【課題】電子素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】工程段階を減らし、インクジェットプリンティングのような経済的な方法を使用して、フッ素化有機高分子のような絶縁層を直接パターニングできる電子素子の製造方法、並びに該製造方法によって形成されるバンク構造を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）

【課題】上部ダマシン銅配線と下部配線のダマシン・タングステンとの間の、信頼性ある、低抵抗な接続形成方法および構造の提供。
【解決手段】下部ダマシン・タングステン配線に接続するデュアル・ダマシン銅相互接続部を製造するための方法であり、半導体基板１１０上に第１の層を形成し、第１の層上に窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に二酸化ケイ素層１５０を形成する。第１の層は絶縁材料によって電気的に絶縁されたタングステン相互接続部を含む。二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層とを通る２つの接続トラフをエッチングし、下部タングステン相互接続部を露出させ、２つの接続トラフ間の二酸化ケイ素層の最上部をエッチングすることによって、連続スペースを形成する。２つの接続トラフ間の二酸化ケイ素層の角部が低減される。連続スペースにダマシン銅を充填すれば、デュアル・ダマシン銅相互接続部が、露出した下部タングステン相互接続部と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】不良が生じにくい素子構造及び当該素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極層と第２の電極層からなる一対の電極層間に有機化合物を含む層を有する素子構造とし、一対の電極層のうち、少なくとも一方の電極層のヤング率を７．５×１０^１０Ｎ／ｍ^２以下とする。作製される素子の用途に応じた有機化合物を用いて有機化合物を含む層を形成し、記憶素子、発光素子、圧電素子、有機トランジスタ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を液滴吐出法にて形成する際に、より信頼性の高いものを得る、電
気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、
及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、第１隔壁１２をパターン状に設ける。基板１０Ａに金属材
料を蒸着し、第１隔壁１２の上面に画素電極１３及び信号線１４を形成するとともに、第
１隔壁１２に囲まれた領域にゲート線１６を形成する。基板１０Ａ上に、ゲート絶縁膜形
成領域１８、及びゲート絶縁膜形成領域１８に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも
区画する第２隔壁１７を形成する。ゲート絶縁膜形成領域１８にゲート絶縁膜２６を形成
し、有機半導体層の形成材料を含む機能液を半導体層形成領域に吐出し、ゲート電極１６
ａ及びゲート絶縁膜２６の一部を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４間を電気的に接続す
る有機半導体層２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】小さい回路面積でメモリへのデータ書き込みに必要な高電位を得ることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】外部からの電波を受信するアンテナ部と、アンテナ部の出力を整流して直流電圧ＶＤＤ０を出力する整流回路部と、整流回路部の出力を受信して一定の電圧であるＶＤＤを出力するレギュレータ回路と、直流電圧ＶＤＤ０を昇圧する昇圧回路とを有する。昇圧回路の入力電圧として、従来使われていたレギュレータ回路１０４の出力ＶＤＤではなく、ＶＤＤよりも高電位である整流回路部１０３の出力ＶＤＤ０を用いることにより、小さい回路面積で、メモリへのデータ書き込みに必要な高電位を得ることができるものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給後の機能液を基板上で良好に濡れ拡がらせることができる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】形成方法は、基板に第１の幅を有する第１領域、及び第１の幅よりも大きい第２の幅を有する第２領域を区画するバンクを形成するバンク形成工程と、吐出ヘッドから機能液を第１領域に吐出し、第１領域から第２領域へ濡れ広がらせる機能液供給工程と、を有し、吐出ヘッドから吐出する機能液の基板に到達する前の直径は、第１の幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、簡単な工程で開口部を形成する方法を提示する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に複数の光吸収層を形成し、当該複数の光吸収層上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層側から複数の光吸収層に線状または矩形状のレーザビームを照射して、少なくとも複数の光吸収層上の層間絶縁膜を除去して開口部を形成することにより、複数の光吸収層及び当該複数の光吸収層上に形成される絶縁層を除去して、複数の開口部を形成することができる。 （もっと読む）

