その上を上部導電体（186q）が覆っている。有機薄膜トランジスタの全体は保護部材（180）で覆われている。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】節を有する形状の導電層を、均一な間隔をもって隣接して形成する。隣接する導電層において、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、導電層同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接して設けることができる。 （もっと読む）

【課題】低コストに製造することのできる表示装置を実現する。
【解決手段】基板上に設けられている画素電極１０１の周囲にソースライン１０２を設け、ソース及びゲートとなる領域を開口させた絶縁膜１０３を形成し、ソース１０４ａ及びドレイン１０４ｂを形成し、これらソース１０４ａ及びドレイン１０４ｂの上方に半導体膜５、ゲート１０５を設ける製造方法において、略大気圧下において上記各部を形成する。略大気圧下において製造できるので、真空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスの製造方法に関するものである。この方法では、半導体デバイスは、基板（１０）を具え、この基板（１０）は、表面（２５）を有する低−ｋの前駆物質層（２０）で覆われている。この工程の後、部分硬化工程が行われ、前記低−ｋの前駆物質層（２０）の表面（２５）またはその近くに緻密層（３０）が形成される。この緻密層（３０）は、保護層（３０）として作用することができる。前記低−ｋの前駆物質層（２０）は、未硬化、または部分的に硬化された状態で適用できる特性を有する材料の群から選択される。この方法の主な利点は、前記緻密層（３０）が、前記低−ｋの前駆物質層（２０）自体から形成されるため、別個の保護層（３０）を低−ｋの前駆物質層（２０）に設ける必要がない点である。したがって、前記緻密層（３０）は、前記低−ｋの前駆物質層（２０）に対して良好な接着性を有する。
（もっと読む）

【課題】 ヒューズの信頼性を確保しつつ、ヒューズの切断性を向上させる。
【解決手段】 開口部５ａ上を覆うとともに、多結晶シリコンヒューズ３上を露出させるレジストパターン８を導電膜７上に形成し、そのレジストパターン８をマスクとして導電膜７をエッチングすることにより、開口部５ａを介して高濃度不純物注入層４に接続された配線層７ａを層間絶縁膜５上に形成した上で、導電膜７のオーバーエッチングをさらに行うことにより、多結晶シリコンヒューズ３に段差３ａを形成して、多結晶シリコンヒューズ３を薄膜化し、層間絶縁膜９および保護膜１０を多結晶シリコンヒューズ３および配線層７ａ上に順次成膜する。 （もっと読む）

【課題】導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減できる電極を有する有機電界効果トランジスタ及び有機電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】有機電界効果トランジスタ用の電極、すなわち有機電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、有機化合物と金属酸化物とを含む複合層を用いる。または、さらにアルカリ金属等を含む層を設けた電極とする。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、作製工程を簡略化した半導体装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成し、第１の絶縁層及び第２の絶縁層をエッチングすることにより、第１の導電層に達する第１の開口部を形成し、第１のマスク層除去後、第１の開口よりも開口面積が広い第２の開口を有し、且つ、導電性材料を含む組成物に対してぬれ性の低い第２のマスク層を第２の絶縁層上に形成し、第１の絶縁層上面の一部が露出するように第２の絶縁層をエッチングし、第２の開口部を形成し、第１の開口部及び第２の開口部に導電性材料を含む組成物を充填し、第２の導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 パッド電極下に能動層が配置されている場合においても、パッド電極下における密着性を確保しつつ、バリアメタル構造を能動面上に安定して形成できるようにする。
【解決手段】 不純物拡散層５ａ、５ｂの表面が覆われるようにして層間絶縁膜６上にバリアメタル膜８を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、開口部７が覆われるようにしてパッド電極１６下に配置されるバリアメタル膜８の表面を露出させるレジストパターンＲを形成し、レジストパターンＲをマスクとして、バリアメタル膜８をエッチングすることにより、パッド電極１６下に配置される層間絶縁膜６上のバリアメタル膜８を除去し、バリアメタル膜８を介してゲート電極４および不純物拡散層５ａ、５ｂに接続された配線層９を層間絶縁膜６上に形成し、ゲート電極４および不純物拡散層５ａ、５ｂ上に配置されたパッド電極１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 オーバーエッチングされた第１電極と良好に導通し、接続信頼性及び歩留まりを向上した、コンタクトの形成方法、共振器構造及びこの共振器構造を備えたＥＬ装置を提供する。
【解決手段】 導電層２３７とこの上部にキャップメタル層２３６ａとを備えた第１電極２３６と第２電極との間の異なる誘電体層が複数積層された共振器１０に、エッチングでキャップメタル層２３６ａまで到達するコンタクトホール２０を設け、この内壁面を覆う、第１電極２３６と第２電極とを導通させる導電材料からなるコンタクト２５の形成方法である。導電層２３７に導電材料とのコンタクト抵抗が低く、密着性が高く、共振器１０の１０％以上の厚みとなるキャップメタル層２３６ａを積層して第１電極２３６とし、第１電極２３６上に共振器１０を形成する。共振器１０にコンタクトホール２０を形成しコンタクトホール２０の内壁面にコンタクト２５を形成する。 （もっと読む）

（ａ）再配置可能なアパーチャマスクを基板の近くに配置する工程と、（ｂ）基板の部分を表面改質処理に選択的に曝す工程であって、曝された部分が、アパーチャマスクの１つ以上のアパーチャによって画定される工程とによって表面改質をパターン化する方法。 （もっと読む）