電子デバイス（１０）を形成する方法として、プラスチック素材を含みその片面上に金属被覆を備える基板（２０）を準備し、その金属被覆の一部をエッチングして金属被覆パターンを形成し、その基板の少なくとも片面に微粒子状素材（１６）を埋め込み、その基板（２０）上に薄膜半導体素材の層を成長させる方法を提供する。
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【課題】ラインエッジラフネスの良好な加工を行うことのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に被加工膜を形成する工程と、前記被加工膜上に、有機膜を含むボトムレイヤーを形成する工程と、前記ボトムレイヤー上に、シリコン成分を含むトップレイヤーを形成する工程と、前記トップレイヤーをパターニングするトップレイヤーパターニング工程と、前記トップレイヤーパターニング工程の後に、前記ボトムレイヤーをエッチングせずに、前記ボトムレイヤー表面の残留物を選択的に除去する残留物除去工程と、前記トップレイヤーをマスクとして、前記ボトムレイヤーをエッチングするボトムレイヤーエッチング工程と、前記ボトムレイヤーエッチング工程の後に、前記ボトムレイヤーをマスクとして前記被加工膜をエッチングする被加工膜エッチング工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、レーザビームを吸収する材料からなる光吸収層からなる。光吸収層に、フォトマスクを介して、レーザビームを照射し、光吸収層に吸収されたレーザビームのエネルギーによるレーザアブレーションを利用して、マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】導電パターンの角部の盛り上がりが少なく、絶縁層を介して積層配線構造とした場合でも絶縁特性の良好な配線パターンと、これを用いた電子素子等を提供する。
【解決手段】濡れ性変化層2に、エネルギーを付与して高表面エネルギー部3とし、その上に導電性液体により導電パターン5を形成して配線パターン1とする。その際、導電パターンの平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線形状とし、その断面視形状は該角部の盛り上がりが少なく、パターン中央部となだらかに連なり全体が略平坦な形状とする。配線パターン1を用いて積層配線パターン、積層配線基板を構成する。又は濡れ性変化層2の低表面エネルギー部に接して半導体層を設け、電子素子、有機半導体素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有する。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスと後工程の相互接続体との間の誘電体材料層内にコンタクト構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態は、半導体デバイスと後工程の相互接続体との間の誘電体材料層内にコンタクト構造体を製造する方法を提供する。この方法は、誘電体材料層内に少なくとも１つのコンタクト開口部を作成するステップと、化学気相堆積プロセスによって第１のＴｉＮ膜を形成するステップであって、第１のＴｉＮ膜はコンタクト開口部をライニングする（内側を覆う）ステップと、物理的気相堆積プロセスによって第２のＴｉＮ膜を形成するステップであって、第２のＴｉＮ膜は第１のＴｉＮ膜をライニングするステップとを含む。本発明の実施形態によって製造されるコンタクト構造体も提供される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程数で、支持基板への十分なコンタクトが形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板１１の主面に絶縁膜１２を介して形成された半導体膜１３にゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極膜２１と、ソース領域２２およびドレイン領域２３とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ１５と、半導体膜１３および絶縁膜１２を貫通し、支持基板１１に達する第１開口部に、厚さが０より大きく２ｎｍ以下のシリコン酸化膜２８を介して形成されたポリシリコン膜２９を有する支持基板コンタクト部１７とを具備する。ポリシリコン膜２９と支持基板１１とのコンタクト面積を十分大きく設定することにより、シリコン酸化膜２８のリーク電流を介してコンタクトを得る。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法、また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板１００上に第１の層１０１を形成し、第１の層１０１上に光吸収層１０３を形成し、光吸収層１０３に選択的にレーザビーム１０５を照射する。光吸収層１０３がレーザビーム１０５のエネルギーを吸収することで、光吸収層１０３内における気体の放出、光吸収層１０３の昇華または蒸発等により、一部が物理的に解離する。即ち、光吸収層の一部にレーザビーム１０５を照射し、当該照射領域の一部を除去する。残存する光吸収層１１３をマスクとして用いて、第１の層１０１をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層１０１を所望の場所及び形状に加工することができる。 （もっと読む）

フォトダイオードアレイの製造方法は、互いに反対向きの第１および第２主表面を有する半導体基板を用意することを含む。半導体基板は、第１主表面側の第１導電率の第１層と、第２主表面側の第２導電率の第２層を持つ。第１主表面に対する第１深さ位置へ延びるビアを基板に形成する。ビアは第１アスペクト比を持つ。ビアの形成と大体同時に、ビアから間隔をおいて、第１主表面に対する第２深さ位置へ延びる分離溝を基板に形成する。分離溝は第１アスペクト比と異なる第２アスペクト比を持つ。
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【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】マスク層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１のマスク層を形成する。枠状の第１のマスク層の内側の空間を充填するように、液状の第２のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ第２のマスク層を形成する。第１のマスク層及び第２のマスク層は接して形成され、第２のマスク層の周囲を囲むように第１のマスク層が形成されるので、第１のマスク層及び第２のマスク層は連続した一つのマスク層として用いることができる。 （もっと読む）